專利名稱：發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的電鍍制程改良方法，尤其指一種在電鍍制程中通過
遮鍍冶具覆蓋發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，以實現(xiàn)于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)鍍上金屬反射層的發(fā)光二極管的電鍍制程改良方法。
背景技術(shù)：
近年來，由于發(fā)光二極管(Light Emitting Diode， LED)具有耗電量低、元件壽命長、無須暖燈時間及反應(yīng)速度快等優(yōu)點，加上其體積小、耐震動、適合量產(chǎn)，因此發(fā)光二極管已普遍使用于資訊、通訊及消費性電子產(chǎn)品的指示燈與顯示裝置上，如移動電話及個人數(shù)位助理(Personal Digital Assistant, PDA)螢?zāi)槐彻庠础⒏鞣N戶外顯示器、交通號志燈及車燈等。 通常發(fā)光二極管晶片是通過表面粘貼技術(shù)(Surface Mount Device, SMD)或是覆晶接合技術(shù)(flip chip bonding)固接于具有凹陷部的膠座內(nèi)的支架上，而膠座以及支架的內(nèi)部結(jié)構(gòu)對于發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效果具有直接性的影響，為了使發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率提高，請參考圖1所示，圖1繪示為先前技術(shù)的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)剖面示意圖，現(xiàn)有的做法即為在膠座91、膠座91的凹陷部92以及凹陷部92內(nèi)的支架93鍍上一層金屬反射層94，鍍的方式可以采用濺鍍方式、噴鍍方式等方法將金屬反射層鍍于膠座、膠座的凹陷部以及凹陷部內(nèi)的支架上，通過金屬反射層94即可以有效的提高發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率。 為使支架93之間不會導(dǎo)通，必須在凹陷部92的支架93之間形成絕緣部95加以阻隔，然而，在膠座91、膠座91的凹陷部92以及支架93鍍上金屬反射層時，卻很容易發(fā)生因為金屬反射層94覆蓋在絕緣部95上而使支架93之間形成導(dǎo)通的短路狀態(tài)(如圖所示)，因此，通常必需再通過激光方式將絕緣部95上的金屬反射層94加以清除。
但是，在將絕緣部95被鍍上的金屬反射層94清除時，由于激光的能量過大，容易導(dǎo)致絕緣部95的表面受損，即為膠座91的凹陷部92表面會受損；而過大能量的激光除了會損壞絕緣部95的表面之外，更進一步會使得金屬反射層94在切割區(qū)域由于過大的能量容易導(dǎo)致產(chǎn)生切割區(qū)域發(fā)生燒焦的情況產(chǎn)生。 綜上所述，可知先前技術(shù)中長期以來一直存在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在電鍍金屬反射層時，采取激光方式進行切割絕緣制程所容易導(dǎo)致膠座損壞以及切割區(qū)域燒焦的問題，因此有必要提出改進的技術(shù)手段，來解決此一問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于先前技術(shù)存在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在電鍍金屬反射層時，采取激光方式進行切割絕緣制程所容易導(dǎo)致膠座損壞以及切割區(qū)域燒焦的問題，本發(fā)明遂揭露一種發(fā)光二極管的電鍍制程改良方法，其中 本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其包含下列步驟
首先，于金屬板上形成以陣列方式排列的復(fù)數(shù)組支架單元與復(fù)數(shù)個膠座，每組支架單元與一膠座對應(yīng)，其中各膠座分別具有凹陷部，支架單元分別具有至少二支架，每個支架的一端是暴露于凹陷部內(nèi)；接著，以遮鍍冶具覆蓋于各膠座周圍以及各膠座的凹陷部的底部；最后，形成金屬反射層于遮鍍冶具未覆蓋的區(qū)域。 本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其包含下列步驟
