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      沉積作為硬鉻鍍的鉻層的方法、電鍍液和硬鉻表面的制作方法

      文檔序號(hào):5286714閱讀:591來源:國知局
      專利名稱:沉積作為硬鉻鍍的鉻層的方法、電鍍液和硬鉻表面的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種沉積作為用于防磨或防腐和/或用于裝飾目的的硬 鉻鍍的鉻層的方法,還涉及一種沉積這種鉻層所用的電鍍液。本發(fā)明還 涉及由此制造的硬鉻表面。
      背景技術(shù)
      對(duì)于迄今為止由現(xiàn)有技術(shù)可知的用于制造厚鉻涂層的商業(yè)化方法, 實(shí)際上只使用其中待沉積的鉻以六價(jià)態(tài)存在的電解液。
      自從以鉻(III)電解液代替有毒鉻(VI)電解液的電解沉積鉻開始后,就 已付出努力進(jìn)行研究。以鉻(III)化合物代替鉻(VI)化合物的嘗試始于鉻
      (VI)化合物進(jìn)入體內(nèi)會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重健康問題的事實(shí)。除了健康和危及環(huán)境方 面外,處理鉻(VI)污染的廢水還會(huì)產(chǎn)生高成本。
      通常,必須對(duì)用于光澤鉻處理的裝飾性的、薄(〈3pm)鉻層(從含鉻(ni) 溶液得到金屬鉻)的沉積與用作防磨和防腐層的厚(〉5nm)鉻層的沉積加 以區(qū)別。
      已經(jīng)有許多涉及該問題的裝飾性鍍鉻的方法和專利。這些方法可制 造薄的高光澤鉻層。然而,對(duì)于層厚大于5pm的情形,這些方法只在限 制方式下適合。
      在過去幾年中,已經(jīng)有許多嘗試以基于鉻(III)的方法代替從含鉻(VI) 的方法進(jìn)行的工業(yè)鉻處理。
      從基于鉻(III)的GB 1 602 404可知用于沉積鉻層的電鍍液。在這種 情況下,通過陽離子交換膜來實(shí)現(xiàn)陰極電解液和陽極電解液之間的分開。 可將降低沉積電壓所用的陰離子加到陰極電解液中,由此可避免電鍍過 程中電壓增大。
      然而,迄今為止還沒有成功研究出能取代商業(yè)化應(yīng)用中從含鉻(VI)
      6電解液進(jìn)行普遍的硬鉻鍍的方法。這可歸因于以下幾點(diǎn)
      1. 由以前知道的方法沉積的鉻層不符合對(duì)于5pm以上層厚的硬鉻 處理已知的要求。
      2. 可從這些電鍍液沉積的層的硬度不能達(dá)到至少800 HV以上的所 需的層硬度。
      3. 對(duì)于可被沉積的層的再現(xiàn)性,已知的電鍍液不能提供從含鉻(VI) 電解液得到的質(zhì)量。層厚Wpm的鉻層非常易于開裂和脫離下面的材料。
      基于鉻(III)的已知鉻處理電解液的這些限制起因于陰極反應(yīng)引起的 pH值快速變化和鉻(III)在陽極氧化為鉻(VI)。已知的研究提供了通過隔 膜或陽離子交換膜使陽極區(qū)和陰極區(qū)分開。使用這種膜防止了鉻(III)離子 在陽極的氧化。H+離子確保了電流的輸送。同時(shí)這種輸送可用于平衡因 陰極電解液區(qū)產(chǎn)生的氫所引起的pH值增大。
      因?yàn)檫B帶沉積的鉻和陰極電解液中殘留的陽離子鹽基團(tuán),導(dǎo)致陰極 電解液的pH值降低,這必須通過加入堿(例如氨水)來補(bǔ)償。加入氨水通 常導(dǎo)致電解液的pH值局部劇增,難溶的氫氧化鉻于是沉淀下來。

      發(fā)明內(nèi)容
      因此,本發(fā)明的目的是提供一種方法,使用所述方法可進(jìn)行鉻層的 可再現(xiàn)性沉積,所述鉻層具有足以防腐或防磨的厚度和極大的硬度。因 此,所述方法具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,并且基本上也適合于沉積裝飾性層。
