專利名稱：：層疊型電子部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及層疊型電子部件及其制造方法，尤其涉及在層疊體的外表面上通過實施鍍敷來直接形成外部電極的層疊型電子部件及其制造方法。
背景技術(shù)：
：如圖11所示，以層疊陶瓷電容器為代表的層疊型電子部件101通常具備層疊體105，該層疊體105包括層疊的多個絕緣體層102、沿著絕緣體層102間的界面形成的多個層狀內(nèi)部電極103及104。在層疊體105的一側(cè)及另一側(cè)端面106及107，分別露出多個內(nèi)部電極103及多個內(nèi)部電極104的各端部，將這些內(nèi)部電極103的各端部及內(nèi)部電極104的各端部分別相互電連接地形成外部電極108及109。在外部電極108及109的形成中，通常，將包括金屬成分和玻璃成分的金屬膏劑涂敷在層疊體105的端面106及107上，接著進(jìn)行燒著，由此首先形成膏劑電極層110。接著，在膏劑電極層110上形成例如以Ni為主成分的第一鍍層111，進(jìn)一步在其上形成例如以Sn為主成分的第二鍍層112。即，外部電極08及109分別由膏劑電極層110、第一鍍層lll及第二鍍層112的三層結(jié)構(gòu)構(gòu)成。對于外部電極108及109而言，在使用軟釬料將層疊型電子部件101安裝在基板上時，要求與軟釬料的潤濕性良好。同時，對于外部電極108而言，要求發(fā)揮將處于相互電絕緣狀態(tài)的多個內(nèi)部電極103相互電連接的作用，對于外部電極109而言，要求發(fā)揮將處于相互電絕緣狀態(tài)的多個內(nèi)部電極104相互電連接的作用。由上述的第二鍍層112發(fā)揮確保軟釬料的潤濕性的作用，由膏劑電極層IIO發(fā)揮內(nèi)部電極103及104相互電連接的作用。第一鍍層111發(fā)揮軟釬焊接合時防止軟釬料被蝕的作用?？墒?，膏劑電極層110其厚度大至數(shù)十pm數(shù)百pm。因而，為了將該層疊型電子部件101的尺寸收斂在一定的規(guī)格值內(nèi)，盡管不希望但還是需要減少用于確保靜電電容的有效體積，其減少量為確保該膏劑電極層110的體積而需要的量。另一方面，由于鍍層111及112其厚度為數(shù)pm左右，所以如果假設(shè)僅由第一鍍層111及第二鍍層112構(gòu)成外部電極108及109，則能夠更高確保用于確保靜電電容的有效體積。例如，在特開2004—146401號公報(專利文獻(xiàn)1)中公開了如下一種方法將導(dǎo)電性膏劑與內(nèi)部電極的引出部接觸地涂敷在層疊體的端面的至少沿著內(nèi)部電極的層疊方向的棱部，將該導(dǎo)電性膏劑燒著或使其熱硬化，形成導(dǎo)電膜，進(jìn)而在層疊體的端面實施電解鍍敷，與上述棱部的導(dǎo)電膜連接地形成電解鍍膜。由此，能夠減薄外部電極的端面的厚度。另外，在特開昭63—169014號公報(專利文獻(xiàn)2)中公開了如下一種方法對于層疊體的露出內(nèi)部電極的側(cè)壁面的整個面，使在側(cè)壁面露出的內(nèi)部電極短路地通過無電解鍍敷析出導(dǎo)電性金屬層。然而，在上述的專利文獻(xiàn)l所記載的外部電極的形成方法中，盡管能夠使露出的內(nèi)部電極和電解鍍膜直接連接，但在進(jìn)行電解鍍敷之前，為了預(yù)先使露出的內(nèi)部電極的引出部電導(dǎo)通，需要形成基于導(dǎo)電性膏劑的導(dǎo)電部。將該導(dǎo)電性膏劑涂敷在特定的部位的工序繁瑣。進(jìn)而，由于導(dǎo)電性膏劑的厚度厚，所以還存在有效體積率降低的問題。另外，在專利文獻(xiàn)l記載的方法中，在假設(shè)沒有形成導(dǎo)電性膏劑的情況下，由于鍍敷前的層疊體的內(nèi)部電極的端部比露出面更縮入，所以存在電解鍍敷時導(dǎo)電性介質(zhì)難以與內(nèi)部電極接觸的不良情況。此時，不僅鍍敷效率非常低，鍍層的均勻性也很低，所以層疊型電子部件的耐濕性差。在專利文獻(xiàn)2記載的方法中，由于鍍膜取決于無電解鍍敷法，所以存在鍍膜的形成速度非常慢，而且形成的鍍膜的致密性低的問題。為了改善這些問題，存在形成鍍膜之前預(yù)先形成Pd等催化劑物質(zhì)的方法，不過，在采用該方法時，卻遭遇到工序繁瑣的問題。另外，還存在鍍膜容易在期望部位以外的部位析出的問題。專利文獻(xiàn)1:特開2004—146401號公報專利文獻(xiàn)2:特開昭63—169014號公報
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明鑒于上述問題而實現(xiàn)，其目的在于提供一種實質(zhì)上僅由電解鍍層形成層疊型電子部件的外部電極，從而制造有效體積率及耐濕性優(yōu)異的層疊型電子部件的方法。本發(fā)明的另一目的在于提供一種在形成外部電極時，即使不進(jìn)行膏劑電極層的形成及事先的催化劑賦予等也能夠簡便地形成由致密的鍍層構(gòu)成的外部電極的方法。本發(fā)明的又一目的在于提供一種由上述的制造方法制造的層疊型電子部件。本發(fā)明首先面向?qū)盈B型電子部件的制造方法，包括準(zhǔn)備層疊體的工序，所述層疊體包括層疊的多個絕緣體層、沿著絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和形成外部電極的工序，該工序是將在層疊體的規(guī)定的面上露出的多個內(nèi)部電極的各端部相互電連接地在層疊體的規(guī)定的面上形成外部電極的工序。本發(fā)明的層疊型電子部件的制造方法，為了解決所述技術(shù)性問題，第一方面的特征在于，作為層疊體，準(zhǔn)備如下結(jié)構(gòu)在內(nèi)部電極露出的規(guī)定的面上相鄰內(nèi)部電極相互電絕緣，并且沿絕緣體層的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極間的間隔為10ym以下，且內(nèi)部電極相對于規(guī)定的面的縮入長度為1]im以下。