專利名稱：電鍍裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于ー種表面具有導(dǎo)電性的基材粒子的電鍍裝置。
背景技術(shù)：
作為對表面具有導(dǎo)電性的基材粒子實施電鍍的技術(shù)的一例，有一種在以Cu為主體的芯球的表面電鍍焊錫而形成焊錫被覆Cu芯球(core ball)(以下簡記作Cu芯球)的技木。再者，為了明確先前技術(shù)的問題，以Cu芯球為例說明了電鍍技木，但本發(fā)明并不限定于Cu芯球。在近年來的借由多間距(pitch)化、狹間距化而在高密度封裝方面有所進(jìn)展的球柵數(shù)組(Ball Grid Array, BGA)或芯片尺寸封裝(Chip Scale Package, CSP)等半導(dǎo)體封裝中，作為輸出入端子用凸塊，應(yīng)用有小徑的Cu芯球。Cu芯球由于其芯球在回流焊時不會熔融，因此可在半導(dǎo)體元件與基板之間維持固定的距離，可確保對因半導(dǎo)體元件的起動、停止所產(chǎn)生的熱循環(huán)(cycle)負(fù)載等的連接可靠性。作為Cu芯球制造技術(shù)，眾所周知有一種筒式(barrel)電鍍法在具有電鍍液可流通的多個開ロ的筒內(nèi)收納芯球，借由使筒配置于電鍍浴中自轉(zhuǎn)而被覆焊錫。然而，尤其當(dāng)制造直徑為IOOym以下的小徑的Cu芯球吋，由與筒的自轉(zhuǎn)相伴的芯球的轉(zhuǎn)動所引起的芯球的攪拌不夠充分。其結(jié)果，芯球彼此經(jīng)由電鍍層而連結(jié)并凝聚，或者電鍍層的表面粗面化，從而產(chǎn)生電鍍層的厚度局部地變得不均勻，而導(dǎo)致良率下降的問題。消除該筒式電鍍法的問題的技術(shù)的一例在專利文獻(xiàn)I中有所記載。專利文獻(xiàn)I中掲示有ー種小型的旋轉(zhuǎn)電鍍裝置為了以短時間獲得充分且均勻的電鍍層，“將接觸環(huán)(contact ring)與多孔環(huán)(porous ring) 一體結(jié)合而形成單元(cell),上述接觸環(huán)將被電鍍物在旋轉(zhuǎn)過程中按壓于上端開放的下開ロ碗形的樹脂圓罩(doom)的外周部下表面與樹脂底板的外周部上表面之間，上述多孔環(huán)使處理液流通飛散，將與不可相對旋轉(zhuǎn)地支持上述單元并與接觸環(huán)通電的導(dǎo)電轉(zhuǎn)盤(rotary plate)的中央部下表面垂直的導(dǎo)電驅(qū)動軸(shaft)的上端予以固定,將接觸電刷(contact brush)按壓至上述軸并連接于負(fù)(minus)極,在上述圓罩內(nèi)配置陽極籃(anode basket),并設(shè)置覆蓋單兀的罩(cover)”。并且記載有根據(jù)該構(gòu)成的旋轉(zhuǎn)電鍍裝置，收納于單元內(nèi)的被電鍍物在因單元的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的離心カ的作用下會被強制按壓至接觸環(huán)，借由反復(fù)單元的旋轉(zhuǎn)與停止或減速而得到均勻混合，被電鍍物的表面上的電鍍液的更新也變得活躍，從而可形成均勻的厚度的電鍍層。然而，專利文獻(xiàn)I的旋轉(zhuǎn)電鍍裝置在エ業(yè)生產(chǎn)效率方面存在問題。亦即，該旋轉(zhuǎn)電鍍裝置為了攪拌被電鍍物而使電鍍液充分在其表面流通，需要反復(fù)進(jìn)行単元的旋轉(zhuǎn)、停止或減速。并且，對被電鍍物的實際的電鍍處理僅在單元旋轉(zhuǎn)而被電鍍物在離心カ的作用下與接觸環(huán)接觸的期間進(jìn)行，而在停止或減速的期間并不進(jìn)行，因此與電鍍處理時間相比，整體的制造時間較長。進(jìn)而，在電鍍處理中，由于球的攪拌カ不產(chǎn)生作用，因此，尤其在半導(dǎo)體封裝中所用的直徑為100 μ m以下的小徑的Cu芯球的情況下，芯球在単元內(nèi)的凝聚變得顯著，電鍍處理后的Cu芯球的表面的平滑性也發(fā)生劣化。為了消除該凝聚，雖也存在頻繁地反復(fù)進(jìn)行単元的旋轉(zhuǎn)、停止或減速的方法，但會導(dǎo)致電鍍效率進(jìn)ー步下降的問題。而且，消除筒式電鍍法的問題的技術(shù)的另一例在專利文獻(xiàn)2中有所記載。在專利文獻(xiàn)2中記載有一種電鍍裝置其目的在于防止尤其具備易彎曲性質(zhì)的エ件(work)在電鍍時的變形等，該電鍍裝置的特征在干，“具有作為上表面開ロ的電鍍槽以及閉塞該電鍍槽的上表面開ロ的裝卸蓋，在上述電鍍槽的底面具備陰扱，在裝卸蓋的背面具備陽扱，并且在沿著上述電鍍槽的底面的周壁上，具備朝向該周壁的內(nèi)面方向的電鍍液的噴射噴嘴(nozzle)”。并且，在專利文獻(xiàn)2中記載有借由采用該構(gòu)成，被投入電鍍槽內(nèi)的エ件與自噴射噴嘴噴射出的電鍍液一同在電鍍槽內(nèi)轉(zhuǎn)動，隨著該旋轉(zhuǎn)而被實施電鍍處理，因此不存在會造成彎曲或變形的碰撞等，可使所有エ件在保持原形的狀態(tài)下結(jié)束電鍍加工處理。然而，該專利文獻(xiàn)2的電鍍裝置于在基 材粒子上形成均勻的厚度的電鍍層這一點上不夠充分。亦即，當(dāng)利用專利文獻(xiàn)2的電鍍裝置來對基材粒子進(jìn)行電鍍時，基材粒子一方面受到在電鍍槽內(nèi)回旋的電鍍液而攪拌，一方面作回旋運動，但由于粒子乘著液流而移動，因此配置于底面的電極與粒子相接觸的概率較小，該概率對于每個粒子也不均勻。其結(jié)果，有可能產(chǎn)生對于各種基材粒子而電鍍層的厚度不同的問題。進(jìn)而，在下述專利文獻(xiàn)3中，作為在粒徑為O. I μ m 10 μ m的范圍的金屬、無機物質(zhì)等的微粉末的表面，利用電鍍法來均勻且高收率地被覆金屬的裝置，掲示有ー種“微粉末的電鍍裝置，其包括收容電鍍液且使軸成縱向的筒狀容器、在該容器的底部使電導(dǎo)表面橫向配設(shè)的陰極板、靠近該電鍍液的液面而配設(shè)的陽極、對該陰極板與陽極之間賦予規(guī)定電位的電源裝置、在該陰極板與陽極之間的液中具備吸入用開ロ的吸入管、在該陰極板與陽極之間的液中具備噴出用開ロ的噴出管、自該吸入管通向噴出管的流體的循環(huán)路徑以及介裝于該循環(huán)路徑中的流體循環(huán)用泵(pump)，將該噴出管的噴出用開ロ朝向陰極板的電導(dǎo)表面的方向而朝下設(shè)置，并且將上述吸入管的吸入用開ロ設(shè)置于較陽極下端更下方，使作為被電鍍品的粒徑O. I μ m至10. O μ m范圍的導(dǎo)電性微粉末與電鍍液一同在上述循環(huán)路徑內(nèi)循環(huán)，同時連續(xù)碰撞至該陰極板”。并且記載有根據(jù)該電鍍裝置，使電鍍液中強制形成在電鍍液中微粉末具備規(guī)定的懸濁濃度而懸濁且具備規(guī)定的方向及速度的微粉末懸濁液，使微粉末懸濁流實質(zhì)上不與陽極接觸，而僅以規(guī)定的速度成分循環(huán)碰撞至陰極板，因此可均勻且高收率地對每一粒微粉末的表面進(jìn)行電鍍。然而，根據(jù)該專利文獻(xiàn)3的電鍍裝置，由于微粉末僅乘著微粉末懸濁流而流動，因此與陰極板接觸的概率在微粉末間并不均勻，由于與專利文獻(xiàn)2的電鍍裝置同樣的理由，在在各個基材粒子上形成均勻的厚度的電鍍層這一點上不夠充分。[先行技術(shù)文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)][專利文獻(xiàn)I]日本專利特開平8-239799號公報[專利文獻(xiàn)2]日本專利實開平7-6267號公報[專利文獻(xiàn)3]日本專利特開平1-272792號公報

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是有鑒于上述先前技術(shù)的問題而完成的發(fā)明，其目的在于提供一種可在表面具有導(dǎo)電性的基材粒子上有效率地形成均勻的厚度的電鍍層的電鍍裝置。
