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      采用納米銀進(jìn)行的骨接合的制作方法

      文檔序號:5283611閱讀:197來源:國知局
      專利名稱:采用納米銀進(jìn)行的骨接合的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明主要涉及由銀組成的多功能抗細(xì)菌涂層、包括這種涂層的植入物和/或醫(yī)用工具、以及生產(chǎn)這種涂層的方法和設(shè)備。
      背景技術(shù)
      眾所周知,銀離子強(qiáng)烈地抑制細(xì)菌和其它微生物的生長。銀離子破壞微生物的重要細(xì)胞組分,使它們的致病功能不再起作用。銀表現(xiàn)出廣譜的抗菌活性,甚至對于抗生物素抗性株也有效。此外,銀以細(xì)菌細(xì)胞內(nèi)的多個位點(diǎn)作為目標(biāo),由此降低了細(xì)菌發(fā)展出任何類型抗性的可能性。隨著大多數(shù)致病細(xì)菌對通常使用的抗生素的抗性的增加,銀近來被重新發(fā)現(xiàn)作為抗細(xì)菌活性物質(zhì)。實(shí)際上,由于銀的消毒性質(zhì),其長久以來被用于衛(wèi)生和醫(yī)療目的。例如,在第一次世界大戰(zhàn)中,在抗生素出現(xiàn)之前,銀化合物是對抗創(chuàng)傷感染的重要武器。在1884,德國產(chǎn)科醫(yī)生C. S. F. Crede引入硝酸銀作為預(yù)防淋球菌性新生兒眼炎的眼用溶液,這也許是第一個有科學(xué)記錄的銀的醫(yī)療應(yīng)用。另外,磺胺嘧啶銀霜是用于嚴(yán)重?zé)齻麆?chuàng)口的標(biāo)準(zhǔn)抗細(xì)菌治療劑并在燒傷科仍有廣泛應(yīng)用?,F(xiàn)在,市場上有許多含銀的產(chǎn)品,諸如傷口敷料、導(dǎo)管和/或腫瘤修復(fù)系統(tǒng)。一個已知的涂層制造方法是以真空涂覆法為基礎(chǔ),其為醫(yī)學(xué)植入物的表面提供防止細(xì)菌污染的可靠保護(hù)。純銀涂層通過PVD(物理氣相沉積)工藝來施加,隨后通過 PECVD (等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積)工藝沉積二氧化硅涂層。涂層厚度通常低于200nm。PVD和CVD工藝通常需要非常昂貴的涂覆系統(tǒng)。另外,它們還由于高真空要求而消耗大量能源。此外,PVD技術(shù)是是“視線性(line-of-sight) ”技術(shù),這意味著很難均勻地涂覆復(fù)雜的表面。此外,在長時間暴露于銀或銀化合物之后有可能發(fā)展出由于可能“過度”的銀沉積所致的皮膚和/或眼睛的不可逆著色,即,銀中毒或銀質(zhì)沉著病。此外,銀濃度的提高可能引起白細(xì)胞減少癥和神經(jīng)肌肉損害。在文獻(xiàn)中描述了過敏性反應(yīng)。過去使用銀鹽或元素銀進(jìn)行的涂覆嘗試已有報(bào)道引起相關(guān)患者血漿中銀濃度的
      顯者升尚。因此,本發(fā)明的目的是提供一種具有涂層的醫(yī)療用器件,所述涂層具有先進(jìn)的性質(zhì),所述醫(yī)療用器件的具體形式例如是植入物。優(yōu)選地,這種涂層應(yīng)該作為抗細(xì)菌涂層提供,例如在金屬植入物上的抗菌涂層。特別地,還可控制或調(diào)節(jié)這種涂層的抗細(xì)菌效能,例如浸出率。優(yōu)選地,植入物上的這種涂層促進(jìn)應(yīng)該促進(jìn)人類組織和/或骨的向內(nèi)生長 (ingrowth)0這種涂層的制造應(yīng)基于容易和低成本的理念。 發(fā)明內(nèi)容
