專利名稱：熔融鹽浴、析出物、以及金屬析出物的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熔融鹽浴(molten salt bath)，析出物(deposit)，以及金屬析出物的制造方法。具體地，本發(fā)明涉及能夠容易提供具有光滑表面的析出物的熔融鹽浴，利用該熔融鹽浴獲得的析出物，以及利用該熔融鹽浴制造金屬析出物的方法。
背景技術(shù)：
按照慣例，為通過電鑄制造金屬制品或在基底上鍍敷鍍層，已經(jīng)努力研究了利用包含金屬的熔融鹽浴進(jìn)行電解從熔融鹽浴中析出金屬。特別是，這些年來，在信息通訊、醫(yī)療保健、生物技術(shù)、汽車等各領(lǐng)域中，MEMS(微型機(jī)電系統(tǒng))集中受到關(guān)注，該系統(tǒng)可生產(chǎn)大小緊湊、具有高性能且節(jié)能的微細(xì)金屬制品。目前，存在根據(jù)微型機(jī)電系統(tǒng)的應(yīng)用，采用通過熔融鹽浴的電解析出金屬的技術(shù)，來制造微細(xì)金屬制品和/或在微細(xì)金屬制品表面上鍍敷鍍層的方法。
非專利文獻(xiàn)1P.M.COPHAM，D.J.FRAY，“Selecting an optimumelectrolyte for zinc chloride electrolysis”，JOURNAL OF APPLIEDELECTROCHEMISTRY 21(1991)，p.158-165非專利文獻(xiàn)2M.Masuda，H.Takenishi，and A.Katagiri，“Electrodeposition of Tungsten and Related Voltammetric Study in a BasicZnCl2-NaCl(40-60mol％)Melt”，Journal of the Electrochemical Society，148(1)，2001，p.C59-C64非專利文獻(xiàn)3Akira Katagiri，“Electrodeposition of Tungsten inZnCl2-NaCl and ZnBr2-NaBr Melts”，Molten Salts and High-temperatureChemistry，Vol.37，No.1，1994，p.23-38非專利文獻(xiàn)4Nikonowa I.N.，Pawlenko S.P.，Bergman A.G.，“Polythermof the Ternary System NaCl-KCl-ZnCl2”，Bull.acad.sci.U.R.S.S.，Classe sci.chim.(1941)，p.391-400

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的問題作為從熔融鹽浴中析出金屬的方法的特征，可主要考慮下述三個特征(1)-(3)。
(1)由于熔融鹽浴基本上不包含水，所以可析出不能從主要包含水的常規(guī)電解浴(electrolyte bath)中析出的金屬，即比水更容易趨于電離的金屬。這意味著，當(dāng)使用熔融鹽浴時，可析出高耐熱和耐腐蝕的金屬，例如鉻和鎢。從而，可制造耐熱性和耐久性優(yōu)良的微細(xì)金屬制品和鍍層。
(2)在主要包含水的電解浴中，電解浴中的金屬離子首先變成金屬氫氧化物。由于金屬是通過多個金屬氫氧化物離子(metal hydroxide ions)的電荷遷移而析出的，所以析出物將不可避免地包含氧化物。析出物中的氧化物將導(dǎo)致析出物表面凹凸(unevenness)增大且析出物的機(jī)械性能降低(變脆)等問題。另一方面，由于熔融鹽浴基本上不包含水，因而熔融鹽浴允許無氧狀態(tài)。從而，可抑制在析出物中包含不可避免的氧化物。
(3)在熔融鹽浴中，可使電解的電流密度大于主要包含水的電解浴中的電流密度。從而，可更快地析出金屬。
這種熔融鹽浴的實例是LiCl(氯化鋰)-KCl(氯化鉀)低共熔(eutectic)熔融鹽浴。具體地，可采用低共熔混合物，其含有分別以45質(zhì)量％和55質(zhì)量％的比例混合的LiCl和KCl。在例如將要析出鎢的情況下，將WCl4(四氯化鎢)以熔融鹽浴質(zhì)量的0.1-10質(zhì)量％(例如1質(zhì)量％)添加到該熔融鹽浴中。然后，在熔融鹽浴的溫度加熱到約500℃的情況下，在Ar氣(氬氣)氣氛下，在浸漬在熔融鹽浴中的陽極和陰極之間施加電流密度為數(shù)A/dm2的電流，以進(jìn)行電解。從而，在陰極表面析出鎢。
