專利名稱：一種用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液及蝕刻方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種蝕刻液及蝕刻方法，更具體的，本發(fā)明涉及一種用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液及蝕刻方法。
背景技術：
目前，市場上已經(jīng)公開了一種金屬表面的裝飾方法，其中，該方法包括在金屬基材表面絲印形成圖案，接著依次進行化學蝕刻、電化學拋光和沉積金屬層。其中，采用了電化學拋光步驟對蝕刻后的金屬板進行適度拋光，使裝飾后的金屬板蝕刻部分的光澤度從現(xiàn)有技術的20GU以下提高到70GU以上，且非蝕刻部分的光澤度為600GU以上，可以使裝飾后的金屬板獲得光亮與半光亮相間的效果，從而提高了金屬裝飾板的外觀美觀效果。但是電化學拋光只能增加工件的光亮度，并不具備蝕刻效果。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少解決上述技術問題之一。為此，本發(fā)明的一個目的在于提出一種用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，該電蝕刻液至少具有下列優(yōu)點之一:蝕刻效果好，穩(wěn)定性好，安全性高。本發(fā)明的另一個目的在于提出一種非晶合金材料件的蝕刻方法，該蝕刻方法至少具有下列優(yōu)點之一:方法簡單 易行，操作過程安全性高。為了實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，所述電蝕刻液含有5 15wt%的拋光劑，5 15wt%的蝕刻劑以及0.7 7wt%的緩蝕劑。根據(jù)本發(fā)明實施例的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，由于拋光劑可以起電拋光作用，提升工件蝕刻區(qū)域的光澤度及去除工件化學蝕刻后的尖銳部分，掉高蝕刻區(qū)的平整性與均勻性，蝕刻劑可以起蝕刻作用，提升工件蝕刻后的尺寸精度，電蝕刻液在增加工件光亮度的同時，還能具備蝕刻作用，且在緩蝕劑作用下，蝕刻區(qū)底紋光滑、光澤度高，可有效提高工件表面裝飾性。另外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，還可以具有如下附加的技術特征:根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述拋光劑為油酸。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述蝕刻劑為氯化鹽。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述非晶合金材料件為鋯基非晶合金材料件，所述蝕刻劑為氯化鋯。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述緩蝕劑為羧酸鹽和有機膦酸鹽，其中所述電蝕刻液含有0.5 5wt%的羧酸鹽和0.2 2wt%的有機膦酸鹽。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述羧酸鹽為選自甲酸鈉、乙酸鈉、苯甲酸鈉、硬脂酸鈉、月桂酸鈉、二甲苯磺酸鈉中的一種或多種。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述羧酸鹽為硬脂酸鈉、月桂酸鈉或其組合。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述有機膦酸鹽為選自氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸鈉、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸中的一種或多種。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述有機膦酸鹽為乙二胺四甲叉膦酸鈉。