首先，于金屬板上形成至少二支架與膠座，其中膠座具有凹陷部，支架的一端暴露于凹陷部內(nèi)；接著，以遮鍍冶具覆蓋于膠座周圍以及凹陷部的底部；最后，形成金屬反射層于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)上遮鍍冶具所未覆蓋的區(qū)域。 本發(fā)明所揭露的系統(tǒng)與方法如上，與先前技術(shù)之間的差異在于本發(fā)明在制程過程中利用遮鍍冶具覆蓋于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的膠座周圍以及膠座的凹陷部的底部，進而形成一層金屬反射層于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)上遮鍍冶具所未覆蓋的區(qū)域，最后移除遮鍍冶具后，即可以完成在膠座表面以及膠座的凹陷部的側(cè)面上形成一層金屬反射層，除了可以使得膠座表面以及膠座的凹陷部的側(cè)面具有鏡面高反光效果，更可以避免絕緣部的表面不會受損，金屬反射層不會產(chǎn)生焦痕，藉以提高發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率。 通過上述的技術(shù)手段，本發(fā)明可以達成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程良率提升的技術(shù)功效。


圖1繪示為先前技術(shù)的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)剖面示意圖。 圖2繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)在制造流程中的剖面示意圖。 圖3A繪示為本發(fā)明的本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)在電鍍時的剖面示意圖。 圖3B繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)在電鍍時的剖面放大示意圖。 圖3C繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)在電鍍完成時的俯視示意圖。 圖3D繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)在電鍍完成時的剖面示意圖。 圖4繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。 圖5繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍陣列結(jié)構(gòu)俯視示意圖。
具體實施例方式以下將配合圖式及實施例來詳細說明本發(fā)明的實施方式，藉此對本發(fā)明如何應(yīng)用
技術(shù)手段來解決技術(shù)問題并達成技術(shù)功效的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。 首先，請參考圖2所示，圖2繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)在制造流程中的
剖面示意圖。 如圖所示，在金屬板上以沖壓(stamping)方式制成二支架20，然后，以埋入射出(insert molding)的方式形成膠座10，以使各個支架20部分被埋于膠座10內(nèi)。而且，膠座IO具有凹陷部11，各支架20中的一端即是分別暴露在膠座10的凹陷部11內(nèi)，另一端則是分別延伸出膠座10的兩側(cè)，以便于與其他電子裝置(圖式中未繪示)電性連接。換言之，后續(xù)配置于膠座10的凹陷部11內(nèi)的發(fā)光二極管晶片即是通過支架20延伸出膠座10的端部而與其他電子裝置電性連接。 在此，金屬板可以是銅、鐵或其他導(dǎo)電性佳的金屬板或合金板。也就是說，支架20的材質(zhì)可以是銅、鐵或其他導(dǎo)電性佳的金屬或合金。膠座10的材質(zhì)則可以是聚鄰苯二甲酰胺(polyphthalamide， PPA)或其他常用來作為發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的膠座10的熱塑性樹脂。
當然，在其他實施例中，也可以先形成膠座IO之后，再分別于膠座10上形成支架20。熟習(xí)此技藝者可以自行依據(jù)實際需求來決定膠座10與支架20的制程順序。
由于膠座10的材質(zhì)為聚鄰苯二甲酰胺或其他常用來作為發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的膠座的熱塑性樹脂，在材質(zhì)特性上反光性會較差，因此，為了使發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率提高，可以在膠座10的凹陷部11鍍上一層金屬反射層，藉以加強膠座10的凹陷部11的反光性，即可以提高發(fā)光二極管晶片發(fā)光效率。 因此，請參考圖3A所示，圖3A繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)在電鍍時的剖面示意圖；本發(fā)明將以遮鍍冶具40覆蓋于膠座10周圍以及膠座10的凹陷部11的底部12。
