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      一種粘接釹鐵硼磁體涂覆方法及其制備得到的多層結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號(hào):5277565閱讀:405來源:國知局
      專利名稱:一種粘接釹鐵硼磁體涂覆方法及其制備得到的多層結(jié)構(gòu)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于多孔磁體的表面防護(hù)技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種粘接釹鐵硼磁體涂覆方 法及其制備得到的多層結(jié)構(gòu)。
      背景技術(shù)
      釹鐵硼作為第三代稀土永磁材料,具有優(yōu)異的磁性能和高的性價(jià)比,因此近幾年 在科研、生產(chǎn)、應(yīng)用方面都得到了高速的發(fā)展。廣泛應(yīng)用于電子電器、機(jī)械和醫(yī)療器械、汽 車、航空等高科技領(lǐng)域,隨著其性能的不斷提高,新的應(yīng)用增長點(diǎn)不斷涌現(xiàn),特別是以信息 產(chǎn)業(yè)為代表的知識(shí)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展,給稀土永磁體等功能材料不斷帶來新的用途。但是釹鐵硼磁體中的釹、鐵化學(xué)活性強(qiáng),易被氧化生銹,且磁體由多相結(jié)構(gòu)組成, 很容易產(chǎn)生晶界腐蝕,且其結(jié)構(gòu)疏松,孔隙率高,外界腐蝕性氣體、液體易進(jìn)入,造成對(duì)磁體 的長期腐蝕。所以需要采取相應(yīng)的措施對(duì)磁體進(jìn)行保護(hù)。目前,釹鐵硼磁體的主要防護(hù)方法有金屬鍍層法和有機(jī)涂層法、對(duì)于金屬鍍層 法,由于磁體的多孔性,孔隙內(nèi)易殘留鍍液,造成對(duì)永磁體的長期腐蝕。特別對(duì)于粘接磁體, 由于表面導(dǎo)電的不均勻性,造成鍍層的不均勻性,甚至部分地方出現(xiàn)未鍍現(xiàn)象。有機(jī)涂層法,目前主要采用的方法是單一環(huán)氧涂層法,這種方法由于粘接釹鐵硼 磁體本身疏松多孔的特點(diǎn)和環(huán)氧涂料流動(dòng)性以及涂料顆粒粒度的局限,磁體的成品涂層往 往存在孔洞,導(dǎo)致粘接釹鐵硼磁體的耐腐蝕性能有一定的局限性,一般5%NaCl X 35°C X 24 小時(shí)鹽霧試驗(yàn)就會(huì)出現(xiàn)銹點(diǎn)。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于提供一種粘接釹鐵硼磁體的涂覆方法,該涂覆方法彌補(bǔ)了環(huán) 氧層的缺陷,具有更強(qiáng)的耐腐蝕性能,用5%NaClX35°C的條件試驗(yàn),72小時(shí)仍然沒有銹點(diǎn) 出現(xiàn)。本發(fā)明的目的還在于提供通過上述方法制備得到的一種粘接釹鐵硼磁體表面的
      多層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的目的通過下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種粘接釹鐵硼磁體的涂覆方法,包括如 下步驟首先,使用環(huán)氧涂料在粘接釹鐵硼磁體表面涂覆形成環(huán)氧層;其次,在環(huán)氧層的表 面涂覆聚對(duì)二甲苯聚合物層。所述環(huán)氧層的涂層厚度為20. (Γ25. 0 μ m。所述聚對(duì)二甲苯聚合物層的涂層厚度為5.(Γ 0.0μπι。所述環(huán)氧層采用電泳或噴涂方式涂覆。所述聚對(duì)二甲苯聚合物層是由聚對(duì)二甲苯單體在環(huán)氧層表面沉積形成的層。本發(fā)明還涉及一種粘接釹鐵硼磁體表面的多層結(jié)構(gòu),包括粘接釹鐵硼磁體表面構(gòu) 成的基層、設(shè)在基層表面上由環(huán)氧涂料形成的環(huán)氧層、以及設(shè)于環(huán)氧層上由聚對(duì)二甲苯單 體形成的聚對(duì)二甲苯聚合物層。
      本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有如下的優(yōu)點(diǎn)和有益效果
      (1)、在粘接釹鐵硼磁體表面涂覆環(huán)氧層后,再涂覆聚對(duì)二甲苯聚合物層。聚對(duì)二甲 苯聚合物層的涂覆采用氣相沉積法,由于聚對(duì)二甲苯單體是以分子形式均勻的覆蓋到物 體表面后再發(fā)生聚合反應(yīng),形成均勻、連續(xù)的透明涂層,涂覆時(shí)可以達(dá)到完全致密的程度, 這樣最大程度地彌補(bǔ)了環(huán)氧層的缺陷,可以使粘接釹鐵硼磁體具有更強(qiáng)的耐腐蝕性能,用 5%NaCl X 35°C的條件試驗(yàn),72小時(shí)仍然沒有銹點(diǎn)出現(xiàn)。(2)、由于聚對(duì)二甲苯是以連續(xù)的薄膜形式覆蓋物體表面和縫隙,與以粉粒形成涂 層的常規(guī)涂層相比,它不存在顆粒脫落的情況,所以這種涂覆方法也適用于對(duì)潔凈度要求 非常高的零配件使用。(3)、采用該種涂覆方法,以同樣的耐腐蝕性能衡量,可以降低涂層厚度,提高磁體 的厚度,從而提升磁體性能。


