專利名稱：電鍍陽極的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體技術領域，特別涉及半導體器件制作過程中用于電鍍銅的電鍍陽極。
背景技術：
集成電路制造工藝是一種平面制作工藝，其結合光刻、刻蝕、沉積、離子注入等多種工藝，在同一襯底上形成各種類型的復雜器件，并將其相互連接以具有完整的電學功能。 其中，金屬的沉積、金屬布線的形成的等工藝都需要用使用電鍍工藝。例如，在布線階段，層與層之間的連接以及同一布線層之間器件的互連，大多是利用電鍍工藝形成金屬層，然后對金屬層進行刻蝕形成金屬連線的。參考圖1，為現(xiàn)有的電鍍裝置結構示意圖?，F(xiàn)有的電鍍裝置包括電鍍槽106，所述電鍍槽106內(nèi)存放有電解液，所述電解液含有待形成的電鍍層的金屬陽離子。以待形成的電鍍層的材質(zhì)為銅為例，所述電解液中包含銅離子。所述電鍍槽106內(nèi)放置有電鍍陽極105，所述電鍍陽極105的材質(zhì)與待形成的電鍍層的材質(zhì)有關，所述電鍍陽極105的材質(zhì)為銅或銅合金。所述電鍍陽極105為圓柱形。待電鍍晶片101與電鍍陽極105相對放置。所述晶片具有中心A和邊緣B。所述待電鍍晶片 101預先沉積了籽晶層102，所述籽晶層102的材質(zhì)與待形成的電鍍層的材質(zhì)相同，若待形成的電鍍層材質(zhì)為銅，籽晶層102的材質(zhì)為銅。在電鍍時，所述待電鍍晶片101與籽晶層102作為陰極，將陰極與直流電源104的負極電連接；電鍍陽極105作為陽極，將陽極與直流電源104的正極相電連接。當陽極和陰極分別與直流電源104接通時，陽極和陰極之間存在電場力，所述電場力使得陽極產(chǎn)生的銅離子加速運動，到達籽晶層102表面，并附著于籽晶層102表面，形成電鍍層。通常，電鍍層的銅來自于陽極，因此在電鍍過程中，電解液中的銅離子濃度基本不變。在申請?zhí)枮?3150640. 2的中國專利中可以發(fā)現(xiàn)更多的關于現(xiàn)有的電鍍銅的信肩、ο隨著半導體制作工藝的發(fā)展，籽晶層厚度逐漸減小，本領域技術人員發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有的電鍍工藝形成的電鍍層的厚度不均勻，晶片中心的電鍍層的厚度小于晶片邊緣的電鍍層的厚度，兩者的偏差達到800埃，電鍍層的均勻度無法滿足工藝要求，并且可能使得后續(xù)的其他工藝(例如化學機械研磨工藝和刻蝕工藝等)無法進行。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供了一種電鍍陽極，所述電鍍陽極提高了電鍍形成的電鍍層的厚度的均勻度，縮小了晶片中心的電鍍層厚度和晶片邊緣的電鍍層厚度的偏差，提高了電鍍工藝的穩(wěn)定性，使得后續(xù)的其他工藝能夠順利進行。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種電鍍陽極，所述電鍍陽極具有電鍍表面，所述電鍍表面包括至少3個區(qū)域，分別是沿電鍍陽極的半徑方向的第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的單位表面積依次減小?？蛇x地，所述電鍍表面包括3個區(qū)域，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域分別包括若干同心V型凹槽，所述同心凹槽沿電鍍陽極的半徑方向的截面為鋸齒狀，相鄰的鋸齒之間為V型凹槽，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的凹槽密度依次減小?？