本發(fā)明的層疊型電子部件的制造方法，第二方面的特征在于，作為層疊體，準(zhǔn)備如下結(jié)構(gòu)在內(nèi)部電極露出的規(guī)定的面上相鄰內(nèi)部電極相互電絕緣，并且沿絕緣體層的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極間的間隔為20um以下，且內(nèi)部電極相對于規(guī)定的面的突出長度為0.1um以上。而且，在本發(fā)明的層疊型電子部件的制造方法中，特征還在于，形成外部電極的工序包括電解鍍敷工序，該電解鍍敷工序?qū)υ谌缟纤鰷?zhǔn)備的層疊體的規(guī)定的面上露出的多個內(nèi)部電極的端部直接進(jìn)行電解鍍敷，該電解鍍敷工序包括使在多個內(nèi)部電極的端部析出的電解鍍敷析出物相互連接地使電解鍍敷析出物鍍敷成長的工序。所述的內(nèi)部電極的縮入長度或突出長度的控制，優(yōu)選在形成外部電極的工序之前，實施使用研磨劑對層疊體進(jìn)行研磨的工序。在該研磨的工序中，優(yōu)選適用噴砂或滾筒研磨。在本發(fā)明的層疊型電子部件的制造方法中，電解鍍敷工序包括如下工序時，即，包括在具備供電端子的容器中，投入層疊體及導(dǎo)電性介質(zhì)，并浸漬到含有金屬離子的鍍液中，一邊使容器旋轉(zhuǎn)一邊通電，由此析出電解鍍敷析出物的工序時，容器的轉(zhuǎn)速優(yōu)選選擇在10r.p.m.以上。在電解鍍敷工序中，在具備供電端子的容器中，投入層疊體，并將容器浸漬到鍍浴中且進(jìn)行通電，由此析出以Ni為主成分的鍍敷析出物時，優(yōu)選鍍浴的pH值為2.56.0，且鍍浴實質(zhì)上不含生成Ni絡(luò)合物的絡(luò)化劑。另外，如上所述，在析出以Ni為主成分的鍍敷析出物時，鍍浴除Ni'離子之外優(yōu)選含有光澤劑。作為光澤劑，適宜采用在構(gòu)成要素中至少含有硫的物質(zhì)。在本發(fā)明的層疊型電子部件的制造方法中，電解鍍敷工序可以包括在具備供電端子的容器中，投入層疊體，并將容器浸漬到鍍浴中且進(jìn)行通電，由此析出以Cu為主成分的鍍敷析出物的工序。本發(fā)明還面向?qū)盈B型電子部件，其包括層疊體，該層疊體包括層疊的多個絕緣體層、沿著絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和外部電極，該外部電極是將在層疊體的規(guī)定的面上露出的多個內(nèi)部電極的各端部相互電連接地在層疊體的規(guī)定的面上形成的。在本發(fā)明的層疊型電子部件中，外部電極實質(zhì)上由電解鍍敷析出物構(gòu)成，第一方面的特征在于，在層疊體的內(nèi)部電極露出的規(guī)定的面上，沿絕緣體層的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極間的間隔為lOwm以下，且內(nèi)部電極相對于規(guī)定的面的縮入長度為1^m以下，另一方面，第二方面的特征在于，在層疊體的內(nèi)部電極露出的規(guī)定的面上，沿絕緣體層的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極間的間隔為20ym以下，且內(nèi)部電極相對于規(guī)定的面的突出長度為0.1um以上。在本發(fā)明的層疊型電子部件中，外部電極包括多個鍍層時，多個鍍層中的最靠近層疊體的表面的鍍層的主成分優(yōu)選為Ni或Cu。在本發(fā)明的層疊型電子部件中，多個外部電極可以形成在層疊體的同一平面上。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，即使不需要膏劑電極層等，也可以實質(zhì)上僅由電解鍍敷析出物形成層疊型電子部件的外部電極，所以能夠以簡便的工序得到有效體積率優(yōu)異的層疊型電子部件。另外，在本發(fā)明中適用的鍍敷方法是電解鍍敷法，所以可以使用對層疊體的浸蝕性低的電解鍍液，例如瓦特浴，能夠得到耐濕性優(yōu)異的層疊型電子部件。迸而，根據(jù)本發(fā)明，在電解鍍敷前的狀態(tài)下，內(nèi)部電極的端部在內(nèi)部電極的露出面充分露出，而且優(yōu)選突出，所以能夠有效形成均勻且更為致密的鍍層。圖1是本發(fā)明的第一實施方式的層疊型電子部件1的截面圖；圖2是對圖1所示的層疊體5的露出內(nèi)部電極3a及3b的部分進(jìn)行放大表示的截面圖；圖3是表示在圖2所示的內(nèi)部電極3a及3b的露出部分析出鍍敷析出物12a及12b的狀態(tài)的截面圖；圖4是表示圖3中析出的鍍敷析出物12a及12b成長的狀態(tài)的截面圖；圖5是表示圖4中成長的鍍敷析出物12a及12b—體化而形成第一鍍層IO的狀態(tài)的截面圖；圖6是用于說明本發(fā)明的第二實施方式的圖，是相當(dāng)于圖2的截面圖；圖7是用于說明本發(fā)明的第三實施方式的圖，是相當(dāng)于圖6的截面圖；圖8是表示本發(fā)明的第四實施方式的層疊型電子部件21的外觀的立體圖；圖9是表示圖8所示的層疊型電子部件21安裝在基板26上的狀態(tài)的截面圖；圖10是表示圖1所示的層疊型電子部件1安裝在基板14上的狀態(tài)的截面圖；圖11是現(xiàn)有的層疊型電子部件101的截面圖。圖中1、21—層疊型電子部件；2—絕緣體層；3、3a、3b、4一內(nèi)部電極；5、22—層疊體；6、7—端面；8、9、24、25—外部電極；IO—第一鍍層；ll一第二鍍層；12a、12b—鍍敷析出物；23—面。具體實施方式參照圖1圖5，對本發(fā)明的第一實施方式的層疊型電子部件1及其制造方法進(jìn)行說明。