專利名稱：一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極。
背景技術(shù)：
國內(nèi)外黃金精煉主要采用電解法、化學(xué)法和萃取法等工藝。其中，金的電解精煉由于工藝流程簡單、生產(chǎn)指標(biāo)穩(wěn)定、作業(yè)環(huán)境較好等優(yōu)點(diǎn)而被大部
分的黃金精煉企業(yè)所采用，但常規(guī)的電解方法存在有如下缺點(diǎn)生產(chǎn)周期較
長、過程金積壓較多、能耗大、污染較為嚴(yán)重。

實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極，其應(yīng)用在電解法精練中能克服了背景技術(shù)黃金精煉所存在的生產(chǎn)周期較長、過程金積壓較多、能耗大、污染的不足。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是
一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極，它包括一鈦板及一通過電解
制備方法析在鈦板表面的金納米膜。
本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中，該金納米膜為厚度小于100nra的金納米膜。本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中，該金納米膜為表面平均粒度小于70nm的金
納米膜。
本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中，該金納米膜包括一底壁及一由底壁周緣向上延伸而成的周壁，該周壁高度等于鈥板高度1/2-3/4;該底壁貼在鈦板底面，該周壁吻合并套接鈦板周側(cè)面。
本技術(shù)方案與背景技術(shù)相比納米膜電極能夠被用以非對稱電流高純度黃金精煉生產(chǎn)中，代替純金制作的陰極板，它具有如下優(yōu)點(diǎn)1、在金電解過程中用金納米薄膜電極能提高陰極金的純度；2、利用納米金電催化方面的性質(zhì)，可以降低氧化還原電位，優(yōu)化電流密度，縮短生產(chǎn)周期和減少過程金積壓，從而大大增強(qiáng)了電解法生產(chǎn)的竟?fàn)幮?。以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。


圖1是本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例的用于電解高純度黃金的金納米膜電極的剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
請查閱圖l， 一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極IOO，它包括一鈦板110及一通過電解制備方法析在鈦板110表面的金納米膜120。該金納米膜120的厚度小于lOOnm，例如為90nm、 80nm、 95nm。該金納米膜120的表面平均津立度小于70nm，例如為65nm、 69nm。
該金納米膜120包括一底壁及一由底壁周緣向上延伸而成的周壁，該周壁高度等于鈥板高度2/3;該底壁貼在鈦板底面，該周壁吻合并套接鈥板周側(cè)面。
將本實(shí)施例的金納米膜電極100用以電解法黃金精練工藝中，能精練出高純度(99.999%)的黃金。
以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例而已，故不能以此限定本實(shí)用新型實(shí)施的范圍，即依本實(shí)用新型申請專利范圍及說明書內(nèi)容所作的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實(shí)用新型專利涵蓋的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極，其特征在于它包括一鈦板及一通過電解制備方法析在鈦板表面的金納米膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極，其 特征在于該金納米膜為厚度小于100nm的金納米膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極， 其特征在于該金納米膜為表面平均粒度小于70nm的金納米膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極， 其特征在于該金納米膜包括一底壁及一由底壁周緣向上延伸而成的周壁， 該周壁高度等于鈥板高度1/2-3/4;該底壁貼在鈥板底面，該周壁吻合并套 接鈦板周側(cè)面。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種用于電解高純度黃金的金納米膜電極。它包括一鈦板及一通過電解制備方法析在鈦板表面的金納米膜。納米膜電極能夠被用以非對稱電流高純度黃金精煉生產(chǎn)中，代替純金制作的陰極板，它具有如下優(yōu)點(diǎn)1.在金電解過程中用金納米薄膜電極能提高陰極金的純度；2.利用納米金電催化方面的性質(zhì)，可以降低氧化還原電位，優(yōu)化電流密度，縮短生產(chǎn)周期和減少過程金積壓，從而大大增強(qiáng)了電解法生產(chǎn)的競爭性。
文檔編號C25C1/00GK201330288SQ200820229649
公開日2009年10月21日 申請日期2008年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月29日
發(fā)明者劉升明, 葉志勇, 季常青, 羅天長, 龍 馬, 黃懷國 申請人:廈門紫金礦冶技術(shù)有限公司