      通過各獨(dú)立權(quán)利要求的主題令人驚訝地實(shí)現(xiàn)了本發(fā)明的目的的解決方案。相應(yīng)的各從屬權(quán)利要求對應(yīng)于各主題的有利的和/或優(yōu)選的實(shí)施方案或改進(jìn)。因此,本發(fā)明提出了處理醫(yī)療用器件的表面的方法,特別是金屬醫(yī)療用器件,優(yōu)選是不能生物降解的材料的醫(yī)療用器件,所述方法包括以下步驟-提供一個膠體分散系統(tǒng),-用所述膠體分散系統(tǒng)處理醫(yī)療用器件,使得醫(yī)療用器件的待處理的表面浸漬在所述膠體分散系統(tǒng)中,-在作為第一電極的醫(yī)療用器件和/或設(shè)置在所述膠體分散系統(tǒng)中的第二電極之間產(chǎn)生AC電壓差,優(yōu)選所述AC電壓差是不對稱的或是對稱的,或是不對稱和對稱的組合,以便通過等離子體電解氧化將所浸漬的表面轉(zhuǎn)化為氧化物膜,其中經(jīng)轉(zhuǎn)化的表面部分地被由膠體分散系統(tǒng)的膠體分散顆粒形成的島狀物所覆蓋。本發(fā)明還提出了一種醫(yī)療用器件,包括具有經(jīng)處理的表面的金屬或金屬合金(優(yōu)選是不可生物降解的),其中-被使用膠體分散系統(tǒng)通過等離子體電解氧化將所述經(jīng)處理的表面至少部分地轉(zhuǎn)化為氧化物膜,且其中-經(jīng)轉(zhuǎn)化的表面部分地被由膠體分散系統(tǒng)的膠體分散顆粒所形成的島狀物覆蓋。通過等離子體電解氧化(PEO)工藝形成多孔性的氧化物膜或?qū)印Mㄟ^PEO工藝, 提供金屬基材作為“電解電池”中的第一電極,優(yōu)選作為陽極。其表面在所施加的電場下轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的金屬氧化物。該氧化物膜由結(jié)晶相組成,具有高度多孔的表面以及源自于膠體分散系統(tǒng)和作為基材的醫(yī)療用器件(例如,植入物)二者的組分。通過原位沉積提供了金屬氧化物顆粒-納米復(fù)合物-涂層的合成。該顆粒在氧化醫(yī)療用器件的表面時被施加在醫(yī)療用器件的表面上。本發(fā)明允許在醫(yī)療用器件的任何類型的形狀上形成涂層。所述膠體分散系統(tǒng)也可稱為分散體。它是一種包含分散顆粒的液體,所述分散顆粒尤其是膠體分散顆粒。該膠體分散顆粒具有小于或等于lOOnm、優(yōu)選小于或等于50nm、最優(yōu)選小于或等于30nm的平均直徑。該顆粒也稱為納米顆粒。所述顆粒是分散而非溶解在所述膠體分散系統(tǒng)中。優(yōu)選顆粒不是作為整體具有寬尺寸分布的粉末提供的。在優(yōu)選實(shí)施方案中,顆粒具有FWHM(半峰寬)(25nm的窄的尺寸分布。這種尺寸分布允許形成均勻的島狀物并改善分散體的導(dǎo)電性。在一個優(yōu)選實(shí)施方案中,所述顆粒是由銀顆粒(Ag-顆?;駻g-納米顆粒)提供的。在醫(yī)療用器件表面(例如植入物表面)上的這種納米銀涂層表現(xiàn)出若干有利效果降低細(xì)菌粘附,和抑制細(xì)菌生長。迄今為止,沒有報(bào)道和檢測到針對銀的作用的抗性機(jī)制。因?yàn)殂y更像是一種防腐劑而不是抗生素。這種納米銀涂層在抗細(xì)菌效能(甚至對抗多藥耐藥株)、粘附和生物相容性方面表現(xiàn)出優(yōu)異的性質(zhì)(其它好處參見以下發(fā)明詳述)。通過借助等離子體電解氧化誘導(dǎo)的植入物表面化學(xué)轉(zhuǎn)化提供包含這種納米銀的層。作為補(bǔ)充或作為替代,所述顆粒可由磷灰石顆粒,優(yōu)選HA-顆粒(羥磷灰石)來提供。所述磷灰石是選自以下的至少一種磷灰石羥磷灰石、Si取代的羥磷灰石、氟磷灰石和碳酸化的磷灰石。磷灰石的至少一個Ca原子可以被Mg、Zn、Cu、Na、K和Sr代替。羥磷灰石改善骨傳導(dǎo)。這使得例如被插入到人體或動物體中的植入物能夠牢固固定。本發(fā)明的HA-顆粒還包括HA-Si-化合物(Si-取代的羥磷灰石)。HA-Si-化合物是其中至少一個P043_基團(tuán)被Si043_基團(tuán)代替的HA-化合物。這種HA-Si-化合物特征在于增強(qiáng)的生物相容性。作為另外的補(bǔ)充或作為另一個替代,所述顆粒是由選自銅和鋅的至少一類顆粒提供的。這類顆粒也表現(xiàn)出抗細(xì)菌作用。在另一個實(shí)施方案中,在分散體中提供添加劑,優(yōu)選納米尺寸的添加劑。因此,所述顆粒包含添加劑,其中添加劑是選自金屬、氧化物、無機(jī)礦物質(zhì)和磷酸鹽的至少一種材料。一些典型的實(shí)例是氧化鎂、磷酸鈣、α -TCP (磷酸三鈣)、水玻璃鈉、水玻璃鉀和/或硅。 水玻璃對于骨的礦化是有效的。添加劑溶解或分散在所述膠體分散系統(tǒng)中。需要強(qiáng)調(diào)的是, 上述提及的添加劑是示例性的而非局限于這些列舉。