首先，如圖1所示，層疊型電子部件1具備層疊體5，該層疊體5包括層疊的多個絕緣體層2、沿著絕緣體層2間的界面形成的多個層狀內(nèi)部電極3及4。層疊型電子部件1在構(gòu)成層疊陶瓷電容器時，絕緣體層2由電介質(zhì)陶瓷構(gòu)成。在層疊體5的一側(cè)及另一側(cè)端面6及7，分別露出多個內(nèi)部電極3及多個內(nèi)部電極4的各端部，將這些內(nèi)部電極3的各端部及內(nèi)部電極4的各端部分別相互電連接地形成外部電極8及9。外部電極8及9實質(zhì)上分別由電解鍍敷析出物構(gòu)成，具備首先在露出內(nèi)部電極3及4的端面6及7上形成的第一鍍層10和在第一鍍層10上形成的第二鍍層11。構(gòu)成最外層的第二鍍層11要求對軟釬料具有良好的潤濕性，所以希望以Sn及Au等為主成分。另外，第一鍍層10要求發(fā)揮將處于相互電絕緣狀態(tài)的多個內(nèi)部電極3及4分別相互電連接、且防止軟釬焊接合時軟釬料被蝕的作用，所以優(yōu)選以Ni等為主成分。構(gòu)成各個外部電極8及9的鍍層10及11是通過進(jìn)行通電處理的電解鍍敷而形成的，并非由不進(jìn)行通電處理的無電解鍍敷形成的。此外，無電解鍍Ni時，使用了磷酸系及硼酸系還原劑的情況下，在鍍敷析出物中混入磷及硼，而在電解鍍Ni時，實質(zhì)上沒有混入磷及硼。另外，外部電極8及9如上所述，實質(zhì)上僅由電解鍍敷析出物構(gòu)成，實質(zhì)上不含導(dǎo)電性膏劑膜、真空蒸鍍膜、濺射膜等。接著，對圖l所示的層疊型電子部件l的制造方法，以外部電極8及9的形成方法為中心，參照圖2圖5進(jìn)行說明。圖2是對圖1所示的層疊體5的露出內(nèi)部電極3的一側(cè)的端面6附近進(jìn)行放大表示的圖。圖2表示形成外部電極8之前的狀態(tài)。在存在有多個的內(nèi)部電極3中，抽出位于圖示區(qū)域的兩個內(nèi)部電極，分別附以參照符號"3a"及"3b"。圖2是任意抽出露出內(nèi)部電極3的端面6附近進(jìn)行表示的圖，并非表示特定內(nèi)部電極3的圖。而且，以內(nèi)部電極3a及3b為代表的多個內(nèi)部電極3在該時點處于相互電絕緣的狀態(tài)。此外，對于另一側(cè)的端面7及在此處露出的內(nèi)部電極4，與上述的端面6及內(nèi)部電極3的情況實質(zhì)上相同，所以省略圖示及說明。圖2中，將沿絕緣體層2的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極3a及3b間的間隔規(guī)定為"s"。進(jìn)而，將層疊體5的內(nèi)部電極3a及3b相對于露出內(nèi)部電極3的端面6的各自的縮入長度規(guī)定為"d"。此外，上述的縮入長度"d"在露出的內(nèi)部電極面的長度方向(與圖2的紙面垂直的方向)上存在一定程度的偏差，所以在此所說的"d"是加入了長度方向的偏差的平均值。對于形成外部電極8之前的層疊體5而言，相鄰內(nèi)部電極3a及3b間的間隔"s"需要為lO[im以下，且內(nèi)部電極3a及3b各自的縮入長度"d"需要為lpm以下。在構(gòu)成層疊陶瓷電容器的層疊型電子部件l中，作為代表例，絕緣體層2由鈦酸鋇系電介質(zhì)材料構(gòu)成，且內(nèi)部電極3及4的主成分由Ni及Cu等賤金屬構(gòu)成。此時，在燒成后的層疊體5中，內(nèi)部電極3及4比層疊體5的端面6及7更向內(nèi)側(cè)比較大地縮入的情況較多。這種情況下，在將縮入長度"d"設(shè)成lpm以下時，應(yīng)用噴砂處理及滾筒研磨等研磨處理削掉絕緣體層2即可。即使燒成后的層疊體5中內(nèi)部電極3及4的縮入長度"d"已經(jīng)在lpm以下，為了去除內(nèi)部電極3及4表面的氧化膜，另外對內(nèi)部電極3及4的表面進(jìn)行粗加工，也希望實施上述的研磨處理。原因是，在后述的電解鍍敷工序中，能夠容易析出電解鍍敷析出物。接著，在圖2的狀態(tài)下，進(jìn)行電解鍍敷，如圖3所示，析出鍍敷析出物12a及12b。如本實施方式所述，在層疊型電子部件1為片狀的情況下，在實施用于形成外部電極8及9的電解鍍敷時，盡管沒有圖示，但優(yōu)選在具備供電端子的容器中，投入形成外部電極8及9之前的層疊體5及導(dǎo)電性介質(zhì)，并在浸漬到含有金屬離子的鍍液中的狀態(tài)下，一邊對上述容器進(jìn)行旋轉(zhuǎn)、擺動或振動，一邊迸行通電。在上述的電解鍍敷法的情況下，通過導(dǎo)電性介質(zhì)，僅在層疊體5中具有導(dǎo)電性的部分即露出內(nèi)部電極3a及3b的部分析出接收電子的金屬離子。圖3表示在上述露出部分析出的鍍敷析出物12a及12b的狀態(tài)。該狀態(tài)下的內(nèi)部電極3a及3b還處于相互電絕緣的狀態(tài)。若進(jìn)一步繼續(xù)通電，則促進(jìn)金屬離子的析出，析出的鍍敷析出物12a及12b進(jìn)一步成長。此時的狀態(tài)示于圖4。析出的鍍敷析出物12a及12b越大，與導(dǎo)電性介質(zhì)的碰撞概率越高，金屬離子的析出速度越快。然后，若進(jìn)一步繼續(xù)通電，則促進(jìn)金屬離子的析出，分別成長的鍍敷析出物12a與鍍敷析出物12b相互接觸而一體化。若促進(jìn)該狀態(tài)，則成為使露出的多個內(nèi)部電極3相互電連接的第一鍍層10。此時的狀態(tài)示于圖5。接著，如該實施方式所述，在進(jìn)一步形成第二鍍層11時，在第一鍍層10上，采用通常所知的方法進(jìn)行電解鍍敷即可。在形成第二鍍層U的階段，由于需要鍍敷的部位已成為具有導(dǎo)電性的連續(xù)的面，所以能夠容易地形成第二鍍層ll。如上所述，參照圖2圖5說明的外部電極8及9的形成方法可以說利用了基于電解鍍敷法的析出力的高度、延展性的高度等。