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      一種鋼鐵基鑲嵌金剛石涂層及其制備方法

      文檔序號(hào):5278171閱讀:273來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種鋼鐵基鑲嵌金剛石涂層及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明屬于金剛石薄膜技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種鋼鐵基體表面沉積鑲嵌金剛石膜及其制備方法。
      背景技術(shù)
      金剛石具有優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)、光學(xué)、電學(xué)、化學(xué)及生物學(xué)性能,具有非常廣闊的應(yīng)用前景?;瘜W(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Chemical,簡(jiǎn)稱CVD)金剛石在碳化物形成元素基體如硅、鉻、鈦鎢、鉬及硬質(zhì)合金刀具等上面能獲得粘附力較高的涂層,而在碳溶解元素基體如鐵、鎳、鈷及其合金、鋼鐵材料表面難以直接形成涂層。其原因是鐵、鎳、鈷元素在CVD 金剛石生長(zhǎng)過(guò)程中催化金剛石形成石墨,膜/基結(jié)合力很差。CVD涂層金剛石的典型應(yīng)用是作為刀具涂層來(lái)提高切削刀具的使用壽命,這需要基體有足夠高的硬度來(lái)支撐CVD金剛石膜,因而目前刀具上的金剛石涂層,通常選用硬質(zhì)合金基體。硬質(zhì)合金的主要成分是WC-Co, 而W、Co已被列為我國(guó)的戰(zhàn)略性資源,且價(jià)格昂貴,并且作為金剛石刀具涂層基體,在實(shí)際切削過(guò)程中,硬質(zhì)合金基本不消耗,造成大量鎢、鈷資源浪費(fèi)。鋼鐵是目前應(yīng)用最廣泛的結(jié)構(gòu)材料,在鋼鐵基體上沉積金剛石作為涂層刀具,原材料成本顯著降低,具有很大的市場(chǎng)潛力。而目前,在鋼鐵基體表面通常無(wú)法直接沉積結(jié)合力牢固的CVD金剛石涂層,簡(jiǎn)單在鋼鐵基體表面與沉積擴(kuò)散阻擋層后沉積的金剛石膜,無(wú)法作為切削加工用刀具涂層。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種在鋼鐵基體上沉積鑲嵌金剛石涂層的方法。該方法集滲鉻和沉積鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石涂層于一體,利用CVD沉積金剛石涂層時(shí)的樣品溫度同時(shí)實(shí)現(xiàn)擴(kuò)散阻擋層與基體滲鉻,強(qiáng)化擴(kuò)散阻擋層與基體界面并提高與金剛石涂層的硬度支撐,用擴(kuò)散阻擋層上的鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石提高金剛石與基體的結(jié)合力,使金剛石涂層在快冷淬火過(guò)程中與基體結(jié)合牢固。該方法不僅解決了鋼鐵基體對(duì)金剛石沉積的石墨化問(wèn)題,而且過(guò)渡層強(qiáng)度和硬度高,和硬質(zhì)合金相近,與金剛石涂層結(jié)合力好。在該過(guò)渡層上沉積的金剛石膜與過(guò)鍍層鑲嵌咬合,在CVD金剛石沉積結(jié)束后,直接噴氣冷卻工件,鋼鐵基體能直接淬火形成馬氏體,而金剛石膜與基體仍能結(jié)合牢固,保證了基體、過(guò)渡層對(duì)CVD金剛石涂層的有效支撐。本發(fā)明通過(guò)下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種在鋼鐵基體上沉積金剛石涂層的制備方法,是在鋼鐵基體表面用磁控濺射法預(yù)沉積一層鉻層,然后用磁控濺射法雙靶共濺射沉積CrCu層,在CrCu表面復(fù)合電沉積 CuCrMo-金剛石鑲嵌過(guò)鍍涂層,用CVD法在沉積有擴(kuò)散阻擋層(即磁控濺射Cr層和CuCr 層)和鑲嵌過(guò)渡層(即CuCrM0-金剛石)的鋼鐵基體上沉積連續(xù)金剛石涂層,最后用噴氫快冷法使鋼鐵基體淬火形成馬氏體而提高基體強(qiáng)度和硬度,在鋼鐵得到具有高支撐強(qiáng)度的金剛石刀具涂層。具體步驟如下(1)在鋼鐵基體表面濺射沉積Cr膜;