另外，根據(jù)本發(fā)明第二方面實施例的非晶合金材料件的蝕刻方法，包括以下步驟:a)在所述非晶合金材料件表面設置掩模；b)使用化學蝕刻液對表面設置有掩模的非晶合金材料件進行化學蝕刻；c)使用電蝕刻液對化學蝕刻后的非晶合金材料件進行電蝕刻，其中所述電蝕刻液含有5 15wt%的拋光劑，5 15wt%的蝕刻劑以及0.7 7wt%的緩蝕劑；以及d)除去電蝕刻后的非晶合金材料件表面的掩模，得到帶有蝕刻圖案的非晶合金材料件。根據(jù)本發(fā)明上述實施例的非晶合金材料件的蝕刻方法，由于在化學蝕刻之后還使用根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例的電蝕刻液進行電蝕刻，從而可以更好的控制蝕刻精度尺寸，電蝕刻還有拋光的作用，使蝕刻區(qū)底紋光滑且光澤度高，提高表面裝飾性。根據(jù)本發(fā)明上述實施例的非晶合金材料件的蝕刻方法，還可以具有如下附加的技術特征:根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述非晶合金材料件為鋯基非晶合金材料件，所述化學蝕刻液含有10 30wt%鹽酸、10 3(^丨％硝酸鐵、02 2wt%三聚磷酸鹽及0.2% 2wt %苯并三唑或苯并三唑衍生物。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，在所述步驟c)中，使所述非晶合金材料件的設置有所述掩模的表面與所述電蝕刻液接觸且以所述非晶合金材料件為正極，以不銹鋼、鉛板或石墨板為負極，在所述正極和負極之間施加8 20V直流電壓及0.5A 2A/dm電流以便進行電蝕刻。根據(jù)本發(fā)明的一 個實施例，所述電蝕刻在常溫下進行，所述電蝕刻的時間為3 20分鐘。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述拋光劑為油酸。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述蝕刻劑為氯化鹽。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述非晶合金材料件為鋯基非晶合金材料件，所述蝕刻劑為氯化鋯。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述緩蝕劑為羧酸鹽和有機膦酸鹽，其中所述電蝕刻液含有0.5 5wt%的羧酸鹽和0.2 2wt%的有機膦酸鹽。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述羧酸鹽為選自甲酸鈉、乙酸鈉、苯甲酸鈉、硬脂酸鈉、月桂酸鈉、二甲苯磺酸鈉中的一種或多種。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述羧酸鹽為硬脂酸鈉、月桂酸鈉或其組合。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述有機膦酸鹽為選自氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸鈉、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸中的一種或多種。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述有機膦酸鹽為乙二胺四甲叉膦酸鈉。本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發(fā)明的實踐了解到。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點從結(jié)合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中:圖1是本發(fā)明實施例的非晶合金材料件的蝕刻方法的流程示意圖。