      通過具有權(quán)利要求1特征的方法、具有權(quán)利要求13特征的電鍍液和 具有權(quán)利要求26特征的硬鉻表面可達(dá)到所述目的。進(jìn)一步的附屬權(quán)利要 求揭示了有利的研究。
      具體實(shí)施例方式
      根據(jù)本發(fā)明,提供了一種沉積作為用于防磨或防腐的硬鉻鍍和/或作 為裝飾性鉻鍍的鉻層的方法。所述方法基于一個(gè)部件,所述部件被連接
      作為陰極并浸在含有至少一種鉻(in)鹽和穩(wěn)定鉻(n)離子的至少一種化合
      物的陰極電解液中。同時(shí)使用含有Br6nsted(布朗斯特)酸的陽極電解液。通過陰離子選擇性膜(也稱為陰離子交換膜)使陰極電解液和陽極電解液 分開。在本發(fā)明中,還必須使用至少一種測(cè)量設(shè)備,借助所述測(cè)量設(shè)備
      連續(xù)監(jiān)控pH值與預(yù)設(shè)pH值的偏差。因此,預(yù)設(shè)pH值被確定為所使用
      的鉻(III)鹽的函數(shù),從而實(shí)現(xiàn)最優(yōu)的鍍沉積。此外,在根據(jù)本發(fā)明的方法
      中使用了控制設(shè)備,借助所述控制設(shè)備,通過自動(dòng)加入酸或堿,可將pH 值調(diào)節(jié)為預(yù)設(shè)值。
      根據(jù)本發(fā)明的方法,其特征在于通過陰離子交換膜使陰極區(qū)和陽極 區(qū)分開。通過陰離子交換膜防止陽極電解液與陰極電解液混合。因此, 沒有鉻(III)離子通過陽極端,結(jié)果是可防止鉻(III)離子在陽極氧化成鉻 (VI)離子。通過使用陽極交換膜,同樣可防止通常以陽離子復(fù)合物存在的 鉻(III)離子穿過膜。陽極電解液在涂覆過程中根本不被鉻離子污染或只被 輕微污染。通過將還原型草酸加到陽極電解液中可完全地防止陽極電解 液中鉻(VI)離子聚集??赏耆苊鈱⒅T如亞鐵氰化物等物質(zhì)或GB 1 602 404中所記載的硫氰酸鈉加到陽極電解液中。
      在對(duì)從含鉻(III)電解液的鉻沉積成金屬鉻層的沉積機(jī)理說明中,假
      設(shè)經(jīng)過鉻(m)到絡(luò)(ii)的步驟的沉積進(jìn)一步擴(kuò)展到金屬鉻。因?yàn)殂t(II)在空 氣中非常迅速地氧化形成鉻(in),所以必須穩(wěn)定這種陽離子。優(yōu)選通過加 入氨基酸或脲實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。然而,為了防止鉻(n)氧化,同樣還可以在惰
      性氣氛下實(shí)施電鍍。
      因?yàn)樵诔练e鉻層過程中,在陰極形成氫和離子通過膜的輸送會(huì)使pH 值增大,只有通過連續(xù)監(jiān)控電鍍液的pH值才能確保鉻沉積過程中的恒定 條件。優(yōu)選通過使流經(jīng)pH測(cè)量單元的陰極電解液連續(xù)循環(huán)來實(shí)現(xiàn)這一 點(diǎn)。如果發(fā)生pH值增大,則可通過控制設(shè)備隨后將酸計(jì)量加到電解液中。
      優(yōu)選的變型是,在連續(xù)涂覆過程中將酸從陽極電解液中去除,隨后 計(jì)量加到陰極電解液中。同樣可以經(jīng)過外部的儲(chǔ)酸槽將酸加到陰極電解 液中。
      此外,優(yōu)選的是,除了控制pH值外,還控制電鍍液的溫度。使用 溫度測(cè)量單元,可以監(jiān)控電鍍液的溫度,然后通過冷卻或加熱設(shè)備可以 調(diào)節(jié)到所需值。