      (2)在沉積Cr膜的基體上沉積CuCr膜;(3)在沉積有Cr/CuCr膜的樣品上,上砂復(fù)合電鍍Cu-金剛石復(fù)合層;(4)在上砂復(fù)合鍍的樣品上,加固鍍CuCrMo層;(5)用CVD金剛石生長(zhǎng)設(shè)備在沉積有鑲嵌過(guò)渡層樣品表面生長(zhǎng)出連續(xù)金剛石涂層;因CVD金剛石沉積過(guò)程中樣品溫度達(dá)850 1000°C,在鋼鐵基體表面沉積的Cr層向基體擴(kuò)散,基體中的碳向鉻層擴(kuò)散形成碳化鉻,強(qiáng)化了鉻/基體界面,提高了滲鉻層硬度,并阻止了鐵、鎳、鈷等石墨催化元素?cái)U(kuò)散至金剛石/鉻界面。(6)在CVD金剛石生長(zhǎng)結(jié)束后,用還原性或中型氣體氣流噴冷樣品淬火,使基體鋼鐵快冷淬火,鋼鐵基體組織變成高硬度的馬氏體,CVD金剛石膜仍能牢固粘附于基體表面, 從而得到鋼鐵基體表面沉積有金剛石涂層的刀具。淬火后的涂層金剛石刀具需立即在回火爐中用180 240°C回火1小時(shí),以降低淬火應(yīng)力和金剛石刀具涂層組織應(yīng)力。優(yōu)選地,所述步驟(1)沉積Cr膜將鋼鐵基體表面經(jīng)機(jī)械處理(用w2. 5的金剛石拋光膏拋光)、超聲波清洗(先用丙酮、無(wú)水酒精和四氯化碳等超聲波清洗15分鐘,再用無(wú)水酒精超聲波清洗15分鐘)后放入磁控濺射室,抽本底真空度小于8 X 10_3Pa,充高純氬氣至工作氣壓為0. 5 lPa,設(shè)置鋼鐵基體負(fù)偏壓為-150 -50V,將鋼鐵基體加熱至400 700°C ;啟動(dòng)鉻靶磁控濺射,磁控濺射功率密度為5. 0 20W/cm2,鉻濺射時(shí)間為20 60min。優(yōu)選地,所述步驟( 沉積CuCr膜同時(shí)啟動(dòng)鉻靶和銅靶濺射沉積,鉻濺射功率密度為2 5. OW/cm2,銅靶磁控濺射功率密度為4 lOW/cm2,沉積時(shí)間為10 20min。優(yōu)選地,所述步驟C3)復(fù)合電鍍Cu-金剛石復(fù)合層將鍍有Cr/CuCr雙層膜的樣品,水平放入上砂電鍍液浸泡金剛石顆粒的上砂電鍍槽中,用紫銅為陽(yáng)極,樣品為陰極,采用埋砂法上砂,上砂電流密度為0. 4 1. 5A/dm2,上砂鍍時(shí)間為15 35min。所述埋砂法是樣品放入前,復(fù)合鍍鍍液已被充分?jǐn)嚢?,金剛石顆粒均勻分散于符合鍍液中,然后放入樣品,靜止片刻,使金剛石顆粒將工件表面覆蓋住。電鍍時(shí)靠近工件表面的金剛石顆粒被陰極析出的金屬銅埋入鍍層中。優(yōu)選地,所述步驟(3)中電鍍液中各組分具體配方為Cu2(OH)2CO3 45 70g/l,EDTA (乙二胺四乙酸)5 30g/l,檸檬酸(C6H8O7) 200 !350g/l,酒石酸鉀鈉 (C4O6H2KNa) 30 60g/l,NH4HCO3 10 25g/l,添加劑100 200ml/l ;所述金剛石顆粒是經(jīng)過(guò)表面處理的W5 W20金剛石顆粒,添加量為30 40g/l ;電鍍前所述金剛石顆粒在配好的電鍍液中至少浸泡10小時(shí)。優(yōu)選地,所述金剛石顆粒的表面處理方法為將金剛石顆粒放在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25 36%的濃鹽酸中煮沸30 60分鐘,然后用水洗至中性;表面預(yù)處理的目的是消除金剛石粉中的各種雜質(zhì)。所述添加劑為甲酰胺與乙二醇混合液,體積比為3 2。優(yōu)選地,所述步驟(4)加固鍍CuCrMo層將上砂鍍后的樣品放入加固鍍槽中電鍍, 電流密度為1. O 2. 0A/dm2,加固至金剛石顆粒的80 90%埋在CuCrMo鍍層中,取出樣品,洗凈干燥后即得到用于鋼鐵基體上沉積有鑲嵌過(guò)渡層樣品。優(yōu)選地,所述步驟(4)電鍍液中各組分具體配方為Cu(BF4)2*6H20(氟硼酸銅)60 80g/l,氟硼酸鉻(Cr(BF4)3 · xh2O) 60 80g/l,Nei2MoO4 ·2Η20(鉬酸鈉)10 30g/ 1,檸檬酸(C6H8O7 · H2O) 10 30g/l,氯化鑭(LaCl3 · ηΗ20) 0. 1 0. 3g/l,硼酸(H3BO3) 10 30g/l,用氟硼酸調(diào)節(jié)PH值到1.0。
