專利名稱：一種晶粒鍍鎳金裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體晶粒進行鍍鎳金的裝置，尤其涉及對不良品進行鍍加工返工的鍍鎳金裝置。
背景技術：
半導體制程中，二極管晶粒在焊接的過程中有時會發(fā)生焊接不良現(xiàn)象，例如金層脫落、鎳層脫落(俗稱M-peeling)等現(xiàn)象，焊接效果不好直接導致晶粒在客戶端應用受到影響，具有較大的品質(zhì)隱患。原因是半導體晶片在切割前有鍍層不均勻現(xiàn)象，很多時候這種現(xiàn)象不易被發(fā)現(xiàn)， 只有在晶片切割成晶粒并在焊接后對通過焊接件做拉力測試才能發(fā)現(xiàn)鍍層脫落的有關情況。晶片的返工相對來說比較容易，只需要去金后重新按照原工藝再次鍍鎳金即可。然而晶粒的返工由于晶粒較小，且作業(yè)時晶粒易堆積在一起。目前采用常規(guī)的手段是將晶粒放置在提籃中，再人工操作浸入鍍槽，即便人工操作時能夠充分晃動提籃，也難以保證每個晶粒的各部位與鍍液充分接觸。根本原因在于晶粒較小，且作業(yè)時容易堆積在一起，溶液只能和表面的部分晶粒充分反應，堆積在內(nèi)部的晶粒反應較少，鍍出的晶粒顏色一般差異較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明針對以上問題，提供了一種能確保每個晶粒的各部位能夠均勻、充分與鍍液接觸的晶粒鍍鎳金裝置。本發(fā)明的技術方案是包括鍍槽和帶提把的提籃，所述鍍槽具有雙層上、下結構的底板一和底板二，位于上部的底板二傾斜設置，且底板二上均布若干尺寸小于所述晶粒的孔；在所述鍍槽內(nèi)還設有底槽，所述底槽設在所述底板二的最低邊邊緣的下部，所述提籃設在所述底槽內(nèi)。所述底板一和底板二之間具有空隙，所述空隙連通氮氣源。所述底板一和底板二之間具有空隙，所述空隙內(nèi)盤設氣管，氣管的上部設有若干氣孔，所述氣管連通氮氣源。所述鍍槽呈長方體形，所述底板二為平板，與水平面呈40-75°夾角；所述底板一與底板二平行。所述鍍槽呈圓柱筒形，所述底板二呈螺旋狀；所述底板一呈與底板二一致的螺旋狀。本發(fā)明改變了以往操作人員手工浸入的方式，從鍍槽內(nèi)底板二的最高端向內(nèi)逐個投入晶粒，由于底板二傾斜或螺旋傾斜設置，晶粒在重力作用下會沿底板二下行，為防止在下行過程中，晶粒與底板二之間面接觸、摩擦，在底板二上開設若干孔，孔內(nèi)噴出氮氣，形成鼓泡，避免晶粒與底板二直接接觸、摩擦。滑落到底板二最低端的晶粒最終掉落到提籃中， 最后被提出鍍槽，完成鍍鎳金的工序。本發(fā)明在減輕勞動強度、提高加工效率的同時，能夠避免人工操作晃動提籃時鍍液濺到操作人員身體上，減少操作人員直接吸入鍍液蒸汽；最后，本發(fā)明由于是逐個加入晶粒，并且各晶粒在運行過程中是“懸空”運行，能夠充分接觸鍍液、避免表面與底板二摩擦。


圖1是本發(fā)明的結構示意圖， 圖2是圖1的俯視圖，
圖3是圖1中I處局部放大圖， 圖4是本發(fā)明另一種實施方式的結構示意圖中1是鍍槽，11是底板一，12是底板二，121是孔，13是底槽，2是空隙，21是氣管，210 是氣孔，3是晶粒，4是提籃，41是提把，5是鍍液。
具體實施例方式本發(fā)明如圖1-4所示包括鍍槽1和帶提把41的提籃4，所述鍍槽1具有雙層上、 下結構的底板一 11和底板二 12，位于上部的底板二 12傾斜設置，且底板二 12上均布若干尺寸小于所述晶粒的孔121 ；在所述鍍槽1內(nèi)還設有底槽13，所述底槽13設在所述底板二 12的最低邊邊緣的下部，所述提籃4設在所述底槽13內(nèi)。在設置鼓泡措施時，有以下兩種手段