      8當(dāng)使用鉻(III)鹽或其混合物時(shí),優(yōu)選選自銨鉻礬、鉀鉻礬、氯化鉻、
      硫酸鉻的化合物。因此,優(yōu)選鉻(m)鹽濃度為0.1mol/l至鹽或鹽混合物在
      陰極電解液中的溶解度。
      用作穩(wěn)定鉻(n)離子的化合物優(yōu)選為氨基酸、脲衍生物、脂肪族的胺 和/或酰胺、芳香族-脂肪族混合的胺和/或酰胺、脂環(huán)族的胺和/或酰胺或 者芳香族的胺和/或酰胺。因此,相對(duì)于陰極電解液,這些化合物濃度優(yōu)
      選為0.5mol/l 3mo1/1,更優(yōu)選為0.5mol/l~1.2mol/l。
      進(jìn)一步優(yōu)選的變型是,將用于緩沖陰極電解液pH值的緩沖物質(zhì)加 到陰極電解液中。這種緩沖物質(zhì)優(yōu)選選自硼酸/硼酸鹽、檸檬酸/檸檬酸
      鹽、鋁37硫酸鋁、草酸/草酸鹽和/或酒石酸/酒石酸鹽體系。
      還可將潤濕劑加到陰極電解液中,所述潤濕劑優(yōu)選選自陰離子表面 活性劑和中性表面活性劑,例如十二垸醇硫酸鈉、十二烷基硫酸鈉、聚
      乙二醇、二異己基磺基琥珀酸鹽、2-乙基己基硫酸鹽、二異丁基磺基琥 珀酸鹽、二異戊基磺基琥珀酸鹽和/或異癸基磺基琥珀酸鹽。
      根據(jù)本發(fā)明,還提供一種沉積作為用于防磨或防腐的硬鉻鍍和/或作 為裝飾性絡(luò)鍍的鉻層的電鍍液。所述電鍍液基于一種陰極電解液,所述
      陰極電解液含有至少一種鉻(iii)鹽和穩(wěn)定鉻(n)離子的至少一種化合物, 還基于一種陽極電解液,所述陽極電解液含有質(zhì)子酸。通過陰離子選擇 性膜使陰極電解液和陽極電解液分開。此外,所述電鍍液具有一種測(cè)量
      設(shè)備,用于連續(xù)監(jiān)控pH值與預(yù)設(shè)pH值的偏差,還具有至少一種控制設(shè) 備,用于將pH值調(diào)節(jié)到預(yù)設(shè)值。通過自動(dòng)加入酸或堿來實(shí)現(xiàn)pH值調(diào)節(jié)。 有利的是,陽極是尺寸穩(wěn)定的陽極(DSA), S卩,在操作條件下不溶解的陽 極。作為根據(jù)本發(fā)明的尺寸穩(wěn)定的陽極,優(yōu)選以下的陽極石墨或鉛合 金陽極,或者涂覆混合氧化物的鈦陽極和/或鍍鉑的鈦陽極。涂覆的或鍍 鉑的陽極通常由鈦形成。
      根據(jù)本發(fā)明,還提供了可以根據(jù)本發(fā)明的方法制造的硬鉻表面。這 些鉻層的厚度至少為5pm,并且所述表面根據(jù)EN ISO 6507的維氏硬度 至少為800HV。優(yōu)選地,鉻層厚度〉10^im。根據(jù)電流密度,可以沉積高 光澤或無光澤的鉻層。當(dāng)然所述表面還可用于裝飾目的。實(shí)施例
      參照下面的實(shí)施例更詳細(xì)地解釋了根據(jù)本發(fā)明的主題,但不希望將 本發(fā)明限制于本文所示的具體實(shí)施方案。
      對(duì)比例l
      從Atotech公司的丁1^11]"011^@電解液沉積的鉻層。
      根據(jù)廠商說明書。
      電鍍液溫度30°C
      電流密度8A/dm2,
      電鍍時(shí)間25分鐘。
      C參見圖1)
      實(shí)施例l
      使用甘氨酸從銨鉻礬涂覆
      陰極電解液和陽極電解液的組成
      陰極電解液
      400g/l銨鉻礬,鉻含量相當(dāng)于10.6質(zhì)量%。
      40g/l硼酸
      80g/l甘氨酸
      0.5g/l十二垸醇硫酸鈉
      陽極電解液-
      溶于水的30%H2SO4
      制備陰極電解液
      將去離子水加到銨鉻礬(根據(jù)N. Rempfer, H-W Lerner, M. Bolte, Acta Cryst. (2004), E60, i80-i81制備的)中,在80。C下加熱2小時(shí)。在將銨鉻