      優(yōu)選地,所述步驟( CVD金剛石生長(zhǎng)設(shè)備是熱絲CVD設(shè)備、微波CVD設(shè)備、直流等離子噴射CVD設(shè)備或射頻CVD設(shè)備。優(yōu)選地,所述鋼鐵基體為5CrNiSiMnMoV (GD 鋼)、7CrSiMnMoV (CH-1 鋼)、 5Cr2NiMoVSi、9CrSi、GCrl5 或 35CrMo。上述方法制備得到的鋼鐵基體上沉積鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石涂層,其特征在于,所述鉻膜厚度為5 10 μ m,銅鉻膜厚度為1 2μπι,所述上砂鍍層和加固層的鍍層厚度總和為金剛石顆粒高度的80 90%,保證金剛石顆粒能稍許露出銅鍍層表面。CuCrMo合金加固鍍層的Cr含量為0. 01 0. 2%,Mo含量在0. 1 0. 5%范圍。由于在鋼鐵基體表面通常無(wú)法直接沉積結(jié)合力牢固的CVD金剛石涂層,在鋼鐵上沉積金剛石涂層通常需要預(yù)先沉積防止鐵、鎳、鈷等元素?cái)U(kuò)散至表面或界面的擴(kuò)散阻擋層。 同時(shí),作為刀具涂層,還需要擴(kuò)散阻擋層及鋼鐵基體硬度和強(qiáng)度足夠高,才能對(duì)CVD金剛石涂層形成有效支撐;另外,沉積CVD金剛石涂層過(guò)程對(duì)鋼鐵而言是一長(zhǎng)時(shí)間高溫?cái)U(kuò)散退火過(guò)程,基體強(qiáng)度和硬度很低,只有經(jīng)過(guò)淬火+回火才能有較高的強(qiáng)度和硬度,這要求金剛石涂層與擴(kuò)散阻擋層及擴(kuò)散阻擋層與鋼鐵基體間結(jié)合力要足夠高,能保證在淬火急冷工藝過(guò)程中金剛石膜不致破裂和脫落。本發(fā)明所制得鋼鐵基體表面鑲嵌結(jié)構(gòu)界面涂層,擴(kuò)散阻擋層與基體互相擴(kuò)滲,擴(kuò)散阻擋層硬度高,與基體結(jié)合力高,擴(kuò)散阻擋層上的鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石涂層,與擴(kuò)散阻擋層相互咬合,即使在CVD金剛石生長(zhǎng)結(jié)束后樣品快冷,形成強(qiáng)化馬氏體的過(guò)程中也能與基體牢固結(jié)合,形成了基體、擴(kuò)散阻擋層對(duì)鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石涂層的有效支撐,可直接用于切削加工。


      圖1是制備本發(fā)明銅/金剛石復(fù)合鍍層的埋砂上砂鍍裝置示意圖,其中1-水平放置工件(陰極),2_銅電鍍液,3-水平放置純銅陽(yáng)極,4-可調(diào)直流電源,5-金剛石顆粒,6-直流電流表。圖2是實(shí)施例1制備的在鋼鐵基體表面沉積的鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石涂層快速冷卻后的金剛石膜表面形貌,金剛石具有良好的晶形。
      具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的描述,但發(fā)明的實(shí)施方式不限于此。實(shí)施例1(1)選用5CrNiSiMnMoV (⑶鋼)鋼作基體,切割成10 X 10 X 4mm塊狀樣品,對(duì)所需沉積金剛石涂層的面進(jìn)行研磨并用W2. 5金剛石膏機(jī)械拋光,并用無(wú)水酒精超聲清洗15分鐘,更換新的無(wú)水酒精,再超聲清洗15分鐘,最后冷風(fēng)吹干。(2)將拋光并清洗好的樣品置入含有Cr靶和Cu靶的磁控濺射沉積室中,抽本底真空至6. 5X 10 后,啟動(dòng)樣品加熱使樣品溫度維持在450 500°C,通入高純氬氣至真空室壓強(qiáng)維持在0. 5 1 之間,設(shè)置樣品負(fù)偏壓為-100V,啟動(dòng)Cr靶濺射,維持靶材濺射功率密度在9 llW/cm2,濺射30min ;得到樣品上Cr的濺射層厚度約為6. 