一是在底板一 11和底板二 12之間具有空隙2，所述空隙2連通氮氣源。二是在底板一 11和底板二 12之間具有空隙2，所述空隙2內(nèi)盤設氣管21，氣管 21的上部設有若干氣孔210，所述氣管21連通氮氣源。在盤設氣管21時，根據(jù)不同的間隙形狀(矩形、圓形)采用不同的盤設方式，比如同心圓式、S曲折彎式等。在設置本發(fā)明鍍槽時，有兩種方式，一是如圖1-3所示的鍍槽1呈長方體形，所述底板二 12為平板，與水平面呈40-75°夾角；所述底板一 11與底板二 12平行。二是如圖4所示，所述鍍槽1呈圓柱筒形，所述底板二 12呈螺旋狀；所述底板一 11 呈與底板二 11 一致的螺旋狀。此外，由于鍍鎳金充分反應有一定的時間要求(9(Γ120秒)，也就是晶粒3與鍍液5 充分反應的過程是在底板二 12上運行時實現(xiàn)的。對不同大小的晶粒3，可通過選擇底板二 12的不同角度、長度，以及氮氣的壓力來實現(xiàn)。此外，還可以通過改變底板二 12上的孔121 的角度來實現(xiàn)，也就是說孔121朝向底板二 12的高位邊傾斜時，能延長晶粒3的運行時間， 反之則加速晶粒3的運行時間。由于鍍液5 —般控制在90°C，因此承載加工完畢晶粒3的提籃4需能夠承載該溫度。
權利要求
1.一種晶粒鍍鎳金裝置，包括鍍槽和帶提把的提籃，其特征在于，所述鍍槽具有雙層上、下結構的底板一和底板二，位于上部的底板二傾斜設置，且底板二上均布若干尺寸小于所述晶粒的孔；在所述鍍槽內(nèi)還設有底槽，所述底槽設在所述底板二的最低邊邊緣的下部， 所述提籃設在所述底槽內(nèi)。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種晶粒鍍鎳金裝置，其特征在于，所述底板一和底板二之間具有空隙，所述空隙連通氮氣源。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種晶粒鍍鎳金裝置，其特征在于，所述底板一和底板二之間具有空隙，所述空隙內(nèi)盤設氣管，氣管的上部設有若干氣孔，所述氣管連通氮氣源。
4.根據(jù)權利要求1、2或3所述的一種晶粒鍍鎳金裝置，其特征在于，所述鍍槽呈長方體形，所述底板二為平板，與水平面呈40-75°夾角；所述底板一與底板二平行。
5.根據(jù)權利要求1、2或3所述的一種晶粒鍍鎳金裝置，其特征在于，所述鍍槽呈圓柱筒形，所述底板二呈螺旋狀；所述底板一呈與底板二一致的螺旋狀。
全文摘要
一種晶粒鍍鎳金裝置。涉及對不良品進行鍍加工返工的鍍鎳金裝置。提供了一種確保每個晶粒能夠均勻、充分與鍍液接觸的晶粒鍍鎳金裝置。包括鍍槽和帶提把的提籃，從鍍槽內(nèi)底板二的最高端向內(nèi)逐個投入晶粒，晶粒在重力作用下會沿底板二下行，在底板二上開設若干孔，孔內(nèi)噴出氮氣，形成鼓泡，避免晶粒與底板二直接接觸、摩擦?；涞降装宥畹投说木ЯＷ罱K掉落到提籃中，最后被提出鍍槽，完成鍍鎳金的工序。本發(fā)明在減輕勞動強度、提高加工效率的同時，避免人工操作晃動提籃時鍍液濺到身體上，減少直接吸入鍍液蒸汽；最后，本發(fā)明由于是逐個加入晶粒，并且各晶粒在運行過程中是“懸空”運行，能夠充分接觸鍍液、避免表面與底板二摩擦。
文檔編號C25D7/12GK102321899SQ201110308020
公開日2012年1月18日 申請日期2011年10月12日 優(yōu)先權日2011年10月12日
發(fā)明者汪良恩 申請人:揚州杰利半導體有限公司