專(zhuān)利名稱(chēng)：一種適用于高Tg玻璃布板、無(wú)鹵素板和高CTICEM-1板的電解銅箔的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適用于高Tg玻璃布板、無(wú)鹵素板和高CTICEM-I板的電解銅箔，以及該電解銅箔的制備方法，屬于電解銅箔領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
針對(duì)高Tg型CCL的高耐熱性樹(shù)脂由于一般有聚合度高、交連密度大的特點(diǎn)通常一般電解銅箔與基材在連接強(qiáng)度方面偏低，耐化學(xué)性差；針對(duì)無(wú)鹵化CCL及低膨脹系數(shù)性CCL由于樹(shù)脂組成物中有大量無(wú)機(jī)填料的存在，造成樹(shù)脂實(shí)際含量低，一般銅箔與基材連接強(qiáng)度偏低，耐化學(xué)性差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是一種適用于高Tg玻璃布板、無(wú)鹵素板和高CTICEM-I板的電解銅箔，以及該電解銅箔的制備方法，通過(guò)本發(fā)明的電解液組合以及電沉積工藝參數(shù)的合理的配置，并通過(guò)添加合理添加劑，生成低峰值銅箔，并經(jīng)過(guò)特殊粗化工藝來(lái)增強(qiáng)其粗化鍍層，以提高銅箔與特殊板材的結(jié)合力和耐化學(xué)性。本發(fā)明的技術(shù)方案通過(guò)電解液組合以及電沉積工藝參數(shù)的合理配置，并在電沉積過(guò)程中添加添加劑來(lái)實(shí)現(xiàn)，其工藝如下一種適用于高Tg玻璃布板、無(wú)鹵素環(huán)保板和高CTICEM-I板的電解銅箔的其制備方法包括，電解液中銅含量60 90g/L，硫酸含量100 160g/L，溫度40 60°C的參數(shù)配合，并向電解液中添加添加劑，使電解液流量為50 90m3/h，電流密度4500 10000A/m2條件下進(jìn)行電沉積，該電解液添加的添加劑包括C1-和明膠，添加劑流量為lOOmL/min 10OOmT ,/mi n。所述的電解后的銅還要進(jìn)行粗化工藝，所述粗化工藝首先將電解后的生箔，依次通過(guò)酸洗、粗化、固化、弱粗化、水洗、耐熱層處理、水洗、防氧化處理、水洗、涂硅烷偶聯(lián)劑及烘烤，最后得到粗化銅箔。酸洗槽中硫酸濃度為140-160g/l，溫度為25-50°C，酸洗時(shí)間2_4秒。粗化槽中Cu2+濃度為18-22g/l，硫酸濃度為140-160g/l，溫度為30_60°C，粗化所用電流為2000-2200A，粗化時(shí)間4-8秒。固化槽中Cu2+濃度為77_83g/l，硫酸濃度為120_140g/1，溫度為25-45°C，固化所用電流為1800-2000A，固化時(shí)間4_8秒。弱粗化槽中Cu2+濃度為14-16g/l，硫酸濃度為110-130g/l，溫度為25-45°C，弱粗化所用電流為500-800A，弱粗化時(shí)間2-4秒。耐熱性處理槽中Zn2+濃度為8-12g/l，添加劑濃度為40_60g/l，PH值控制在10-14，溫度為25-45°C，耐熱層處理所用電流為100-200A，所用時(shí)間2_4秒。防氧化處理槽中Cr6+濃度為8-12g/l，PH值控制在10-14，溫度為20_45°C，防氧化處理所用電流為100-200A，所用時(shí)間2-4秒。偶聯(lián)劑處理采用濃度5-15g/l 的氨基硅烷偶聯(lián)劑水溶液。通過(guò)本發(fā)明的電解液組合以及電沉積工藝參數(shù)的合理的配置，并通過(guò)添加合理添加劑，生成低峰值銅箔，并經(jīng)過(guò)特殊粗化工藝來(lái)增強(qiáng)其粗化鍍層，以提高銅箔與特殊板材的結(jié)合力和耐化學(xué)性。