0 μ m ;(3)降低Cr靶濺射功率密度至3W/cm2,同時(shí)啟動(dòng)Cu靶濺射,濺射功率密度維持在5ff/cm2, CrCu共濺射15min,在Cr層表面獲得CuCr層厚度約為1. 2 μ m ;(4)配制銅-金剛石復(fù)合鍍電鍍液,稱取C6H807(檸檬酸)27g溶解于60ml蒸餾水中,依次加入Cu2 (OH) 2C03 (堿式碳酸銅)5. 5g,EDTA (乙二胺四乙酸)lg, C4O6H2KNa (酒石酸鉀鈉) ,NH4HCO3 2g,添加劑(甲酰胺:乙二醇體積比3 2) 15ml,每次加入新藥品時(shí)需充分?jǐn)嚢柚燎凹尤氲乃幤吠耆芙?,最后添加蒸餾水至100ml。將W10(9 ΙΟμπι)的金剛石顆粒,用30%的鹽酸中在通風(fēng)櫥中煮沸45min,用蒸餾水漂洗至中性,取3g放入先前配好的電鍍液中,浸泡12小時(shí),形成Cu-金剛石復(fù)合鍍鍍液。將所制得的銅-金剛石復(fù)合電鍍液裝在上砂鍍槽中備用;(5)配制合金加固鍍液,秤取Cu(BF4)2 · 6H20 (氟硼酸銅)7g,溶解于60ml蒸餾水中,依次加入 Cr (BF4) 3 · xH20 (氟硼酸鉻)7g,Na2MoO4 · 2H20 (鉬酸鈉)2g,C6H8O7 · H2O (檸檬酸)2g,LaCl3 · nH20 (氯化鑭)0. 02g, H3BO3 (硼酸)2g,每次加入新藥品時(shí)需充分?jǐn)嚢柚燎凹尤氲乃幤吠耆芙?,最后添加蒸餾水至100ml。將所制得的CuCrMo合金加固鍍液用氟硼酸調(diào)節(jié)PH值到1.0,倒入加固鍍槽中備用;(6)將磁控濺射了鉻/銅鉻雙層膜樣品放入銅-金剛石復(fù)合鍍鍍槽中,用紫銅為陽(yáng)極,樣品為陰極,采用埋砂法上砂,上砂電流密度為0. 7A/dm2,上砂鍍25min后,取出樣品,用蒸餾水沖洗掉未粘附牢固的金剛石粉;(7)將上砂鍍后的樣品放入加固鍍槽中,用石墨作陽(yáng)極,樣品作陰極,電流密度為 1. 5A/dm2,加固鍍時(shí)間為45min左右后取出樣品,在光學(xué)顯微鏡下觀察金剛石顆粒的埋入程度,若大部分金剛石顆粒的直徑的80 90%埋入鍍層中,停止加固,若不足80 90%,繼續(xù)加固,若超過(guò)80 90 %,可用20 %的稀硝酸溶解加固鍍層,使金剛石顆粒80 90 %埋入加固鍍層,10 20%露出在加固鍍層外,形成后續(xù)CVD金剛石生長(zhǎng)的籽晶,得到沉積有Cr/ CrCu/CuCrMo-金剛石鑲嵌過(guò)鍍層的樣品;(8)將沉積有Cr/CrCu/CuCrMo-金剛石鑲嵌過(guò)鍍層的樣品放入熱絲CVD金剛石生長(zhǎng)沉積設(shè)備中生長(zhǎng)出連續(xù)金剛石涂層。熱絲CVD的沉積工藝參數(shù)為熱絲溫度2000 2200°C,樣品溫度850 900°C,甲烷在氫氣中的體積濃度1. 5%,沉積時(shí)間Mh,在此條件下樣品表面沉積出厚度為25 30 μ m厚的連續(xù)金剛石涂層;同時(shí),鋼鐵基體表面沉積的Cr 層基體擴(kuò)散,基體中的碳向鉻層擴(kuò)散而形成碳化鉻,強(qiáng)化了鉻/基體界面,提高了滲鉻層硬度,并阻止了鐵、鎳、鈷等石墨催化元素?cái)U(kuò)散至金剛石/鉻界面而使界面金剛石石墨化;(9)CVD金剛石沉積結(jié)束后,關(guān)閉熱絲電源和樣品加熱電源,關(guān)閉甲烷流量,同時(shí)繼續(xù)通氫氣噴冷樣品,使基體鋼鐵淬火快冷,⑶鋼基體在850 900°C溫度時(shí)內(nèi)部組織已經(jīng)是奧氏體,噴氫氣冷卻后變成高硬度的馬氏體,基體的硬度和強(qiáng)度得到大幅度提高,對(duì)CVD金剛石膜形成有效支撐,同時(shí)CVD金剛石膜仍能牢固粘附于基體表面;(10)噴氫淬火冷卻后的涂層金剛石樣品,立即在回火爐中用190士 10°C回火1小時(shí),然后空冷,以降低淬火應(yīng)力和金剛石刀具涂層組織應(yīng)力。⑶鋼上沉積的鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石涂層基體硬度為Hv710(HRC60),鉻鑲嵌過(guò)渡層硬度為HV1600 1800,超過(guò)硬質(zhì)合金硬度,對(duì)CVD金剛石涂層形成了有效支撐。實(shí)施例2(1)選用7CrSiMnMoV(CH-l鋼)鋼作基體,切割成10 X 10 X 4mm塊狀樣品,對(duì)所需沉積金剛石涂層的面進(jìn)行研磨并用W2. 