膠體分散系統(tǒng)可以基于任何類型的液體,特別是具有低或零導(dǎo)電率的液體。在一個實(shí)施方案中,膠體分散系統(tǒng)作為水基分散體提供。優(yōu)選地,分散介質(zhì)(means)是純水或離子交換水。所使用的水基本不含電解質(zhì)。在優(yōu)選實(shí)施方案中,在蒸餾水中不特意引入另外的電解質(zhì)。所使用的水的PH值低于或等于7,或者,所使用的水的pH值低于或等于7. 4。作為分散體的分散相的顆粒以低于或等于100mg/l、優(yōu)選低于或等于20mg/l、最優(yōu)選低于或等于ang/1的濃度提供。在最優(yōu)選的實(shí)施方案中,所述濃度低于或等于ang/i。 這個數(shù)值對于金屬顆粒(特別是對于Ag-顆粒)而言特別適合以便避免細(xì)胞毒性作用。此外,這些數(shù)值對于金屬顆粒(特別是Ag-顆粒)特別適合以便為膠體分散系統(tǒng)提供足夠的導(dǎo)電性。在優(yōu)選實(shí)施方案中,膠體分散系統(tǒng)的導(dǎo)電性基本上僅由或僅由所述膠體分散顆粒本身來提供。這對于金屬顆粒(例如Ag-顆粒)特別適合,特別是與乳化劑組合的那些。優(yōu)選地,所述顆粒,例如Ag納米顆粒,對于分散體中的電荷而言是僅有的載體或活性最大的載體。在優(yōu)選實(shí)施方案中,所述顆粒或金屬顆粒是由在氧化物膜上形成所述島狀物的材料來提供的。一個材料實(shí)例是銀。作為補(bǔ)充或作為替代,所述金屬顆粒或分散的金屬顆粒是由作為基材材料的一種組分的組分來提供的。例如,如果基材(代表醫(yī)療用器件)包括鈦, 則所述顆粒由Ti-顆粒提供。污染可以得到避免。此外,溶解的材料,例如所浸漬的醫(yī)療用器件的溶解的材料,可以對膠體分散系統(tǒng)的導(dǎo)電性有貢獻(xiàn)。作為替代或作為補(bǔ)充,在膠體分散系統(tǒng)中提供至少一種電解質(zhì)。電解質(zhì)溶于膠體分散系統(tǒng)中。在一個實(shí)施方案中,電解質(zhì)包含選自金屬、氧化物、無機(jī)礦物質(zhì)和磷酸鹽中的至少一種材料。在另一個實(shí)施方案中,電解質(zhì)包括選自基材材料組分的至少一種電解質(zhì)。也就是說,電解質(zhì)取決于基材材料。例如,如果基材(代表植入物)包含鈦,則由Ti離子提供所述電解質(zhì)。污染可以得到避免。需要強(qiáng)調(diào)的是,上述提及的電解質(zhì)是示例性的而非局限于這些列舉。在另一個實(shí)施方案中,在膠體分散系統(tǒng)中提供氣體。所述氣體例如通過一種鼓泡來提供。特別地,提供所述氣體來影響PEO和/或參與ΡΕ0。所述氣體包括選自隊(duì)、Ar、Kr 和Xe的至少一種氣體。所提及的稀有氣體特別適合于實(shí)現(xiàn)所述轉(zhuǎn)化層的增強(qiáng)的致密化。經(jīng)轉(zhuǎn)化的醫(yī)療用器件表面,例如經(jīng)轉(zhuǎn)化的植入物表面,均勻地被氧化物層所覆蓋。 優(yōu)選地,所述經(jīng)轉(zhuǎn)化的表面被所述氧化物層連續(xù)覆蓋。所述氧化物膜具有1 μ m到100 μ m、 優(yōu)選10 μ m到100 μ m、最優(yōu)選20 μ m到40 μ m的厚度。所述氧化物膜的特征在于具有通過凹槽和/或溝道分離的小丘和/或平臺。這種外觀代表了 PEO工藝的一個典型特征。這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致醫(yī)療用器件表面或植入物表面具有大的比表面積。如前所述,在氧化醫(yī)療用器件表面時將顆粒施加在醫(yī)療用器件的表面上。一小部分顆粒還嵌入到氧化物層中。顆粒的主要部分沉積在形成島狀物的氧化物層的表面上。在氧化物層和所沉積的顆粒層之間沒有明顯的界限。在經(jīng)表面轉(zhuǎn)化的醫(yī)療用器件 (例如經(jīng)表面轉(zhuǎn)化的植入物)中的顆粒濃度隨著深度的增加是降低的,優(yōu)選是持續(xù)降低的。島狀物是借助PEO工藝中的微電弧(micro-arcs)提供的,例如通過所分散顆粒的植入和/或沉積和/或聚結(jié)來提供。島狀物被氧化物層所包圍。島狀物具有小于300nm的典型的平均尺寸。平均厚度為5nm到400nm。