因而，析出的鍍敷析出物12a及12b在其成長的同時容易向與端面6及7平行的方向擴(kuò)展，因此，析出物12a和析出物12b相互接觸時容易一體化?；陔娊忮兎蠓ǖ奈龀隽把诱剐酝ㄟ^鍍敷浴中的金屬離子的種類、濃度、通電的電流密度、添加劑等各條件的調(diào)整也能夠進(jìn)一步提高。如前所述，在實施上述的電解鍍敷工序之前的層疊體5中，相鄰內(nèi)部電極3a及3b間的間隔"s"設(shè)為lOpm以下，且內(nèi)部電極3a及3b的縮入長度"d"設(shè)為ljim以下。上述間隔"s"越小，從圖3所示的工序到圖4所示的工序中析出的鍍敷析出物12a及12b相互接觸為止所需的鍍敷成長的長度越短，所以容易形成第一鍍敷IO。如果間隔"s"超過10^im，則即使析出的鍍敷析出物12a及12b成長，它們相互接觸的概略也會急劇下降，從而并不優(yōu)選。另外，如果上述縮入長度"d"為lpm以下，則在進(jìn)行使用了所述的導(dǎo)電性介質(zhì)的電解鍍敷時，導(dǎo)電性介質(zhì)與內(nèi)部電極3a及3b的露出部分接觸的概略急劇升高，所以金屬離子容易析出，鍍敷析出物12a及12b的均勻性大大提高。如前所述，在實施電解鍍敷時，一邊使容器旋轉(zhuǎn)、擺動或振動一邊通電來進(jìn)行，但在這些容器的旋轉(zhuǎn)、擺動或振動中，特別優(yōu)選使容器旋轉(zhuǎn)的方法。而且，如果容器的轉(zhuǎn)速為10r.p.m.以上，則析出的鍍敷析出物12a及12b容易向與端面6平行的方向成長，所以容易有效地形成第一鍍層10，從而優(yōu)選。第一鍍層10的材質(zhì)根據(jù)以下的理由優(yōu)選以Ni為主成分的材質(zhì)。通常，在層疊型陶瓷電子部件中，根據(jù)抑制其陶瓷成分的偏析的必要性，不能使用強(qiáng)酸性或強(qiáng)堿性的鍍敷浴，可以使用弱酸性或中性或弱堿性的鍍敷浴。此時，鍍敷析出金屬在離子的狀態(tài)下多數(shù)情況下不穩(wěn)定，為了避免這種不良情況，多數(shù)情況下使用絡(luò)化劑形成絡(luò)化物。然而，如本實施方式，在層疊體5的端面6及7上直接形成鍍層10時，該絡(luò)化劑沿著絕緣體層2和內(nèi)部電極3及4的界面浸入，有可能溶解陶瓷成分或內(nèi)部電極材料。因此，優(yōu)選不含絡(luò)化劑的離子浴。為此，優(yōu)選設(shè)為容易制作弱酸性且不含絡(luò)化劑的離子浴的鍍敷浴，例如，有pH為2.56.0的Ni鍍敷用瓦特浴，使用其實施Ni鍍敷。另外，在通過電解Ni鍍敷形成第一鍍層10時，優(yōu)選在用于進(jìn)行電解Ni鍍敷的Ni鍍敷浴中加入Ni離子，含有光澤劑。該光澤劑因其種類作用各異，促進(jìn)第一鍍層10的形成，能夠形成更薄的膜厚且具有足夠的被覆率的第一鍍層10。該光澤劑具有(提高朝向橫向的鍍敷析出力)、(2)提高覆膜的延展性、(3)使覆膜平滑化且提高向凹部的被覆性等作用。無論產(chǎn)生哪種作用，鍍敷析出物都向橫向成長，容易形成第一鍍層10。另外，次要方面，還起到(4)用覆膜埋住微小的凹部且提高密接力、(5)降低覆膜應(yīng)力且防止覆膜剝離等作用效果。光澤劑優(yōu)選在構(gòu)成要素中含有硫，更優(yōu)選具有磺基?；蛘撸谝诲儗?0的材質(zhì)還優(yōu)選以Cu為主成分的材質(zhì)。Cu在弱酸性下難以制作不使用絡(luò)化劑的離子浴，不過，與Ni相比，富有鍍敷析出力，涂敷性良好，所以被覆力高，容易形成連續(xù)的膜。該Cu的作用在以Cu為主成分的鍍層10的形成后通過進(jìn)行熱處理更為顯著。外部電極8及9如圖示的實施方式所述，沒有必要一定為2層結(jié)構(gòu)，也可以是l層結(jié)構(gòu)，或者是3層以上的結(jié)構(gòu)。例如可以列舉，第一、第二、第三鍍層以Cu鍍層、Ni鍍層、Sn鍍層的順序形成的3層結(jié)構(gòu)、或第一、第二、第三、第四鍍層以Ni鍍層、Cu鍍層、Ni鍍層、Sn鍍層的順序形成的4層結(jié)構(gòu)等。圖6是用于說明本發(fā)明的第二實施方式的相當(dāng)于圖2的圖。圖6中，對于與圖2所示的要素相當(dāng)?shù)囊刭x予同樣的參照符號，省略重復(fù)的說明。第二實施方式中，簡單來說，特征在于內(nèi)部電極3a及3b從端面6突出。更具體來說，特征在于內(nèi)部電極3a及3b相對于端面6的各自的突出長度"p"為O.lpm以上。而且，在該實施方式的情況下，在層疊體5的端面6，沿絕緣體層2的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極3a及3b間的間隔"s"沒有必要短到10|im以下，只要是在20)im以下就足夠。此外，上述的突出長度"p"在露出的內(nèi)部電極面的長度方向(與圖6的紙面垂直的方向)上存在一定程度的偏差，所以在此所說的"p"是加入了長度方向的偏差的平均值。如上所述，通過選擇內(nèi)部電極間間隔"s"及突出長度"p"，在實施用于形成外部電極的電解鍍敷時，與所述的第一實施方式的情況相比，能夠進(jìn)一步提高導(dǎo)電性介質(zhì)與內(nèi)部電極3a及3b的接觸概略。此外，對于另一側(cè)的端面7及在此處露出的內(nèi)部電極4(參照圖l)，與上述的端面6及內(nèi)部電極3的情況實質(zhì)上相同，所以省略圖示及說明。為了使內(nèi)部電極3a及3b從端面6突出，采用加強(qiáng)研磨的強(qiáng)度或在研磨劑中混入金屬提高研磨劑的硬度等的方法即可。特別是在絕緣體層2由陶瓷構(gòu)成的情況下，由于陶瓷比內(nèi)部電極3a及3b更容易磨削，所以可通過噴砂及滾筒研磨容易地得到使內(nèi)部電極3a及3b突出的狀態(tài)。另外，如果采用激光研磨，則能夠選擇性且有效地磨削陶瓷，所以能夠更容易地得到使內(nèi)部電極3a及3b突出的狀態(tài)。圖7是用于說明本發(fā)明的第三實施方式的相當(dāng)于圖6的圖。