具體實施例方式下面詳細描述本發(fā)明的實施例。下面描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，所述電蝕刻液含有5 15wt%的拋光劑，5 15wt%的蝕刻劑以及0.7 7wt%的緩蝕劑。根據(jù)本發(fā)明實施例的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，由于拋光劑可以起電拋光作用，提升工件蝕刻區(qū)域的光澤度及去除工件化學蝕刻后的尖銳部分，掉高蝕刻區(qū)的平整性與均勻性，蝕刻劑可以起蝕刻作用，提升工件蝕刻后的尺寸精度，電蝕刻液在增加工件光亮度的同時，還能具備蝕刻作用，且在緩蝕劑作用下，蝕刻區(qū)底紋光滑、光澤度高，可有效提高工件表面裝飾性。 其中，作為拋光劑可以采用油酸。作為蝕刻劑，可以采用氯化鹽。作為緩蝕劑，可以采用羧酸鹽和有機膦酸鹽。有利地，所述電蝕刻液含有0.5 5wt%的羧酸鹽和0.2 2wt%的有機膦酸鹽。所述羧酸鹽可起潤濕及緩蝕的作用，可與水中兩價的金屬離子反應生成可溶性鹽及絡合物，當水中生成腐蝕產(chǎn)物后，此鹽或絡合物與腐蝕產(chǎn)物作用生成保護膜，可抑制腐蝕。所述羧酸鹽可以為選自甲酸鈉、乙酸鈉、苯甲酸鈉、硬脂酸鈉、月桂酸鈉、二甲苯磺酸鈉中的一種或多種。本發(fā)明優(yōu)選硬脂酸鈉、月桂酸鈉或其組合。所述有機膦酸鹽可以起緩蝕的作用，有機膦酸鹽與溶液中的二價離子生成一種帶正電的絡合離子，此種離子以膠溶狀態(tài)存在水中，當非晶合金材料件產(chǎn)生腐蝕時，此種帶正電的離子向腐蝕微電詘中陰極區(qū)移動，同時與腐蝕產(chǎn)生的離子相絡合，沉積在陰極區(qū)形成保護膜。所述有機膦酸鹽可以為選自氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸鈉、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸中的一種或多種。所述有機膦酸鹽為乙二胺四甲叉膦酸鈉。首先，參考圖1描述本發(fā)明所涉及的非晶合金材料件的蝕刻方法的流程。具體的，本發(fā)明所涉及的非晶合金材料件的蝕刻方法概括而言主要先進行化學蝕刻，在化學蝕刻后進行電蝕刻從而得到最終產(chǎn)品。需要說明的是，本發(fā)明的蝕刻方法適用于任意非晶合金材料件，尤其適用于化學蝕刻速度存在較大差異的金屬形成的非晶合金，例如鋯基非晶合金材料件。具體而言，根據(jù)本發(fā)明的蝕刻方法包括以下步驟:a)在所述非晶合金材料件表面設置掩模。
其具體操作可以為:在堿性溶液中，以非晶合金材料件為陽極或陰極，采用不銹鋼板、鎳板、鍍鎳鋼板或鈦板為第二電極，在直流電作用下將非晶合金材料件表面油污除去；將除油后的非晶合金材料件進行水洗并烘干，然后根據(jù)需要的圖案和花紋在非晶合金材料件表面設置掩模。由此，便可完成蝕刻的準備工作。b)使用化學蝕刻液對表面設置有掩模的非晶合金材料件進行化學蝕刻。所述化學蝕刻液和蝕刻方法沒有特殊的限制，可以根據(jù)非晶合金材料的材質(zhì)適宜地選用已知的化學蝕刻液和方法。有利地，所述化學蝕刻液可以含有10 30wt%鹽酸、10 30 七％硝酸鐵、02 2wt%三聚磷酸鹽及0.2% 2wt%*并三唑或苯并三唑衍生物。其具體操作可以為:將步驟a)中準備好的設置有掩模的非晶合金材料件放入化學蝕刻液中進行反應。經(jīng)過上述化學蝕刻后，底紋較粗造且無光澤，且裝飾性較差。為此，根據(jù)本發(fā)明的蝕刻方法在上述化學蝕刻步驟之后還添加了電蝕刻步驟，由于電蝕刻過程較慢且通過采用含有拋光劑、和緩蝕劑的電蝕刻液可以有效地改善蝕刻效果。電蝕刻可以包括以下步驟:c)使用電蝕刻液對化學蝕刻后的非晶合金材料件進行電蝕刻。其中，所述電蝕刻液含有5 15wt%的拋光劑，5 15wt%的蝕刻劑以及0.7 7wt%的緩蝕劑。其中，拋光劑起到了提升工件蝕刻區(qū)域的光澤度及去除工件化學蝕刻后的尖銳部分，掉高蝕刻區(qū)的平整性與均勻性的作用；蝕刻劑針對化學蝕刻后進行精細蝕刻，起到提升工件蝕刻后的尺寸精 度的作用；緩蝕劑可起到潤濕及緩蝕的作用，可與水中兩價的金屬離子Ca2+、Zn2+等反應生成可溶性鹽及絡合物，從而與蝕刻環(huán)境中生成的腐蝕產(chǎn)物作用生成保護膜，抑制腐蝕。其中，作為拋光劑可以采用油酸。作為蝕刻劑，可以采用氯化鹽。作為緩蝕劑，可以采用羧酸鹽和有機膦酸鹽。