      圖1為本發(fā)明一種粘接釹鐵硼磁體表面的多層結(jié)構(gòu)一種實(shí)施例的截面示意圖。圖中各部件對(duì)應(yīng)的名稱為1-基層;2-環(huán)氧層;3-聚對(duì)二甲苯聚合物層。
      具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)的說明,但本發(fā)明的實(shí)施方式不 限于此。實(shí)施例1
      圖1描述了本發(fā)明一種粘接釹鐵硼磁體表面的多層結(jié)構(gòu)一種實(shí)施例的截面示意圖。該 多層結(jié)構(gòu)包括粘接釹鐵硼磁體表面構(gòu)成的基層1、設(shè)在基層表面上由環(huán)氧涂料形成的環(huán)氧 層2、以及設(shè)于環(huán)氧層上由聚對(duì)二甲苯單體形成的聚對(duì)二甲苯聚合物層3。本發(fā)明一種粘接釹鐵硼磁體的涂覆方法,包括如下步驟首先,使用環(huán)氧涂料在粘 接釹鐵硼磁體表面涂覆形成環(huán)氧層;其次,在環(huán)氧層的表面涂覆聚對(duì)二甲苯聚合物層。所述環(huán)氧涂料為本領(lǐng)域公知的材料,具體實(shí)施時(shí),將環(huán)氧涂料通過噴涂或者電泳 的方式涂覆在粘接釹鐵硼磁體的外表面。所述環(huán)氧層的涂層厚度為20. (Γ25. 0 μ m。所述聚對(duì)二甲苯聚合物層的涂層厚度為5.(Γ 0.0μπι。所述聚對(duì)二甲苯聚合物層的涂覆采用氣相沉積法,聚對(duì)二甲苯單體以氣體分子形 式沉積到環(huán)氧層涂層的表面后,發(fā)生聚合反應(yīng),形成了聚對(duì)二甲苯聚合物層。優(yōu)選的是,在聚對(duì)二甲苯單體形成層的過程中,還可以添加除聚對(duì)二甲苯單體之 外的其他化學(xué)物質(zhì);并且這些化學(xué)物質(zhì)是用于改善聚對(duì)二甲苯聚合物層的強(qiáng)度或粘附性。按照本發(fā)明,聚對(duì)二甲苯聚合物層的氣相沉積時(shí),優(yōu)選的是,在聚對(duì)二甲苯聚合物 單體在沉積到環(huán)氧層上之前還進(jìn)行純化處理。實(shí)施例2
      本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)單一環(huán)氧涂層技術(shù)的防護(hù)試驗(yàn)檢測(cè)結(jié)果對(duì)比。
      權(quán)利要求
      1.一種粘接釹鐵硼磁體的涂覆方法,其特征在于,包括如下步驟首先,使用環(huán)氧涂料 在粘接釹鐵硼磁體表面涂覆形成環(huán)氧層;其次,在環(huán)氧層的表面涂覆聚對(duì)二甲苯聚合物層。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種粘接釹鐵硼磁體的涂覆方法,其特征在于,所述環(huán)氧層 的涂層厚度為20. 0 25. Ομπι。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種粘接釹鐵硼磁體的涂覆方法,其特征在于,所述聚對(duì)二 甲苯聚合物層的涂層厚度為5. (Γ10. 0 μ m。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種粘接釹鐵硼磁體的涂覆方法,其特征在于,所述環(huán)氧層 采用電泳或噴涂方式涂覆。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種粘接釹鐵硼磁體的涂覆方法,其特征在于,所述聚對(duì)二 甲苯聚合物層是由聚對(duì)二甲苯單體在環(huán)氧層表面沉積形成的層。
      6.一種粘接釹鐵硼磁體表面的多層結(jié)構(gòu),其特征在于,包括粘接釹鐵硼磁體表面構(gòu)成 的基層(1)、設(shè)在基層表面上由環(huán)氧涂料形成的環(huán)氧層(2)、以及設(shè)于環(huán)氧層上由聚對(duì)二甲 苯單體形成的聚對(duì)二甲苯聚合物層(3 )。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種粘接釹鐵硼磁體涂覆方法及其制備得到的多層結(jié)構(gòu),所述方法包括如下步驟首先,使用環(huán)氧涂料在粘接釹鐵硼磁體表面涂覆形成環(huán)氧層;其次,在環(huán)氧層的表面涂覆聚對(duì)二甲苯聚合物層。該種涂覆方法不僅提高了粘接釹鐵硼磁體的抗腐蝕能力;而且以同樣的耐腐蝕性能衡量,可以降低涂層厚度,提高磁體的厚度,從而提升粘接釹鐵硼磁體的性能。
      文檔編號(hào)C25D13/06GK102140666SQ20111000728
      公開日2011年8月3日 申請(qǐng)日期2011年1月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月14日
      發(fā)明者周勇 申請(qǐng)人:成都圖南電子有限公司
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