圖7中，對于與圖6所示的要素相當(dāng)?shù)囊刭x予同樣的參照符號，省略重復(fù)的說明。在圖7所示的實施方式中也一樣，滿足在層疊體5的端面6，沿絕緣體層2的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極3a及3b間的間隔"s"為20,以下，且內(nèi)部電極3a及3b相對于端面6的各自的突出長度"p"為O.lpm以上的條件。參照圖7說明的實施方式，在圖6所示的工序之后，根據(jù)需要來實施。即，內(nèi)部電極3a及3b的端部從端面6充分突出的情況下，若再繼續(xù)研磨，則如圖7所示，內(nèi)部電極3a及3b的突出的端部被按壓，向與端面6平行的方向擴(kuò)展。其結(jié)果，內(nèi)部電極3a及3b相對于端面6的各自的突出長度"p"盡管不希望，但還是比圖6所示的狀態(tài)時短，但相鄰的內(nèi)部電極3a及3b間的間隔"s"有利，與圖6所示的狀態(tài)時短。在如上所述的情況下，在電解鍍敷時，能夠?qū)嵸|(zhì)上縮短需要使析出的電解鍍敷析出物成長的距離。因而，鍍敷析出物的均勻性提高，另外，鍍敷效率也大大提高。另外，根據(jù)本實施方式，即使位于相鄰的內(nèi)部電極3a及3b間的絕緣體層2的厚度比較厚，也能夠縮短相鄰的內(nèi)部電極3a及3b間的間隔"s"。圖8是表示本發(fā)明的第四實施方式的層疊型電子部件21的外觀的立體圖。圖8所示的層疊型電子部件21具備層疊體22。層疊型電子部件21的特征在于，在層疊體22的特定的面23上形成有多個例如兩個外部電極24及25。省略了圖示，不過，層疊體22包括層疊的多個絕緣層、沿著絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極。內(nèi)部電極的各端部在外部電極24及25形成前的層疊體22的上述的面23露出，外部電極24及25將多個內(nèi)部電極的各端部相互電連接地形成。該層疊型電子部件21為層疊陶瓷電容器的情況下，在外部電極24及25之間能夠獲得靜電電容。外部電極24及25與圖1的層疊型電子部件l的情況相同，實質(zhì)上僅由電解鍍敷析出物構(gòu)成。為了制造圖8所示的層疊型電子部件21，如果假設(shè)由膏劑電極層形成外部電極24及25，則其工序非常復(fù)雜。原因是，需要遮蔽層疊體22的外表面的需要形成外部電極24及25的部位以外的區(qū)域，例如需要絲網(wǎng)印刷等繁瑣的工序。與之相對，如本實施方式所述，在層疊體22的規(guī)定的面23上露出的多個內(nèi)部電極的端部直接析出電解鍍敷析出物時，不必特別需要遮蔽，所以工序非常簡便。即，層疊型電子部件21正因為采用了上述的電解鍍敷法，所以能夠有效地制造。圖9是表示圖8所示的層疊型電子部件21安裝在基板26上的狀態(tài)的圖。在基板26的表面，形成有端子27及28。在這些端子27及28上分別通過軟釬料29及30接合有層疊型電子部件21所具備的外部電極24及25。在該安裝狀態(tài)下，軟釬料29及30僅存在于外部電極24及25與端子27及28之間。另一方面，圖10是表示圖1所示的層疊型電子部件1安裝在基板14上的狀態(tài)的圖。在圖1所示的層疊型電子部件1的情況下，其外部電極8及9在相互對置的平行的面上，并不存在于同一平面上。因此，在層疊型電子部件1安裝在基板14上的狀態(tài)下，外部電極8及9所處的面和基板14上的端子15及16所處的面存在大致垂直地相交的位置關(guān)系。這種情況下，對于用于接合外部電極8及9和端子15及16的軟釬料17及18，如圖10所示，賦予具有一定程度以上的厚度的圓角(7^^'7卜)形狀。由此，根據(jù)前述的圖9所示的安裝狀態(tài)，與圖10所示的安裝狀態(tài)相比，由于外部電極24及25處于同一平面上，所以軟釬料29及30不形成圓角形狀，相應(yīng)地能夠提高向基板26的安裝密度。另外，層疊型電子部件21為層疊陶瓷電容器的情況下，在如圖9所示安裝的狀態(tài)下，若軟釬料29及30的量少，則能夠降低等效串聯(lián)電感(ESL)。由此，電容器充放電時的相位的位移量變小，特別是在高頻用途中實用。由此，在層疊型電子部件21中采用的結(jié)構(gòu)，在低ESL對應(yīng)層疊電容器中能夠有效適用。另外，只由電解鍍敷析出物形成外部電極24及25的情況也對低ESL化有效。以上，結(jié)合圖示的實施方式對本發(fā)明進(jìn)行了說明，不過在本發(fā)明的范圍內(nèi)，能夠采用其他各種變形例。例如，作為適用了本發(fā)明的層疊型電子部件，層疊芯片電容器為代表性，不過，也能夠適用于其他的層疊芯片電感器、層疊芯片熱敏電阻等。因而，層疊型電子部件所具備的絕緣體層具有電絕緣的功能即可，其材質(zhì)不特別規(guī)定。即，絕緣體層并不限定于由電介質(zhì)陶瓷構(gòu)成的結(jié)構(gòu)，也可以是其他的由壓電體陶瓷、半導(dǎo)體陶瓷、磁性體陶瓷、樹脂等構(gòu)成的結(jié)構(gòu)。以下，為了確定本發(fā)明的范圍，或者為了確認(rèn)本發(fā)明的效果，對實施的實施例進(jìn)行說明。[實施例1]在實施例1中，在用于形成圖1所示的層疊型電子部件的層疊體中，準(zhǔn)備圖2或圖6所示的內(nèi)部電極間間隔"s"及縮入長度"d"或突出長度"P"種種變化的結(jié)構(gòu)，在各自的端面直接形成Ni鍍層，進(jìn)一步在其上形成Sn鍍層，并調(diào)查了鍍敷的進(jìn)行狀況。更加詳細(xì)為，作為被鍍敷物，準(zhǔn)備了長度3.2mm、寬度1.6mm及厚度1.6mm的層疊陶瓷電容器用層疊體，絕緣體層由鈦酸鋇系電介質(zhì)材料構(gòu)成，內(nèi)部電極以Ni為主成分的結(jié)構(gòu)。并且，對相鄰內(nèi)部電極間的間隔"s"在最大的部位進(jìn)行測定，如表1所示，準(zhǔn)備了lOym的結(jié)構(gòu)和13nm的結(jié)構(gòu)兩種。