有利地，所述電蝕刻液含有0.5 5wt%的羧酸鹽和0.2 2wt%的有機膦酸鹽。所述羧酸鹽可起潤濕及緩蝕的作用，可與水中兩價的金屬離子反應生成可溶性鹽及絡合物，當水中生成腐蝕產(chǎn)物后，此鹽或絡合物與腐蝕產(chǎn)物作用生成保護膜，可抑制腐蝕。所述羧酸鹽可以為選自甲酸鈉、乙酸鈉、苯甲酸鈉、硬脂酸鈉、月桂酸鈉、二甲苯磺酸鈉中的一種或多種。本發(fā)明優(yōu)選硬脂酸鈉、月桂酸鈉或其組合。所述有機膦酸鹽可以起緩蝕的作用，有機膦酸鹽與溶液中的二價離子生成一種帶正電的絡合離子，此種離子以膠溶狀態(tài)存在水中，當非晶合金材料件產(chǎn)生腐蝕時，此種帶正電的離子向腐蝕微電詘中陰極區(qū)移動，同時與腐蝕產(chǎn)生的離子相絡合，沉積在陰極區(qū)形成保護膜。所述有機膦酸鹽可以為選自氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸鈉、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸中的一種或多種。所述有機膦酸鹽為乙二胺四甲叉膦酸鈉。電蝕刻的具體操作例如可以為:使所述非晶合金材料件的設置有掩模的表面與電蝕刻液接觸，以非晶合金材料件為正極，以不銹鋼、鉛板或石墨板為負極，在正極和負極之間施加8 20V直流電壓及0.5A 2A/dm電流，對非晶合金材料件進行電蝕刻3 20分鐘。d)最后，除去電蝕刻后的非晶合金材料件表面的掩模，得到帶有蝕刻圖案的非晶合金材料件。關于去除電蝕刻后的非晶合金材料件表面的掩模的方法沒有特殊限制，例如可以包括以下步驟:將完成電蝕刻的非晶合金材料件進行水洗，水洗后去除掩模，然后再進行水洗，烘干后便可得到帶有蝕刻圖案的非晶合金材料件。由此，便可完成非晶合金材料件的蝕刻。下面通過具體實施例描述本發(fā)明。其中，擬定蝕刻后要求的深度尺寸為0.2mm,寬度5.0mm。此外，在下述實施例中所使用的非晶合金件是由鋯基非晶合金材料制成，其成分為:鋯60%、銅25%、鋁4%、鎳4%、釔2%及其他金屬。實施例1a)設置掩模在堿性溶液中，以非晶合金材料件為陽極，采用不銹鋼板為陰極，在直流電作用下將非晶合金材料件表面油污除去；將除油后的非晶合金材料件進行水洗并烘干，然后根據(jù)圖案和花紋在非晶合金材料件表面設置掩模。b)化學蝕刻用含有鹽酸20wt%、硝酸鐵15wt%、三磷酸鈉Iwt %、苯并三唑0.5 丨％的溶液作為化學蝕刻液，在25°C溫度條件下，將設置有掩模的非晶合金材料件放入化學蝕刻液中反應 5min。c)電蝕刻用含有油酸15wt%、氯化錯10wt%、硬脂酸鈉3wt%、乙二胺四甲叉膦酸鈉lwt%的溶液作為電蝕刻液，在25°C溫度條件下，將非晶合金材料件的設置有掩模的表面與電蝕刻液接觸，以非晶合金材料件為正極，以不銹鋼為負極，在正極和負極之間施加8 20V直流電壓及0.5A 2A/dm電流，對非晶合金材料件進行電蝕刻5分鐘。d)去掩模將完成電蝕刻的非晶合金材料件進行水洗，水洗后去除掩模，然后再進行水洗，烘干后便可得到帶有蝕刻圖案的非晶合金材料件。實施例2a)設置掩模在堿性溶液中，以非晶合金材料件為陽極，采用不銹鋼板為陰極，在直流電作用下將非晶合金材料件表面油污除去；將除油后的非晶合金材料件進行水洗并烘干，然后根據(jù)圖案和花紋在非晶合金材料件表面設置掩模。b)化學蝕刻用含有鹽酸15 丨％、硝酸鐵2(^%、三磷酸鈉2wt%、苯并三唑1.5 丨％的溶液作為化學蝕刻液，在25°C溫度條件下 ，將設置有掩模的非晶合金材料件放入化學蝕刻液中反應 6min。c)電蝕刻用含有油酸1Owt %、氯化鋯15wt%、月桂酸鈉4wt%、乙二胺四甲叉膦酸鈉