其中，在膠座10的凹陷部11的底部12以遮鍍冶具40覆蓋時，遮鍍冶具40可以完全覆蓋于膠座10的凹陷部11的底部12，或是遮鍍冶具40僅覆蓋于膠座10的凹陷部11的底部12支架20之間的第一絕緣部13，以避免支架20之間的導(dǎo)通而造成支架20短路發(fā)生，圖面上所繪示為遮鍍冶具40可以完全覆蓋于膠座10的凹陷部11的底部12的情況，但并不以此局限本發(fā)明的應(yīng)用。 在遮鍍冶具40將膠座10周圍以及膠座10的凹陷部11的底部12覆蓋完成后，接著，以濺鍍方式(sputtering)或是噴鍍方式在遮鍍冶具40未覆蓋的區(qū)域(圖式中箭頭方向即為濺鍍方向或是噴鍍方向，并且上述電鍍方式僅為舉例說明，并不以此局限本發(fā)明對于電鍍方式的限制，任何可以達到本發(fā)明電鍍功效的技術(shù)手段應(yīng)包含于本發(fā)明內(nèi))形成一層金屬反射層30，即為膠座10的凹陷部11的側(cè)邊14以及膠座10的表面17形成一層金屬反射層30，藉此可以使得膠座10的凹陷部11的側(cè)邊14以及膠座10的表面17具有鏡面高反光效果，以提高發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率。 除此之外，請參照圖3B所示，圖3B繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)在電鍍時的剖面放大示意圖；不論在膠座10的凹陷部11的底部12以遮鍍冶具40覆蓋時，采用遮鍍冶具40完全覆蓋于膠座10的凹陷部11的底部12，或是遮鍍冶具40僅覆蓋于膠座10的凹陷部11的底部12支架20之間的第一絕緣部13，遮鍍冶具40皆更可以覆蓋于凹陷部11的側(cè)邊底部15，凹陷部11的側(cè)邊底部15定義為自凹陷部11的底部12沿凹陷部11的側(cè)邊14起算不超過側(cè)邊14長度十分之一的部分，藉此可以形成第二絕緣部16(如圖3C以及圖3D所示)，以避免凹陷部11的側(cè)邊14在鍍上金屬反射層30時，由于金屬反射層30與支架20形成導(dǎo)通狀態(tài)造成支架20短路的情形。 接著，請同時參考圖3C以及圖3D所示，圖3C繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)在電鍍完成時的俯視示意圖；圖3D繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)在電鍍完成時的剖面示意圖；再將遮鍍冶具40移除，即可以完成在膠座10的凹陷部11的側(cè)邊14以及膠座10的表面17上形成一層金屬反射層30的制程，除了可以使得膠座10的凹陷部11的側(cè)邊14以及各個膠座10的表面17具有鏡面高反光效果，更可以避免第一絕緣部13的表面不會受損，以及金屬反射層30不會產(chǎn)生焦痕，藉以提高發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率。此時，發(fā)光二極管電鍍制程已大致完成。 接著，請參考圖4所示，圖4繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；將上述完成電鍍制程的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，再通過表面粘貼技術(shù)(SurfaceMount Device, SMD)將
5發(fā)光二極管晶片50固接于暴露在膠座10的凹陷部11內(nèi)支架20其中之一的端部，以及通過打線接合技術(shù)(wire bonding)或是覆晶接合技術(shù)(flip chip bonding)與另一支架20形成電性連接，圖面所繪示為采用打線接合技術(shù)方式將發(fā)光二極管晶片50與另一支架20形成電性連接(在此僅為舉例說明，并不以此局限本發(fā)明的應(yīng)用)，支架20可以分別提供發(fā)光二極管晶片50不同的電性極性。 接著，再于膠座10上形成封裝膠體60，以覆蓋于放置有發(fā)光二極管晶片50的凹陷部11及支架20電性連接至發(fā)光二極管晶片50的端部。此時，發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制程已大致完成。 其中，封裝膠體60例如是以點膠(dispensing)的方式形成，且封裝膠體60中可摻有螢光粉(圖式中未繪示)，因此當發(fā)光二極管晶片50所發(fā)出的光線照射到螢光粉而使其激發(fā)出另一種顏色的可見光時，發(fā)光二極管晶片50所發(fā)出的光線即可與螢光粉所激發(fā)出來的光線混合而產(chǎn)生混光效果。 以上為單一發(fā)光二極管電鍍制程以及單一發(fā)光二極管制程的流程，接著，請參照圖5所示，圖5繪示為本發(fā)明的發(fā)光二極管電鍍陣列結(jié)構(gòu)俯視示意圖；在本發(fā)明中，亦可以在金屬板70上形成以陣列方式排列的復(fù)數(shù)組支架單元80與復(fù)數(shù)個膠座10，每組支架單元80與一膠座IO對應(yīng)，其中各個膠座IO分別具有一凹陷部11，各個支架單元80分別具有至少二支架20，支架20的一端是暴露于凹陷部11內(nèi)。 