此外，內(nèi)部電極的平均厚度為l.Oym。對這兩種層疊體，使用氧化鋁系研磨粉進(jìn)行噴砂處理，對內(nèi)部電極露出的層疊體的內(nèi)部電極相對于端面的縮入長度"d"或突出長度"p"進(jìn)行調(diào)節(jié)，如表1所示，對縮入長度"d"，在最大的部位進(jìn)行測定，制作了2ym的結(jié)構(gòu)和lum的結(jié)構(gòu)兩種結(jié)構(gòu)，對突出長度"p"，在最大的部位進(jìn)行測定，制作了l"m的結(jié)構(gòu)。此外，對具有縮入長度"d"的試料，實施強(qiáng)度0.25MPa的噴砂，通過改變其時間，對縮入長度"d"進(jìn)行控制。對具有突出長度"p"的試料，實施強(qiáng)度0.50MPa的噴砂，通過改變其時間，對突出長度"p"進(jìn)行控制。噴砂結(jié)束后，從層疊體上清洗去除研磨粉，進(jìn)行干燥。接著，將上述層疊體投入容積300cc的旋轉(zhuǎn)滾筒中，在此基礎(chǔ)上，投入直徑0.6mm的金屬介質(zhì)。然后，將旋轉(zhuǎn)滾筒浸漬到pH值調(diào)整為4.2的浴溫6(TC的Ni鍍敷用瓦特浴中，以轉(zhuǎn)速60r.p.m.使其旋轉(zhuǎn)，同時以電流密度0.04A/dn^通電300分鐘。這樣一來，在內(nèi)部電極露出的層疊體的端面，形成了厚度4.0um的Ni鍍層。接著，將形成了上述Ni鍍層的層疊體進(jìn)入的旋轉(zhuǎn)滾筒浸漬到pH值調(diào)整為5.0的浴溫33"的Sn鍍敷浴(fV:y7°乂一少公司制Sn—235)中，以轉(zhuǎn)速12r.p.m,使其旋轉(zhuǎn)，同時以電流密度0.1A/dm2通電60分鐘。這樣一來，在Ni鍍層上形成了厚度4.0um的Sn鍍層。如上所述，得到了具備相對于層疊體不形成膏劑電極層等，而直接形成電解鍍層來構(gòu)成的外部電極的各試料的層疊陶瓷電容器。用顯微鏡對所得到的外部電極進(jìn)行觀察，測定了鍍敷未附著(不著)的面積比例。另外，對鍍敷未附著率為0%的試料，測量了直到鍍敷未附著率達(dá)到0%所需要的時間。這些結(jié)果示于表l。此外，對于各試料的層疊陶瓷電容器的電氣特性及元件結(jié)構(gòu)，與具備膏劑電極層的現(xiàn)有件做比較，沒有產(chǎn)生特別的差異。[表1]<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>在試料1及2中，由于內(nèi)部電極的端部相對于層疊體的端面過于縮入，所以得到鍍敷未附著率高的結(jié)果。與之相對，在試料3中，由于縮入長度"d"為lym，所以使鍍敷未附著率達(dá)到了0%。不過，如試料4所述，盡管縮入長度"d"為lum，但在相鄰內(nèi)部電極間間隔"s"超過10ym的情況下，產(chǎn)生了鍍敷未附著。另夕卜，在試料5及6中，由于內(nèi)部電極的端部相對于露出面突出，所以與試料3相比較，鍍敷層的形成所需時間縮短，鍍敷效率高。另外，如試料6所述，即使內(nèi)部電極間間隔"s"大至13um，也使鍍敷未附著率達(dá)到了0%。在實施例2中，在用于形成層疊型電子部件的層疊體的端面直接形成Ni鍍層時，在Ni鍍敷用瓦特浴中添加了各種光澤劑，并調(diào)查了它們的效果。作為被鍍敷物，準(zhǔn)備了與實施例1的情況相同的層疊陶瓷電容器用層疊體。此外，對該層疊體的相鄰內(nèi)部電極間的間隔"s"，在最大的部位進(jìn)行測定，為10Pm。接著，對該層疊體進(jìn)行噴砂處理，將內(nèi)部電極露出的層疊體的內(nèi)部電極相對于端面的縮入長度"d"，在最大的部位設(shè)為0.1um。另一方面，如表2所示，為了形成試料1119的各個試料，準(zhǔn)備了9種添加了各種光澤劑的Ni鍍敷用的瓦特浴。表2中表示光澤劑的產(chǎn)品名、主成分、及向鍍敷浴配合的內(nèi)容。此外，在試料20中，在鍍敷浴中沒有加入光澤劑。接著，使用與試料1120的各個試料相關(guān)的鍍敷浴，為了在層疊體的端面上形成M鍍膜，將上述層疊體投入容積300cx的旋轉(zhuǎn)滾筒中，在此基礎(chǔ)上，投入直徑0.6mm的金屬介質(zhì)。然后，將旋轉(zhuǎn)滾筒浸漬到與表2所示的試料ll20的各個試料相關(guān)的Ni鍍敷用瓦特浴(pH:4.2;浴溫60。C)中，以轉(zhuǎn)速60r.p.m.使其旋轉(zhuǎn)，同時以電流密度0.04A/dn^通電。通電在Ni鍍敷析出物成長為連續(xù)的膜，其被覆率達(dá)到95%的時點停止。對該時點的Ni鍍膜的厚度進(jìn)行了測定。該膜厚示于表2。此外，上述被覆率是指，在內(nèi)部電極露出的端面中，經(jīng)過前述的圖2圖5中依次表示的工序，需要形成鍍敷覆膜的區(qū)域全部由鍍敷覆膜被覆的情況設(shè)為100%時的比。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>試料1119的鍍膜的厚度為2.53.6um，與沒有添加光澤劑的試料20相比薄。即，通過添加光澤劑，能夠以較薄的膜厚有效地形成連續(xù)的Ni鍍膜。另外，該光澤劑如前所述，具有(提高朝向橫向的鍍敷析出力)、(2)提高覆膜的延展性、(3)使覆膜平滑化且提高向凹部的被覆性等作用。無論產(chǎn)生哪種作用，鍍敷析出物都向橫向成長，容易形成鍍層。另外，次要方面，還起到(4)用覆膜埋住微小的凹部且提高密接力、(5)降低覆膜應(yīng)力且防止覆膜剝離等作用效果。根據(jù)試料11的光澤劑，主要觀察到了上述(2)及(5)的作用、效果。同樣，根據(jù)試料12、13及14的光澤劑，觀察到了(1)、(2)、(3)及(5)的作用、效果，根據(jù)試料15、16及17的光澤劑，觀察到了(1)、(2)及(4)的作用、效果，根據(jù)試料18的光澤劑，觀察到了(1)及(3)的作用、效果，根據(jù)試料19的光澤劑，觀察到了(1)、(2)及(3)的作用、效果。