5金剛石膏機(jī)械拋光,并用無(wú)水酒精超聲清洗15分鐘,更換新的無(wú)水酒精,再超聲清洗15分鐘,最后冷風(fēng)吹干。 (2)將拋光并清洗好的樣品置入含有Cr靶和Cu靶的磁控濺射沉積室中,抽本底真空至7X10_3I^后,啟動(dòng)樣品加熱使樣品溫度維持在450 500°C,通入高純氬氣至真空室壓強(qiáng)維持在0. 5 1 之間,設(shè)置樣品負(fù)偏壓為-100V,啟動(dòng)Cr靶濺射,維持靶材濺射功率密度在6 8W/cm2,濺射60min ;樣品上Cr的濺射層厚度約為5. 0 μ m ;(3)降低Cr靶濺射功率密度至3. 5ff/cm2,同時(shí)啟動(dòng)Cu靶濺射,濺射功率密度維持在6W/cm2,CrCu共濺射lOmin,在Cr層表面獲得CuCr層厚度約為0. 8 1. O μ m ;(4)配制銅-金剛石復(fù)合鍍電鍍液,秤取C6H807(檸檬酸)22g溶解于60ml蒸餾水中,依次加入Cu2 (OH) 2C03 (堿式碳酸銅)4. 5g,EDTA (乙二胺四乙酸)0. 6g,C4O6H2KNa (酒石酸鉀鈉)3. 5g,NH4HCO3 1.5g,添加劑(甲酰胺:乙二醇體積比3 2) 15ml,每次加入新藥品時(shí)需充分?jǐn)嚢柚燎凹尤氲乃幤吠耆芙?,最后添加蒸餾水至100ml。將W5G.5 5μπι)的金剛石顆粒,用30%的鹽酸中在通風(fēng)櫥中煮沸45min,用蒸餾水漂洗至中性,取3g放入先前配好的電鍍液中,浸泡12小時(shí),形成Cu-金剛石復(fù)合鍍鍍液。將所制得的銅-金剛石復(fù)合電鍍液裝在上砂鍍槽中備用;(5)配制合金加固鍍液,秤取Cu(BF4)2 · 6H20 (氟硼酸銅)6g,溶解于60ml蒸餾水中,依次加入 Cr (BF4) 3 · XH2O (氟硼酸鉻)6g,Na2MoO4 · 2H20 (鉬酸鈉)1. 5g,C6H8O7 · H2O (檸檬酸)1. 5g,LaCl3 · nH20 (氯化鑭)0. Olg, H3BO3 (硼酸)2g,每次加入新藥品時(shí)需充分?jǐn)嚢柚燎凹尤氲乃幤吠耆芙?,最后添加蒸餾水至100ml。將所制得的CuCrMo合金加固鍍液用氟硼酸調(diào)節(jié)PH值到1.0,倒入加固鍍槽中備用;(6)將磁控濺射了鉻/銅鉻雙層膜樣品放入銅-金剛石復(fù)合鍍鍍槽中,用紫銅為陽(yáng)極,樣品為陰極,采用埋砂法上砂,上砂電流密度為0. 5A/dm2,上砂鍍20min后,取出樣品,用蒸餾水沖洗掉未粘附牢固的金剛石粉;(7)將上砂鍍后的樣品放入加固鍍槽中,用石墨作陽(yáng)極,樣品作陰極,電流密度為 1. 2A/dm2,加固鍍時(shí)間為35min左右后取出樣品,在光學(xué)顯微鏡下觀察金剛石顆粒的埋入程度,若大部分金剛石顆粒的直徑的80 90%埋入鍍層中,停止加固,若不足80 90%,繼續(xù)加固,若超過(guò)80 90 %,可用20 %的稀硝酸溶解加固鍍層,使金剛石顆粒80 90 %埋入加固鍍層,10 20%露出在加固鍍層外,形成后續(xù)CVD金剛石生長(zhǎng)的籽晶,得到沉積有Cr/ CrCu/CuCrMo-金剛石鑲嵌過(guò)鍍層的樣品;(8)將沉積有Cr/CrCu/CuCrMo-金剛石鑲嵌過(guò)鍍層的樣品放入熱絲CVD金剛石生長(zhǎng)沉積設(shè)備中生長(zhǎng)出連續(xù)金剛石涂層。熱絲CVD的沉積工藝參數(shù)為熱絲溫度2000 2200°C,樣品溫度850 900°C,甲烷在氫氣中的體積濃度1. 5%,沉積時(shí)間^h,在此條件下樣品表面沉積出厚度為25 30 μ m厚的連續(xù)金剛石涂層;同時(shí),鋼鐵基體表面沉積的Cr 層基體擴(kuò)散,基體中的碳向鉻層擴(kuò)散而形成碳化鉻,強(qiáng)化了鉻/基體界面,提高了滲鉻層硬度,并阻止了鐵、鎳、鈷等石墨催化元素?cái)U(kuò)散至金剛石/鉻界面而使界面金剛石石墨化;(9)CVD金剛石沉積結(jié)束后,關(guān)閉熱絲電源和樣品加熱電源,關(guān)閉甲烷流量,同時(shí)繼續(xù)通氫氣噴冷樣品,使基體鋼鐵淬火快冷,CH-I鋼基體在850 900°C溫度時(shí)內(nèi)部組織已經(jīng)是奧氏體,噴氫氣冷卻后變成高硬度的馬氏體,基體的硬度和強(qiáng)度得到大幅度提高,對(duì)CVD 金剛石膜形成有效支撐,同時(shí)CVD金剛石膜仍能牢固粘附于基體表面;(10)噴氫淬火冷卻后的涂層金剛石樣品,立即在回火爐中用210士 10°C回火1小時(shí),然后空冷,以降低淬火應(yīng)力和金剛石刀具涂層組織應(yīng)力。