      10磯溶液冷卻到40。C后,將硼酸和甘氨酸加到電解液中。隨后,在第一次
      涂覆之前,通過加入氨水將pH值調(diào)節(jié)到pH 2.25。在40°C下校正使用的 pH測(cè)量設(shè)備。
      在涂覆室中進(jìn)行電鍍鉻沉積,在涂覆室中,通過陰離子交換膜使陽 極電解液(30%硫酸)與陰極電解液(銨鉻礬混合物)分開。沉積過程中的電 鍍液溫度為40。C士2。C。所選pH值在pH2.2和pH2.3之間。在試驗(yàn)過 程中,將鍍鉑的鈦用作陽極。
      對(duì)直徑為lcm和長度為10cm的圓柱體進(jìn)行涂覆。試件由鋼制成。 在涂覆前,將試件在60。C下于堿液中進(jìn)行陰極脫脂5分鐘,隨后在電流 密度lA/dn^下進(jìn)行30秒,在去離子水中沖洗,并就在進(jìn)行涂覆前于5% 硫酸中酸洗30秒。在涂覆過程中,以50"min旋轉(zhuǎn)圓柱形試件。
      將15A/dn^設(shè)為陰極電流密度。在2小時(shí)涂覆過程中,通過向其中 計(jì)量加入陽極電解液,使陰極電解液的pH值保持在2.25 (參見圖2)。
      結(jié)果層厚為52.8pm;用光學(xué)顯微鏡(Zeiss-Axioplan)測(cè)量
      在微硬度測(cè)試儀(AntonPaar-MH-T4)上測(cè)量硬度為833 HV
      試驗(yàn)負(fù)荷為50p、 10s、 5p/s
      (參見圖3)
      實(shí)施例2
      使用二乙醇胺從銨鉻礬涂覆
      與實(shí)施例l一樣,用二乙醇胺代替甘氨酸
      電解液混合物和樣品預(yù)處理與實(shí)施例1 一致。用1.1mol/l二乙醇胺 代替甘氨酸作為復(fù)合物形成劑。
      在該試驗(yàn)過程中,將pH值保持在pH2.3 pH2.5。
      結(jié)果層厚為58.5|iim,用光學(xué)顯微鏡(Zeiss-Axioplan)測(cè)量
      在微硬度測(cè)試儀(AntonPaar-MH-T4)上測(cè)量硬度為855 HV
      試驗(yàn)負(fù)荷為50p、 10s、 5p/s實(shí)施例3 從硫酸鉻涂覆
      試驗(yàn)與實(shí)施例1 一樣,用濃度為40gCr/1的硫酸鉻(ni)代替銨鉻礬。 結(jié)果層厚為39.8pm;用光學(xué)顯微鏡(Zeiss-Axioplan)測(cè)量
      在微硬度測(cè)試儀(AntonPaar-MH-T4)上測(cè)量硬度為901 HV
      試驗(yàn)負(fù)荷為50p、 10s、 5p/s
      (參見圖5)
      實(shí)施例4 從氯化鉻涂覆
      陰極電解液
      lmo1/1氯化鉻 40g/l硫酸鋁 80g/l甘氨酸 0.5g/l十二烷醇硫酸鈉 陽極電解液 溶于水的30%H2SO4
      電解液混合物和樣品預(yù)處理與根據(jù)權(quán)利要求1的方法一致。 硫酸鋁代替硼酸用作緩沖物質(zhì)。
      此外,將十二烷醇硫酸鈉作為潤濕劑加到陰極電解液中。 結(jié)果層厚為10.8pm;用光學(xué)顯微鏡(Zeiss-Axioplan)測(cè)量
      在微硬度測(cè)試儀(Anton Paar-MH-T4)上測(cè)量硬度為862 HV
      試驗(yàn)負(fù)荷為50p、 10s、 5p/s。
      (參見圖6)實(shí)施例5
      使用脲從銨鉻礬涂覆
      與實(shí)施例1一樣,用脲代替甘氨酸
      電解液混合物和樣品預(yù)處理與實(shí)施例1 一致。用2mol/l脲代替甘氨 酸作為復(fù)合物形成劑。