[實施例3]實施例3中，相對于具有圖8所示的結(jié)構(gòu)的層疊陶瓷電容器用層疊體的內(nèi)部電極露出的面，直接形成Cu鍍層，進(jìn)而形成Ni鍍層及Sn鍍層，從而實際制造了層疊陶瓷電容器。更加詳細(xì)為，作為被鍍敷物，準(zhǔn)備了具有長度3.2mm、寬度1.6mm及厚度1.6mm的各尺寸，由長度方向尺寸和厚度方向尺寸規(guī)定的2面中的1面設(shè)為需要形成外部電極的面，在該面的規(guī)定的2個部位露出內(nèi)部電極的層疊陶瓷電容器用層疊體，絕緣體層由鈦酸鋇系電介質(zhì)材料構(gòu)成，內(nèi)部電極以Ni為主成分的結(jié)構(gòu)。在該層疊體中，沿絕緣體層的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極間的間隔"s"在最大的部位為10um。此外，內(nèi)部電極的平均厚度為1.0um。接著，對上述層疊體進(jìn)行滾筒研磨，將內(nèi)部電極相對于內(nèi)部電極露出的面的縮入長度"d"在最大的部位設(shè)為0.1um。接著，將上述層疊體投入容積300cc的旋轉(zhuǎn)滾筒中，在此基礎(chǔ)上，投入直徑0.4mm的金屬介質(zhì)。然后，將旋轉(zhuǎn)滾筒浸漬到pH值調(diào)整為8.5的浴溫25。C的Cu鍍敷用觸擊電鍍(^卜，^夕)浴中，以轉(zhuǎn)速50r.p.m.使其旋轉(zhuǎn)，同時以電流密度0.11A/dr^通電60分鐘，在內(nèi)部電極露出的層疊體的表面，直接形成了厚度0.7ixm的Cu鍍層。此外，上述Cu鍍敷用觸擊電鍍浴含有14g/L的焦磷酸銅、120g/L的焦磷酸鉀、及10g/L的草酸鉀。接著，將形成了上述Cu鍍層的層疊體進(jìn)入的旋轉(zhuǎn)滾筒浸漬到pH值調(diào)整為8.8的浴溫25。C的Cu鍍敷用焦磷酸浴(上村工業(yè)公司制t'ay，<卜系統(tǒng))中，以轉(zhuǎn)速50r.p.m.使其旋轉(zhuǎn)，同時以電流密度0.30A/dn^通電60分鐘。這樣一來，在上述Cu鍍層上進(jìn)一步形成了Cu鍍層，Cu鍍層的厚度總計為10um。進(jìn)而，將形成了上述Cu鍍層的層疊體進(jìn)入的旋轉(zhuǎn)滾筒浸漬到pH值調(diào)整為4.2的浴溫60。C的Ni鍍敷用瓦特浴中，以轉(zhuǎn)速60r.p.m.使其旋轉(zhuǎn)，同時以電流密度0.04A/drr^通電300分鐘。這樣一來，在Cu鍍層上，形成了厚度2.5um的Ni鍍層。接著，將形成了上述Ni鍍層的層疊體進(jìn)入的旋轉(zhuǎn)滾筒浸漬到pH值調(diào)整為5.0的浴溫33°C的Sn鍍敷浴(fV:y7V—少公司制Sn—235)中，以轉(zhuǎn)速12r.p.m.使其旋轉(zhuǎn)，同時以電流密度0.1A/dm2通電60分鐘。這樣一來，在Ni鍍層上形成了厚度4.0um的Sn鍍層。如上所述，相對于層疊體不形成膏劑電極層等，也不需要遮蔽，而直接形成需要成為外部電極的鍍層。并且，關(guān)于這樣制造的層疊陶瓷電容器的電特性及元件結(jié)構(gòu)，與外部電極中含有膏劑電極層的現(xiàn)有件相比較，沒有特別的差異。另外，外部電極的鍍敷未附著率基本為0%。權(quán)利要求1、一種層疊型電子部件的制造方法，包括準(zhǔn)備層疊體的工序，所述層疊體包括層疊的多個絕緣體層和沿著所述絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和形成外部電極的工序，所述外部電極形成在所述層疊體的所述規(guī)定的面上，使得在所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的各端部相互電連接，其中，在所述準(zhǔn)備層疊體的工序中準(zhǔn)備的所述層疊體，在所述內(nèi)部電極露出的所述規(guī)定的面上相鄰的所述內(nèi)部電極相互電絕緣，并且沿所述絕緣體層的厚度方向測定的相鄰的所述內(nèi)部電極間的間隔為10μm以下，且所述內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的縮入長度為1μm以下，所述形成外部電極的工序包括電解鍍敷工序，所述電解鍍敷工序?qū)υ谒鰷?zhǔn)備層疊體的工序中準(zhǔn)備的所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的端部直接進(jìn)行電解鍍敷，所述電解鍍敷工序包括使在多個所述內(nèi)部電極的端部析出的電解鍍敷析出物相互連接地使所述電解鍍敷析出物鍍敷成長的工序。2、一種層疊型電子部件的制造方法，包括準(zhǔn)備層疊體的工序，所述層疊體包括層疊的多個絕緣體層和沿著所述絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和形成外部電極的工序，所述外部電極形成在所述層疊體的所述規(guī)定的面上，使得在所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的各端部相互電連接，其中，在所述準(zhǔn)備層疊體的工序中準(zhǔn)備的所述層疊體，在所述內(nèi)部電極露出的所述規(guī)定的面上相鄰的所述內(nèi)部電極相互電絕緣，并且沿所述絕緣體層的厚度方向測定的相鄰的所述內(nèi)部電極間的間隔為20um以下，且所述內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的突出長度為0.1iim以上，所述形成外部電極的工序包括電解鍍敷工序，所述電解鍍敷工序?qū)υ谒鰷?zhǔn)備層疊體的工序中準(zhǔn)備的所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的端部直接進(jìn)行電解鍍敷，所述電解鍍敷工序包括使在多個所述內(nèi)部電極的端部析出的電解鍍敷析出物相互連接地使所述電解鍍敷析出物鍍敷成長的工序。