專利名稱：一種智能卡封裝框架的電鍍方法
一種智能卡封裝框架的電鍍方法技術(shù)領域
一種智能卡封裝框架的電鍍方法，屬于電子信息技術(shù)領域。
背景技術(shù)：
智能卡，也稱IC卡(Integrated Circuit Card,集成電路卡)、智慧卡 (intelligent card)、微電路卡(microcircuit card)或微芯片卡等。它是將一個微電子芯片嵌入符合IS07816標準的卡基中，做成卡片形式。智能卡是繼磁卡之后出現(xiàn)的又一種新型信息工具。一般常見的智能卡采用射頻技術(shù)與讀卡器進行通訊。它成功地解決了無源 (卡中無電源)和免接觸這一難題，是電子器件領域的一大突破。主要用于公交、輪渡、地鐵的自動收費系統(tǒng)，也應用在門禁管理、身份證明和電子錢包。
智能卡工作的基本原理是射頻讀寫器向智能卡發(fā)一組固定頻率的電磁波，卡片內(nèi)有一個LC串聯(lián)諧振電路，其頻率與讀寫器發(fā)射的頻率相同，這樣在電磁波激勵下，LC諧振電路產(chǎn)生共振，從而使電容內(nèi)有了電荷；在這個電容的另一端，接有一個單向?qū)ǖ碾娮颖?，將電容?nèi)的電荷送到另一個電容內(nèi)存儲，當所積累的電荷達到2V時，此電容可作為電源為其它電路提供工作電壓，將卡內(nèi)數(shù)據(jù)發(fā)射出去或接受讀寫器的數(shù)據(jù)。
傳統(tǒng)的智能卡電鍍工序為除油、活化、電鍍半光亮鎳、預鍍金、鍍硬金、鍍軟金、 后處理、熱水洗、烘干。這種工序的缺點是制造成本較高，制得的智能卡框架為三層的層狀結(jié)構(gòu)，最內(nèi)層為銅層，中間為鎳層，表面為金層。在傳統(tǒng)工藝下要求的厚度是鎳接觸面 3±1μ ，焊接層5±2μ ;金接觸面0· 1±0· 05 μ m，焊接層0. 3±O. I μ m。否則將達不到要求的抗腐蝕性和耐磨性能。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種成本降低的一種智能卡封裝框架的電鍍方法。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是該一種智能卡封裝框架的電鍍方法，其特征在于，接觸層電鍍工藝步驟為
I、前處理對成型框架的銅面進行表面清洗，除去銅面上的油脂和雜質(zhì)；使用活化鹽對銅面做活化處理，除掉銅面的氧化物。
2、鍍鎳在接觸層的銅面上電鍍I. 8^2. 2 μ m厚的鎳層；
3、鍍磷鎳在接觸層的鎳層上電鍍O. 4^0. 8 μ m的磷鎳合金層；
4、鍍金在接觸層的磷鎳合金層上再電鍍O. 009^0. 05 μ m厚的金層。
所述的接觸層的焊接層銅面上電鍍總厚5±2 μ m的鎳層與磷鎳合金層，再在磷鎳合金層上電鍍O. 3±0. I μ m厚的金層。
所述的步驟I前處理采用先做超聲振蕩再電解除油的工藝，電解除油具體工藝條件為在55°C條件下，使用堿性除油粉配制濃度為6(T75g/L的溶液，電解除油電流密度為 6 12ASD ;浸潰時間為l(T20s。
所述的步驟2鍍鎳的具體工藝條件為在銅面電鍍I. 8^2. 2 μ m厚的鎳層，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳9(Tll0g/L，氯化鎳l(Tl5g/L，硼酸35 40g/L，鎳柔軟劑3 5ml/L，鎳濕潤劑2 4ml/L ；PH=3. 5 4. 0，溫度為55 65°C，電流密度控制在10-30ASD，浸潰時間控制在 40 50s。
所述的步驟3鍍磷鎳的具體工藝條件為在鎳層上電鍍O. Γ0. 8 μ m的磷鎳合金層電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳9(Tll0g/L，氯化鎳35 45g/L，硼酸35 40g/L，15 25%的亞磷酸溶液45 55ml/L，溫度為50 55°C，PH=L 3 I. 7，電流密度控制在5-15ASD，浸潰時間控制在 40 50s。
所述的亞磷酸溶液作為磷鎳合金添加劑的主要組分。
所述的鎳柔軟劑主要成分為糖精鈉。所述的鎳濕潤劑主要組分為十二烷基磺酸鈉。
步驟2鍍鎳所用電鍍藥水優(yōu)選昆山軒亨貿(mào)易有限公司產(chǎn)品。