      在該試驗(yàn)過程中,將pH值保持在pH2.3 pH2.5。 結(jié)果層厚為28pm,用光學(xué)顯微鏡(Zeiss-Axioplan)測(cè)量
      在微硬度測(cè)試儀(Anton Paar-MH-T4)上測(cè)量硬度為780 HV
      試驗(yàn)負(fù)荷為50p、 10s、 5p/s
      (參見圖7)
      實(shí)施例6
      使用丙氨酸從銨鉻礬涂覆
      與實(shí)施例1一樣,用丙氨酸代替甘氨酸
      電解液混合物和樣品預(yù)處理與實(shí)施例1 一致。用lmol/l丙氨酸代替 甘氨酸作為復(fù)合物形成劑。
      在該試驗(yàn)過程中,將pH值保持在pH2.3 pH2.5。
      結(jié)果層厚為59,5pm,用光學(xué)顯微鏡(Zeiss-Axioplan)測(cè)量
      在微硬度測(cè)試儀(Anton Paar-MH-T4)上測(cè)量硬度為760 HV
      試驗(yàn)負(fù)荷為50p、 10s、 5p/s
      (參見圖8)


      圖l:由常規(guī)鉻(ni)電解液得到的鉻層
      圖2:試驗(yàn)設(shè)備3:來自甘氨酸電鍍液的樣品 圖4:來自二乙醇胺電解液的樣品 圖5:來自甘氨酸硫酸鉻電解液的樣品 圖6:來自甘氨酸氯化鉻電解液的樣品 圖7:來自脲電解液的樣品 圖8:來自丙氨酸電解液的樣品
      圖2顯示了本發(fā)明方法的圖。電源和控制單元1監(jiān)控以下的電解液 參數(shù),并通過發(fā)送控制信號(hào)來控制設(shè)備的相應(yīng)部件
      -電解液的溫度
      -電解液的pH
      -電解液的再循環(huán)
      -陽極電解液的再循環(huán)
      -用于被涂覆部件電鍍的電流
      在pH降低的情況下,通過使用堿用的泵2,將選自增大pH的液體(例 如氨水)的堿加到電解液中。堿保存在儲(chǔ)槽3中。泵2從電源和控制單元 1接收控制信號(hào)。通過使用酸用的泵4,將液體加到陽極電解液中,使pH 降低。作為用于降低pH的液體,優(yōu)選稀硫酸。泵4從電源和控制單元1 接收控制信號(hào)。pH測(cè)量設(shè)備5使來自測(cè)量單元6內(nèi)pH探針的信號(hào)放大 并傳遞給電源和控制單元1。泵7將從儲(chǔ)槽14取出的新電解液供給測(cè)量 單元6。測(cè)量完成后,電解液再循環(huán)到儲(chǔ)槽14。膜陽極9是包裹在陰離 子交換膜內(nèi)的陽極。用周圍的稀硫酸對(duì)包裹的陽極進(jìn)行內(nèi)部清洗。通過 陽極電解液用的泵10將硫酸從儲(chǔ)槽8輸送到膜陽極9。硫酸通過膜陽極 的第二個(gè)孔流出,該孔用于將陽極產(chǎn)生的氧放出。另一個(gè)電解液用的泵 11通過過濾單元12從儲(chǔ)槽連續(xù)輸送電解液并循環(huán)回到儲(chǔ)槽14。以該方 法涂覆的部件13顯示在圖的中部。
      1權(quán)利要求
      1. 一種沉積作為用于防磨或防腐的硬鉻鍍和/或作為裝飾性鉻鍍的鉻層的方法,其中一個(gè)部件被連接作為陰極并浸在含有至少一種鉻(III)鹽和穩(wěn)定鉻(II)離子的至少一種化合物的陰極電解液中,使用含有Brnsted酸的陽極電解液,通過陰離子選擇性膜使陰極電解液和陽極電解液分開,還借助至少一種測(cè)量設(shè)備連續(xù)監(jiān)控pH值與預(yù)設(shè)pH值的偏差,以及借助至少一種控制設(shè)備,通過自動(dòng)加入酸或堿將所述pH值調(diào)節(jié)為預(yù)設(shè)值。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法,其中通過所述控制設(shè)備將所述酸從 所述陽極電解液中去除,隨后將所述酸計(jì)量加到所述陰極電解液中以調(diào) 節(jié)pH值。