一些島狀物還可以彼此連接。典型地,島狀物中基本上沒有或僅有很小的多孔性,特別地形成納米區(qū)域。然而,島狀物表示氧化物膜上的不連續(xù)的層或膜,例如銀的不連續(xù)層或膜。在一個實(shí)施方案中,醫(yī)療用器件表面是TiO-Ag-納米復(fù)合物-涂層。因此,表面上的元素或化合物 Ti、Ti02、Ag和AgO各自是直接“可見”和可檢測的。經(jīng)處理的表面具有低于或等于20%、 優(yōu)選低于或等于10%的平均島狀物覆蓋量。所述經(jīng)處理的表面的化學(xué)表征得到0. 5-10原子%、優(yōu)選1-10原子%、最優(yōu)選2_6 原子%的膠體分散顆粒(優(yōu)選銀)的組成。在鈦或鈦合金上的納米銀的化學(xué)表征得到以下組成
      權(quán)利要求
      1.用于處理醫(yī)療用器件特別是金屬醫(yī)療用器件的表面的方法,包括以下步驟 -提供膠體分散系統(tǒng),-用膠體分散系統(tǒng)處理醫(yī)療用器件,使得醫(yī)療用器件的待處理表面浸漬在膠體分散系統(tǒng)中,-在作為第一電極的醫(yī)療用器件和/或設(shè)置在膠體分散系統(tǒng)中的第二電極之間產(chǎn)生AC 電壓差,以便通過等離子體電解氧化將所浸漬的表面轉(zhuǎn)化為氧化物膜,其中經(jīng)轉(zhuǎn)化的表面部分地被由該膠體分散系統(tǒng)的膠體分散顆粒形成的島狀物所覆蓋。
      2.權(quán)利要求1的方法,其中提供的AC電壓差的最大值在0.IV到4800V的范圍。
      3.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中提供的AC電壓具有0.OlHz到1200Hz的頻率。
      4.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中所述AC電壓以不對稱的AC電壓的形式提供。
      5.前項(xiàng)權(quán)利要求的方法,其中AC電壓的負(fù)分量具有-1200V到-0.IV的幅值,和/或 AC電壓的正分量具有0. 1到4800V的幅值。
      6.前兩項(xiàng)權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中對正相幅值除以負(fù)相幅值的商進(jìn)行調(diào)節(jié),使得該商的絕對值為從大于1到4。
      7.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中所述AC電壓以對稱的AC電壓的形式提供。
      8.前項(xiàng)權(quán)利要求的方法,其中AC電壓的負(fù)分量具有-2400V到-0.IV的幅值,和/或 AC電壓的正分量具有+0. 1到+2400V的幅值。
      9.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中提供0.0001到500A/dm2的電流密度。
      10.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中膠體分散系統(tǒng)的溫度設(shè)置為-20°C到+150°C。
      11.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中膠體分散系統(tǒng)以0到5000升/分鐘的循環(huán)速率循環(huán)。
      12.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中膠體分散系統(tǒng)是基于水的分散體。
      13.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中在膠體分散系統(tǒng)中提供至少一種電解質(zhì),特別是該醫(yī)療用器件的材料的至少一種組分。
      14.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中沉積速率為0.01-1 μ m/s。
      15.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中沉積時間為1-1200S。