1.5wt%的溶液作為電蝕刻液，在25°C溫度條件下，將非晶合金材料件的設置有掩模的表面與電蝕刻液接觸，以非晶合金材料件為正極，以不銹鋼為負極，在正極和負極之間施加IOV直流電壓(關于電壓范圍，可以在8 20V之間根據(jù)要求進行適應性設定)及l(fā)A/dm電流(關于電流范圍，可以在0.5 2A/dm之間根據(jù)要求進行適應性設定)，對非晶合金材料件進行電蝕刻7分鐘。d)去掩模將完成電蝕刻的非晶合金材料件進行水洗，水洗后去除掩模，然后再進行水洗，烘干后便可得到帶有蝕刻圖案的非晶合金材料件。同時，為了與僅進行化學蝕刻的現(xiàn)有蝕刻方法進行比較，還采用類似的化學蝕刻液和方法制備了對比例I和對比例2的樣品。具體如下:對比例1在堿性溶液中，以非晶合金材料件為陽極，采用不銹鋼板為陰極，在直流電作用下將非晶合金材料件表面油污除去；將除油后的非晶合金材料件進行水洗并烘干，然后根據(jù)圖案和花紋在非晶合金材料件表面設置掩模。用含有鹽酸20wt%、硝酸鐵15wt%、三磷酸鈉Iwt %、苯并三唑0.5 丨％的溶液作為化學蝕刻液，在25°C溫度條件下，將設置有掩模的非晶合金材料件放入化學蝕刻液中反應 8min。將完成化學蝕刻的非晶合金材料件進行水洗，水洗后去除掩模，然后再進行水洗，烘干后便可得到帶有蝕刻圖案的非晶合金材料件。對比例2在堿性溶液中，以非晶合金材料件為陽極，采用不銹鋼板為陰極，在直流電作用下將非晶合金材料件表面油污除去；將除油后的非晶合金材料件進行水洗并烘干，然后根據(jù)圖案和花紋在非晶合金材料件表面設置掩模。用含有鹽酸30wt%、硝酸鐵30wt%、三磷酸鈉Iwt%、苯并三唑3wt%的溶液作為化學蝕刻液，在25°C溫度條件下，將設置有掩模的非晶合金材料件放入化學蝕刻液中反應4min。將完成化學蝕刻的非晶合金材料件進行水洗，水洗后去除掩模，然后再進行水洗，烘干后便可得到帶有蝕刻圖案的非晶合金材料件。將上述4個實施例蝕刻所得蝕刻樣品的蝕刻尺寸和光澤度進行記錄并對比關于蝕刻尺寸，用千分卡尺對蝕刻后的工件進行尺寸測試。關于光澤，用光澤測試儀對蝕刻后區(qū)域的光澤進行測試。上述測試結(jié)果如表I所示。此外，還通過肉眼判斷蝕刻底面的平整性倉泛。表I蝕刻數(shù)據(jù)記錄表
權利要求
1.一種用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述電蝕刻液含有5 15wt%的拋光劑，5 15wt%的蝕刻劑以及0.7 7wt%的緩蝕劑。
2.根據(jù)權利要求1所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述拋光劑為油酸。
3.根據(jù)權利要求1所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述蝕刻劑為氯化鹽。
4.根據(jù)權利要求3所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述非晶合金材料件為鋯基非晶合金材料件，所述蝕刻劑為氯化鋯。
5.根據(jù)權利要求3或4所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述緩蝕劑為羧酸鹽和有機膦酸鹽，其中所述電蝕刻液含有0.5 5wt%的羧酸鹽和0.2 2被％的有機膦酸鹽。
6.根據(jù)權利要求5所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述羧酸鹽為選自甲酸鈉、乙酸鈉、苯甲酸鈉、硬脂酸鈉、月桂酸鈉、二甲苯磺酸鈉中的一種或多種。
7.根據(jù)權利要求5所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述羧酸鹽為硬脂酸鈉和/或月桂酸鈉。
8.根據(jù)權利要求5所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述有機膦酸鹽為選自氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸鈉、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸中的一種或多種。
9.根據(jù)權利要求5所述的用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液，其特征在于，所述有機膦酸鹽為乙二胺四甲 叉膦酸鈉。
10.一種非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，包括以下步驟: a)在所述非晶合金材料件表面設置掩模； b)使用化學蝕刻液對表面設置有掩模的非晶合金材料件進行化學蝕刻； c)使用電蝕刻液對化學蝕刻后的非晶合金材料件進行電蝕刻，其中所述電蝕刻液含有5 15wt%的拋光劑，5 15wt%的蝕刻劑以及0.7 7wt%的緩蝕劑；以及 d)除去電蝕刻后的非晶合金材料件表面的掩模，得到帶有蝕刻圖案的非晶合金材料件。