解決上述問題的本發(fā)明的電鍍裝置是表面具有導(dǎo)電性的基材粒子的電鍍裝置，其包括電鍍槽，具有電鍍室，該電鍍室具備上述基材粒子可接觸并轉(zhuǎn)繞的底面以及沿著該底面的周緣而立設(shè)的周壁面，且可收納包含上述基材粒子的粒子群及電鍍液；電鍍液供給管，具有自上述電鍍室的底面向上方開ロ的供給ロ，且以沿著上述電鍍室的周壁面而回旋的方式自上述供給口供給電鍍液；電鍍液排出管，具有向上述電鍍室開ロ的排出ロ ；陰極，與配置于上述電鍍室的底面的上述基材粒子接觸；陽極，配置在浸潰于上述電鍍室內(nèi)所收納的電鍍液中的位置；以及電源，連接于上述陰極及陽極。該電鍍裝置起到如下所述的作用。亦即，自電鍍液供給管的供給ロ所供給的電鍍液沿著電鍍室的周壁面而回旋并且朝向其底面?zhèn)攘飨?。并且，?dāng)電鍍室被電鍍液充滿吋，通過向電鍍室開ロ的排出ロ而自電鍍液排出管予以排出，并自電鍍液供給管供給新的電鍍液，借此，電鍍室始終被新鮮的電鍍液所充滿。 到達(dá)電鍍室底面的回旋流動的電鍍液使電鍍室內(nèi)收納的粒子群接觸電鍍室的底面并且回旋運動。在該底面接觸陰極的基材粒子在配置于浸潰在電鍍液中的位置處的陽極之間得到電鍍處理，從而在基材粒子的表面形成電鍍層。此處，借由回旋流動的電鍍液，粒子群不會分散而彼此混合，并且接觸底面而轉(zhuǎn)動并在底面上作回旋運動。因而，基材粒子的凝聚得到抑制，并且基材粒子的表面的各部位接觸電鍍液的機會變得均等，其結(jié)果，可形成均勻的厚度的電鍍層。再者，一旦開始回旋運動的粒子不會浮游，而是反復(fù)與底面間歇性地接觸，并且持續(xù)回旋運動。進(jìn)而，借由電鍍液的回旋流，使基材粒子接觸電鍍室的底面并且轉(zhuǎn)動，因此基材粒子與其它基材粒子接觸的概率提高，因而，可高頻率地與接觸陰極的基材粒子電性連接，而進(jìn)行接近連續(xù)電鍍的處理，從而可有效率地在基材粒子上形成電鍍層，進(jìn)而，借由基材粒子彼此的接觸，所形成的電鍍層得到平滑化，從而可形成表面極為平滑且均勻的厚度的電鍍層。[發(fā)明的效果]如上述說明所示，根據(jù)本發(fā)明的電鍍裝置，可達(dá)成本發(fā)明的目的，S卩解決先前技術(shù)的問題，提供一種可有效率地在表面具有導(dǎo)電性的基材粒子上形成表面平滑且均勻的厚度的電鍍層的電鍍裝置。再者，以下，對上述電鍍裝置的較佳形態(tài)及其效果進(jìn)行詳細(xì)說明。


[圖I]是表示本發(fā)明的第I實施形態(tài)的電鍍裝置的概略構(gòu)成的圖。[圖2]是圖I的電鍍裝置及其較佳形態(tài)的電鍍裝置的平面圖。[圖3]是圖I的電鍍裝置的另ー較佳形態(tài)的電鍍裝置的局部放大圖。[圖4]是圖I的電鍍裝置的另ー較佳形態(tài)的電鍍裝置的局部放大圖。[圖5]是圖I的電鍍裝置的另ー較佳形態(tài)的電鍍裝置的正面圖。[圖6]是圖I的電鍍裝置的另ー較佳形態(tài)的電鍍裝置的放大正面圖。[圖7]是本發(fā)明的第2實施形態(tài)的電鍍裝置的立體圖。[圖8]是表示第2實施形態(tài)的電鍍裝置的另一例的概略構(gòu)成的圖。[圖9]是本發(fā)明的第3實施形態(tài)的電鍍裝置的立體圖。[圖10]是本發(fā)明的第4實施形態(tài)的電鍍裝置的立體圖。
[圖11]是說明圖10的電鍍裝置的動作的圖。[圖12]是表示第4實施形態(tài)的電鍍裝置的另一例的概略構(gòu)成的圖。[圖13]是表示本發(fā)明的第5實施形態(tài)的電鍍裝置的概略構(gòu)成的圖。[圖14]是說明芯球的電鍍中的行為的圖。[圖15]是表示本發(fā)明的第6實施形態(tài)的電鍍裝置的概略構(gòu)成的圖。[圖16]是表示本發(fā)明的第6實施形態(tài)的電鍍裝置的另一例的概略構(gòu)成的圖。[圖17]是說明圖I的電鍍裝置的實例的圖。[圖18]是說明圖I的電鍍裝置的實例的另ー圖。
具體實施例方式以下，根據(jù)該第I 第6實施形態(tài)，參閱圖式來說明本發(fā)明的電鍍裝置。下述的實施形態(tài)中，以在將基材粒子即Cu作為主體的球形的芯球的表面被覆以Sn為主體的電鍍層的電鍍裝置為例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于此，例如可適用于如下情況，即在已利用無電電鍍而在表面形成有鎳等具有導(dǎo)電性的金屬層的樹脂或陶瓷(ceramics)粒子及其它在表面具有導(dǎo)電性的基材粒子的表面，利用電鍍法來形成金屬被覆層的情況。而且，不僅可適用于如芯球般為球狀的基材粒子，也可適用于例如具有長軸及短軸的針狀的基材粒子或無形狀特征的不定形的基材粒子。進(jìn)而，下述說明的電鍍裝置的各構(gòu)成要素可単獨或適當(dāng)組合而使用。[第I實施形態(tài)]如表示第I形態(tài)的電鍍裝置的概略構(gòu)成的正面圖即圖I以及拆除圖I的密閉蓋IL后的狀態(tài)的平面圖即圖2(a)所示，電鍍裝置I具備本體部la、經(jīng)由電鍍液供給管Ie及電鍍液排出管Ic而連接于本體部Ia的電鍍液循環(huán)機構(gòu)lb、以及直流電源電路Ih來作為基本構(gòu)成，作為更為理想的構(gòu)成，電鍍裝置I具備芯球供給機構(gòu)lg、振動機構(gòu)Ii及磁力產(chǎn)生機構(gòu)Is0在本體部Ia中，符號Ij是形成有電鍍室Im的電鍍槽，該電鍍室Im具有圓形狀的底面Ip以及朝向該底面Ip而縮徑的圓錐臺形狀的周壁面lq。由對電鍍液具有耐蝕性的非導(dǎo)電性絕緣物即樹脂等構(gòu)成的電鍍槽Ij具有上部開ロ的碗型的容器Ik;以及以閉塞上部開ロ的方式而緊貼于容器Ik的上表面的密閉蓋1し由該容器Ik及密閉蓋IL所形成的空間構(gòu)成電鍍室lm，包含多個芯球91的球群(粒子群)9及規(guī)定量的電鍍液L被收納于電鍍室Im中。電鍍液供給管Ie的一端以其軸心沿著電鍍室Im的周壁面Iq的切線方向，且電鍍液供給ロ If在電鍍室Im的上部開ロ的方式而水平地連接于電鍍槽lj，其另一端則連接于電鍍液循環(huán)機構(gòu)lb。電鍍液排出管Ic的一端以電鍍液排出ロ Id在密閉蓋IL的中央部與電鍍室Im的軸芯成同軸地向電鍍室Im開ロ的方式而連接于電鍍槽I j，而其另一端連接于電鍍液循環(huán)機構(gòu)lb。電鍍液循環(huán)機構(gòu)Ib由未圖示的電鍍液貯藏槽(tank)、電鍍液循環(huán)用泵、電鍍液浄化用過濾器(filter)及流量控制閥等構(gòu)成，自電鍍液循環(huán)機構(gòu)Ib送出的電鍍液L在電鍍液供給管Ie內(nèi)流通，自電鍍液供給ロ If被供給至電鍍室lm，并如圖I、圖2 (a)中虛線a所示，沿著電鍍室Im的周壁面Iq而回旋流下。而且，可調(diào)整電鍍液循環(huán)機構(gòu)Ib的電鍍液循環(huán)用泵或流量控制閥，以使供給至電鍍室Im的電鍍液L的流速或流量隨時間發(fā)、生變化。再者，電鍍液循環(huán)機構(gòu)Ib也可設(shè)置成，不僅通過電鍍液供給管Ie來供給電鍍液L，而且可通過電鍍液排出管Ic自電鍍室Im抽吸電鍍液し進(jìn)而，也可設(shè)置多根上述電鍍液供給管le。此時，既可將電鍍液供給管配置成，在電鍍室Im的周壁面Iq的同一圓周上，多個電鍍液供給ロ If例如以固定的角度間距而開ロ，也可如圖4(c)所示的電鍍裝置22般而將電鍍液供給管22e配置成，多個電鍍液供給ロ 22f沿著回旋流下的電鍍液L的螺旋狀的流動a而開ロ。借由以上的構(gòu)成，電鍍液L如圖I所示，一方面沿著向下方傾斜的周壁面Iq而回旋流動，一方面呈螺旋狀流下，并到達(dá)電鍍室Im的底面lp，隨后，如圖中虛線b所示般成為上升流，并通過電鍍液排出ロ Id自電鍍液排出管Ic排出而 返回電鍍液循環(huán)機構(gòu)lb。再者，芯球91也可開閉密閉蓋IL而隨時供給至電鍍室lm，但也可如圖I所示，在由電鍍液供給管Ie構(gòu)成的供給系統(tǒng)中，設(shè)置截出規(guī)定數(shù)量的芯球91的供給機構(gòu)lg，通過電鍍液供給管Ie的管路而將芯球91與電鍍液L 一同供給至電鍍室lm。該供給機構(gòu)Ig的具體構(gòu)成將在第4形態(tài)的電鍍裝置中作詳細(xì)說明。符號In是配置在容器Ik的底部的圓板狀的陰極，陰極In的上表面設(shè)置成電鍍室Im的底面lp。連接于直流電源電路Ih的負(fù)極的陰極In例如由不銹鋼(stainless steel)、鈦、電鍍有鉬的鈦等所形成。球群9借由在電鍍室Im內(nèi)回旋流動的電鍍液L，而如圖中符號C所示般，自外周端沿著半徑方向而在規(guī)定的范圍中一方面與底面Ip接觸一方面回旋運動，借此，芯球91在底面Ip之上，一邊被攪拌ー邊轉(zhuǎn)動。此處，既可如圖3(a)所示，將陰極3n配置成露出于電鍍室Im的底面3p的一部分，也可如該圖3(b)所示，將陰極3m配置成與配置于底面3p上的芯球91相接觸。然而，當(dāng)如此般將陰極3n、3m配置成僅與多個芯球91中的極少部分接觸時，不與陰極3n、3m接觸的芯球91會經(jīng)由與陰極3n、3m接觸的芯球91而通電，因此，有可能會因芯球91彼此的接觸電阻而導(dǎo)致處于遠(yuǎn)離陰極3n的位置處的芯球91的電位下降，該芯球91中的電流密度變低，從而電鍍效率下降。因此，較佳為，平面觀察時，陰極與球群9具有充分的接觸面積，較為理想的是，如本實施形態(tài)般形成為圓板形狀。此時，也可設(shè)置成使容器Ik本身由陰極材料所形成，并對容器Ik的側(cè)面實施具有耐蝕性及絕緣性的樹脂被覆，從而使容器Ik的底面作為陰極In而發(fā)揮作用。另ー方面，如圖I及圖2(a)所示，當(dāng)電鍍室Im的底面Ip全部由陰極In構(gòu)成時，電鍍層的形成速度有可能會下降。亦即，球群9利用回旋流動的電鍍液L而在底面Ip (陰極In的上表面)的外周緣部的規(guī)定區(qū)域C作回旋運動，因此在不存在球群9的陰極In的上表面的中央部也會無端地析出電鍍。