      16.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中所述顆粒以Ag-顆粒的形式提供。
      17.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中所述顆粒以磷灰石-顆粒的形式提供。
      18.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中所述顆粒以Cu-顆粒和/或Si-顆粒的形式提{共。
      19.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中由作為該醫(yī)療用器件的材料的至少一種組分的組分來提供所述顆粒。
      20.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中所述顆粒以添加劑的形式提供,其中所述添加劑是選自金屬、氧化物、無機(jī)礦物質(zhì)和磷酸鹽的至少一種材料。
      21.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中顆粒具有小于或等于100mg/l的濃度。
      22.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中在膠體分散系統(tǒng)中提供氣體。
      23.醫(yī)療用器件,特別是醫(yī)療用工具或牙科植入物或整形外科植入物,其可通過前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法生產(chǎn),優(yōu)選是通過前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法生產(chǎn)的。
      24.醫(yī)療用器件,其包含具有經(jīng)處理的表面的不可生物降解的金屬或金屬合金,其中-使用膠體分散系統(tǒng)通過等離子體電解氧化使所述經(jīng)處理的表面至少部分地轉(zhuǎn)化為氧化物膜,并且其中-所述經(jīng)轉(zhuǎn)化的表面部分地被該膠體分散系統(tǒng)的膠體分散顆粒形成的島狀物所覆蓋。
      25.前項(xiàng)權(quán)利要求的醫(yī)療用器件,其中所述顆粒包括Ag-顆粒。
      26.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的醫(yī)療用器件,其中所述顆粒以Cu-顆粒和/或Si-顆粒的形式提供。
      27.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的方法,其中由作為該醫(yī)療用器件的材料的至少一種組分的組分來提供所述顆粒。
      28.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的的醫(yī)療用器件,其中所述顆粒包括磷灰石-顆粒。
      29.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的醫(yī)療用器件,其中所述顆粒包含添加劑,其中所述添加劑是選自金屬、氧化物、無機(jī)礦物質(zhì)和磷酸鹽的至少一種材料。
      30.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的醫(yī)療用器件,其中所述島狀物具有小于lOOOnm、優(yōu)選小于300nm的平均面積尺寸。
      31.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的醫(yī)療用器件,其中所述島狀物具有Inm到lOOOnm、優(yōu)選 5nm到400nm的平均厚度。
      32.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的醫(yī)療用器件,其中所述氧化物膜具有1μ m到100 μ m的厚度。
      33.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的醫(yī)療用器件,其中所述經(jīng)處理的表面具有小于20%、優(yōu)選小于10%的平均島狀物覆蓋量。