存在的問題是，通過電解這種熔融鹽浴獲得的析出物(例如鎢)將呈現(xiàn)具有大晶粒尺寸的粉末形式，存在表面光滑度差的問題。為克服該問題，不得不通過以脈沖的方式施加激勵電流來減小析出物的晶粒尺寸，和/或不得不適當(dāng)?shù)卦O(shè)定熔融鹽浴和將要添加到該熔融鹽浴中的金屬化合物的類型的組合。其操作十分復(fù)雜。
在采用主要包含水的電解浴的情況下，允許低溫電解。因而，通過用包含有機(jī)類光澤劑(brightener)和/或潤滑劑的電解浴進(jìn)行電解，可獲得具有光滑表面的析出物。采用熔融鹽浴的情況下，電解必須在熔融鹽浴的溫度升高到高于400℃的情況下進(jìn)行。因而，即使將有機(jī)類光澤劑和/或潤滑劑添加到熔融鹽浴中，有機(jī)類光澤劑和/或潤滑劑也將立刻分解。因而，在熔融鹽浴中包含有機(jī)類光澤劑和/或潤滑劑的情況下進(jìn)行電解，通常是無法想象的。
本發(fā)明的目的是提供能夠容易提供具有光滑表面的析出物的熔融鹽浴，利用該熔融鹽浴獲得的析出物，以及利用該熔融鹽浴制造金屬析出物的方法。
解決問題的方法本發(fā)明涉及一種熔融鹽浴，其包含選自鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶和鋇中的至少兩種；選自氟、氯、溴和碘中的至少一種；選自鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸和鑭系元素中的至少一種元素；以及有機(jī)聚合物，該有機(jī)聚合物包含碳-氧-碳鍵和碳-氮-碳鍵中的至少一種。如此處所用，鑭系元素指鑭、鈰、鐠、釹、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿或镥。
在本發(fā)明的熔融鹽浴中，有機(jī)聚合物可具有雙極性。
此外，本發(fā)明的熔融鹽浴優(yōu)選包含選自鋁、鋅和錫中的至少一種元素。
此外，本發(fā)明的熔融鹽浴優(yōu)選包含選自鉻、鎢和鉬中的至少一種元素。
此外，在本發(fā)明的熔融鹽浴中，有機(jī)聚合物可為聚乙二醇。
此外，在本發(fā)明的熔融鹽浴中，有機(jī)聚合物可為聚乙烯亞胺(polyethylene imine)。
此外，在本發(fā)明的熔融鹽浴中，有機(jī)聚合物優(yōu)選具有至少3000的重均分子量。
此外，本發(fā)明涉及一種利用上述熔融鹽浴獲得的析出物。
此外，本發(fā)明析出物的表面具有根據(jù)JIS B0601-1994低于10μm的十點(diǎn)平均粗糙度(ten-point average roughness)Rz。
此外，本發(fā)明涉及一種金屬析出物的制造方法，該方法包括析出選自鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸和鑭系元素中至少一種金屬的步驟。
在本發(fā)明的金屬析出物的制造方法中，可向熔融鹽浴額外提供與析出金屬相同的元素。
在本發(fā)明的金屬析出物的制造方法中，在熔融鹽浴為至多400℃的溫度時，析出選自鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸和鑭系元素中的至少一種金屬。
本發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可提供能夠容易提供具有光滑表面的析出物的熔融鹽浴，利用該熔融鹽浴獲得的析出物，以及利用該熔融鹽浴制造金屬析出物的方法。


圖1為利用本發(fā)明的熔融鹽浴進(jìn)行電解的裝置實例的示意結(jié)構(gòu)。
圖2為通過浸漬在本發(fā)明熔融鹽浴中的陽極和陰極之間施加電壓后，陰極實例的示意性放大截面圖。
圖3為圖2所示的陰極表面上析出重金屬后的實例的示意性放大截面圖。
附圖標(biāo)記說明1電解槽，2熔融鹽浴，3陽極，4陰極，4a凹陷部分，4b凸起部分，5有機(jī)聚合物，6析出物，7參比電極具體實施方式
以下將對本發(fā)明的實施方案進(jìn)行描述。在本申請的附圖中，相同的附圖標(biāo)記代表相同的或相應(yīng)的組成部分。