蛇x地，所述第一區(qū)域為以所述電鍍表面的中心為圓心，以所述電鍍表面的半徑的1/5 3/10為半徑的圓形區(qū)域，所述第二區(qū)域為以所述電鍍表面的中心為圓心，以所述第一區(qū)域的邊界為內(nèi)環(huán)、以所述電鍍表面的半徑3/10 4/5為半徑的外環(huán)而確定的圓環(huán)區(qū)域，所述第三區(qū)域以第二區(qū)域的外環(huán)為內(nèi)環(huán)、以所述電鍍表面的半徑為外環(huán)的環(huán)形區(qū)域，所述第一區(qū)域具有若干第一同心V型凹槽，所述第二區(qū)域具有若干第二同心V型凹槽，所述第三區(qū)域具有若干第三同心V型凹槽，所述第一同心V型凹槽、第二同心V型凹槽、第三同心 V型凹槽的槽寬依次增大，槽距依次增大，所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽的槽深相同?？蛇x地，所述第一同心V型凹槽的槽寬為3 5毫米，所述第一同心V型凹槽的槽距為3 5毫米，所述第一同心V型凹槽的傾斜角度為40 50度。可選地，所述第一同心V型凹槽的槽寬等于所述第一同心V型凹槽的槽距?？蛇x地，所述第二同心V型凹槽的槽寬為4 10毫米，所述第二同心V型凹槽的槽距為4 10毫米，所述第一同心V型凹槽的傾斜角度為40 50度?？蛇x地，所述第二同心V型凹槽的槽寬等于所述第二同心V型凹槽的槽距?？蛇x地，所述第三同心V型凹槽的槽寬為5 15毫米，所述第三同心V型凹槽的槽距為5 15毫米，所述第三同心V型凹槽的傾斜角度為40 50度。可選地，所述第三同心V型凹槽的槽寬等于所述第三同心V型凹槽的槽距。可選地，所述電鍍陽極的材質(zhì)為銅、含銅合金。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明提供的電鍍陽極的電鍍表面包括至少3個區(qū)域，分別是沿電鍍陽極的半徑方向的第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的單位表面積依次減小，從而使得第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域對應的電解液中的銅離子濃度依次減小，第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的電解液電阻依次增大，消除了晶片中心到晶片邊緣籽晶層的電阻依次減小的影響，使得晶片附近中心和晶片邊緣的銅離子濃度更加接近，減小晶片中心的電鍍層和晶片邊緣的電鍍層的厚度偏差， 提高電鍍層的均勻度。


圖1是現(xiàn)有的電鍍裝置結構示意圖。圖2是籽晶層與電鍍層的偏差關系曲線圖。圖3是本發(fā)明的電鍍陽極的電鍍表面的區(qū)域分布示意圖。圖4是圖3所示的電鍍陽極沿半徑方向的剖面結構示意圖。
具體實施例方式發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，電鍍工藝的籽晶層厚度對晶片中心的電鍍層的厚度和晶片邊緣的厚度偏差有影響。參考圖2，為籽晶層與電鍍層的偏差關系曲線圖。如圖2，當籽晶層厚度為 750埃時，晶片中心的電鍍層比邊緣的厚度小400埃；隨著半導體制作工藝的發(fā)展，籽晶層的厚度逐漸減小，晶片中心的電鍍層與晶片邊緣的厚度偏差逐漸增大，當籽晶層厚度為50 埃時，晶片中心的電鍍層與晶片邊緣的厚度偏差為800埃。為了說明造成晶片中心的電鍍層厚度小于晶片邊緣的電鍍層厚度的原因，參考圖 1。對于晶片101邊緣位置的B點，在電鍍時，電流自直流電源104的正極經(jīng)過電鍍陽極105、 電解液(相當于電阻)、晶片101邊緣B點流向直流電源104的負極，形成回路。所述電流的大小取決于回路中的電阻，所述回路中的電阻等于電解液電阻與電流經(jīng)過的籽晶層電阻之和。由于所述電流經(jīng)過晶片101邊緣B點直接到達電源104的負極，所述B點的籽晶層電阻幾乎為零。因此，所述等效電阻幾乎等于電解液電阻。對于晶片101中心位置的A點，在電鍍時，電流自直流電源104的正極經(jīng)過電鍍陽極105、電解液(相當于電阻)、晶片101的中心A點以及所述中心A點與晶片101的邊緣 B點之間的籽晶層102流向電源104的負極，形成回路，所述電流的大小取決于回路中的電阻，所述回路中的電阻等于電解液電阻與電流經(jīng)過的籽晶層電阻之和。