因此，較佳為，如在圖2(b)及沿著其中心線的剖面圖即圖2(c)中以符號2n所示，陰極與球群9作回旋運動的區(qū)域?qū)?yīng)地呈圓環(huán)狀設(shè)置于底面2p的外周緣，且底面2p的中央部2z由電性絕緣材料構(gòu)成。再者，在圖2(b)、圖2(c)的情況下，中央部2z是與容器Ik 一體地構(gòu)成，但例如也可使中央部2z由絕緣性陶瓷等而異體地形成，并裝入容器Ik中。進(jìn)而，如圖2(c)所示，陰極2n也可在容器Ik的基端部不僅具備其表面以形成與底面2p為同一平面的方式而露出的第I陰極2y,還具備其表面以形成與周壁面Iq為同一內(nèi)周面的方式而露出的第2陰極2x。該陰極2x與2y如圖所示，可作為以橫剖面呈“<”字狀的方式而在各自的一端相結(jié)合的陰極2n而裝入容器Ik中。借由設(shè)置該第2陰極2x，能夠使隨電鍍液流動而在底面2p的周緣部呈旋回運動的球群9也可接觸到第2陰極2x，所以球群9可接觸的陰極2η的面積得到増加，可在維持高電鍍效率的狀態(tài)下，在芯球91上形成均勻的電鍍層。此外，借由與后述的第6實施形態(tài)的電鍍裝置的陽極構(gòu)造的組合，可降低陽極與陰極之間的電阻，可形成空隙(void)等缺陷減少的良質(zhì)電鍍層。再者，為了防止陰極2n的表面上的電鍍的析出以提高電鍍效率，較為理想的是如圖2(c)所示，陰極2n被包含于球群9作回旋流動的范圍C之中。而且，圖2 (b)所示的陰極2n是形成為在圓周方向上連續(xù)的圓環(huán)形狀，但即便一部分存在不連續(xù)部分，只要實質(zhì)上形成為圓環(huán)狀即可。進(jìn)而，為了借由促進(jìn)芯球91的轉(zhuǎn)動而使芯球91的表面上形成的電鍍層的外周面彼此摩擦，以提高該外表面的平滑性，可將電鍍室Im的底面Ip(亦即陰極In的上表面)設(shè)定固定的粗面。另ー方面，就防止因與電鍍室Im的底面Ip摩擦而產(chǎn)生的芯球91表面或電鍍層表面的損傷的觀點而言，該底面Ip也可設(shè)為平滑的面。而且，如圖3(c)所示，為了使芯球91在電鍍室Im的底面Ip之上的回旋運動得到穩(wěn)定化，較為理想的是在底面Ip上形成圓環(huán)狀的導(dǎo)引溝4y，該導(dǎo)引溝4y是沿著電鍍液L的回旋方向而形成，以導(dǎo)引芯球91。 在圖I中，符號Io是在電鍍室Im的上部與陰極In相對而配置的包含錫的陽極。陽極Io以位于浸潰在充滿電鍍室Im的電鍍液L中的位置的方式，而經(jīng)由不銹鋼、鈦、經(jīng)鉬電鍍的鈦等的支持構(gòu)件Ir而固定于密閉蓋1L，并連接于直流電源電路Ih的正扱。此處，以下對陽極的較佳形態(tài)進(jìn)行說明。當(dāng)對多個芯球91進(jìn)行電鍍時，所有芯球91的表面積之和會變得非常大。為了使固定的電流流經(jīng)該多個芯球91與陽極之間，并確保規(guī)定的電流密度(即，將電流值除以芯球91的表面積之和所得的值)，借此在芯球91上均勻且有效率地形成電鍍層，較佳為，將陽極Io的下表面與陰極In的上表面以相對的方式而配置，并以包含在陰極In上作回旋運動的球群9的范圍C的方式而呈圓環(huán)形狀形成陽極Ιο。進(jìn)而，如本體部Ia的上部右側(cè)部分的正剖視即圖4(a)所示，借由在與陰極相対的陽極14ο的底面上設(shè)置凹凸，可在陽極14ο上形成與芯球91的表面積相應(yīng)的面積。而且，當(dāng)欲進(jìn)ー步増加陽極的表面積時，也可如圖4(b)般構(gòu)成陽極部15ο。該陽極部15ο具有連接于直流電源電路的正極且由多個導(dǎo)電性粒子15y所構(gòu)成的陽極、以及經(jīng)由支持構(gòu)件而固定于密閉蓋IL并收納多個導(dǎo)電性粒子15y的大致圓環(huán)形狀的導(dǎo)電性粒子收納容器15x。較佳為，由樹脂等非導(dǎo)電性材料所構(gòu)成的呈網(wǎng)(mesh)狀的導(dǎo)電性粒子收納容器15x具有多個導(dǎo)電性粒子15y無法通過而電鍍液可流通的開ロ，且底面與未圖標(biāo)的陰極相対，并以不會妨礙所供給的電鍍液的流動的方式而配置于較電鍍液供給ロ If更上方。再者，導(dǎo)電性粒子收納容器15x也可由不銹鋼、鈦、經(jīng)鉬電鍍的鈦等的導(dǎo)電性材料所構(gòu)成。導(dǎo)電性粒子收納容器15x中收納的導(dǎo)電性粒子15y可根據(jù)欲對芯球電鍍的材料而適當(dāng)選擇，例如當(dāng)對芯球電鍍錫時，選擇由錫構(gòu)成的粒子。根據(jù)該形態(tài)的陽極部150，由于借由多個導(dǎo)電性粒子15y來構(gòu)成陽極，因此與上述平板狀的陽極的情況相比，可形成緊湊(compact)但具有大的表面積的陽極，進(jìn)而，借由調(diào)整各個導(dǎo)電性粒子15y的大小或收納的個數(shù)，可自如地調(diào)整陽極的表面積。在圖I中，符號Ii是配置于容器Ik的底面?zhèn)鹊恼駝訖C構(gòu)。作為本發(fā)明的電鍍裝置的較佳形態(tài)，所裝入的振動機構(gòu)Ii具體而言是以規(guī)定的頻率來對容器Ik施加振動的振動機構(gòu)，借由該振動，預(yù)防芯球91彼此的附著或芯球91與底面Ip的附著，并且將已附著的芯球91予以分離，以防止芯球91的凝聚。符號Is是配置于電鍍槽Ij的下方的磁力產(chǎn)生機構(gòu)。磁力產(chǎn)生機構(gòu)Is是在芯球91具有磁性的情況下或被覆于芯球91的電鍍層例如為Ni或Fe等而具有磁性的情況下有效的構(gòu)成要素，利用磁力來使芯球91或形成有電鍍層的芯球91吸引至下方，以接觸電鍍室Im的底面Ip(陰極In的上表面)并作回旋運動。再者，磁力產(chǎn)生機構(gòu)Is也可設(shè)置于電鍍槽Ij的下方外周。進(jìn)而，為了將球群9停留在回旋區(qū)域C之中而防止芯球91分散，磁力產(chǎn)生機構(gòu)Is較佳為由與該回旋范圍C對應(yīng)大小的大致圓環(huán)形狀的永久磁鐵等構(gòu)成。對上述電鍍裝置I的動作進(jìn)行說明。首先是準(zhǔn)備步驟。在準(zhǔn)備步驟中，打開密閉蓋1L，將規(guī)定數(shù)量的芯球91載置于電鍍室Im的底面Ip (陰極In的上表面)，將電鍍液L貯藏于電鍍液循環(huán)機構(gòu)Ib的電鍍液貯藏槽內(nèi)。再者，作為芯球91，也可使用經(jīng)酸洗處理而使表面得到潔凈化的芯球，還可使用視需要而在表面形成有鎳電鍍層作為基底層的芯球。而且，用于進(jìn)行焊錫電鍍的電鍍液例如可在具有Sn-Ag-Cu系的液組成的大和化成制的商品名“DAIN TINSIL SBB 2”或羅門哈斯(Rohm and Haas)制的商品名“S0LDER0N BP SAC5000”等中添加添加剤，并適當(dāng)調(diào)整為例如硼氟化浴等眾所周知的電鍍浴來使用。構(gòu)成球群9的粒子并不限定于芯球91，例如也可適量添加以焊錫或鋼為主體的導(dǎo)電性餳球(du_y ball)、以樹脂或陶瓷等為主體的非導(dǎo)電性餳球，以作為例如用于促進(jìn)球群9的攪拌的攪拌促進(jìn) 物。關(guān)閉密閉蓋IL而使電鍍室Im成為密閉空間之后，使電鍍裝置I動作。電鍍裝置I使電鍍液循環(huán)機構(gòu)Ib動作，以通過電鍍液供給管Ie而以規(guī)定的流量向電鍍室Im供給電鍍液し當(dāng)電鍍室Im被電鍍液L充滿吋，電鍍液L成為沿著電鍍室Im的周壁面Iq而回旋，并且沿著周壁面Iq的傾斜而朝向底面Ip呈螺旋狀流下的回旋流a。再者，在電鍍液L的供給的初期階段，由于電鍍液L的流動并不穩(wěn)定，因此芯球91有時會乘著不穩(wěn)定的電鍍液L的流動而流出至電鍍室Im之外。為了防止該芯球91的流出，較佳為可在準(zhǔn)備步驟中，使電鍍室Im預(yù)先充滿電鍍液L,隨后再向電鍍室Im供給電鍍液し而且,較佳為,在電鍍液L的供給的初期階段，可減小電鍍液L的流量，并逐漸増加至規(guī)定的流量。沿著呈朝向下方縮徑的圓錐臺形狀的電鍍室Im的周壁面Iq而在電鍍室Im內(nèi)回旋流下的電鍍液L隨著接近底面Ip而回旋速度増加，并到達(dá)底面lp。到達(dá)底面Ip的電鍍液L的回旋流a使接觸底面Ip的球群9按壓于該底面Ip并作回旋運動。此處，球群9中所含的芯球91接觸至底面lp，亦即接觸至與直流電源電路Ih的負(fù)極連接的陰極In的上表面，因此在陽極Io之間得到電鍍處理，從而在芯球91的表面形成電鍍層。并且，到達(dá)電鍍室Im的底面Ip的電鍍液L在底面Ip的中央部成為上升流b，通過電鍍液排出ロ Id而自電鍍液排出管Ic排出并返回電鍍液循環(huán)機構(gòu)Ib，因此始終有新鮮的電鍍液L被供給至電鍍室lm，從而可使電鍍室Im中的電鍍液L的狀態(tài)始終固定，其結(jié)果，可在芯球91的表面形成均勻的厚度的電鍍層。再者，較為理想的是，在電鍍室Im由電鍍液L充滿之后，通過電鍍液排出管Ic來抽吸電鍍液L，其原因在于，如此可使電鍍液L的回旋流得到進(jìn)ー步整流化，從而使得芯球91的回旋運動穩(wěn)定。