本發(fā)明涉及一種熔融鹽浴，其包含選自鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶和鋇中的至少兩種；選自氟、氯、溴和碘中的至少一種；選自鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸和鑭系元素中的至少一種元素(以下，該元素也可稱為“重金屬”)；以及有機(jī)聚合物，該有機(jī)聚合物包含碳-氧-碳鍵和碳-氮-碳鍵中的至少一種。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，基于具有上述組成的熔融鹽浴，可獲得具有光滑表面的重金屬的析出物。
本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，熔融鹽的電解可在熔融鹽至多為400℃的低溫時進(jìn)行，該熔融鹽包含選自預(yù)定堿金屬(鋰、鈉、鉀或銣)的鹵化物(氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)和預(yù)定堿土金屬(鈹、鎂、鈣、鍶或鋇)的鹵化物中的至少兩種，以及上述重金屬化合物中的至少一種，并發(fā)現(xiàn)通過這種電解可獲得熔融鹽浴中重金屬的析出物。
本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在于400℃以下的溫度可進(jìn)行電解的上述熔融鹽中，通過在具有有機(jī)聚合物的熔融鹽浴中進(jìn)行電解，可使重金屬析出物的表面更加光滑，該有機(jī)聚合物包含碳-氧-碳鍵和碳-氮-碳鍵中的至少一種。
認(rèn)為由于以下原因使重金屬析出物表面更加光滑。
本發(fā)明的熔融鹽浴貯存在圖1示意圖所示的電解槽1中。將陽極3、陰極4和參比電極7浸在保持在電解槽1內(nèi)的熔融鹽浴2中。在陽極3和陰極4之間施加電流，以在熔融鹽浴2中進(jìn)行電解，由此，熔融鹽浴2中的重金屬在陰極4表面析出。
由于浸在本發(fā)明熔融鹽浴中的陰極的表面稍有些粗糙，在陽極和陰極之間施加電壓，將導(dǎo)致在陰極4的凸起部分4b吸附許多具有雙極性的有機(jī)聚合物5，所述有機(jī)聚合物5包含具有碳-氧-碳和碳-氮-中的至少一種鍵，如圖2示意性放大截面圖所示。這是由于熔融鹽浴中具有雙極性的有機(jī)聚合物5優(yōu)先被吸附在具有高電流密度的凸起部分4b的事實。
有機(jī)聚合物5吸附之后，由于重金屬離子的還原反應(yīng)，與在陰極4的凹陷部分4a相比，重金屬的析出在陰極4的凸起部分4b更受抑制。這就是陰極4表面上重金屬析出物6的表面光滑的原因，如圖3示意性放大截面圖所示。
本發(fā)明中所用有機(jī)聚合物的實例為具有碳-氧-碳鍵的聚乙二醇、聚丙二醇、或聚乙二醇和聚丙二醇的共聚物，或具有碳-氮-碳鍵的聚胺或聚乙烯亞胺。
此外，本發(fā)明所用有機(jī)聚合物的重均分子量優(yōu)選為至少3000。在此情況下，有機(jī)聚合物的分解溫度升高，使得熔融鹽浴中的分解可受到抑制。此外，存在根據(jù)分子鏈的長度電子被定域(localized)在有機(jī)聚合物內(nèi)的趨勢。因而，存在促進(jìn)有機(jī)聚合物吸附在陰極凸起部分的趨勢。
優(yōu)選混合有機(jī)聚合物，使得本發(fā)明的熔融鹽浴包含至少0.0001質(zhì)量％且不多于1質(zhì)量％的有機(jī)聚合物。如果將本發(fā)明熔融鹽浴中的有機(jī)聚合物混合至對應(yīng)于少于0.0001質(zhì)量％，則存在對于析出物難以獲得光滑表面效果的趨勢，這是因為析出物的表面凸起部分所吸附的有機(jī)聚合物量不足。如果將本發(fā)明熔融鹽浴中的有機(jī)聚合物混合至對應(yīng)于多于1質(zhì)量％，則存在以下的趨勢在析出物表面凸起部分以外的位置吸附，從而導(dǎo)致類低共熔體(eutectoid)，即，將有機(jī)聚合物引入到析出物中，導(dǎo)致在析出物中形成許多空隙(void)。此外，在本發(fā)明熔融鹽浴中的有機(jī)聚合物對應(yīng)于大于1質(zhì)量％的情況下，存在熔融鹽浴粘度變大以抑制熔融鹽浴中金屬離子的擴(kuò)散(scattering)的趨勢。析出物趨于呈現(xiàn)枝晶形式(dendrite form)。