由于所述電流經(jīng)過晶片中心A點以及籽晶層102、晶片101的邊緣B點，因此，所述回路中的電阻等于電解液電阻與電流經(jīng)過的籽晶層電阻之和。同理，對于晶片101上晶片邊緣和中心之間的任意一點，在電鍍時，電流自直流電源104的正極經(jīng)過電鍍陽極105、電解液、所述任意一點以及所述任意一點與晶片的邊緣B 點之間的籽晶層102流向電源104的負極，形成回路，所述電流大小取決于回路中的電阻， 所述回路中的電阻等于電解液電阻與電流經(jīng)過的籽晶層電阻之和。從上述分析看出，由于籽晶層電阻大小取決于電流經(jīng)過籽晶層的路徑的長短，因此，晶片的中心A點形成的回路的電阻大于晶片邊緣B點形成的回路的電阻，從晶片中心向外沿半徑方向上，晶片上各個點形成的回路的電阻依次降低，從而在電鍍時，晶片的中心 A點的電流小于晶片的邊緣B點的電流，從晶片中心向外沿半徑方向，晶片上各個點的電流依次增大。由于電鍍時的電流越大，晶片表面的銅離子濃度越大，形成的電鍍層的厚度越大，因此，自晶片的中心至晶片的邊緣沿半徑方向的電鍍層的厚度依次增大。為了消除籽晶層對晶片表面電鍍層厚度的影響，發(fā)明人提出一種電鍍陽極，所述電鍍陽極具有電鍍表面，所述電鍍表面包括至少3個區(qū)域，分別是沿電鍍陽極的半徑方向的第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的單位表面積依次減小。下面將結合具體的實施例進行說明。參考圖3，為本發(fā)明的電鍍陽極的電鍍表面的區(qū)域分布示意圖。本發(fā)明所述的電鍍陽極的材質(zhì)為與待形成的電鍍層的材質(zhì)有關。以待形成的電鍍層為銅為例，所述電鍍陽極的材質(zhì)為銅或含銅合金，這樣電鍍陽極在電解液中可以產(chǎn)生銅離子(作為電鍍時的陽離子)。所述電鍍陽極的電鍍表面半徑與待電鍍晶片的半徑相同。作為一個實施例，所述電鍍陽極的電鍍表面包括3個區(qū)域，分別是第一區(qū)域21、第二區(qū)域22、第三區(qū)域23。所述第一區(qū)域21、第二區(qū)域22、第三區(qū)域23的單位表面積依次減小。在電鍍時，電鍍陽極的第一區(qū)域21、第二區(qū)域22、第三區(qū)域23分別與待電鍍晶片的第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域對應，即所述電鍍陽極的第一區(qū)域21的大小和形狀與晶片上第一區(qū)域的大小和形狀相同，電鍍陽極的第二區(qū)域22的大小和形狀與晶片上第二區(qū)域的大小和形狀相同，電鍍陽極的第三區(qū)域23的大小和形狀與晶片上第三區(qū)域的大小和形狀相同。參考圖3，所述第一區(qū)域21為以所述電鍍表面的中心為圓心，以所述電鍍表面的半徑的1/5 3/10為半徑的圓形區(qū)域。作為一個實施例，所述第一區(qū)域21為以所述電鍍表面的中心為圓心，以所述電鍍表面的半徑的1/4為半徑的圓形區(qū)域。所述第二區(qū)域22為以所述電鍍表面的中心為圓心，以所述第一區(qū)域21的邊界為內(nèi)環(huán)、以所述電鍍表面的半徑3/10 4/5為半徑的外環(huán)而確定的圓環(huán)區(qū)域。作為一個實施例，所述第二區(qū)域22為以所述電鍍表面的中心為圓心，以第一區(qū)域21的邊界，以所述電鍍表面的半徑的3/4為半徑的外環(huán)確定的環(huán)形區(qū)域。所述第三區(qū)域23以第二區(qū)域22的外環(huán)為內(nèi)環(huán)、以所述電鍍表面的半徑為外環(huán)的環(huán)形區(qū)域。本發(fā)明所述單位表面積是指單位區(qū)域內(nèi)的電鍍陽極的面積，以電鍍陽極的第一區(qū)域21為例，電鍍陽極的第一區(qū)域21的單位表面積等于該區(qū)域的電鍍陽極的面積與該區(qū)域面積的比值。