国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種鋁電解的電解質(zhì)的制作方法

      文檔序號:5285985閱讀:460來源:國知局
      專利名稱:一種鋁電解的電解質(zhì)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      —種鋁電解的電解質(zhì),涉及一種用于低溫鋁電解的電解質(zhì)。
      背景技術(shù)
      —百多年以來,鋁工業(yè)不斷研究煉鋁的新方法,探索增加單槽鋁產(chǎn)量,節(jié)省電能消
      耗量,改善勞動(dòng)條件,降低生產(chǎn)成本的各種途徑,其中降低電解溫度是最佳途徑之一。而降
      低電解溫度最關(guān)鍵的問題是找到新型的合適的電解質(zhì)體系。當(dāng)前能源價(jià)格上漲,供電緊張,
      各國都在尋求鋁工業(yè)節(jié)能途徑。降低鋁電解溫度能夠有效的提高電流效率,大幅降低能耗,
      還能提高原鋁純度,延長電解槽壽命,有利于采用惰性電極材料和絕緣側(cè)襯材料。因此,低
      溫鋁電解的研究成為當(dāng)今鋁業(yè)界最活躍的課題之一。最近對低溫電解質(zhì)的研究的焦點(diǎn)主要
      集中于低分子比(NaF/AlF3)的NaF-AlFfX熔鹽體系。然而,這個(gè)電解質(zhì)體系(750-900°C )
      對于電解槽的設(shè)計(jì)及操作來說是非常困難的,因?yàn)檠趸X在該體系的溶解度很低(在
      75(TC大約為lwt% )。另外還有人研究了鋰冰晶石、硫酸鹽熔鹽體系,這些體系的研究雖然 取得了一些成果,但要實(shí)現(xiàn)工業(yè)應(yīng)用還必須解決一個(gè)最大的障礙低溫電解質(zhì)存在的最嚴(yán)
      重的問題是氧化鋁在其中的溶解度速度慢,溶解度低,這對于工業(yè)應(yīng)用來說是很難認(rèn)可的。
      工業(yè)上想要實(shí)現(xiàn)中低溫鋁電解最大的障礙是氧化鋁的溶解速度慢,溶解度小,因 此必須找到一種氧化鋁溶解度高、溶解速度快的電解質(zhì)體系。含鉀鹽的電解質(zhì)體系能使 氧化鋁的溶解度和溶解速度增大。在已經(jīng)公開的中國專利中,共有4項(xiàng)專利涉及含鉀鹽 的電解質(zhì)體系,專利申請?zhí)柗謩e為20061005113. X、200710179620. 6、200710179675. 7和 200810114805. 3,但這些專利涉及的電解質(zhì)都以鈉冰晶石為主,其中前3個(gè)專利涉及的電 解質(zhì)中KF的含量最高為10wt^,初晶溫度在80(TC之上,專利200810114805. 3涉及的電 解質(zhì)中KF的含量為10% -28%,, LiF含量較高,為4% _15%,初晶溫度也在80(TC以上。 由于添加鉀鹽的電解質(zhì)體系對普通碳素陰極的腐蝕性較大,當(dāng)KF含量大于5wt^時(shí),該體 系對于使用普通碳素陰極的電解槽來說是不適合使用的。專利200810114805. 3提出把石 墨化陰極或者涂有TiB2涂層的石墨化陰極配合含鉀鹽的電解質(zhì)體系使用可以實(shí)現(xiàn)基于傳 統(tǒng)鋁電解工藝的810-880°C的中低溫鋁電解,但還有一些問題需要解決,比如陽極的腐蝕問 題、電解槽結(jié)構(gòu)問題、電解槽的能量平衡問題等等。上述的四個(gè)中國專利中提及的電解質(zhì) 都應(yīng)用于使用傳統(tǒng)的炭陽極及半石墨化或者石墨化陰極的電解槽。美國西北鋁技術(shù)公司 (Northwest Aluminum Technologies)申請的專利US Pat. 6258247、US Pat. 6379512和US Pat. 6 497807中涉及含KF的電解質(zhì)體系,并指出該電解質(zhì)體系和惰性陽極、惰性陰極一起 使用,但專利中只說明該電解質(zhì)體系由A1F3、 KF、 NaF和LiF組成,并沒有說明具體的含量。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的就是針對上述已有技術(shù)存在的不足,提供一種能有效克服傳統(tǒng)的電 解質(zhì)體系電解溫度高、在低溫下氧化鋁溶解度小的缺點(diǎn),提供一種電解溫度低、氧化鋁溶解 度高的鋁電解的電解質(zhì)。
      本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的。 —種鋁電解的電解質(zhì),其特征在于該電解質(zhì)的質(zhì)量百分比組成包括KF為12% 50%, NaF為0 25%, LiF為0 3%, A1203為2% 6%, CaF2為0 5%, MgF2為0 2% ,余量為A1F3和不可避免的雜質(zhì)。 本發(fā)明的一種鋁電解的電解質(zhì),其特征在于其電解質(zhì)中的KF以鉀冰晶石或無水 氟化鉀的形式加入。 本發(fā)明的一種鋁電解的電解質(zhì),其特征在于其電解質(zhì)的總分子比CRt為1. 1 1. 7。 本發(fā)明中電解質(zhì)的總分子比CRt為1. 1 1. 7,其總分子比CRt計(jì)算方法如(1)式 所示 CRt = (MolNaF+MolKF)/MolA1F3 (1) 式中,MolNaF、MolKF和MolA鵬分別為電解質(zhì)中NaF、KF和AlF3的摩爾數(shù)。 本發(fā)明的一種鋁電解的電解質(zhì),電解質(zhì)體系初晶溫度為560 800°C,電解溫度為
      690 85(TC,氧化鋁飽和溶解度為2 9%,密度為1. 8 2. lg/cm3 ;可以配合惰性陽極、