此外，在混合選自鋁的、鋅的和錫的鹵化物(氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)中至少一種，以制造本發(fā)明的熔融鹽浴的情況下，存在降低本發(fā)明熔融鹽浴熔點(diǎn)，以允許電解時熔融鹽浴的溫度進(jìn)一步降低的趨勢。在此情況下，本發(fā)明的熔融鹽浴包含鋁、鋅或錫。優(yōu)選混合選自鹵化鋁、鹵化鋅和鹵化錫中的至少一種，使得在本發(fā)明熔融鹽浴中鋁、鋅和錫的總含量為至少0.01mol％且不大于飽和量。在混合選自鹵化鋁、鹵化鋅和鹵化錫中的至少一種，使得在本發(fā)明熔融鹽浴中鋁、鋅和錫的總含量小于0.01mol％的情況下，相對于熔融鹽浴的電解電流，鋁、鋅和錫的總量將低，以致于大部分電流將用于分解熔融鹽浴中的水分。存在用于形成析出物的電流的效率顯著降低的趨勢。
此外，在本發(fā)明熔融鹽浴中包含選自鉻、鎢和鉬中至少一種元素的情況下，可析出選自鉻、鎢和鉬中的至少一種元素。從而，可獲得具有高耐熱性和耐久性的析出物。優(yōu)選混合選自鉻、鎢和鉬中的至少一種元素，使得本發(fā)明熔融鹽浴中鉻、鎢和鉬的總含量至少為0.01mol％且不大于飽和量。如果混合選自鉻、鎢和鉬中的至少一種元素，使本發(fā)明熔融鹽浴中鉻、鎢和鉬的總含量小于0.01mol％，則相對于用于熔融鹽浴電解的電流，鉻、鎢和鉬的總量將變低，以致于大部分電流將用于分解熔融鹽浴中的水分。因而，存在用于形成析出物的電流的效率顯著降低的趨勢。
對可包含在本發(fā)明熔融鹽浴中的鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、氟、氯、溴、碘、鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸、鑭系、鋁、鋅或錫的形式?jīng)]有具體限制。在熔融鹽浴中，例如，這些元素可作為離子存在，或以構(gòu)成復(fù)合物的形式存在。對本發(fā)明的熔融鹽浴溶于水而制得的樣品進(jìn)行ICP(電感耦合等離子體光譜)分析，可檢測到這些元素的存在。
此外，對本發(fā)明的熔融鹽浴溶于水而制得的樣品進(jìn)行FT-IR(傅里葉變換紅外光譜)分析，可檢測到本發(fā)明熔融鹽浴中具有碳-氧-碳鍵和碳-氮-碳鍵中的至少一種的有機(jī)聚合物的存在。
通過采用上述本發(fā)明的熔融鹽浴，熔融鹽浴的電解允許在熔融鹽浴為400℃以下的低溫時進(jìn)行。因而，甚至在將具有抗蝕劑圖案的電鑄模具作為陰極浸在熔融鹽浴中的情況下，也可抑制由于熔融鹽浴的溫度所導(dǎo)致的抗蝕劑圖案的變形，該抗蝕劑圖案是通過對導(dǎo)電基底上的樹脂，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)照射X射線所形成的。
導(dǎo)電基底的實例為由單獨(dú)的金屬或合金形成的基底，在諸如玻璃等非導(dǎo)電基底上施加有導(dǎo)電金屬等鍍層的基底，等等。在導(dǎo)電基底表面的暴露部分上，即沒有抗蝕劑圖案形成的地方，通過熔融鹽浴的電解，析出熔融鹽浴中的重金屬。由此所得析出物用于，例如接觸探針、微連接器、微繼電器或各種敏感元件。析出物還用于RFMEMS(無線電頻率微型機(jī)電系統(tǒng))，諸如可變電容、感應(yīng)器、陣列、或天線、光學(xué)MEMS器件，噴墨頭，生物傳感器中的電極，動力MEMS元件(例如電極)，等。
從本發(fā)明析出物應(yīng)用于相對較厚的鍍敷膜或電鑄的角度看，如果析出物的表面粗糙度較大，則析出物在其形成過程中包含空隙的可能性較高。因而，本發(fā)明析出物的表面優(yōu)選具有小于10μm的十點(diǎn)平均粗糙度Rz(JISB0601-1994)。更優(yōu)選地，本發(fā)明析出物表面的十點(diǎn)平均粗糙度Rz小于1μm。在本發(fā)明析出物用作表面鍍層鍍膜的情況下，析出物的表面光滑度可能是關(guān)鍵性的。這是因為，當(dāng)析出物用作顯微元件表面鍍層鍍膜時，將難以在析出物形成后對其進(jìn)行拋光。
實施例(實施例1)在Ar氣(氬氣)氣氛下，于手套箱中分別稱量LiBr(溴化鋰)、KBr(溴化鉀)和CsBr(溴化銫)粉末，以得到摩爾比為56.1∶18.9∶25.0的低共熔組合物。然后，將粉末置于同一手套箱中的氧化鋁坩堝中。
此外，在同一手套箱中稱量CrCl2(二氯化鉻)粉末，相對于100mol貯存在上述氧化鋁坩堝中的LiBr、KBr和CsBr的混合物，使CrCl2為2.78mol。將CrCl2粉末置于上述氧化鋁坩堝中。
然后，在上述手套箱中加熱裝有LiBr、KBr、CsBr和CrCl2的氧化鋁坩堝，使該氧化鋁坩堝中的粉末熔融。從而，制得150g熔融鹽。將0.0195g重均分子量為20000的聚乙二醇(PEG)添加到熔融鹽中，以完成實施例1的熔融鹽浴。
