專利名稱：晶圓電鍍導(dǎo)電密封圈的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種晶圓電鍍導(dǎo)電密封圏。
背景技術(shù)：
晶圓生產(chǎn)過(guò)程中，需要電鍍處理。晶圓電鍍過(guò)程中，需要通電。為獲得更好的電鍍效果，電鍍過(guò)程中需要攪拌電鍍液使其處于運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。運(yùn)動(dòng)中的電鍍液容易濺出電鍍槽?，F(xiàn)有技術(shù)中的電鍍裝置，無(wú)法阻擋電鍍液濺出電鍍槽。由于最終需切割為正方形或長(zhǎng)方形，晶圓的形狀決定晶圓邊緣部分最終會(huì)被切除。晶圓邊緣部分切除后只能廢棄。如果電鍍時(shí)在晶圓邊緣電鍍了金屬，則會(huì)造成浪費(fèi)。因此，在晶圓邊緣部分電鍍會(huì)増加生產(chǎn)成本。而且，如果為晶圓導(dǎo)電的接線端與電鍍液接觸，接線端也會(huì)鍍上金屬。接線端上電鍍金屬不僅會(huì) 造成浪費(fèi)，而且會(huì)影響使用效果。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種可減少浪費(fèi)的晶圓電鍍導(dǎo)電密封圏。為實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)晶圓電鍍導(dǎo)電密封圈,其特征在于，包括導(dǎo)電金屬圈，所述導(dǎo)電金屬圈外包覆有絕緣密封圈；所述絕緣密封圈具有兩個(gè)以上間隔設(shè)置的孔，所述孔自絕緣密封圈上表面延伸至導(dǎo)電金屬圈。優(yōu)選地是，所述導(dǎo)電金屬圈設(shè)置有接線端子，所述接線端子突出于絕緣密封圏。優(yōu)選地是，絕緣密封圈具有外圓周與內(nèi)圓周；所述接線端子沿絕緣密封圈徑向突出于絕緣密封圈的外圓周。優(yōu)選地是，所述絕緣密封圈設(shè)置有臺(tái)階，所述臺(tái)階沿圓周方向設(shè)置有一周；所述臺(tái)階處具有高平面和低平面，所述高平面高于低平面；所述高平面位于地平面外周側(cè)；所述孔設(shè)置于低平面上。優(yōu)選地是，所述絕緣密封圈表面設(shè)置有阻擋晶圓自內(nèi)圓周向外圓周移動(dòng)的擋塊；所述擋塊數(shù)目為兩個(gè)以上；兩個(gè)以上的擋塊沿圓周方向分布。優(yōu)選地是，所述導(dǎo)電金屬圈設(shè)置有突出于導(dǎo)電金屬圈的觸點(diǎn)；所述觸點(diǎn)位于所述孔內(nèi)，觸點(diǎn)的上表面低于絕緣密封圈上表面。 本實(shí)用新型中的晶圓電鍍導(dǎo)電密封圏，晶圓放置于絕緣密封圈上，絕緣密封圈托住晶圓。將絕緣密封圈放置于電鍍槽上，槽蓋壓住晶圓邊緣和絕緣密封圏。晶圓邊緣在槽蓋的壓迫下與絕緣密封圈的孔處的導(dǎo)電金屬圈接觸。接線端子連接電源。通過(guò)接線端子、金屬導(dǎo)電圈為晶圓通電。電鍍槽內(nèi)的電鍍液向上流動(dòng)與晶圓表面接觸，在晶圓表面鍍上金屬。由于觸點(diǎn)上表面低于絕緣密封圈上表面，因此電鍍液無(wú)法越過(guò)絕緣密封圈而與晶圓邊緣或觸點(diǎn)接觸，也無(wú)法濺出至電鍍槽外。本實(shí)用新型中的晶圓電鍍導(dǎo)電密封圈，可以為晶圓導(dǎo)電，同時(shí)可用于密封電鍍槽，防止電鍍液濺出。本實(shí)用新型可防止以后會(huì)被切除的晶圓邊緣鍍上金屬，也可以防止導(dǎo)電觸點(diǎn)鍍上金屬，減少浪費(fèi)，節(jié)約生產(chǎn)成本。而且本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便。

圖I為本實(shí)用新型 結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的局部放大圖。圖3為局部A-A剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的描述如圖I、圖2和圖3所不，晶圓電鍍導(dǎo)電密封圈,包括導(dǎo)電金屬圈I。導(dǎo)電金屬圈I沿圓周方向間隔設(shè)置有兩個(gè)以上的觸點(diǎn)11。觸點(diǎn)11突出于導(dǎo)電金屬圈I。觸點(diǎn)11數(shù)目可根據(jù)其直徑確定。導(dǎo)電金屬圈I外包覆有絕緣密封圈2。絕緣密封圈2具有外圓周21與內(nèi)圓周22。絕緣密封圈2設(shè)置有臺(tái)階；臺(tái)階沿圓周方向設(shè)置有一周。臺(tái)階處具有高平面23和低平面24。