      34.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的醫(yī)療用器件,其中所述經(jīng)處理的表面具有小于 120ng · cm_2 天―1 的 Ag 浸出率。
      35.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的醫(yī)療用器件,其中植入物包括選自鈦、鈦合金、鉻合金、鈷合金、和不銹鋼的至少一種金屬。
      36.用于通過等離子體電解氧化來處理醫(yī)療用器件特別是金屬醫(yī)療用器件的表面的設(shè)備,包括以下部件-用于包含膠體分散系統(tǒng)的浴器,-用于在浴器中混合膠體分散系統(tǒng)的裝置,-用于容納醫(yī)療用器件使得醫(yī)療用器件的待處理表面浸漬在膠體分散系統(tǒng)中的裝置, 其中醫(yī)療用器件提供第一電極,-用于為包含在浴器中的膠體分散系統(tǒng)提供第二電極的裝置,-用于產(chǎn)生AC電壓的電源單元,所述AC電壓被提供給第一電極和/或第二電極,-用于連接第一電極和/或第二電極到電源單元的裝置,其中-用于連接第一電極的裝置適于所浸漬的醫(yī)療用器件,使得橫截面比為0.1到10。
      37.前項(xiàng)權(quán)利要求的設(shè)備,其中用于連接第一電極的裝置具有與所連接的醫(yī)療用器件相同的材料。
      38.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的設(shè)備,其中用于連接第一電極的裝置具有平均直徑小于 5mm的橫截面,特別是圓形的橫截面。
      39.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的設(shè)備,其中用于連接第一電極的裝置以絲線的形式提供。
      40.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的設(shè)備,其中用于連接第一電極的裝置至少部分地具有螺紋。
      41.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的設(shè)備,其中設(shè)置有用于調(diào)節(jié)電場的裝置,優(yōu)選其具體形式為帽蓋。
      42.前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)的設(shè)備,其中為所述膠體分散系統(tǒng)提供了氣體供給。
      全文摘要
      本發(fā)明主要涉及由銀組成的抗菌涂層、包括這種涂層的醫(yī)療用工具和植入物、以及生產(chǎn)這種涂層的方法和設(shè)備。所述的醫(yī)療用工具或牙科或整形外科植入物包括具有經(jīng)處理的表面的金屬或金屬合金,其中所述經(jīng)處理的表面通過使用膠體分散系統(tǒng)進(jìn)行的等離子體電解氧化被至少部分地轉(zhuǎn)化為氧化物膜,且其中所述經(jīng)過處理的表面部分地被所述膠體分散系統(tǒng)的膠體分散的銀顆粒形成的島狀物所覆蓋。本發(fā)明的Ag-TiO2涂層在抗菌效能(甚至對抗多藥抗藥株)、粘附和生物相容性方面表現(xiàn)出優(yōu)異的性質(zhì)。延長了植入物在人體中的使用期限。所述抗菌涂層可用于創(chuàng)傷學(xué)、整形外科、骨接合和/或內(nèi)假體領(lǐng)域,特別是用于有高感染危險的情況中。眾多的現(xiàn)有醫(yī)療用工具和植入物可以受益于這種涂層。
      文檔編號C25D11/02GK102497892SQ201080029470
      公開日2012年6月13日 申請日期2010年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月2日
      發(fā)明者A·伊利澤爾, C·蓋斯克雷斯, E·丁格爾蒂恩, F·維特 申請人:Aap生物材料有限公司
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