3、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊型電子部件的制造方法，其中，在所述形成外部電極的工序之前，還包括使用研磨劑對所述層疊體進(jìn)行研磨的工序。4、根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊型電子部件的制造方法，其中，所述研磨的工序包括實施噴砂或滾筒研磨的工序。5、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊型電子部件的制造方法，其中，所述電解鍍敷工序包括在具備供電端子的容器中，投入所述層疊體及導(dǎo)電性介質(zhì)，并浸漬到含有金屬離子的鍍液中，一邊使所述容器旋轉(zhuǎn)一邊通電，由此析出所述電解鍍敷析出物的工序，其中，所述容器的轉(zhuǎn)速選擇在10r.p.m.以上。6、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊型電子部件的制造方法，其中，所述電解鍍敷工序包括在具備供電端子的容器中，投入所述層疊體，并將所述容器浸漬到鍍浴中且進(jìn)行通電，由此析出以Ni為主成分的鍍敷析出物的工序。7、根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊型電子部件的制造方法，其中，所述鍍浴的pH值為2.56.0，且所述鍍浴實質(zhì)上不含生成Ni絡(luò)合物的絡(luò)化劑。8、根據(jù)權(quán)利要求6所述的層疊型電子部件的制造方法，其中，所述鍍浴含有光澤劑。9、根據(jù)權(quán)利要求8所述的層疊型電子部件的制造方法，其中，所述光澤劑在構(gòu)成要素中至少含有硫。10、根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊型電子部件的制造方法，其中，所述電解鍍敷工序包括在具備供電端子的容器中，投入所述層疊體，并將所述容器浸漬到鍍浴中且進(jìn)行通電，由此析出以Cu為主成分的鍍敷析出物的工序。11、一種層疊型電子部件，其包括層疊體，該層疊體包括層疊的多個絕緣體層和沿著所述絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和外部電極，該外部電極形成在所述層疊體的所述規(guī)定的面上，使得在所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的各端部相互電連接，其中，所述外部電極實質(zhì)上由電解鍍敷析出物構(gòu)成，在所述層疊體的所述內(nèi)部電極露出的所述規(guī)定的面上，沿所述絕緣體層的厚度方向測定的相鄰所述內(nèi)部電極間的間隔為10um以下，且所述內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的縮入長度為1ym以下。12、一種層疊型電子部件，其包括層疊體，該層疊體包括層疊的多個絕緣體層和沿著所述絕緣體層間的界面形成的多個內(nèi)部電極，所述內(nèi)部電極的各端部在規(guī)定的面上露出；和外部電極，該外部電極形成在所述層疊體的所述規(guī)定的面上，使得在所述層疊體的所述規(guī)定的面上露出的多個所述內(nèi)部電極的各端部相互電連接，其中，所述外部電極實質(zhì)上由電解鍍敷析出物構(gòu)成，在所述層疊體的所述內(nèi)部電極露出的所述規(guī)定的面上，沿所述絕緣體層的厚度方向測定的相鄰的所述內(nèi)部電極間的間隔為20ym以下，且所述內(nèi)部電極相對于所述規(guī)定的面的突出長度為0.1iim以上。13、根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的層疊型電子部件，其中，所述外部電極包括多個鍍層，多個所述鍍層中的最靠近所述層疊體的表面的鍍層的主成分為Ni。14、根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的層疊型電子部件，其中，所述外部電極包括多個鍍層，多個所述鍍層中的最靠近所述層疊體的表面的鍍層的主成分為Cu。15、根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的層疊型電子部件，其中，多個所述外部電極形成在所述層疊體的同一平面上。全文摘要本發(fā)明提供一種層疊型電子部件及其制造方法，通過在層疊型電子部件所具備的層疊體的規(guī)定的面上，且多個內(nèi)部電極的各端部露出的部位，直接實施電解鍍敷，能夠以良好的品質(zhì)形成使多個內(nèi)部電極的各端部相互電連接的外部電極。作為層疊體(5)，準(zhǔn)備如下結(jié)構(gòu)在內(nèi)部電極(3a、3b)露出的端面(6)上相鄰內(nèi)部電極(3a、3b)相互電絕緣，并且沿絕緣體層(2)的厚度方向測定的相鄰內(nèi)部電極(3a、3b)間的間隔(s)為10μm以下，且內(nèi)部電極(3a、3b)相對于端面(6)的縮入長度(d)為1μm以下。在電解鍍敷工序中，使在多個內(nèi)部電極(3a、3b)的端部析出的電解鍍敷析出物相互連接地使該電解鍍敷析出物成長。文檔編號C25D7/00GK101248499SQ20068003122公開日2008年8月20日申請日期2006年10月10日優(yōu)先權(quán)日2005年10月28日發(fā)明者元木章博,國司多通夫,小川誠,樫尾秀之,野路孝志,高野良比古,黑田茂之申請人:株式會社村田制作所