      3. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中通過溫度測(cè)量單元 連續(xù)監(jiān)控所述電鍍液的溫度與預(yù)設(shè)值的偏差,并通過加熱和/或冷卻設(shè)備 將所述電鍍液的溫度調(diào)節(jié)到預(yù)設(shè)值。
      4. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中所述鉻(III)鹽選自 銨鉻礬、鉀鉻礬、氯化鉻、硫酸鉻及其混合物。
      5. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中在所述陰極電解液 中使用的鉻(III)鹽濃度為0.1mol/l至所述鹽的溶解度。
      6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中所述穩(wěn)定鉻(II)離子 的化合物選自氨基酸、脲、脂肪族的胺和/或酰胺、芳香族-脂肪族的胺和 /或酰胺、脂環(huán)族的胺和/或酰胺或者芳香族的胺和/或酰胺。
      7. 根據(jù)前述權(quán)利要求所述的方法,其中在所述陰極電解液中使用的 所述穩(wěn)定鉻(II)離子的化合物的濃度為0.5mol/l 3mo1/1 ,優(yōu)選為 0.5mol/l~1.2mol/l。
      8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中將用于緩沖所述陰極電解液pH值的緩沖物質(zhì)加到所述陰極電解液中。
      9. 根據(jù)前述權(quán)利要求所述的方法,其中所述緩沖物質(zhì)選自硼酸/硼酸 鹽、檸檬酸/檸檬酸鹽、鋁3+/硫酸鋁、草酸/草酸鹽和/或酒石酸/酒石酸鹽 體系。
      10. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中還將潤濕劑加到 所述陰極電解液中。
      11. 根據(jù)前述權(quán)利要求所述的方法,其中所述潤濕劑優(yōu)選選自陰離 子表面活性劑和/或中性表面活性劑,例如十二垸醇硫酸鈉、十二烷基硫 酸鈉、聚乙二醇、二異己基磺基琥珀酸鹽、2-乙基己基硫酸鹽、二異丁 基磺基琥珀酸鹽、二異戊基磺基琥珀酸鹽和/或異癸基磺基琥珀酸鹽。
      12. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法,其中所述陽極電解液 含有硫酸。
      13. —種沉積作為用于防磨或防腐的硬鉻鍍和/或作為裝飾性鉻鍍的 鉻層的電鍍液,所述電鍍液具有陰極電解液,所述陰極電解液含有至少 一種鉻(III)鹽和穩(wěn)定鉻(II)離子的至少一種化合物,還具有陽極電解液, 所述陽極電解液含有質(zhì)子酸,通過陰離子選擇性膜使陰極電解液和陽極 電解液分開,還具有至少一種測(cè)量設(shè)備,用于連續(xù)監(jiān)控pH值與預(yù)設(shè)pH 值的偏差,還具有至少一種控制設(shè)備,用于通過自動(dòng)加入酸或堿將pH值 調(diào)節(jié)到預(yù)設(shè)值。
      14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的電鍍液,其中用于將酸從所述陽極電解 液中去除的控制設(shè)備與所述陽極電解液接觸,以及用于將酸計(jì)量加到所 述陰極電解液中的控制設(shè)備與所述陰極電解液接觸。
      15. 根據(jù)權(quán)利要求13或14中任一項(xiàng)所述的電鍍液,其中所述鉻(III) 鹽選自銨鉻砜、鉀鉻砜、氯化鉻、硫酸鉻及其混合物。