接觸電鍍室Im的底面Ip并作回旋運動的芯球91在底面Ip上轉(zhuǎn)動，且芯球91以彼此摩擦的方式而碰撞，因此芯球91彼此難以附著，從而防止芯球91的凝聚，且借由轉(zhuǎn)動而使芯球91的表面接觸底面Ip的機會變得均等，因此可形成均勻的厚度的電鍍層。此處可推定在電鍍處理的過程中，電鍍層在直接地或經(jīng)由其它芯球91而間接地接觸陰極In時逐漸形成于芯球91的表面。因此，在電鍍處理的初期階段，成為僅在表面的一部分上形成有電鍍層的狀態(tài)。若芯球91的轉(zhuǎn)動不夠充分，則有時會如圖14(a)所示般形成突起的電鍍層m被覆于芯球91上的糖果狀的Cu芯球?？闪舷氲氖?，該電鍍層的突起的部分是以初期形成于芯球91的表面的一部分上的電鍍層為起點而選擇性地形成電鍍層的結(jié)果。然而，借由使芯球91充分轉(zhuǎn)動，使芯球91以彼此摩擦的方式而碰撞，可如圖14(b)所示般產(chǎn)生電鍍層表面的平滑化效果，即，利用轉(zhuǎn)動的其它芯球91b來對芯球91a的表面的一部分上所形成的電鍍層ml進(jìn)行摩擦而使其鋪開，以防止在表面的一部分上選擇性地形成電鍍層，從而可形成表面極為平滑且電鍍層內(nèi)部空隙(void)較少的均勻厚度的電鍍層。此種具有電鍍層且球度極高的Cu芯球在用作覆晶芯片(flip chip)用連接構(gòu)件時尤其適合。再者，當(dāng)使用圖I所示的芯球供給機構(gòu)Ig來將芯球91供給至電鍍室Im吋，芯球
91借由回旋流動的電鍍液L而進(jìn)行回旋運動，在離心カ的作用下被按壓于周壁面Iq井下降，并下降至電鍍室Im的底面lp，因此可持續(xù)穩(wěn)定的回旋運動。在上述狀態(tài)下，以規(guī)定時間對芯球91進(jìn)行電鍍處理，形成具有規(guī)定厚度的焊錫電鍍層的Cu芯球。就防止芯球91凝聚的觀點而言，有利的是適當(dāng)調(diào)整電鍍液循環(huán)機構(gòu)Ib的 電鍍液循環(huán)用泵或流量調(diào)整閥，使在電鍍處理中所供給的電鍍液L的流量或流速隨時間發(fā)生變化，或者經(jīng)由容器Ik而利用振動機構(gòu)Ii來對球群91施加振動。參閱圖5及圖6，對上述電鍍裝置I的更佳形態(tài)的電鍍裝置進(jìn)行說明。再者，在圖5及圖6中，對于與上述電鍍裝置I相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同符號，并省略詳細(xì)說明。圖5所示的電鍍裝置5呈如下狀態(tài)以成為貫穿密閉蓋IL的中央部而突出至電鍍室Im之中的狀態(tài)的方式配置電鍍液排出管5c，使電鍍液排出ロ 5d在軸芯方向上位于電鍍室Im的中間部，具體而言，使電鍍液排出ロ 5d位于較電鍍液供給ロ If更下方，進(jìn)而，使電鍍液排出管5c可如箭頭d所示般沿著軸心方向而移動。如圖5所示，當(dāng)在電鍍液排出管5c的外周面配置陽極5o時,較為理想的是配置成不會自電鍍液排出管5c的外周面而突出。根據(jù)該電鍍裝置5，電鍍液排出ロ 5d接近電鍍室Im的底面lp，因此電鍍液L的上升流b會在底面Ip的附近被排出，上升流b對回旋流a造成的影響得到抑制，可使芯球91在底面Ip上的回旋運動穩(wěn)定。進(jìn)而，在電鍍液L的供給的初期階段，縮短電鍍液排出管5c自密閉蓋IL的突出長度，直至電鍍室Im的回旋流a穩(wěn)定為止，在回旋流穩(wěn)定后，使電鍍液排出管5c向下方移動而加長自密閉蓋IL的突出長度并定位至規(guī)定位置,借此，自向電鍍室Im導(dǎo)入電鍍液L的電鍍處理前的階段直至電鍍處理完成為止，可防止芯球91流出至電鍍室Im之外。再者，在如后述的第2 第4形態(tài)的電鍍裝置般，具備對在電鍍室內(nèi)作回旋流動的電鍍液進(jìn)行整流化的構(gòu)成或向電鍍室供給芯球的構(gòu)成的電鍍裝置的情況下，電鍍液排出管5c也可不沿上下方向移動，而如圖所示般以在底面Ip的上方附近配置電鍍液排出ロ 5d的方式而固定于密閉蓋Iし圖6(a)所示的電鍍裝置為如下形態(tài)在電鍍室Im內(nèi)呈圓錐形狀形成有底面6p (陰極6n的上表面)，以使得在半徑方向上中心部相對于周緣部而較高。根據(jù)該形態(tài)的電鍍裝置，球群9在底面6p的高度較低的周緣部穩(wěn)定地進(jìn)行回旋運動，借此可提高底面6p上的球的濃度。再者，如該圖6(b)所示，在電鍍室Im內(nèi)形成具有圓柱狀突起7y的底面7p (陰極7n的上表面)，以使得在半徑方向上中央部相對于周緣部而較高，也可發(fā)揮同樣的作用效果，但此時較為理想的是，以不會妨礙電鍍液L的流動的方式而在突起7y的上部周緣形成錐(taper)面。
[第2實施形態(tài)]以下，根據(jù)圖7及圖8，對第2形態(tài)的電鍍裝置進(jìn)行說明。再者，在圖7及圖8中，對于與上述第I形態(tài)的電鍍裝置I及其較佳形態(tài)的電鍍裝置5等相同的構(gòu)成要素標(biāo)注相同符號，并省略詳細(xì)說明(以下對于第3 第6形態(tài)的電鍍裝置也相同)。如圖7(a)所示，第2形態(tài)的電鍍裝置8與第I形態(tài)的電鍍裝置I的不同之處在于在與第I形態(tài)同樣地形成的電鍍室Im中具有導(dǎo)引機構(gòu)8v。圖7(a)的導(dǎo)引機構(gòu)8v設(shè)置成將通過電鍍液供給ロ If而供給的電鍍液L朝向電鍍室Im的底面Ip予以導(dǎo)引。亦即，導(dǎo)引機構(gòu)8v是由形成有螺旋的非導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)引板8w，該螺旋是在順著沿電鍍室Im的周壁面Iq而回旋并朝向底面Ip流下的電鍍液L的流線a的方向上延伸。上部8x配置于電鍍液供給ロ If的下方且下部8y與電鍍室Im的底面Ip隔開規(guī)定的間隙而配置的導(dǎo)引板8w，在中央卷繞縱向貫穿密閉蓋IL的電鍍液排出管5c且其外周面密接于周壁面lq。再者，為了使電鍍液L順暢地自電鍍室Im排出，導(dǎo)引機構(gòu) Sx的下端較佳為位于電鍍液排出ロ更上方。根據(jù)該導(dǎo)引板8w，自電鍍液供給ロ If所供給的電鍍液L在借由導(dǎo)引板8w、電鍍液排出管5c的外周面及電鍍室Im的周壁面Iq而劃分的螺旋狀的流通通路8z之中，如虛線a所示般自上方朝向下方而流動，并被導(dǎo)引至電鍍室Im的底面Ip。此處，導(dǎo)引板Sw沿著自電鍍液供給ロ If所供給并回旋流下的電鍍液L的流線a而形成螺旋狀，且流通通路8z形成為一條被密閉的通路，因此，不會因自電鍍液供給ロ If所供給的電鍍液L或流動的電鍍液L的相互干涉而使回旋流下的電鍍液L產(chǎn)生紊流，而經(jīng)整流化的電鍍液L將到達(dá)底面Ip。進(jìn)而，如圖中以符號b2所示，即使由于自電鍍液排出管5c排出而作為上升流朝向電鍍液排出ロ的電鍍液L的流動b的一部分存在于電鍍液排出管5c之外吋，其流動也會被導(dǎo)引板8w的下部8y所阻擋，因此不會擾亂回旋流下的電鍍液L的流動a。其結(jié)果，球群在底面Ip上的回旋運動穩(wěn)定，從而可形成具有均勻的電鍍層的Cu芯球。再者，也可如電鍍裝置8的變形例即圖7(b)所示的電鍍裝置16般，借由電鍍液L在周壁面Iq上回旋的形態(tài)，導(dǎo)引板16w在半徑方向，以在電鍍液排出管5c的外周面之間形成固定的間隙16z的方式而構(gòu)成，并配置于電鍍室Im內(nèi)。然而，為了把電鍍液L的回旋流a平順地引導(dǎo)至底面Ip的導(dǎo)引板16w的功能發(fā)揮，期望的是，以回旋流a不會從間隙16z漏出的方式，不隨意使間隙16z的寬度變大，且流通電鍍液L的通路要構(gòu)成盡可能的密閉。圖8所示的電鍍裝置10是第2形態(tài)的電鍍裝置的另一例，作為導(dǎo)引機構(gòu)10v，具有導(dǎo)引體10w。具有底面IOz且由大致圓錐臺形狀的非導(dǎo)電性材料構(gòu)成的導(dǎo)引體IOw具有沿著朝向底面Ip縮徑的大致圓錐形狀的電鍍室Im的周壁面Iq的外周面10x。上部接合于密閉蓋IL的導(dǎo)引體IOw在中央部具有固定于密閉蓋IL且縱向延伸的電鍍液排出管5c，且外周面IOx包圍著該電鍍液排出管5c。并且，導(dǎo)引體IOw在水平方向上，以其外周面IOx隔著固定尺寸g的間隙IOy而與電鍍室Im的周壁面Iq相對的方式配置于電鍍室Im之中。而且，在縱向上，由于設(shè)置球群9可在電鍍室Im的底面Ip上進(jìn)行回旋運動的區(qū)域，因此，導(dǎo)引體IOw的底面IOz以相對于電鍍室Im的底面Ip而具有規(guī)定間隙的方式而配置。再者，本形態(tài)的電鍍裝置10中，以錫為主體而構(gòu)成的陽極IOo被設(shè)于導(dǎo)引體IOw的底面IOz上。借由將作為上述導(dǎo)引機構(gòu)的導(dǎo)引體IOw配置于電鍍室Im的中央部，可發(fā)揮與上述導(dǎo)引板8w同樣的作用。亦即，自電鍍液供給ロ If所供給的電鍍液L在由導(dǎo)引體IOw的外周面IOx與電鍍室Im的周壁面Iq所形成的間隙IOy內(nèi)，如虛線a所示般自上方朝向下方而回旋流下，并被導(dǎo)引至電鍍室Im的底面lp?