11.根據(jù)權利要求10所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述非晶合金材料件為鋯基非晶合金材料件，所述化學蝕刻液含有10 30wt%鹽酸、10 30wt%硝酸鐵、02 2wt%三聚磷酸鹽及0.2 0Z0 2wt%*并三唑或苯并三唑衍生物。
12.根據(jù)權利要求10所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，在所述步驟c)中，使所述非晶合金材料件的設置有所述掩模的表面與所述電蝕刻液接觸且以所述非晶合金材料件為正極，以不銹鋼、鉛板或石墨板為負極，在所述正極和負極之間施加8 20V直流電壓及0.5A 2A/dm電流以便進行電蝕刻。
13.根據(jù)權利要求12所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述電蝕刻在常溫下進行，所述電蝕刻的時間為3 20分鐘。
14.根據(jù)權利要求10至12中任一項所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述拋光劑為油酸。
15.根據(jù)權利要求10至12中任一項所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻劑為氯化鹽。
16.根據(jù)權利要求15所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述非晶合金材料件為鋯基非晶合金材料件，所述蝕刻劑為氯化鋯。
17.根據(jù)權利要求15所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述緩蝕劑為羧酸鹽和有機膦酸鹽，其中所述電蝕刻液含有0.5 5wt%的羧酸鹽和0.2 2wt%的有機膦酸鹽。
18.根據(jù)權利要求17所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述羧酸鹽為選自甲酸鈉、乙酸鈉、苯甲酸鈉、硬脂酸鈉、月桂酸鈉、二甲苯磺酸鈉中的一種或多種。
19.根據(jù)權利要求17所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述羧酸鹽為硬脂酸鈉、月桂酸鈉或其組合。
20.根據(jù)權利要求17所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述有機膦酸鹽為選自氨基三甲叉膦酸、乙二胺四甲叉膦酸鈉、乙二胺四甲叉膦酸、二乙烯三胺五甲叉膦酸、2-膦酸丁烷-1，2，4-三羧酸中的一種或多種。
21.根據(jù)權利要求17所述的非晶合金材料件的蝕刻方法，其特征在于，所述有機膦酸鹽為乙二胺四甲叉 膦酸鈉。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于電蝕刻非晶合金材料件的電蝕刻液及蝕刻方法。所述電蝕刻液含有5～15wt％的拋光劑，5～15wt％的蝕刻劑以及0.7～7wt％的緩蝕劑。所述蝕刻方法包括以下步驟在所述非晶合金材料件表面設置掩模；使用化學蝕刻液對表面設置有掩模的非晶合金材料件進行化學蝕刻；使用電蝕刻液對化學蝕刻后的非晶合金材料件進行電蝕刻；以及除去電蝕刻后的非晶合金材料件表面的掩模，得到帶有蝕刻圖案的非晶合金材料件。根據(jù)本發(fā)明的非晶合金材料件的蝕刻方法可以有效控制蝕刻精度尺寸，使蝕刻區(qū)底紋光滑且光澤度高，提高非晶合金材料件的表面裝飾性。
文檔編號C25F3/08GK103160909SQ201110421439
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月15日 優(yōu)先權日2011年12月15日
發(fā)明者宮清, 林宏業(yè), 連俊蘭, 高鄉(xiāng)明, 劉青松 申請人:比亞迪股份有限公司