在上述手套箱中，于該實施例1的熔融鹽浴中，浸入通過包含NaHF2的溶液去除了其表面上氧化物的鎳板作為陰極，并在上述手套箱中浸入鉻棒作為陽極。此外，浸入Ag+/Ag電極作為參比電極。
在熔融鹽浴的溫度保持在250℃的狀態(tài)下，在比Cr(鉻)析出導(dǎo)致的還原電流閾值電勢(threshold potential)低50mV的電勢下，進(jìn)行2小時恒電流電解，由此，Cr在用作陰極的鎳板的表面上析出。進(jìn)行上述恒流電解，同時向熔融鹽浴適當(dāng)?shù)仡~外提供CrCl2粉末。從而，將與被析出的元素相同的元素額外添加到實施例1的熔融鹽浴中。
然后，將經(jīng)受過Cr析出的鎳板從手套箱中取出到空氣中。評價Cr析出物的表面粗糙度。結(jié)果如表1所示。使用激光顯微鏡(Keyence Co.的“VK-8500”型)進(jìn)行Cr析出物表面粗糙度的評價。表1所示的表面粗糙度的值越低，表示析出物的表面越光滑。表1所示的表面粗糙度對應(yīng)于十點(diǎn)平均粗糙度Rz(JIS B0601-1994)。
利用實施例1的熔融鹽浴獲得的Cr析出物，其表面的十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)為1μm，如表1所示。
(實施例2)除添加0.0705g重均分子量為20000的聚乙二醇(PEG)以外，以類似于實施例1的方式制造實施例2的熔融鹽浴。Cr在用作陰極的鎳板的表面上析出，并對析出物的表面粗糙度進(jìn)行類似于實施例1的評價。結(jié)果如表1所示。
利用實施例2的熔融鹽浴獲得的Cr析出物，其表面的十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)為0.5μm，如表1所示。
(實施例3)除添加0.0225g重均分子量為100000的聚乙二醇(PEG)以外，以類似于實施例1的方式制造實施例3的熔融鹽浴。Cr在用作陰極的鎳板的表面上析出，并對析出物的表面粗糙度進(jìn)行類似于實施例1的評價。結(jié)果如表1所示。
利用實施例3的熔融鹽浴獲得的Cr析出物，其表面的十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)為0.91μm，如表1所示。
(實施例4)除添加0.048g重均分子量為100000的聚乙二醇(PEG)以外，以類似于實施例1的方式制造實施例4的熔融鹽浴。Cr在用作陰極的鎳板的表面上析出，并對析出物的表面粗糙度進(jìn)行類似于實施例1的評價。結(jié)果如表1所示。
利用實施例4的熔融鹽浴獲得的Cr析出物，其表面的十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)為0.82μm，如表1所示。
(實施例5)除添加0.0855g重均分子量為100000的聚乙二醇(PEG)以外，以類似于實施例1的方式制造實施例5的熔融鹽浴。Cr在用作陰極的鎳板的表面上析出，并對析出物的表面粗糙度進(jìn)行類似于實施例1的評價。結(jié)果如表1所示。
利用實施例5的熔融鹽浴獲得的Cr析出物，其表面的十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)為0.75μm，如表1所示。
(實施例6)除添加0.0405g重均分子量為750000的聚乙烯亞胺(PEI)代替聚乙二醇以外，以類似于實施例1的方式制造實施例6的熔融鹽浴。Cr在用作陰極的鎳板的表面上析出，并對析出物的表面粗糙度進(jìn)行類似于實施例1的評價。結(jié)果如表1所示。
利用實施例6的熔融鹽浴獲得的Cr析出物，其表面的十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)為0.46μm，如表1所示。
(對比實施例1)除不添加諸如聚乙二醇(PEG)的有機(jī)聚合物以外，以類似于實施例1的方式制造對比實施例1的熔融鹽浴。Cr在用作陰極的鎳板的表面上析出，該鎳板浸于對比實施例1的熔融鹽浴中，并對析出物的表面粗糙度進(jìn)行類似于實施例1的評價，結(jié)果如表1所示。
利用對比實施例1的熔融鹽浴獲得的Cr析出物，其表面的十點(diǎn)平均粗糙度(Rz)為10μm，如表1所示。
表1