高平面23高于低平面24 ;高平面23位于低平面24外周側(cè)。低平面24具有兩個(gè)以上沿圓周方向間隔設(shè)置的孔25?？?5自絕緣密封圈2上表面延伸至導(dǎo)電金屬圈I?？?5數(shù)目與觸點(diǎn)11數(shù)目相同，且每ー個(gè)觸點(diǎn)11位于其中ー個(gè)孔25內(nèi)。觸點(diǎn)11的上表面低于絕緣密封圈2上表面。絕緣密封圈2表面設(shè)置有阻擋晶圓自內(nèi)圓周22向外圓周21移動(dòng)的擋塊26。所述擋塊26數(shù)目為兩個(gè)以上；兩個(gè)以上的擋塊26沿圓周方向分布。導(dǎo)電金屬圈I設(shè)置有接線端子12。接線端子12沿絕緣密封圈2徑向突出于絕緣密封圈I的外圓周。本實(shí)用新型中的實(shí)施例僅用于對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行說(shuō)明，并不構(gòu)成對(duì)權(quán)利要求范圍的限制，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員可以想到的其他實(shí)質(zhì)上等同的替代，均在本實(shí)用新型保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.晶圓電鍍導(dǎo)電密封圏，其特征在干，包括導(dǎo)電金屬圈，所述導(dǎo)電金屬圏外包覆有絕緣密封圈；所述絕緣密封圈具有兩個(gè)以上間隔設(shè)置的孔，所述孔自絕緣密封圈上表面延伸至導(dǎo)電金屬圈。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓電鍍導(dǎo)電密封圈，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬圈設(shè)置有接線端子，所述接線端子突出于絕緣密封圏。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓電鍍導(dǎo)電密封圈，其特征在于，絕緣密封圈具有外圓周與內(nèi)圓周；所述接線端子沿絕緣密封圈徑向突出于絕緣密封圈的外圓周。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓電鍍導(dǎo)電密封圈，其特征在于，所述絕緣密封圈設(shè)置有臺(tái)階，所述臺(tái)階沿圓周方向設(shè)置有一周；所述臺(tái)階處具有高平面和低平面，所述高平面高于低平面；所述高平面位于地平面外周側(cè)；所述孔設(shè)置于低平面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓電鍍導(dǎo)電密封圈，其特征在于，所述絕緣密封圈表面設(shè)置有阻擋晶圓自內(nèi)圓周向外圓周移動(dòng)的擋塊；所述擋塊數(shù)目為兩個(gè)以上；兩個(gè)以上的擋塊沿圓周方向分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶圓電鍍導(dǎo)電密封圈，其特征在于，所述導(dǎo)電金屬圈設(shè)置有突出于導(dǎo)電金屬圈的觸點(diǎn)；所述觸點(diǎn)位于所述孔內(nèi)，觸點(diǎn)的上表面低于絕緣密封圈上表面。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種晶圓電鍍導(dǎo)電密封圈，其特征在于，包括導(dǎo)電金屬圈，所述導(dǎo)電金屬圈外包覆有絕緣密封圈；所述絕緣密封圈具有兩個(gè)以上間隔設(shè)置的孔，所述孔自絕緣密封圈上表面延伸至導(dǎo)電金屬圈。本實(shí)用新型中的晶圓電鍍導(dǎo)電密封圈，可以為晶圓導(dǎo)電，同時(shí)可用于密封電鍍槽，防止電鍍液濺出。本實(shí)用新型可防止以后會(huì)被切除的晶圓邊緣鍍上金屬，也可以防止導(dǎo)電觸點(diǎn)鍍上金屬，減少浪費(fèi)，節(jié)約生產(chǎn)成本。而且本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便。
文檔編號(hào)C25D7/12GK202482463SQ20112057430
公開日2012年10月10日 申請(qǐng)日期2011年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月31日
發(fā)明者劉紅兵, 王振榮, 黃利松 申請(qǐng)人:上海新陽(yáng)半導(dǎo)體材料股份有限公司