接著，在以遮鍍冶具40覆蓋于各個膠座10周圍以及各個膠座10的凹陷部11的底部12，并以濺鍍方式或是噴鍍方式在遮鍍冶具40未覆蓋的區(qū)域形成一層金屬反射層30，再將遮鍍冶具40移除后，即可以完成在各個膠座10的凹陷部11的側(cè)邊14以及各個膠座10的表面17上形成一層金屬反射層30的制程，使得各個膠座10的凹陷部11的側(cè)邊14以及各個膠座10的表面17具有鏡面高反光效果。 上述各制程的過程可以參照單一發(fā)光二極管電鍍制程以及單一發(fā)光二極管制程的流程，在此不再進行贅述，通過于金屬板70上形成以陣列方式排列的復(fù)數(shù)組支架單元80
與復(fù)數(shù)個膠座io，藉此可以以批量化方式快速的制成發(fā)光二極管電鍍結(jié)構(gòu)，并且可以以批
量化方式快速的制成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。 為使熟習(xí)此技藝者更加了解本發(fā)明，以下請再次參考圖4來詳述上述實施例所制成的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。 本發(fā)明所揭露的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其包含膠座10、支架20、金屬反射層30、發(fā)光二極管晶片50以及封裝膠體60。 其中，膠座10具有放置發(fā)光二極管晶片50的凹陷部ll，并且膠座10以埋入射出的方式將各個支架20部分被埋于膠座10內(nèi)，使得各支架20中的一端即是分別暴露在膠座10的凹陷部11內(nèi)，另一端則是分別延伸出膠座10的兩側(cè)，以便于與其他電子裝置(圖式中未繪示)電性連接。 接著，發(fā)光二極管晶片50是以表面粘貼技術(shù)固接于暴露在膠座10的凹陷部11內(nèi)支架20其中之一的端部，發(fā)光二極管晶片50可以是紅光發(fā)光二極管晶片、藍光發(fā)光二極管晶片或綠光發(fā)光二極管晶片。 封裝膠體60是覆蓋于放置有發(fā)光二極管晶片50的凹陷部11及凹陷部11內(nèi)的支架20電性連接至發(fā)光二極管晶片50的端部，用以保護放置在凹陷部11內(nèi)的發(fā)光二極管晶
6片50免受于外界溫度、濕氣與雜訊的影響。而且，封裝膠體60可以摻雜有螢光粉(圖式中未繪示)，以使發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)具有混光的功效，以形成多樣化的發(fā)光顏色。
請繼續(xù)參照圖4所示，各個支架20的一端是位于封裝膠體60內(nèi)而與發(fā)光二極管晶片50電性連接。其中，發(fā)光二極管晶片50可以打線接合或覆晶接合的方式電性連接至各支架20的一端，此處并未對其做任何限定。各支架20的另一端則是延伸出封裝膠體60，以便于與其他電子裝置(圖式中未繪示)電性連接。換言之，發(fā)光二極管晶片50即是通過支架20而與其他電子裝置電性連接。 綜上所述，可知本發(fā)明與先前技術(shù)之間的差異在于本發(fā)明在制程過程中利用遮鍍冶具覆蓋于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的膠座周圍以及膠座的凹陷部的底部，進而形成一層金屬反射層于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)上遮鍍冶具所未覆蓋的區(qū)域，最后移除遮鍍冶具后，即可以完成在膠座表面以及膠座的凹陷部的側(cè)面上形成一層金屬反射層，除了可以使得支架具有鏡面高反光效果，更可以避免絕緣部的表面不會受損，金屬反射層不會產(chǎn)生焦痕，藉以提高發(fā)光二極管晶片的發(fā)光效率的技術(shù)手段。 藉由此一技術(shù)手段可以來解決先前技術(shù)所存在發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在電鍍金屬反射層時，采取激光方式進行切割絕緣制程所容易導(dǎo)致膠座損壞以及切割區(qū)域燒焦的問題，進而達成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程良率提升的技術(shù)功效。 雖然本發(fā)明所揭露的實施方式如上，只是所述的內(nèi)容并非用以直接限定本發(fā)明的專利保護范圍。任何本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實施的形式上及細節(jié)上作些許的更動。本發(fā)明的專利保護范圍，仍須以所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準。
權(quán)利要求