CH-I鋼上沉積的鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石涂層基體硬度為Hv700 (HRC59),鉻鑲嵌過(guò)渡層硬度為Hvl700 1850,超過(guò)硬質(zhì)合金硬度,對(duì)CVD金剛石涂層形成了有效支撐。實(shí)施例3(1)選用5Cr2NiMoVSi鋼作基體,切割成10 X 10 X 4mm塊狀樣品,對(duì)所需沉積金剛石涂層的面進(jìn)行研磨并用W2. 5金剛石膏機(jī)械拋光,并用無(wú)水酒精超聲清洗15分鐘,更換新的無(wú)水酒精,再超聲清洗15分鐘,最后冷風(fēng)吹干。(2)將拋光并清洗好的樣品置入含有Cr靶和Cu靶的磁控濺射沉積室中,抽本底真空至7X10_3I^后,啟動(dòng)樣品加熱使樣品溫度維持在450 500°C,通入高純氬氣至真空室壓強(qiáng)維持在0. 5 1 之間,設(shè)置樣品負(fù)偏壓為-100V,啟動(dòng)Cr靶濺射,維持靶材濺射功率密度在11 15W/cm2,濺射30min ;樣品上Cr的濺射層厚度約為8. 0 μ m ;(3)降低Cr靶濺射功率密度至4W/cm2,同時(shí)啟動(dòng)Cu靶濺射,濺射功率密度維持在 6ff/cm2, CrCu共濺射15min,在Cr層表面獲得CuCr層厚度約為1. 5 μ m ;(4)配制銅-金剛石復(fù)合鍍電鍍液,秤取C6H807(檸檬酸)34g溶解于60ml蒸餾水中,依次加入Cu2 (OH) 2C03 (堿式碳酸銅)7g,EDTA (乙二胺四乙酸)2. 5g,C4O6H2KNa (酒石酸鉀鈉)6g,NH4HC03 2. 5g,添加劑(甲酰胺:乙二醇體積比3 2) 15ml,每次加入新藥品時(shí)需充分?jǐn)嚢柚燎凹尤氲乃幤吠耆芙?,最后添加蒸餾水至100ml。將W20(19 20μπι)的金剛石顆粒,用30%的鹽酸中在通風(fēng)櫥中煮沸45min,用蒸餾水漂洗至中性,取3g放入先前配好的電鍍液中,浸泡12小時(shí),形成Cu-金剛石復(fù)合鍍鍍液。將所制得的銅-金剛石復(fù)合電鍍液裝在上砂鍍槽中備用;(5)配制合金加固鍍液,秤取Cu(BF4)2 · 6H20 (氟硼酸銅)8g,溶解于60ml蒸餾水中,依次加入 Cr (BF4) 3 · XH2O (氟硼酸鉻)8g,Na2MoO4 · 2H20 (鉬酸鈉)3g,C6H8O7 · H2O (檸檬酸)3g,LaCl3 · nH20 (氯化鑭)0. 03g, H3BO3 (硼酸)3g,每次加入新藥品時(shí)需充分?jǐn)嚢柚燎凹尤氲乃幤吠耆芙?,最后添加蒸餾水至100ml。將所制得的CuCrMo合金加固鍍液用氟硼酸調(diào)節(jié)PH值到1.0,倒入加固鍍槽中備用;(6)將磁控濺射了鉻/銅鉻雙層膜樣品放入銅-金剛石復(fù)合鍍鍍槽中,用紫銅為陽(yáng)極,樣品為陰極,采用埋砂法上砂,上砂電流密度為1. 3A/dm2,上砂鍍35min后,取出樣品,用蒸餾水沖洗掉未粘附牢固的金剛石粉;(7)將上砂鍍后的樣品放入加固鍍槽中,用石墨作陽(yáng)極,樣品作陰極,電流密度為 2. OA/dm2,加固鍍時(shí)間為70min左右后取出樣品,在光學(xué)顯微鏡下觀察金剛石顆粒的埋入程度,若大部分金剛石顆粒的直徑的80 90%埋入鍍層中,停止加固,若不足80 90%,繼續(xù)加固,若超過(guò)80 90 %,可用20 %的稀硝酸溶解加固鍍層,使金剛石顆粒80 90 %埋入加固鍍層,10 20%露出在加固鍍層外,形成后續(xù)CVD金剛石生長(zhǎng)的籽晶,得到沉積有Cr/ CrCu/CuCrMo-金剛石鑲嵌過(guò)鍍層的樣品;(8)將沉積有Cr/CrCu/CuCrMo-金剛石鑲嵌過(guò)鍍層的樣品放入熱絲CVD金剛石生長(zhǎng)沉積設(shè)備中生長(zhǎng)出連續(xù)金剛石涂層。熱絲CVD的沉積工藝參數(shù)為熱絲溫度2000 2200°C,樣品溫度850 900°C,甲烷在氫氣中的體積濃度1. 