所述單位表面積越大，在電鍍時，與電解液的接觸面積越大，從而該區(qū)域的電鍍陽極產(chǎn)生的陽離子(本實施例中為銅離子)的數(shù)目越多，相應地，在電場力的作用下到達晶片的對應區(qū)域的陽離子(銅離子)的數(shù)目越多，對應該區(qū)域的電解液電阻越小。由于電鍍陽極的第一區(qū)域21、第二區(qū)域22、第三區(qū)域23的單位表面積依次減小， 對應地，電鍍陽極的第一區(qū)域21、第二區(qū)域22、第三區(qū)域23產(chǎn)生的銅離子濃度依次減小，使得電鍍陽極的第一區(qū)域21、第二區(qū)域22、第三區(qū)域23對應的電解液電阻依次增大，所述電解液電阻彌補了晶片上的第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的電流經(jīng)過的籽晶層電阻依次減小的問題，使得最終晶片上第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的回路電阻幾乎相等，因此，晶片上第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的回路電流幾乎相等，最終晶片上第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的電鍍層厚度相同，形成厚度均勻度電鍍層。根據(jù)具體情況，所述電鍍陽極的電鍍表面還可以劃分為更多的區(qū)域。例如，自電鍍表面的中心，沿電鍍表面的半徑方向將電鍍表面劃分為5個區(qū)域，即第一區(qū)域、第二區(qū)域、 第三區(qū)域、第四區(qū)域、第五區(qū)域，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域、第四區(qū)域、第五區(qū)域的單位表面積依次減小。所述第一區(qū)域可以是以電鍍表面中心為圓心，1/5電鍍表面的半徑為半徑的圓形區(qū)域；第二區(qū)域可以是以第一區(qū)域的邊緣為內(nèi)環(huán)，以電鍍表面中心為中心、2/5 電鍍表面的半徑為外環(huán)而確定的圓環(huán)區(qū)域；所述第三區(qū)域是以第二區(qū)域的外環(huán)為內(nèi)環(huán)，以電鍍表面中心為中心，3/5電鍍表面的半徑為外環(huán)而確定的圓環(huán)區(qū)域；所述第四區(qū)域是以第三區(qū)域的外環(huán)為內(nèi)環(huán)，以電鍍表面中心為中心，4/5電鍍表面的半徑為外環(huán)而確定的圓環(huán)區(qū)域；所述第五區(qū)域是以第四區(qū)域的外環(huán)為內(nèi)環(huán)，以電鍍表面中心為中心，電鍍表面的半徑為外環(huán)而確定的圓環(huán)區(qū)域。請參考圖3，作為一個實施例，所述第一區(qū)域21包括多個同心V型凹槽，所述同心凹槽沿電鍍陽極的半徑方向的截面為鋸齒狀，相鄰的鋸齒之間為V型凹槽；所述第二區(qū)域 22包括多個同心V型凹槽，所述同心凹槽沿電鍍陽極的半徑方向的截面為鋸齒狀，相鄰的鋸齒之間為V型凹槽；所述第三區(qū)域23包括多個同心V型凹槽，所述同心凹槽沿電鍍陽極的半徑方向的截面為鋸齒狀，相鄰的鋸齒之間為V型凹槽。為了清楚的說明同心V型凹槽的形狀，請參考圖4，為電鍍陽極沿直徑方向的截面示意圖。