      惰性陰極以及新型結(jié)構(gòu)電解槽使用。由于大幅度降低了電解溫度,大大減少了電解槽的熱
      量損失,從而降低了鋁電解的能耗。由于使用惰性電極,電解過程中不排放二氧化碳、全氟
      化碳等溫室氣體,實(shí)現(xiàn)鋁電解的節(jié)能環(huán)保。
      具體實(shí)施例方式
      —種鋁電解的電解質(zhì),由KF-NaF-AlF3-LiF-CaF2_MgF2-Al203組成,其中KF以鉀冰 晶石(包括KAlF4和K^lFe)或無水氟化鉀的形式加入。各組分的質(zhì)量百分含量如下KF為 12 50wt^,NaF為0 25wt^,LiF為0 3界七%^1203為2 6wt%,CaF2為0 5wt%, MgF2為0 2wt^,余量為A1F3和不可避免的雜質(zhì)。 本發(fā)明的鋁電解電解質(zhì),其電解質(zhì)的總分子比CRt(其定義見本專利中的"發(fā)明內(nèi) 容")為1. 1 1. 7,氧化鋁飽和溶解度為3 8%,密度為1. 8 2. lg/cm3,電解質(zhì)的初晶 溫度為560 800°C ,電解溫度為690 850°C 。
      實(shí)施例1 電解質(zhì)成分NaF為5wt % , KF為32. 8wt % , A1F3為52. 2wt % , CaF2為4wt % , LiF 為2wt^,MgF2為lwt%,八1203濃度控制在2 3wt^,總分子比為1. 1。
      實(shí)施例2 電解質(zhì)成分NaF為0wt % , KF為47. 3wt % , A1F3為52. 7wt % , CaF2為0wt % , LiF 為0wt % , MgF2為0wt % , 750°C下A1203飽和濃度為6. 2wt % , A1203濃度控制在4 5wt % , 總分子比為1.3。
      實(shí)施例3 電解質(zhì)成分:NaF為10wt%,KF為32. 2wt%,AlF3為51. 3wt%,CaF2為3wt%,LiF 為0wt%, MgF2為0wt%,八1203濃度控制在2 4wt^,總分子比為1. 3。
      實(shí)施例4 電解質(zhì)成分:NaF為0wt % , KF為44. 2wt % , A1F3為45. 8wt % , CaF2為4wt % , LiF 為lwt^,MgF2為lwt%,八1203濃度控制在3 5wt^,總分子比為1.4。
      實(shí)施例5 電解質(zhì)成分NaF為0wt % , KF為47. 2wt % , A1F3為48. 8wt % , CaF2為Owt % , LiF 為Owt%, MgF2為Owt%, A1203濃度控制在3 5wt^,總分子比為1. 4。
      實(shí)施例6 電解質(zhì)成分:NaF為18. 9wt % , KF為24. 8wt % , A1F3為47. 3wt % , CaF2為3wt % , LiF 為lwt%, MgF2為0wt^,75(TC下八1203飽和濃度為4. lwt% , A1203濃度控制在3 4wt%, 總分子比為1.41。
      實(shí)施例7 電解質(zhì)成分:NaF為25wt % , KF為14. Iwt % , A1F3為46. 9wt % , CaF2為5wt % , LiF 為3wt%, MgF2為2wt%,八1203濃度控制在3 4wt^,總分子比為1. 5。
      實(shí)施例8 電解質(zhì)成分NaF為10wt % , KF為36wt % , A1F3為42. 5wt % , CaF2為4wt % , LiF 為1.5wt^,MgF2為lwt%,八1203濃度控制在3 6wt^,總分子比為1.7。
      權(quán)利要求
      一種鋁電解的電解質(zhì),其特征在于該電解質(zhì)的質(zhì)量百分比組成包括KF為12%~50%,NaF為0~25%,LiF為0~3%,Al2O3為2%~6%,CaF2為0~5%,MgF2為0~2%,余量為AlF3和不可避免的雜質(zhì)。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種鋁電解的電解質(zhì),其特征在于其電解質(zhì)中的KF以鉀冰晶石或無水氟化鉀的形式加入。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種鋁電解的電解質(zhì),其特征在于其電解質(zhì)的總分子比CRt為1. 1 1. 7。
      全文摘要
      一種鋁電解的電解質(zhì),涉及一種用于低溫鋁電解的電解質(zhì)。其特征在于該電解質(zhì)的質(zhì)量百分比組成包括KF為12%~50%,NaF為0~25%,LiF為0~3%,Al2O3為2%~6%,CaF2為0~5%,MgF2為0~2%,余量為AlF3和不可避免的雜質(zhì)。本發(fā)明的鋁電解用電解質(zhì),初晶溫度為560~800℃,氧化鋁飽和溶解度為3%~8%,密度為1.8~2.1g/cm3。本發(fā)明的電解質(zhì)體系和惰性陽極、惰性陰極以及新型結(jié)構(gòu)電解槽配合使用,可以使電解溫度降低至690~850℃,大大減少了能耗,而且電解過程中不排放二氧化碳、全氟化碳等溫室氣體,實(shí)現(xiàn)鋁電解的節(jié)能環(huán)保。
      文檔編號C25C3/18GK101709487SQ20091024338
      公開日2010年5月19日 申請日期2009年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月18日
      發(fā)明者李旺興, 楊建紅, 顏恒維 申請人:中國鋁業(yè)股份有限公司
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點(diǎn)贊!
      1