；匦飨碌碾婂円篖由于是在由導(dǎo)引體IOw的外周面IOx與電鍍室Im的周壁面Iq所圍成的相對較窄的間隙IOy之中流動，因此不會因自電鍍液供給ロ If所供給的電鍍液L或流動的電鍍液L的相互干涉而使回旋流下的電鍍液L產(chǎn)生紊流，而經(jīng)整流化的電鍍液L將到達(dá)底面lp。進(jìn)而，如圖示b2所示，即使由于自電鍍液排出管5c排出而作為上升流朝向電鍍液排出ロ 5d的電鍍液L的流動b的一部分存在于電鍍液排出管5c之外時，其流動也會被導(dǎo)引體IOw的底面IOz所阻擋，因此不會擾亂回旋流下的電鍍液L的流動a。其結(jié)果，球群在底面Ip上的回旋運動穩(wěn)定，從而可形成具有均勻的電鍍層的Cu芯球。再者，也可將上述導(dǎo)引板8w裝入上述導(dǎo)引體IOw與周壁面Iq的間隙IOy內(nèi)。而且，可將參閱圖4(b)所說明的陽極部裝入具有上述導(dǎo)引體的電鍍裝置內(nèi)。亦即，如圖8(b)的電鍍裝置21所示，由網(wǎng)狀的非導(dǎo)電性材料所構(gòu)成的導(dǎo)引體21w兼作陽極部的導(dǎo)電性粒子收納容器，在其內(nèi)部收納構(gòu)成陽極的多個導(dǎo)電性粒子21ο，且具有多個導(dǎo)電性粒子21ο無法通過而電鍍液可稍許流通的微小開ロ。再者，導(dǎo)引體21w上所設(shè)的開ロ小于 導(dǎo)電性粒子21ο的大小而極小，因而電鍍液貫流時的阻力較大，因此電鍍液的上升流將在保持流速的狀態(tài)下通過導(dǎo)引體21w，而不會擾亂電鍍液的回旋流。[第3實施形態(tài)]以下，根據(jù)圖9說明第3形態(tài)的電鍍裝置及其變形例。第3形態(tài)的電鍍裝置與第I形態(tài)的電鍍裝置I的不同之處在于，在與第I形態(tài)同樣地形成的電鍍室Im中具有整流機構(gòu)。以下，對整流機構(gòu)的各種形態(tài)進(jìn)行說明。圖9 (a)的整流機構(gòu)17v是由非導(dǎo)電性材料構(gòu)成的板狀構(gòu)件17w，該板狀構(gòu)件17w將自電鍍液供給ロ If所供給并沿著電鍍室Im的周壁面Iq而回旋并流下的電鍍液L的流動整理成固定的方向而進(jìn)行整流。形成有在順著沿電鍍室Im的周壁面Iq而回旋流下的電鍍液L的流線的方向上延伸的螺旋的板狀構(gòu)件17w，其上部17x配置于電鍍液供給ロ If的下方，且下部17y與電鍍室Im的底面Ip隔開規(guī)定的間隙而以外周面密接于周壁面Iq的方式而配置。根據(jù)該板狀構(gòu)件17w，以沿著電鍍室Im的周壁面Ip而回旋的方式自電鍍液供給ロ If所供給的電鍍液L，其回旋流下的流動借由板狀構(gòu)件17w而得到整流并被穩(wěn)定地維持而到達(dá)底面lp，使接觸電鍍室Im的底面Ip的球群按壓至該底面Ip并作回旋運動。且，為了將對沿著周壁面Iq的電鍍液L的旋回流進(jìn)行整流的整流構(gòu)件17w發(fā)揮功能，需使旋回流下的電鍍液L的流動不受到整流構(gòu)件17w妨礙的方式來配置整流構(gòu)件17w。也就是說，期望的是如圖所示，整流構(gòu)件17w與電鍍液排出管5c，在半徑方向兩者之間是配置成形成有充分的間隙。再者，也可如上述整流機構(gòu)17v的變形例即圖9 (b)所示，隔著間隙部18t而將多個葉片(fin)狀的板狀構(gòu)件18q、18r、18s與上述板狀構(gòu)件17w同樣地沿著電鍍液L的回旋流的流線而呈螺旋狀配置成一列，以構(gòu)成整流機構(gòu)18v。而且，也可如圖9(c)所示般構(gòu)成整流機構(gòu)19v，即將多個板狀構(gòu)件19q 19r沿著電鍍液L的回旋流的流線而呈螺旋狀配置成一列，并且，在板狀構(gòu)件19q 19r的下方，以填埋板狀構(gòu)件19q 19r彼此的間隙部19u的方式而將板狀構(gòu)件19s 19t呈鋸齒狀配置成一列,借此具有二列板狀構(gòu)件。[第4實施形態(tài)]
以下，根據(jù)圖10 圖12來說明第4形態(tài)的電鍍裝置及其變形例。第4形態(tài)的電鍍裝置與第I形態(tài)的電鍍裝置的不同之處在于，具有向電鍍室供給球群的供給機構(gòu)及回收該球群的回收機構(gòu)。以下，以供給機構(gòu)及回收機構(gòu)為中心來說明第4形態(tài)的電鍍裝置。再者，供給機構(gòu)與回收機構(gòu)也可各自單獨地裝入電鍍裝置。首先，對供給機構(gòu)進(jìn)行說明。如圖10(a)的正面剖面圖以及自該圖10(a)的容器Ik拆除密閉蓋IL后的狀態(tài)的平面圖即圖10(b)所示，本形態(tài)的供給機構(gòu)Ilq具有收納應(yīng)供給至電鍍室Im的多個芯球92的收納部llr、以及各自的一端連接于收納部Ilr而另一端連接于電鍍槽Ij的電鍍液流入管Ilu及球供給管llv。再者，在圖10(a)中，A-A線之上是觀察圖10(b)所示的電鍍槽11的中心線E上側(cè)的B箭頭圖，A-A線之下是觀察中心線E下側(cè)的C箭頭圖。、
收納部Ilr由可收納多個芯球92的容器Ils以及閉塞容器Ils的上部開ロ的蓋Ilt所構(gòu)成，借由開閉蓋lit，將芯球92供給至容器11s。在該收納部Ilr的側(cè)壁上，經(jīng)由閥(valve) Ilw而連接有電鍍液流入管Ilu的一端,進(jìn)而，電鍍液流入管Ilu的另一端以其開ロ(電鍍液流入ロ)Ily向電鍍室Im開ロ的方式而連接于電鍍槽lj。此處，電鍍液流入管Ilu被配置成，其軸心位于與電鍍液供給管Ie為大致同一在線，亦即在電鍍槽Ij的上部且沿著電鍍室Im的周壁面Iq的切線方向，其電鍍液流入ロ Ily迎入回旋的電鍍液的流動
a。借此，平面觀察吋，電鍍液流入ロ Ily與電鍍液供給ロ If成為隔著電鍍室Im的中心線F而相對的狀態(tài)，因此，如圖示虛線a所示般自電鍍液供給ロ If以沿著周壁面Iq而回旋的方式所供給的電鍍液通過電鍍液流入ロ Ily而流入電鍍液流入管llu。在收納部Ilr的底部，連接有球供給管Ilv的一端，球供給管Ilv的另一端以其開ロ(球供給ロ)Ilz向電鍍室Im的底部開ロ的方式而連接于電鍍槽lj。此處，如圖10(b)所示，球供給管Ilv被配置成，平面觀察時，在隔著電鍍室Im的中心線E而與電鍍液流入管Ilu相反的位置上，其軸心沿著電鍍室Im的切線方向，其球供給ロ Ilz沿著回旋的電鍍液的流動a。借此，可順暢地乘著自電鍍液供給ロ If所供給并沿著周壁面Iq而流下且在底面Ip上回旋流動的電鍍液的流動a來供給芯球92。再者，圖中，符號Ilx是用于將欲供給的芯球92保持于收納部Ilr中的間隔閥。該間隔閥Ilx是為了將芯球92自動供給至電鍍室Im而設(shè)的較佳構(gòu)成，在手動供給芯球時未必需要該間隔閥llx。其次，對包含電鍍處理后的芯球91的球群9的回收機構(gòu)Ila進(jìn)行說明。本形態(tài)的陰極Iln作為回收機構(gòu)Ila的構(gòu)成要素的一部分，可滑動地嵌合于容器Ik的下部所形成的圓筒狀部IlL的內(nèi)面，在呈圓板狀的其外周面，設(shè)有用于防止電鍍液漏出的未圖示的O型環(huán)(ring)。并且，在圓筒狀部IlL的內(nèi)面，開設(shè)有將包含形成有電鍍層的芯球的球群予以回收的球回收管Ilb的一端的開ロ(球回收ロ)11c，球回收管Ilb的另一端連接于回收容器lie。再者，如圖10(b)所示，球回收管Ilb被配置成，平面觀察時，在隔著電鍍室Im的中心線F而與上述球供給管Ilv相反的位置上，其軸心沿著電鍍室Im的切線方向，其球回收ロIlc迎入回旋的電鍍液的流動a。此處，陰極Iln借由氣缸(air cylinder)等上下驅(qū)動部lid,沿著符號h所示的上下方向而在圓筒狀部IlL中進(jìn)行移動，在上升端的位置，其上表面Ilp(也成為電鍍室Im的底面)接觸電鍍室Im的周壁面Iq的下端緣，并且利用其外周面來關(guān)閉球回收ロ 11c，而在下方端的位置打開球回收ロ 11c。再者，本形態(tài)的電鍍裝置11中，如同閥一般使用陰極11η，借由使陰極Iln上下移動而開閉球回收ロ 11c，但也可如第I形態(tài)的電鍍裝置I般將回收機構(gòu)設(shè)置成將陰極固定于電鍍室的底部，并經(jīng)由閥來將球回收管連接于電鍍槽，并且使球回收ロ直接向電鍍室開ロ，從而借由閥的開閉來回收芯球。此時，較佳為以不會妨礙在電鍍室的底面上回旋的芯球的運動的方式，而將球回收ロ配置于電鍍室的底面更上方。參閱圖11，對包含上述供給機構(gòu)Ilq及回收機構(gòu)Ila的電鍍裝置11的動作進(jìn)行說明。打開圖11(a)所示的收納部Ilr的蓋lit，將規(guī)定數(shù)量的芯球92供給至容器11s，隨后關(guān)閉蓋lit。此時，閥Ilw及間隔閥Ilx為關(guān)閉狀態(tài)。而且，借由上下驅(qū)動部Ild而上升的陰極Iln處于上升端的位置，球回收ロ Ilc成為關(guān)閉狀態(tài)。