5%,沉積時(shí)間30h,在此條件下樣品表面沉積出厚度為40 45 μ m厚的連續(xù)金剛石涂層;同時(shí),鋼鐵基體表面沉積的Cr 層基體擴(kuò)散,基體中的碳向鉻層擴(kuò)散而形成碳化鉻,強(qiáng)化了鉻/基體界面,提高了滲鉻層硬度,并阻止了鐵、鎳、鈷等石墨催化元素?cái)U(kuò)散至金剛石/鉻界面而使界面金剛石石墨化;(9)CVD金剛石沉積結(jié)束后,關(guān)閉熱絲電源和樣品加熱電源,關(guān)閉甲烷流量,同時(shí)繼續(xù)通氫氣噴冷樣品,使基體鋼鐵淬火快冷,5Cr2NiMoVSi鋼基體在850 900°C溫度時(shí)內(nèi)部組織已經(jīng)是奧氏體,噴氫氣冷卻后變成高硬度的馬氏體,基體的硬度和強(qiáng)度得到大幅度提高,對(duì)CVD金剛石膜形成有效支撐,同時(shí)CVD金剛石膜仍能牢固粘附于基體表面;(10)噴氫淬火冷卻后的涂層金剛石樣品,立即在回火爐中用210士 10°C回火1小時(shí),然后空冷,以降低淬火應(yīng)力和金剛石刀具涂層組織應(yīng)力。5Cr2NiMoVSi鋼上沉積的鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石涂層基體硬度為Hv690 (HRC59),鉻鑲嵌過(guò)渡層硬度為Hvl500 1700,超過(guò)硬質(zhì)合金硬度,對(duì)CVD金剛石涂層形成了有效支撐。上述實(shí)施例為本發(fā)明較佳的實(shí)施方式,但本發(fā)明的實(shí)施方式并不受上述實(shí)施例的限制,其他的任何未背離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)與原理下所作的改變、修飾、替代、組合、簡(jiǎn)化, 均應(yīng)為等效的置換方式,都包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求
      1.一種鋼鐵基體表面沉積鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石涂層的制備方法,其特征在于,具體包括下述步驟(1)在鋼鐵基體表面濺射沉積Cr膜;(2)在沉積Cr膜的基體上沉積CuCr膜;(3)在沉積有Cr/CuCr膜的樣品上,上砂復(fù)合電鍍Cu-金剛石復(fù)合層;(4)在上砂復(fù)合鍍的樣品上,加固鍍CuCrMo層;(5)用CVD金剛石生長(zhǎng)設(shè)備在沉積有鑲嵌過(guò)渡層樣品表面生長(zhǎng)出連續(xù)金剛石涂層;(6)在CVD金剛石生長(zhǎng)結(jié)束后,用還原性或中型氣體氣流噴冷樣品淬火。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(1)沉積Cr膜將鋼鐵基體表面經(jīng)機(jī)械處理、超聲波清洗后放入磁控濺射室,抽本底真空度小于8 X 10_3Pa,充高純氬氣至工作氣壓為0. 5 lPa,設(shè)置鋼鐵基體負(fù)偏壓為-150 -50V,將鋼鐵基體加熱至400 700°C ;啟動(dòng)鉻靶磁控濺射,磁控濺射功率密度為5. 0 20W/cm2,鉻濺射時(shí)間為20 60min。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟( 沉積CuCr膜同時(shí)啟動(dòng)鉻靶和銅靶濺射沉積,鉻濺射功率密度為2 5. Off/cm2,銅靶磁控濺射功率密度為4 IOW/ cm2,沉積時(shí)間為10 20min。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述步驟C3)復(fù)合電鍍Cu-金剛石復(fù)合層將鍍有Cr/CuCr雙層膜的樣品,水平放入上砂電鍍液浸泡金剛石顆粒的上砂電鍍槽中,用紫銅為陽(yáng)極,樣品為陰極,采用埋砂法上砂,上砂電流密度為0. 4 1. 5A/dm2,上砂鍍時(shí)間為15 35min。