步驟2活化中所述的活化鹽為過硫酸鹽和硫酸鹽的混合物，活化溫度為18 40°C ； 浸潰時間為7 15s。活化鹽優(yōu)先使用得力有限公司(Technic)的Act9600活化鹽或昆山軒亨貿(mào)易有限公司ZA-200微蝕劑。
優(yōu)選的，所述的步驟3鍍鎳中在銅面電鍍2 μ m厚的鎳層；優(yōu)選的，所述的步驟I. 4 鍍磷鎳中在鎳層再上電鍍O. 5 μ m的磷鎳合金層。
優(yōu)選的，所述的步驟5鍍金中在在接觸層的磷鎳合金層外電鍍O. 03 μ m厚的金層。
所述的步驟5鍍金具體工藝為
I)預鍍金進行預鍍金，控制預鍍金藥水的PH=3. 6^4. 2，溫度4(T45°C ;浸潰時間 6 15s，電流密度O. I O. 8ASD ；
2)鍍硬金在接觸層的磷鎳合金層上電鍍厚度為O. 009^0. 05 μ m的硬金層，控制藥水成分中氰化金鉀4 6g/L，Co含量在O. 85 I. lg/L，控制PH=4. 2 5. 0，溫度為55 65。。， 浸潰時間7 20s，電流密度O. 18 O. 72ASD ；
鍍軟金在焊接層的磷鎳合金層上電鍍厚度為O. 3±0. I μπι的軟金層，控制藥水成分中氰化金鉀7 9g/L ;控制PH=5. 5飛.5，溫度為6(T65°C，浸潰時間5 15s，電流密度為2.5 5ASD。
步驟I)預鍍金中藥水主要成分為氰化金鉀，占I. 5^2. 5g/L，添加檸檬酸鹽作導電鹽。
步驟2)鍍硬金中藥水中有硫酸鈷和氫氧化鉀(質(zhì)量分數(shù)5 10%)的混合物，為藥水提供Co ;藥水中添加檸檬酸鹽作開缸劑。
乙氧基環(huán)丁烷二醇添加劑是為潤濕表面，防止陰極的副反應析氫產(chǎn)生針孔。
接觸層鍍金是鍍硬金工序完成，接觸層表面一個作用是導電，一個作用是需要耐磨，藥水中含有Co的成分，在電鍍時保證在鍍層表面的表面光亮耐磨。而焊接層的軟金層則是純金，有良好的導電性。
本發(fā)明所用原料均為市售產(chǎn)品，產(chǎn)品型號為市售統(tǒng)一型號。
上述一種智能卡封裝框架的電鍍方法制得的智能卡封裝框架的接觸層和焊接層均為四層結(jié)構(gòu)，自內(nèi)向外依次為銅層、鎳層、磷鎳合金層，金層；其中接觸層的鎳層厚度為I.8 2. 2 μ m,磷鎳合金層厚度為O. 4 0· 8 μ m,金層厚度為O. 009 O. 05 μ m ;焊接層鎳層與磷鎳合金層總厚為5±2 μ m,金層厚度為O. 3±0. I μ m。
所述的磷鎳合金層中磷占質(zhì)量分數(shù)為49Γ8%。
由于智能卡封裝框架具有高精密性與嚴格的外觀要求。本發(fā)明將電鍍磷鎳合金應用于智能卡封裝框架工藝，與傳統(tǒng)的半光亮鍍鎳相比，磷鎳合金的鍍層致密性更加良好，有良好的耐腐蝕性和抗磨耗的物理特性。本發(fā)明以一個最佳的磷鎳厚度值，減少智能卡第一接觸層的硬金膜厚，并且取消常規(guī)工藝的后處理，即封孔工藝，利用磷鎳合金的優(yōu)勢鍍層性能，來替代原常規(guī)工藝的為得到表面保護效果所做的措施，來減少生產(chǎn)成本，在之后進行的 96h鹽霧試驗，產(chǎn)品的表現(xiàn)非常好，通過了鹽霧試驗，表示其抗腐蝕性完全達到要求并且第二接觸層的焊線性能良好，完全無任何不良影響。
本發(fā)明方法對傳統(tǒng)工序進行了改進，加入了電鍍磷鎳合金，取消了后處理。本發(fā)明針對智能卡框架的對導電性能，耐磨性能，耐腐蝕性能特殊要求在原來鎳層和金層之間加鍍磷鎳合金層，以較小的厚度阻止內(nèi)層銅層的氧化，并通過控制磷鎳合金層的組分保證智能卡框架應有的功能實現(xiàn)。本發(fā)明特定組分磷鎳合金層的加入可有效防止內(nèi)層的滲透擴散，從而在外層金層的厚度大大減薄的情況下仍能保證智能卡框架的耐磨性和耐腐蝕性。