所述第一區(qū)域21包括多個第一同心V型凹槽211。所述第一同心V型凹槽211具有頂點和位于頂點兩側的側壁，所述側壁之間的最大距離為第一同心V型凹槽211的槽寬， 所述頂點與第一同心V型凹槽211的槽寬方向的距離為槽深，相鄰的第一同心V型凹槽211 頂點的距離為槽距，第一同心V型凹槽211的兩側側壁之間的夾角第一同心V型凹槽211 的傾斜角度。本實施例中，自電鍍陽極的中心向外，沿半徑方向所述第一同心V型凹槽211 的槽寬、槽距、槽深和傾斜角度相同。所述第一同心V型凹槽211的槽寬為3 5毫米，所述第一同心V型凹槽的槽距為3 5毫米，所述第一同心V型凹槽211的傾斜角度為40 50度。本實施例中，所述第一同心凹槽211的槽寬和槽距相等。所述第二區(qū)域22具有若干第二同心V型凹槽221，所述第二同心V型凹槽221具有頂點和位于頂點兩側的側壁，所述側壁之間的最大距離為第二同心V型凹槽221的槽寬， 所述頂點與第二同心V型凹槽221的槽寬方向的距離為槽深，相鄰的第二同心V型凹槽221 頂點的距離為槽距，第二同心V型凹槽221的兩側側壁之間的夾角為第二同心V型凹槽221 的傾斜角度。本實施例中，自電鍍陽極的中心向外，沿半徑方向所述第二同心V型凹槽221 的槽寬、槽距、槽深和傾斜角度相同。所述第二同心V型凹槽221的槽寬為4 10毫米，所述第二同心V型凹槽221的槽距為4 10毫米，所述第二同心V型凹槽221的傾斜角度為 40 50度。所述第二同心V型凹槽221的槽寬和槽距小于第一同心V型凹槽211的槽寬和槽距，所述第二同心V型凹槽221的槽深等于第一同心V型凹槽211的槽深。所述第三區(qū)域23具有若干第三同心V型凹槽231，所述第三同心V型凹槽231具有頂點和位于頂點兩側的側壁，所述側壁之間的最大距離為第三同心V型凹槽231的槽寬， 所述頂點與第三同心V型凹槽231的槽寬方向的距離為槽深，相鄰的第三同心V型凹槽231 頂點的距離為槽距，第三同心V型凹槽231的兩側側壁之間的夾角為第三同心V型凹槽231 的傾斜角度。本實施例中，自電鍍陽極的中心向外，沿半徑方向所述第三同心V型凹槽231 的槽寬、槽距、槽深和傾斜角度相同。所述第三同心V型凹槽231的槽寬為4 10毫米，所述第三同心V型凹槽231的槽距為4 10毫米，所述第三同心V型凹槽231的傾斜角度為 40 50度。所述第三V型凹槽231的槽寬和槽深相同。所述第三同心V型凹槽231的槽寬和槽深小于第二同心V型凹槽221的槽寬和槽深，所述第三同心V型凹槽231的槽深等于第二同心V型凹槽221的槽深。所述第一區(qū)域21、第二區(qū)域22、第三區(qū)域23的凹槽密度依次減小。本發(fā)明所述的凹槽密度，是指沿電鍍陽極的半徑方向，自電鍍陽極的中心向外，單位區(qū)域的凹槽的數(shù)目。 由于所述凹槽密度越大，對應的單位表面積也越大，因此，所述第一區(qū)域21、第二區(qū)域22、 第三區(qū)域23的單位表面積依次減小，從而第一區(qū)域21、第二區(qū)域22、第三區(qū)域23與電解液接觸的面積依次減小，使得第一區(qū)域21、第二區(qū)域22、第三區(qū)域23產(chǎn)生的銅離子濃度依次減小，與所述第一區(qū)域21、第二區(qū)域22、第三區(qū)域23對應的電解液電阻依次增大，相應地， 所述電解液電阻彌補了晶片上的第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的電流經(jīng)過的籽晶層電阻依次減小的問題，使得最終晶片上第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的回路電阻幾乎相等，因此，晶片上第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的回路電流幾乎相等，最終晶片上第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的電鍍層厚度相同，形成厚度均勻度電鍍層。綜上，本發(fā)明提供了一種電鍍陽極，所述電鍍陽極包括第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的單位表面積依次減小，所述電鍍陽極消除了晶