      16. 根據(jù)權(quán)利要求13 15中任一項(xiàng)所述的電鍍液,其中在所述陰極 電解液中的所述至少一種鉻(III)鹽的濃度為O.lmol/1至所述鹽的溶解度。
      17. 根據(jù)權(quán)利要求13 16中任一項(xiàng)所述的電鍍液,其中所述穩(wěn)定鉻(n) 離子的化合物選自氨基酸、脲、脂肪族的胺和/或酰胺、脂環(huán)族的胺和/ 或酰胺或者芳香族的胺和/或酰胺。
      18. 根據(jù)前述權(quán)利要求所述的電鍍液,其中在所述陰極電解液中存 在的所述穩(wěn)定鉻(II)離子的化合物的濃度為0.5mol/l~3mol/l,優(yōu)選為 0.5mol/l 1.2mol/l。
      19. 根據(jù)權(quán)利要求13~18中任一項(xiàng)所述的電鍍液,其中所述陰極電 解液含有用于緩沖所述陰極電解液pH值的緩沖物質(zhì)。
      20. 根據(jù)前述權(quán)利要求所述的電鍍液,其中所述緩沖物質(zhì)選自硼酸/ 硼酸鹽、檸檬酸/檸檬酸鹽、酒石酸/酒石酸鹽、鋁3+/硫酸鋁體系。
      21. 根據(jù)權(quán)利要求13 20中任一項(xiàng)所述的電鍍液,其中所述陰極電 解液還含有潤濕劑。
      22. 根據(jù)前述權(quán)利要求所述的電鍍液,其中所述潤濕劑選自陰離子 表面活性劑和/或中性表面活性劑,例如十二垸醇硫酸鈉、十二垸基硫酸 鈉、聚乙二醇、二異己基磺基琥珀酸鹽、2-乙基己基硫酸鹽、二異丁基 磺基琥珀酸鹽、二異戊基磺基琥珀酸鹽和/或異癸基磺基琥珀酸鹽。
      23. 根據(jù)權(quán)利要求13~22中任一項(xiàng)所述的電鍍液,其中所述陽極電 解液含有硫酸。
      24. 根據(jù)權(quán)利要求13~23中任一項(xiàng)所述的電鍍液,其中所述電鍍液 具有尺寸穩(wěn)定的陽極(DSA)。
      25. 根據(jù)前述權(quán)利要求所述的電鍍液,其中所述尺寸穩(wěn)定的陽極 (DSA)選自石墨或含有鉛合金的陽極、涂覆混合氧化物的陽極和/或鍍鉑 的陽極。
      26. —種根據(jù)權(quán)利要求1~12中任一項(xiàng)所述的方法制造的硬鉻表面。
      27. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的硬鉻表面,所述鉻層的厚度至少為5pm, 并且部件表面根據(jù)ENISO 6507的維氏硬度至少為800 HV。
      28. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的硬鉻表面,其中所述鉻層的厚度至少為 lOjxm。
      29. 根據(jù)權(quán)利要求26所述的表面,其中所述表面用于裝飾目的且層 厚<5,。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種沉積作為用于防磨或防腐和/或用于裝飾目的的硬鉻鍍的鉻層的方法,還涉及一種沉積這種鉻層所用的電鍍液。本發(fā)明還涉及由此制造的硬鉻表面。
      文檔編號(hào)C25D21/12GK101512047SQ200780033119
      公開日2009年8月19日 申請(qǐng)日期2007年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月1日
      發(fā)明者卡爾·謝默爾曼斯, 延斯·博納特, 赫爾維?!た死鼓崽仄? 馬丁·梅茨納 申請(qǐng)人:弗勞恩霍弗實(shí)用研究促進(jìn)協(xié)會(huì)
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