圖I為本發(fā)明工藝流程。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I :12 ii適用于高Tg玻璃布板、無(wú)鹵素板和高CTICEM-I板的電解銅箔，采用電解液中銅含量60 90g/L，硫酸含量100 160g/L，溫度40 60°C的參數(shù)配合，并向電解液中添加添加劑，使電解液流量為50 90m3/h，電流密度6500A/m2條件下進(jìn)行電沉積，該電解液添加的添加劑包括C1-和明膠，添加劑流量為lOOmL/min 300mL/min。由以上工藝參數(shù)可得12 U低峰值生箔，再按附圖I的粗化工藝流程和條件進(jìn)行粗化各流程的電解參數(shù)如下
權(quán)利要求
1.一種適用于高Tg玻璃布板、無(wú)鹵素環(huán)保板和高CTICEM-I板的電解銅箔的制備方法，其特征在于所述的制備方法包括，電解液中銅含量60 90g/L，硫酸含量100 160g/L，溫度40 60°C的參數(shù)配合，并向電解液中添加添加劑，使電解液流量為50 90m3/h，電流密度4500 10000A/m2條件下進(jìn)行電沉積，該電解液添加的添加劑包括C1_和明膠，添加劑流量為 10OmT ,/mi n 10OOmT ,/mi n。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的適用于高Tg玻璃布板、無(wú)鹵素環(huán)保板和高CTICEM-I板的電解銅箔的制備方法，其特征在于所述的電解后的銅還要進(jìn)行粗化工藝，所述粗化工藝首先將電解后的生箔，依次通過(guò)酸洗、粗化、固化、弱粗化、水洗、耐熱層處理、水洗、防氧化處理、水洗、涂硅烷偶聯(lián)劑及烘烤，最后得到粗化銅箔；酸洗槽中硫酸濃度為140-160g/l，溫度為25-50°C，酸洗時(shí)間2-4秒；粗化槽中Cu2+濃度為18_22g/l，硫酸濃度為140_160g/l，溫度為30-60°C，粗化所用電流為2000-2200A，粗化時(shí)間4_8秒；固化槽中Cu2+濃度為77_83g/I，硫酸濃度為120-140g/l，溫度為25-45°C，固化所用電流為1800-2000A，固化時(shí)間4-8秒；弱粗化槽中Cu2+濃度為14-16g/l，硫酸濃度為110-130g/l，溫度為25-45°C，弱粗化所用電流為500-800A，弱粗化時(shí)間2-4秒；耐熱性處理槽中Zn2+濃度為8_12g/l，添加劑濃度為40-60g/l，PH值控制在10-14，溫度為25-45°C，耐熱層處理所用電流為100-200A，所用時(shí)間2-4秒；防氧化處理槽中Cr6+濃度為8-12g/l，PH值控制在10-14，溫度為20_45°C，防氧化處理所用電流為100-200A，所用時(shí)間2-4秒；偶聯(lián)劑處理采用濃度5-15g/l的氨基硅烷偶聯(lián)劑水溶液。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種適用于高Tg玻璃布板、無(wú)鹵素板和高CTICEM-1板的電解銅箔，以及該電解銅箔的制備方法，包括，電解液中銅含量60～90g/L，硫酸含量100～160g/L，溫度40～60℃的參數(shù)配合，并向電解液中添加添加劑，使電解液流量為50～90m3/h，電流密度4500～10000A/m2條件下進(jìn)行電沉積，該電解液添加的添加劑包括Cl-和明膠，添加劑流量為100mL/min～1000mL/min。通過(guò)本發(fā)明的電解液組合以及電沉積工藝參數(shù)的合理的配置，并通過(guò)添加合理添加劑，生成低峰值銅箔，并經(jīng)過(guò)特殊粗化工藝來(lái)增強(qiáng)其粗化鍍層，以提高銅箔與特殊板材的結(jié)合力和耐化學(xué)性。
文檔編號(hào)C25D3/38GK102797021SQ20111013548
公開(kāi)日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2011年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月23日
發(fā)明者郭偉, 黃文榮, 吳偉安 申請(qǐng)人:建滔(連州)銅箔有限公司