繼而，使電鍍裝置11動作而自電鍍液供給ロ If供給電鍍液し當(dāng)經(jīng)過固定時間后電鍍室Im被電鍍液L充滿吋，如圖11 (a)所示，電鍍液L成為 沿著電鍍室Im的周壁面Iq而回旋，并且沿著周壁面Iq的傾斜而朝向底面IlP呈螺旋狀流下的穩(wěn)定的回旋流a。在供給電鍍液L并經(jīng)過固定時間而電鍍室Im內(nèi)的電鍍液L的流動狀態(tài)穩(wěn)定后，電鍍裝置11打開閥llw，使圖11 (b)中如箭頭e般回旋流動的電鍍液L的一部分自電鍍液流入管Ilu通過電鍍液流入ロ Ily而流入收納部llr，并且打開間隔閥llx。于是，收納部Ilr中收納的芯球92借由流入的電鍍液L而自收納部Ilr被擠出，與電鍍液L 一同在球供給管Ilv的管路中流動，并如箭頭f般自球供給ロ Ilz排出而供給至電鍍室lm。電鍍裝置11在所有芯球92被供給至電鍍室Im之后，關(guān)閉閥Ilw及間隔閥llx。此處，球供給管Ilv是如上所述般配置著，因此自球供給ロ Ilz所供給的芯球92將乘著電鍍液L的回旋流a，隨后在電鍍室Im的底面Ilp上順暢地回旋運動并得到電鍍處理。如此，在將電鍍液L供給至電鍍室Im后經(jīng)過固定時間，而電鍍室內(nèi)的電鍍液的回旋流動穩(wěn)定化之后，將芯球92供給至電鍍室lm，因此芯球91自電鍍室Im流出的情況較少，能夠以較高的良率來對芯球91進(jìn)行電鍍。再者，當(dāng)手動供給芯球92時，不在球供給管Ilv的路徑中設(shè)置間隔閥llx，在電鍍液L的流動狀態(tài)穩(wěn)定化之后，打開閥llw，利用電鍍液流入管llu、收納部Ilr及球供給管Ilv的路徑而使電鍍液L流通之后，再將規(guī)定數(shù)量的芯球92供給至收納部Ilr即可。繼而，如圖11(c)所示，當(dāng)電鍍裝置11借由上下驅(qū)動部I Id而使陰極I In下降至下降端為止并打開球回收ロ Ilc時,包含形成有電鍍層的芯球91的球群9通過球回收ロ Ilc而如箭頭i所示般流入球回收管11b，隨后被回收至回收容器lie內(nèi)。再者，若在電鍍液排出管5c內(nèi)設(shè)置閥，并與陰極Iln的下降一同收緊該閥，則電鍍液L的多數(shù)部分將通過球回收管Ilb而排出，因此可更順暢地回收球群9。圖12所示的電鍍裝置12是第4形態(tài)的電鍍裝置的另一例，具有在電鍍液供給管Ie的路徑上所設(shè)的供給機構(gòu)12q。亦即，呈如下構(gòu)成供給機構(gòu)12q的電鍍液流入管Ilu的一端連接于電鍍液供給管Ie的上游側(cè)，球供給管Ilv的一端連接于電鍍液供給管Ie的下游側(cè)，所述管的另一端經(jīng)由閥Ilw及間隔閥Ilx而連接于收納部llr。根據(jù)該供給機構(gòu)12q，當(dāng)在電鍍液L在電鍍室Im內(nèi)的流動狀態(tài)穩(wěn)定后打開閥Ilw及間隔閥Ilx時，在電鍍液供給管Ie內(nèi)流動的電鍍液L的一部分通過電鍍液流入管Ilu而流入收納部llr。于是,收納部Ilr中收納的芯球92借由流入的電鍍液L而被擠出，通過球供給管Ilv而流入電鍍液供給管le，并與電鍍液L 一同自電鍍液供給ロ If供給至電鍍室lm。再者，為了在供給機構(gòu)12q中使電鍍液順暢地流通，較為理想的是，加粗電鍍液流入管Ilu所連接的電鍍液供給管Ie的上游側(cè)的內(nèi)徑，并使球供給管Ilv所連接的下游側(cè)的內(nèi)徑細(xì)于上游側(cè)。進(jìn)而，為了使芯球
92不會滯留于供給機構(gòu)12q中而流入電鍍液供給管le，較為理想的是使收納部Ilr的底面與電鍍液流入管Ilu及球供給管Ilv的底面之間不存在段差。[第5實施形態(tài)]以下，參閱圖13來說明第5形態(tài)的電鍍裝置。再者，圖13(a)是表示第5形態(tài)的一例的電鍍裝置的概略構(gòu)成的正面剖面圖，圖13(b)是圖13(a)的D箭頭圖，圖13(c)是表示第5形態(tài)的電鍍裝置的另一例的概略構(gòu)成的正面剖面圖，圖13(d)是圖13(c)的E箭頭圖。上述第I 第4形態(tài)的電鍍裝置中，對具有電鍍室、電鍍液供給管及沿著電鍍室的軸心而配置的電鍍液排出管的各構(gòu)成要素的電鍍裝置進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不限定于所述理想形態(tài)，第5形態(tài)的電鍍裝置也可實現(xiàn)，上述電鍍室具備圓形狀的底面作為芯球可接觸并轉(zhuǎn)繞的電鍍室的底面以及以朝向底面而縮徑的方式立設(shè)于底面周緣的大致圓錐臺形 狀的周壁面，上述電鍍液供給管將軸心水平配置成，電鍍液供給ロ沿著剖面圓形狀的電鍍室的切線方向而開ロ。第5形態(tài)的一例的電鍍裝置13如圖13(b)所示，具有大致橢圓形狀的底面13p作為芯球91可轉(zhuǎn)繞的底面，且以立設(shè)于底面13p的周緣的周壁面13q在縱向上呈同一剖面，亦即呈直管狀的方式而形成著電鍍室13m。進(jìn)而，向電鍍室13m供給電鍍液L的電鍍液供給管13e為了產(chǎn)生沿著周壁面13q而回旋流下的電鍍液L的流動，而以其軸心朝向下方的狀態(tài)連接于電鍍槽lj。再者，較佳為，經(jīng)由可自如地設(shè)定對周壁面13q的安裝角度的接頭等來將電鍍液供給管13e連接于電鍍槽lj，其原因在于，如此便可根據(jù)欲進(jìn)行電鍍處理的芯球的大小及數(shù)量等來適當(dāng)設(shè)定電鍍液L回旋流下的角度。而且，為了使電鍍液L的上升流b順暢地自電鍍室13m排出，自電鍍室13m排出電鍍液L的電鍍液排出管Ic較佳為與第I形態(tài)的電鍍裝置I同樣地設(shè)于密閉蓋IL的中央部，但電鍍液排出管的配置并不限定于此，也可如圖示虛線所示的電鍍液排出管13c般，設(shè)于密閉蓋IL的外周而使自電鍍室13m溢出(overflow)的電鍍液L予以排出。對上述電鍍裝置13的動作進(jìn)行說明。將球群9載置于電鍍室13m的底面13p上，隨后關(guān)閉密閉蓋IL而使電鍍室13m成為密閉空間，并使電鍍裝置13動作。電鍍裝置13通過電鍍液供給管13e向電鍍室13m供給電鍍液し當(dāng)電鍍室13m被電鍍液L充滿時，自以上述方式配置的電鍍液供給管13e所供給的電鍍液L成為沿著電鍍室13m的周壁面13q而呈螺旋狀回旋流下的回旋流a?；匦飨虏⒌竭_(dá)底面13p的電鍍液L使接觸底面13p的球群9按壓至該底面13p并作回旋運動，使芯球91的表面形成電鍍層。與上述第I形態(tài)的電鍍裝置I同樣地，接觸電鍍室13m的底面13p并作回旋運動的芯球91在底面13p上轉(zhuǎn)動，因此芯球91彼此難以附著，從而防止芯球91的凝聚，且借由轉(zhuǎn)動而使芯球91的表面接觸底面13p的機會變得均等，因此可形成均勻的厚度的電鍍層。由于供給至電鍍室13m的電鍍液L自電鍍液排出管Ic被排出，因此始終有新鮮的電鍍液L被供給至電鍍室13m，從而可形成均勻的厚度的電鍍層。圖13 (C)、圖13(d)所示的第5形態(tài)的另一例的電鍍裝置20具有電鍍室20m，且以 電鍍室20m的剖面在縱向上相同的方式形成電鍍室20m，該電鍍室20m具有圓環(huán)狀的底面20p作為芯球91可轉(zhuǎn)繞的底面、沿著底面20p的外周緣而立設(shè)的外周壁面20q、以及沿著內(nèi)周緣而立設(shè)的內(nèi)周壁面20x。在該電鍍裝置20中，基本上也以與上述電鍍裝置13同樣的動作而于芯球91上形成電鍍層，但構(gòu)成底面20p的陰極20η自身形成為圓環(huán)狀，因此可發(fā)揮與參閱圖2(b)、圖2(c)所說明的陰極構(gòu)造同樣地提高電鍍效率的作用效果。[第6實施形態(tài)]以下，根據(jù)圖15 圖16來說明第6形態(tài)的電鍍裝置及其變形例。如圖15 圖16所示，在第6形態(tài)的電鍍裝置23-26中，參閱圖2(b)、圖2(c)所說明的具有第2陰極2χ的陰極2η是配置在容器Ik的底部。與第I形態(tài)的電鍍裝置的不同之處在干，陽極230-260是對與此周壁面Iq構(gòu)成同一面的第2陰極2 χ的內(nèi)周面2ζ (芯球91所接觸的接觸面)呈一定的間隙c的方式配置在外周面(表面)23ν-26ν。以下，按照電鍍裝置23-26的順序來說明陽極23ο-26ο的構(gòu)造。如圖15(a)的電鍍裝置23所示，以錫為主體形成的陽極23ο，是以豎起軸芯的姿勢從容器Ik的底面Ip的方向，構(gòu)成可插入電鍍液排出ロ Id的大小的略圓柱形狀。陽極23ο的直徑，是小到不會阻礙從電鍍液排出管Ic而來的電鍍液的程度，且比電鍍液排出ロ Id的直徑還要充份地小。圖中符號23t是定位陽極23ο的上下方向的位置，且同時供電給陽極23ο的給電電扱。由具有略平坦上面23x的略圖柱狀的鈦所形成的給電用電極23t是嵌入到配置在容器Ik的底面中央部的裝著構(gòu)件23s的中央，并連接到未圖標(biāo)的直流電源電路的正扱。且嵌入了給電用電極23t的裝著構(gòu)件23s，是由與連接到負(fù)極的陰極2n、及給電電極23t呈絕緣的樹脂等的非導(dǎo)電材料所構(gòu)成，在其上面，與第I陰極2y的上面位于同一平面上的方式固定在容器Ik的底面。