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      一種雙面光高性能電解銅箔及其制備方法

      文檔序號:5286002閱讀:387來源:國知局
      專利名稱:一種雙面光高性能電解銅箔及其制備方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及一種低輪廓高性能的電解銅箔,以及該電解銅箔的制備方法,屬于電解銅箔 技術領域。
      背景技術
      銅箔按照制備工藝不同主要可分為壓延銅箔和電解銅箔,電解銅箔是電子工業(yè)的基礎原 材料,主要用在多層印制線路板和聚合物鋰電池行業(yè)。隨著電子、信息及通訊等3G產(chǎn)品均朝 向無線化、便攜化方向發(fā)展,對于產(chǎn)品的各項高性能也往"輕、薄、短、小"的目標邁進, 雖然電解銅箔產(chǎn)品較多,但高性能的電解銅箔技術目前仍處于"起步階段",因此具有廣闊 的市場前景。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是提供一種雙面光高性能電解銅箔及其制備方法。本發(fā)明通過合理的電
      解液組成與電沉積工藝參數(shù)的配置,以及添加合理的有機添加劑,降低了電解銅箔表面粗糙 度,并增強了產(chǎn)品在常溫和高溫的延伸率和抗拉強度。
      本發(fā)明的技術方案 一種雙面光高性能電解銅箔,其特征在于電解銅箔晶粒呈粒狀,
      毛面粗糙度RZ《2. 0ym。
      上述的雙面光高性能電解銅箔中,所述的電解銅箔厚度為7 y m 9 y m。 前述的雙面光高性能電解銅箔中,所述的電解銅箔抗拉強度》450MPa。 前述的雙面光高性能電解銅箔中,所述的電解銅箔延伸率》5%。
      前述雙面光高性能電解銅箔的制備方法,采用直流電沉積工藝,其特征在于將電解液 組成與電沉積工藝參數(shù)進行合理配合,并在電解過程中添加有機混合添加劑,其工藝如下
      采用電解液銅濃度60 120 g/L, H2S04濃度為100 150g/L, C1 —30± 10卯m的參數(shù)配合 ,T 45 60°C,并向電解設備中添加有機混合添加劑,使流量為20 60m3/h,電流密度為 6000 8000A/ m2,進行電沉積。
      上述的雙面光高性能電解銅箔的制備方法中,所述有機混合添加劑組成為3 —琉基1一 丙磺酸鈉200 1000mg/L、低分子量膠1 10 g/L和羥乙基纖維素1 7 g/L。
      前述的雙面光高性能電解銅箔的制備方法中,所述的低分子量膠,最好是分子量不超過 3000的膠。由于采用了前述技術方案,本發(fā)明的產(chǎn)品滿足了電子、信息及通訊等3G產(chǎn)品均朝向無線 化、便攜化方向發(fā)展的需求,產(chǎn)品的各項高性能往"輕、薄、短、小"的目標邁進,同時可 作為處理高頻信號的印制線路板基體材料。本發(fā)明采用的添加劑及其配比主要作用降低了
      電解銅箔表面粗糙度,并增強了產(chǎn)品在常溫和高溫的延伸率和抗拉強度。 一般在每平方米
      8500A以上電流的規(guī)模生產(chǎn)中,很難解決表面粗糙度的問題,表面粗糙度過高,將引起銅箔 內(nèi)在性能不穩(wěn)定,抗拉強度、延伸率均得不到提高,達不到制作高頻電路的要求,由于銅箔 表面粗糙度過高,信號的傳播距離變長,就產(chǎn)生信號衰減和延遲等問題。而通過本發(fā)明的電 解液組合以及電沉積工藝參數(shù)的合理的配置,并通過添加合理添加劑,有效解決了上述問題
      具體實施例方式
      本發(fā)明的實施例l:本發(fā)明采用直流電沉積工藝,通過將電解液組成與電沉積工藝參數(shù) 進行合理配合,并在電解過程中添加有機混合添加劑來實現(xiàn),其工藝如下
      采用電解液銅濃度60 80 g/L, H2S04濃度為100 115g/L, C1 —30± 10卯m的參數(shù)配合, T 45 55°C,并向電解設備中添加有機混合添加劑,使流量為35m3/11,電流密度為6800A/ m2,進行電沉積。
      所述有機混合添加劑組成為3 —琉基l一丙磺酸鈉200 300mg/L、分子量不超過3000的 明膠2 3g/L和羥乙基纖維素1. 5 3 g/L。