如表1所示，利用包含聚乙二醇(PEG)或聚乙烯亞胺(PEI)的實施例1-6的熔融鹽浴獲得的Cr析出物均具有低于1μm的十點(diǎn)平均粗糙度Rz。證實了，表面比利用對比實施例1的熔融鹽浴獲得的Cr析出物的表面更光滑，該對比實施例1完全不含諸如聚乙二醇(PEG)的有機(jī)聚合物。
應(yīng)當(dāng)理解的是，此處公開的具體實施方案和實施例是示例性的，在各方面是不受限定的。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書限定，而不是由以上說明書限定；并且意圖包括等價于權(quán)利要求的范圍和含意內(nèi)的各種變化。
工業(yè)實用性通過本發(fā)明的熔融鹽浴，可得到具有光滑表面的析出物。
權(quán)利要求
1.一種熔融鹽浴，其包含選自鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶和鋇中的至少兩種；選自氟、氯、溴和碘中的至少一種；選自鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸和鑭系元素中的至少一種元素；以及有機(jī)聚合物，該有機(jī)聚合物具有碳-氧-碳鍵和碳-氮-碳鍵中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的熔融鹽浴，其中所述有機(jī)聚合物具有雙極性。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的熔融鹽浴，其包含選自鋁、鋅和錫中的至少一種元素。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的熔融鹽浴，其包含選自鉻、鎢和鉬中的至少一種元素。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的熔融鹽浴，其中所述有機(jī)聚合物包括聚乙二醇。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的熔融鹽浴，其中所述有機(jī)聚合物包括聚乙烯亞胺。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的熔融鹽浴，其中所述有機(jī)聚合物具有至少3000的重均分子量。
8.一種析出物，其是使用權(quán)利要求1中定義的熔融鹽浴而獲得的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的析出物，其中該析出物的表面具有小于10μm的十點(diǎn)平均粗糙度Rz(JIS B0601-1994)。
10.一種金屬析出物的制造方法，其包括從權(quán)利要求1的熔融鹽浴中析出選自鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸和鑭系元素中的至少一種金屬的步驟。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的金屬析出物的制造方法，其中向所述熔融鹽浴額外提供與所述析出金屬相同的元素。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的金屬析出物的制造方法，其中在所述熔融鹽浴的溫度為至多400℃時，析出選自鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸和鑭系元素中的至少一種金屬。
全文摘要
本發(fā)明披露一種熔融鹽浴(2)，其包含選自鋰、鈉、鉀、銣、銫、鈹、鎂、鈣、鍶和鋇中的至少兩種；選自氟、氯、溴和碘中的至少一種；選自鈧、釔、鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸和鑭系中的至少一種元素；以及有機(jī)聚合物，該有機(jī)聚合物具有碳－氧－碳鍵和碳－氮－碳鍵中的至少一種。提供了一種利用該熔融鹽浴(2)獲得的析出物，一種利用該熔融鹽浴(2)制造金屬析出物的方法。
文檔編號C25D3/66GK101065519SQ200580040230
公開日2007年10月31日 申請日期2005年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月24日
發(fā)明者稻澤信二, 新田耕司, 岡田一范, 野平俊之 申請人:住友電氣工業(yè)株式會社