在此，陽極23ο是呈軸芯豎立的狀態(tài)，其底面23w則是在與比容器Ik的底面Ip僅只高出距離d而配置的給電用電極23t的上面23x連接的狀態(tài)下配置著。借由這樣的配置方式，可以把上下方向中的陽極23ο予以定位，且陽極23ο的下部的外周面23v則呈與第2陰極2x的內(nèi)周面2z接近且對向的狀態(tài)。再者，陽極23ο雖不需配置在比容器Ik的底面Ip只僅高出距離d，然而較佳的是，當(dāng)?shù)贗陰極2y與陽極23ο接近的場合仍可抑制過度的電流流過兩者之間，如此則可謀求各球上所形成的電鍍層的品質(zhì)均一化。圖15(a)中的符號23r是保持構(gòu)件，在水平面中把陽極23ο定位在電鍍室Im的中央，且具有多個開ロ，不讓芯球91通過但能夠讓電鍍液流通。作為浸透膜的保持構(gòu)件23r，是由樹脂等非導(dǎo)電材料構(gòu)成不讓芯球91通過網(wǎng)眼的網(wǎng)狀。具有讓陽極23ο在軸方向可插通的貫通孔的略圓筒狀的保持構(gòu)件23r的大小是，以軸芯豎立的姿勢可從容器Ik的底面Ip的方向插入電鍍液排出ロ Id的大小，且其徑是不妨礙電鍍液從電鍍液排出管Ic的排出且又比電鍍液排出ロ Id的直徑更充份地小。再者，保持構(gòu)件23r是以其軸芯在水平面內(nèi)與電鍍室Im的軸心約略一致的方式，其上部插入到電鍍液排出ロ Id中的狀態(tài)下被配置，由配置在電鍍液排出ロ Id的內(nèi)部的支持構(gòu)件23u所支持。這個保持構(gòu)件23r的底部，被嵌入到在裝著構(gòu)件23s的上面以圍住的給電用電極23t的方式所形成的圓環(huán)溝，且對于在底面23p旋回的電鍍液的流動呈不動的方式被固定著。把陽極23ο以軸方向插入這樣配置的保持構(gòu)件23u的貫通孔，借此，固定陽極23ο的水平面的位置。結(jié)果是，利用上述給電用電極23t定位上下方向的位置，并在靠近配置的陽極23ο的外周面23v與第I陰極2x的內(nèi)周面2z之間沿全周形成一定的間隙C，使流過兩面之間的電流的密度呈均一。且，本形態(tài)的保持構(gòu)件23r，從電鍍液的液流a、b呈固定強度的觀念看來，雖利用電鍍液排出ロ Id所設(shè)的支持構(gòu)件23u及裝著構(gòu)件23s使上下固定，但若保持構(gòu)件23r的底部僅固定就能夠使強度充份的場合，也可以省略支持構(gòu)件23u，而僅以裝著構(gòu)件23s來固定保持構(gòu)件23r的底部。在此，保持構(gòu)件23r具有不讓芯球91通過但可讓電鍍液流通的浸透膜的功能，利用電鍍液于底面Ip進(jìn)行旋回運動的芯球91就算接近陽極23ο也可防止它接觸到陽極230。然而，只利用如圖6所說明的底面6ρ或7ρ的周緣部來限定球群9的旋回運動的電鍍裝置中，如果當(dāng)旋回運動的芯球91接觸到陽極的可能性低的場合，保持構(gòu)件23r就不是必要的。在此場合，水平面內(nèi)的陽極23ο的定位用的陽極23ο的底部也可以固定在容器lk。再，如圖15(b)的電鍍裝置24所示，陽極24ο的外周面24ν，期望的是與第2陰極2χ的內(nèi)周面2ζ在同一角度下構(gòu)成縮徑至下方的圓錐狀。以此方式，兩面之間的間隙c在上下方向呈一定，所以電流密度在面全體都是均一的。具有上述構(gòu)成的陽極結(jié)構(gòu)的第6實施形態(tài)的電鍍裝置23的動作，基本上與上述第I-第5實施形態(tài)相同因而省略。依照本電鍍裝置23，不會防礙電鍍液L的流動a、b，且可 使陽極23ο與陰極2η之間的電阻下降，且可抑制電鍍液L的液溫的上升或劣化，因而可形成空隙(void)等的缺陷少的良質(zhì)電鍍層。也就是說，為了使陽極與陰極之間的電阻下降，需使陽極與陰極的各作用面對向，同時把兩作用面盡可能地接近配置。在此，參閱圖I所說明的電鍍裝置I的場合，當(dāng)為了使陽極Io與陰極In接近，而相對于容器Ik的底部所配置的陰極In把陽極Io的位置配置在下方時，在電鍍室Im的周壁面Iq旋回流下的電鍍液的流動a便有可能受到陽極Io的阻礙。再參閱圖5說明的電鍍裝置5的場合，當(dāng)為了使電鍍液排出管5c的先端外周面所配置的陽極5ο與陰極In相接近，而以電鍍液排出ロ 5d接近底面Ip的方式，使電鍍液排出管5c往更下方伸出時，在電鍍室Im的底面Ip之上進(jìn)行旋回運動的芯球91有可能會隨著朝向電鍍液排出管5c的電鍍液的上升流b從電鍍室Im被排出。這些問題，雖可利用陽極lo、5o及陰極In的形狀或配置位置等的最佳化來獲得解決，但是仍需要視欲處理的芯球的規(guī)格(尺寸、質(zhì)量)或處理量等的其它條件而作各別的最佳化。另一方，依照圖15的第6實施形態(tài)的電鍍裝置，相對于以形成與容器Ik的周壁面Iq同一的內(nèi)周面2z的方式配置在容器Ik的基端部的第2陰極2x，如上述方式配置陽極230，并使陽極23ο的外周面23ν與第2陰極2χ的內(nèi)周面2ζ對向，在兩面之間形成間隙，所以不會妨礙沿著周壁面Iq旋回流下的電鍍液L的液流a。又陽極23ο，沿著朝向電鍍液排出管Ic上升的電鍍液L的液流b軸芯是呈豎立配置，所以不會阻礙該上升液流b，使電鍍室Im中的電鍍液L 一邊循環(huán)，ー邊在底面Ip之上讓芯球91旋回運動，可以平順地進(jìn)行電鍍處理。第6實施形態(tài)的電鍍裝置，在不會阻礙電鍍液的流動的狀態(tài)下，使陽極23ο與陰極2η呈接近的構(gòu)造，所以可使兩者間的電阻下降，因而可形成非常良質(zhì)的電鍍層。關(guān)于上述電鍍裝置23的變形例將參閱圖16來說明。圖16(a)的電鍍裝置25與上述的電鍍裝置23的不同點在于，具有陽極250，此陽極25ο是以先端部朝下的姿勢在電鍍液排出管Ic內(nèi)從上方延伸的略圓柱狀，此先端部具有應(yīng)該與第2陰極2χ的內(nèi)周面2ζ呈一定間隙c相対的外周面25ν。此外，不同點在干，電鍍裝置25還具有未圖標(biāo)的供給裝置，此供給裝置會追蹤陽極25ο的外周面25ν隨時間經(jīng)過的均一消耗量，而把陽極25ο往下方(箭頭e)運送，此消耗是因隨著電鍍處理的進(jìn)行，構(gòu)成陽極25ο的餳被吸入到電鍍液L所產(chǎn)生的。且，在陽極25ο的外周面25v，與參閱圖15(b)所說明的陽極24ο的外周面24v同樣的，是與第2陰極2x的內(nèi)周面2z在同一角度下往下方縮徑的圓錐狀。陽極25ο是以具有外周面25v的先端部在軸方向往保持構(gòu)件23r的貫通孔插入，以此方式在水平方向被定位，且追蹤在電鍍處理過程中外周面25v隨著時間經(jīng)過而被均一消耗的量，維持著其先端與容器Ik的底面Ip之間的距離d的方式，使兩者不會沖突的狀態(tài)，由供給裝置進(jìn)行控制，以定位上下方向的位置。這樣構(gòu)成的電鍍裝置25，特別適于處理多量的芯球91、形成厚鍍層而處理時間長且無法忽略陽極25ο的消耗的場合等。圖16(b)的電鍍裝置26與上述的電鍍裝置23的不同點在于，電鍍液排出管Ic的下方配置的略圓環(huán)形的陽極260、包覆該陽極26ο表面所形成的保持構(gòu)件26r、支撐著從電鍍液排出管Ic的下端面伸出的保持構(gòu)件26r的支持構(gòu)件26u。在此，將其軸芯與電鍍室Im的軸芯對準(zhǔn)配置的陽極26ο的外周面26ν,為與第2陰極2χ的內(nèi)周面2ζ同一角度下縮徑到下方的略圓錐形，當(dāng)該外周面26ν對向于第2陰極2χ的內(nèi)周面2ζ,以此方式由上下方向被定位的支持構(gòu)件26u所支撐。借此，與上述陽極230-250同樣地，陽極26ο的外周面26ν與第2陰極2χ的內(nèi)周面2ζ之間形成一定的間隙C。且因為陽極26ο呈圓環(huán)形，朝向電鍍液排出口 Id上升的電鍍液的液流也不會被妨礙。依照本實施形態(tài)的陽極26ο，與在電鍍液排出ロ Id中配置著陽極230-250的上述電鍍裝置23-25相比，陽極配置的自由度高，且可使陽極26ο更接近陰極2η，適于為處理多個芯球91而具有大容量電鍍室Im的電鍍裝置。[實施例]在第I形態(tài)的電鍍裝置I中，投入50萬個直徑50 μ m的芯球，以厚度20 μ m作為目標(biāo)值，借由上述說明的方法，以規(guī)定的條件來進(jìn)行電鍍處理，獲得形成有Sn-Ag-Cu系的電鍍層的Cu芯球。自50萬個芯球及Cu芯球中抽選600個標(biāo)本，將測定出的直徑及圓度的分布示于圖17。而且，將利用第I形態(tài)的電鍍裝置I來進(jìn)行電鍍時的Cu芯球及利用先行技術(shù)文獻(xiàn)I的電鍍裝置來進(jìn)行電鍍時的Cu芯球的外觀照片及剖面照片示于圖18。如圖17所示，相對于芯球直徑的平均值50. 4μπι，Cu芯球直徑的平均值為大致90 μ m，形成有目標(biāo)值即20 μ m厚度的電鍍層。而且，Cu芯球的圓度為O. 9965，形成了具有超過基材粒子即芯球的圓度O. 9960的高圓度的Cu芯球。除此以外，Cu芯球的直徑及圓度的標(biāo)準(zhǔn)偏差分別為I. 776,0. 0018，低于芯球的2. 108,0. 0075，可獲得直徑及圓度的偏差較少的Cu芯球。如圖18(a)、圖18(b)所示，利用第I形態(tài)的電鍍裝置I而形成有電鍍層的Cu芯球的表面非常光滑而得到平滑化，且在芯球的表面均勻地形成有電鍍層，進(jìn)而電鍍層的內(nèi)部未產(chǎn)生空隙。另ー方面，如該圖18 (C)、圖18(d)所示，利用先行技術(shù)文獻(xiàn)I的電鍍裝置而形成有電鍍層的Cu芯球經(jīng)確認(rèn)，在電鍍層的表面產(chǎn)生了成為空隙的原因的凹凸，由于該凹凸，圓度低且直徑及圓度的偏差也大。[符號的說明]1(5、8、10、11、12、13、16、17、18、19 :電鍍裝置20、21、22、23、24、25、26)電鍍裝置la (5a):本體部Ij:電鍍槽Im (13m、20m):電鍍室 In(2n、3n、3m、6n、7n、lln、13n、20n):陰極