      通過實施例制備的低輪廓高性能電解銅箔,其毛面表面晶粒呈粒狀,表面粗糙度RZ《 2.0ym,厚度為7ym,抗拉強度S 450MPa,延伸率S 5. 3%。
      本發(fā)明的實施例2:采用電解液銅濃度85 95 g/L, H2S04濃度為110 120g/L, Cl一20士 10卯m的參數(shù)配合,T 55 60°C,并向電解設備中添加有機混合添加劑,使流量為40m3/h,電 流密度為8000A/ 1112進行電沉積。
      所述有機混合添加劑組成為3 —琉基l一丙磺酸鈉600 700mg/L、分子量不超過3000的 膠8 10 g/L和羥乙基纖維素5 7 g/L。
      制備的低輪廓高性能電解銅箔,其毛面表面晶粒呈粒狀,且毛面粗糙度RZ《2.0ym,厚 度為8ym ,抗拉強度S 468MPa,延伸率S 5.8%。
      本發(fā)明的實施例3:采用電解液銅濃度105 115 g/L, H2S04濃度為130 145g/L, Cl一 30士10卯m的參數(shù)配合,T 5(T6(TC,并向電解設備中添加有機混合添加劑,使流量為55m3/11 ,電流密度為8500A/ 1112進行電沉積。
      所述有機混合添加劑組成為3 —琉基l一丙磺酸鈉750 800mg/L、分子量不超過3000的明膠9 10 g/L和羥乙基纖維素6. 5 7 g/L。
      制備的低輪廓高性能電解銅箔,其毛面表面晶粒呈粒狀,且毛面粗糙度RZ《1.87ym, 厚度為9um ,抗拉強度S 500MPa,延伸率S 6.8%。
      權利要求
      權利要求1一種雙面光高性能電解銅箔,其特征在于電解銅箔晶粒呈粒狀,毛面粗糙度RZ≤2.0μm。
      2.根據(jù)權利要求l所述的雙面光高性能電解銅箔,其特征在于所述的電解銅箔厚度為7 y m 9 y m。
      3.根據(jù)權利要求2所述的雙面光高性能電解銅箔,其特征在于所述 的電解銅箔抗拉強度》450MPa。
      4.根據(jù)權利要求3所述的雙面光高性能電解銅箔,其特征在于所述 的電解銅箔延伸率》5%。
      5.如權利要求1至4中任一權利要求所述雙面光高性能電解銅箔的制 備方法,采用直流電沉積工藝,其特征在于將電解液組成與電沉積工藝參數(shù)進行合理配合,并在電解過程中添加有機混合添加劑,其工藝如下采用電解液銅濃度60 120 g/L, H2S04濃度為100 150g/L, C130士 10卯m的參數(shù)配合, T 45 60°C,并向電解設備中添加有機混合添加劑,使流量為20 60m3/h,電流密度為6000 8000A/ m2,進行電沉積。
      6、根據(jù)權利要求5所述的雙面光高性能電解銅箔的制備方法,其 特征在于所述有機混合添加劑組成為3 —琉基l一丙磺酸鈉200 1000mg/L、低分子量膠 1 10 g/L和羥乙基纖維素1 7 g/L。
      7.根據(jù)權利要求6所述的雙面光高性能電解銅箔的制備方法,其特征 在于所述的低分子量膠,是分子量不超過3000的膠。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種雙面光高性能電解銅箔。電解銅箔晶粒呈層狀,毛面粗糙度RZ≤2.0μm,厚度為7μm~9μm,抗拉強度≥450MPa,延伸率≥5%。本發(fā)明還公開了該電解銅箔的制備方法。本發(fā)明通過合理的電解液組成與電沉積工藝參數(shù)的配置,以及添加合理的有機添加劑,降低了電解銅箔表面粗糙度,并增強了產(chǎn)品在常溫和高溫的延伸率和抗拉強度。本發(fā)明的產(chǎn)品滿足了電子、信息及通訊等3G產(chǎn)品向無線化、便攜化方向發(fā)展的需求,產(chǎn)品的各項高性能往“輕、薄、短、小“的目標邁進,同時可作為處理高頻信號的印制線路板基體材料。
      文檔編號C25D3/38GK101532149SQ200910300729
      公開日2009年9月16日 申請日期2009年3月6日 優(yōu)先權日2009年3月6日
      發(fā)明者汪漢平 申請人:汪漢平
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