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(3)中電鍍液中各組分具體配方為Cu2 (OH)2CO3 45 70g/l,EDTA 5 30g/l,檸檬酸200 350g/l,酒石酸鉀鈉 30 60g/l,NH4HCO3 10 25g/l,添加劑100 200ml/l ;所述金剛石顆粒是經(jīng)過(guò)表面處理的W5 W20金剛石顆粒,添加量為30 40g/l ;電鍍前所述金剛石顆粒在配好的電鍍液中至少浸泡10小時(shí)。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述金剛石顆粒的表面處理方法為 將金剛石顆粒放在質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25 36%的濃鹽酸中煮沸30 60分鐘,然后用水洗至中性;所述添加劑為甲酰胺與乙二醇混合液,體積比為3 2。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1 6任意一項(xiàng)所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(4)加固鍍 CuCrMo層將上砂鍍后的樣品放入加固鍍槽中電鍍,電流密度為1. O 2. 0A/dm2,加固至金剛石顆粒的80 90 %埋在CuCrMo鍍層中,取出樣品,洗凈干燥后即得到在鋼鐵基體上沉積有鑲嵌過(guò)渡層的樣品。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(4)電鍍液中各組分具體配方為=Cu (BF4)2 · 6H2O 60 80g/l,氟硼酸鉻 60 80g/l, Na2MoO4 · 2H20 10 30g/l,檸檬酸10 30g/l,氯化鑭0. 1 0. 3g/l,硼酸10 30g/l,用氟硼酸調(diào)節(jié)PH值到1. O。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法,其特征在于,所述步驟(5)CVD金剛石生長(zhǎng)設(shè)備是熱絲CVD設(shè)備、微波CVD設(shè)備、直流等離子噴射CVD設(shè)備或射頻CVD設(shè)備;所述步驟(1)鋼鐵基體為 5CrNiSiMnMoV、7CrSiMnMoV、5Cr2NiMoVSi、9CrSi、GCrl5 或!35CrMo。
      10.權(quán)利要求1 9任意一項(xiàng)方法制備得到的鋼鐵基體上沉積鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石涂層,其特征在于,所述鉻膜厚度為5 10 μ m,銅鉻膜厚度為1 2 μ m,所述上砂鍍層和加固層的鍍層厚度總和為金剛石顆粒高度的80 90%,CuCrMo合金加固鍍層的Cr含量為 0. 01 0. 2%, Mo含量在0. 1 0. 5%范圍。
      全文摘要
      本發(fā)明公開(kāi)了一種鋼鐵基體表面沉積鑲嵌結(jié)構(gòu)界面金剛石涂層及其制備方法,具體包括下述步驟(1)在鋼鐵基體表面濺射沉積Cr膜;(2)在沉積Cr膜的基體上沉積CuCr膜;(3)在沉積有Cr/CuCr膜的樣品上,上砂復(fù)合電鍍Cu-金剛石復(fù)合層;(4)在上砂復(fù)合鍍的樣品上,加固鍍CuCrMo層;(5)用CVD金剛石生長(zhǎng)設(shè)備在沉積有鑲嵌過(guò)渡層樣品表面生長(zhǎng)出連續(xù)金剛石涂層;(6)在CVD金剛石生長(zhǎng)結(jié)束后,用還原性或中型氣體氣流噴冷樣品淬火。本發(fā)明的方法不僅解決了鋼鐵基體對(duì)金剛石沉積的石墨化問(wèn)題,而且過(guò)渡層強(qiáng)度和硬度高,和硬質(zhì)合金相近,與金剛石涂層結(jié)合力好。
      文檔編號(hào)C25D3/38GK102286743SQ20111023710
      公開(kāi)日2011年12月21日 申請(qǐng)日期2011年8月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月18日
      發(fā)明者余紅雅, 劉仲武, 吳強(qiáng), 曾德長(zhǎng), 潘建偉, 邱萬(wàn)奇, 鐘喜春 申請(qǐng)人:華南理工大學(xué)
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