Io (5ο、10ο、14ο、15o、23o、24o、25o、26o):陽極lb:電鍍液循環(huán)機構(gòu)
lc(5c、13c):電鍍液排出管ld、5d:電鍍液排出ロle(13e、22e):電鍍液供給管If、22f :電鍍液供給ロlg(llq、12q):供給機構(gòu) Ih:直流電源電路Ii :振動機構(gòu)Is:磁力產(chǎn)生機構(gòu)8ν(10ν>16ν):導(dǎo)引機構(gòu)8w(16w):導(dǎo)引板IOw:導(dǎo)引體Ila:回收機構(gòu)17v (18v> 19v):整流機構(gòu)17w(18w>19w):板狀構(gòu)件91 :芯球
權(quán)利要求
1.一種電鍍裝置，其是表面具有導(dǎo)電性的基材粒子的電鍍裝置，其包括 電鍍槽，具有電鍍室，該電鍍室具備上述基材粒子可接觸并轉(zhuǎn)繞的底面以及沿著該底面的周緣而立設(shè)的周壁面，且可收納包含上述基材粒子的粒子群及電鍍液； 電鍍液供給管，具有自上述電鍍室的底面向上方開口的供給口，且以沿著上述電鍍室的周壁面而回旋的方式自上述供給口供給電鍍液； 電鍍液排出管，具有向上述電鍍室開口的排出口 ； 陰極，與配置于上述電鍍室的底面的上述基材粒子接觸； 陽極，配置在浸潰于上述電鍍室內(nèi)所收納的電鍍液中的位置；以及 電源，連接于上述陰極及陽極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電鍍裝置，其中 上述電鍍室的底面為圓形狀，并且上述電鍍室的周壁面呈朝向上述電鍍室的底面而縮徑的圓錐形狀，上述電鍍液排出管是與上述電鍍室的軸芯成同軸地配置著。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鍍裝置，其中 上述排出口配置于較上述供給口更下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鍍裝置，其中 上述電鍍液排出管是設(shè)置成可沿著上述電鍍室的軸芯方向而移動。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鍍裝置，其中 上述陰極呈圓環(huán)狀配置于上述電鍍室的底面的周緣部。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鍍裝置，其中 上述陰極呈圓環(huán)狀配置于上述電鍍室的周壁面的基端部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電鍍裝置，其中 上述陽極所具有的表面是設(shè)置成與上述電鍍室的周壁面的基端部上配置成呈圓環(huán)狀的陰極中與上述基材粒子接觸的接觸面具有一定的間隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電鍍裝置，其中 上述電鍍室的底面形成為，在其半徑方向上，其中心部相對于周緣部而較高。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電鍍裝置，其中 上述陽極由連接于上述電源的多個導(dǎo)電性粒子構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求9中任一項所述的電鍍裝置，其中 上述電鍍室內(nèi)具有導(dǎo)引機構(gòu)，該導(dǎo)引機構(gòu)將自上述電鍍液供給管的供給口所供給的電鍍液朝向上述電鍍室的底面而導(dǎo)引。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電鍍裝置，其中 上述導(dǎo)引機構(gòu)是呈螺旋狀設(shè)置的導(dǎo)引板。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電鍍裝置，其中 上述導(dǎo)引機構(gòu)是沿著上述電鍍室的周壁面而形成有外周面的導(dǎo)引體，且在上述周壁面與上述外周面之間具有規(guī)定的間隙。
13.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求9中任一項所述的電鍍裝置，其中 上述電鍍室內(nèi)具有整流機構(gòu)，該整流機構(gòu)對自上述電鍍液供給管的供給口所供給的電鍍液進(jìn)行整流。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電鍍裝置，其中上述整流機構(gòu)是設(shè)置于上述電鍍室的周壁面的板狀構(gòu)件。
15.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求9中任一項所述的電鍍裝置，其中 該電鍍裝置是設(shè)置成可從上述電鍍液排出管的排出口抽吸電鍍液。
16.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求9中任一項所述的電鍍裝置，其中 該電鍍裝置是設(shè)置成自上述電鍍液供給管所供給的電鍍液的流速或流量隨時間發(fā)生變化。
17.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求9中任一項所述的電鍍裝置，其中 在上述電鍍室的底面形成有導(dǎo)引溝，該導(dǎo)引溝沿著自上述電鍍液供給管所供給的電鍍液的回旋方向而形成，以導(dǎo)引上述粒子群。
18.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求9中任一項所述的電鍍裝置，包括連接于上述電鍍槽的振動機構(gòu)。
19.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求9中任一項所述的電鍍裝置，包括配置于上述電鍍室的下部或下方側(cè)部的磁力產(chǎn)生機構(gòu)，且設(shè)置成借由上述磁力產(chǎn)生機構(gòu)的磁力而將具有軟磁性的上述基材粒子拉向電鍍室的底面。
20.根據(jù)權(quán)利要求第I至權(quán)利要求9中任一項所述的電鍍裝置，包括供給機構(gòu)，該供給機構(gòu)直接地或經(jīng)由上述電鍍液供給管而間接地連接于上述電鍍室，以向上述電鍍室供給上述粒子群。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的電鍍裝置，其中 上述供給機構(gòu)具有 收納部，收納上述粒子群； 基材粒子供給管，一端連接于上述收納部，并且另一端連接于上述電鍍室的周壁面且上述底面?zhèn)龋灰约? 電鍍液流入管，一端連接于上述收納部，并且另一端連接于上述電鍍室的周壁面且較上述基材粒子供給管的另一端更上方。
22.根據(jù)權(quán)利要求I至權(quán)利要求9中任一項所述的電鍍裝置，其中 包括回收機構(gòu)，該回收機構(gòu)回收上述電鍍室內(nèi)所收納的上述粒子群。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種可在表面具有導(dǎo)電性的基材粒子上有效率地形成均勻厚度的電鍍層的電鍍裝置。其包括電鍍槽，具有電鍍室，該電鍍室具備上述基材粒子可接觸并轉(zhuǎn)繞的底面以及沿著該底面的周緣而立設(shè)的周壁面，且可收納包含上述基材粒子的粒子群及電鍍液；電鍍液供給管，具有自上述電鍍室的底面向上方開口的供給口，且以沿著上述電鍍室的周壁面而回旋的方式自上述供給口供給電鍍液；電鍍液排出管，具有向上述電鍍室開口的排出口；陰極，與配置于上述電鍍室的底面的上述基材粒子接觸；陽極，配置在浸漬于上述電鍍室內(nèi)所收納的電鍍液中的位置；以及電源，連接于上述陰極及陽極。
文檔編號C25D7/00GK102666942SQ201080039139
公開日2012年9月12日 申請日期2010年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月4日
發(fā)明者伊藤元通, 早川一, 武田恭子 申請人:日立金屬株式會社