一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，包含下列步驟于一金屬板上形成以陣列方式排列的復(fù)數(shù)組支架單元與復(fù)數(shù)個膠座，每組支架單元與一膠座對應(yīng)，其中各該膠座分別具有一凹陷部，各該支架單元分別具有至少二支架，該些支架的一端是暴露于該凹陷部內(nèi)；以一遮鍍冶具覆蓋于各該膠座周圍以及各該膠座的該凹陷部的底部；及形成一金屬反射層于該遮鍍冶具未覆蓋的區(qū)域。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中以該遮鍍冶具覆蓋于各該膠座的該凹陷部的底部是完全覆蓋該凹陷部的底部。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中以該遮鍍冶具覆蓋于各該膠座的該凹陷部的底部是覆蓋于該些支架之間的一第一絕緣部。
4. 如權(quán)利要求1 、2或3所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中以該遮鍍冶具覆蓋于各該膠座的該凹陷部的底部更包含覆蓋于該凹陷部的側(cè)邊的底部，以形成一第二絕緣部。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中該凹陷部的側(cè)邊的底部定義為自該凹陷部的底部沿該凹陷部的側(cè)邊起算不超過側(cè)邊長度十分之一的部分。
6. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中該些支架單元是以沖壓方式所制成各該支架單元的該些支架。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中該金屬反射層是選自濺鍍方式或噴度方式其中之一，形成于該遮鍍冶具未覆蓋的區(qū)域。
8. —種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，包含下列步驟于一金屬板上形成至少二支架與一膠座，其中該膠座具有一凹陷部，該些支架的一端是暴露于該凹陷部內(nèi)；以一遮鍍冶具覆蓋于該膠座周圍以及該凹陷部的底部；及形成一金屬反射層于該遮鍍冶具未覆蓋的區(qū)域。
9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中以該遮鍍冶具覆蓋于該膠座的該凹陷部的底部是完全覆蓋該凹陷部的底部。
10. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中以該遮鍍冶具覆蓋于該膠座的該凹陷部的底部是覆蓋于該些支架之間的一第一絕緣部。
11. 如權(quán)利要求8、9或10所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中以該遮鍍冶具覆蓋于該膠座的該凹陷部的底部更包含覆蓋于該凹陷部的側(cè)邊的底部，以形成一第二絕緣部。
12. 如權(quán)利要求ll所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中該凹陷部的側(cè)邊的底部定義為自該凹陷部的底部沿該凹陷部的側(cè)邊起算不超過側(cè)邊長度十分之一的部分。
13. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中該些支架是以沖壓方式所制成。
14. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其特征在于，其中該金屬反射層是選自濺鍍方式或噴度方式其中之一，形成于該遮鍍冶具未覆蓋的區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程改良方法，其在制程過程中利用遮鍍冶具覆蓋于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的膠座周圍以及膠座的凹陷部的底部，進而形成一層金屬反射層于發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)上遮鍍冶具所未覆蓋的區(qū)域，最后移除遮鍍冶具后，即可以完成在膠座表面以及膠座的凹陷部的側(cè)面上形成一層金屬反射層的技術(shù)手段，可以解決發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)在電鍍金屬反射層時，采取激光方式進行切割絕緣制程時所容易導(dǎo)致膠座損壞以及切割區(qū)域燒焦的問題，藉此可以達成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的電鍍制程良率提升的技術(shù)功效。
文檔編號C25D5/02GK101752470SQ20081018451
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月3日
發(fā)明者林士杰, 蔡瑞光, 黃玟蒼 申請人:一詮精密工業(yè)股份有限公司