7片上籽晶層電阻對電鍍層均勻度的影響，形成厚度均勻的電鍍層。 本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領域技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護范圍應當以本發(fā)明權利要求所界定的范圍為準。
權利要求
1.一種電鍍陽極，所述電鍍陽極具有電鍍表面，其特征在于，所述電鍍表面包括至少3 個區(qū)域，分別是沿電鍍陽極的半徑方向的第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述第一區(qū)域、 第二區(qū)域、第三區(qū)域的單位表面積依次減小。
2.如權利要求1所述的電鍍陽極，其特征在于，所述電鍍表面包括3個區(qū)域，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域分別包括若干同心V型凹槽，所述同心凹槽沿電鍍陽極的半徑方向的截面為鋸齒狀，相鄰的鋸齒之間為V型凹槽，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的凹槽密度依次減小。
3.如權利要求2所述的電鍍陽極，其特征在于，所述第一區(qū)域為以所述電鍍表面的中心為圓心，以所述電鍍表面的半徑的1/5 3/10為半徑的圓形區(qū)域，所述第二區(qū)域為以所述電鍍表面的中心為圓心，以所述第一區(qū)域的邊界為內(nèi)環(huán)、以所述電鍍表面的半徑3/10 4/5為半徑的外環(huán)而確定的圓環(huán)區(qū)域，所述第三區(qū)域以第二區(qū)域的外環(huán)為內(nèi)環(huán)、以所述電鍍表面的半徑為外環(huán)的環(huán)形區(qū)域，所述第一區(qū)域具有若干第一同心V型凹槽，所述第二區(qū)域具有若干第二同心V型凹槽，所述第三區(qū)域具有若干第三同心V型凹槽，所述第一同心V型凹槽、第二同心V型凹槽、第三同心V型凹槽的槽寬依次增大，槽距依次增大，所述第一凹槽、第二凹槽、第三凹槽的槽深相同。
4.如權利要求3所述的電鍍陽極，其特征在于，所述第一同心V型凹槽的槽寬為3 5毫米，所述第一同心V型凹槽的槽距為3 5毫米，所述第一同心V型凹槽的傾斜角度為 40 50度。
5.如權利要求3所述的電鍍陽極，其特征在于，所述第一同心V型凹槽的槽寬等于所述第一同心V型凹槽的槽距。
6.如權利要求3所述的電鍍陽極，其特征在于，所述第二同心V型凹槽的槽寬為4 10毫米，所述第二同心V型凹槽的槽距為4 10毫米，所述第一同心V型凹槽的傾斜角度為40 50度。
7.如權利要求3所述的電鍍陽極，其特征在于，所述第二同心V型凹槽的槽寬等于所述第二同心V型凹槽的槽距。
8.如權利要求3所述的電鍍陽極，其特征在于，所述第三同心V型凹槽的槽寬為5 15毫米，所述第三同心V型凹槽的槽距為5 15毫米，所述第三同心V型凹槽的傾斜角度為40 50度。
9.如權利要求3所述的電鍍陽極，其特征在于，所述第三同心V型凹槽的槽寬等于所述第三同心V型凹槽的槽距。
10.如權利要求1所述的電鍍陽極，其特征在于，所述電鍍陽極的材質(zhì)為銅、含銅合金。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電鍍陽極，所述電鍍陽極具有電鍍表面，所述電鍍表面包括至少3個區(qū)域，分別是沿電鍍陽極的半徑方向的第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域，所述第一區(qū)域、第二區(qū)域、第三區(qū)域的單位表面積依次減小。本發(fā)明的電鍍陽極形成的電鍍層厚度均勻。
文檔編號C25D7/12GK102383174SQ20101027517
公開日2012年3月21日 申請日期2010年9月1日 優(yōu)先權日2010年9月1日
發(fā)明者何偉業(yè), 孔祥濤, 聶佳相, 陳碧欽 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司