磷鎳可降低成本的機理對于磷鎳來說，磷的作用可以提高鎳的致密度，使磷鎳鍍層的晶格更加致密，從而有利于鹽霧的腐蝕.通常在鍍金之后也會過一個后保護劑(例如金的封孔劑)，來提高金的致密，鈍化金屬表面。在使用了磷鎳藥水之后，那么金的厚度與致密性作用就相對減小，所以可以通過降低金的厚度以及去除金之后的后處理劑來節(jié)約成本。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的一種智能卡封裝框架所具有的有益效果是1、用磷鎳合金替換原半光亮鎳的中間層，提高了產(chǎn)品接觸表面的耐磨性和抗腐蝕性。我們采取電流密度，溫度，PH條件的對磷鎳合金來說，可以避免磷鎳合金有漏鍍以及燒焦的可能性，取得性能良好的鍍層。通過測試發(fā)現(xiàn)，鎳與磷鎳層結(jié)合牢固，無鍍層分離的可能性。2、由于磷鎳合金鍍層的高致密性，所以產(chǎn)品具有良好的物理性能以及化學性能。智能卡的表面接觸的硬金層以及工藝中的后處理措施的目的就是對產(chǎn)品的一種保護作用，而采用了磷鎳合金， 相應的可以減少硬金的厚度，并取消后處理的使用，大大節(jié)約成本。在進行的一系列測試中，去除了后處理以及減少硬金膜厚的產(chǎn)品，鹽霧試驗表現(xiàn)良好。


圖I是一種智能卡封裝框架的電鍍方法電鍍的磷鎳層表面5000倍SEM分析。
圖2是傳統(tǒng)半光澤鎳表面5000倍SEM分析。
圖3是一種智能卡封裝框架的電鍍方法制得產(chǎn)品在NSS中性鹽霧試驗96h后的測試照片。
圖4是一種智能卡封裝框架的電鍍方法制得產(chǎn)品的層狀結(jié)構(gòu)示意圖。
其中，I、銅層2、鎳層3、磷鎳合金層4、金層5、基材。
從圖f 3可以看出本發(fā)明的產(chǎn)品在電鍍磷鎳層后更加光滑，鹽霧試驗檢測后產(chǎn)品表面光滑，外觀無異常，無腐蝕。
具體實施方式
下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明一種智能卡封裝框架的電鍍方法做進一步說明，其中實施例I為最佳實施例。實施例中所用原料均為市售產(chǎn)品，產(chǎn)品型號為市售統(tǒng)一型號。參照圖4 :本發(fā)明電鍍出的產(chǎn)品的接觸層和焊接層均為四層結(jié)構(gòu)，銅層I附著在基材5上，基材5兩側(cè)自內(nèi)向外依次為銅層I、鎳層2、磷鎳合金層3、金層4。實施例中活化鹽使用得力有限公司(Technic)的Act9600活化鹽或昆山軒亨貿(mào)易有限公司ZA-200微蝕劑。其中40CS導電鹽、80orosene-RC開缸劑#l、80orosene_RC開缸劑#2、80orosene-RC光亮劑、S-I添加劑、434HS導電鹽、434HS電解添加劑、434HS添加劑A、S-I添加劑均為得力有限公司(Technic)生產(chǎn)型號，鎳濕潤劑，鎳柔軟劑，磷鎳合金添加劑由昆山軒亨貿(mào)易有限公司提供，為市售統(tǒng)稱。實施例II、前處理采用了超聲振蕩以及電解除油的工藝對成型框架的銅面做除油處理，使用堿性除油粉，配制濃度為70g/L的溶液，溫度為55°C條件下，控制電解除油電流密度為10ASD ;浸潰時間為18s ；2、活化對除油后的銅面做活化處理，采用的70g/L的ZA-200微蝕劑與質(zhì)量分數(shù)3%的硫酸混合溶液，溫度35°C條件下浸潰時間為12s ；3、鍍鎳在成型框架接觸層電鍍I. Slum厚的鎳層，采用了 4個子槽進行鍍鎳，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳100g/L，氯化鎳13g/L，硼酸38g/L，鎳柔軟劑4ml/L，鎳濕潤劑3ml/L。PH=3. 8，溫度為55°C，電流密度控制在18ASD，浸潰時間48s。4、電鍍磷鎳在鎳層的基礎上電鍍0. 45、. 6um的磷鎳合金層，采用4個子槽進行電鍍，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳100g/L，氯化鎳40g/L，硼酸38g/L，磷鎳合金添加劑50ml/L，溫度為60°C，PH=L 5，電流密度控制在5ASD。相同藥水在焊接層銅面上電鍍總厚5um的鎳層與磷鎳合金層，浸潰時間48s。5、預鍍金在接觸層的磷鎳合金上預鍍金，藥水成分為金含量2g/L，使用40CS導電鹽控制比重9，PH=4. 0，溫度450C ;浸潰時間9s，電流密度0. 3ASD ；6、鍍硬金在接觸層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 025、. 032 iim的硬金層，藥水成分為金含量5g/L，80orosene-RC開缸劑#1控制比重15，80orosene-RC開缸劑#2為30g/L，80orosene-RC光亮劑控制Co含量在I. 0g/L，S_l添加劑4ml/L，PH=4. 7，溫度為60°C，浸潰時間12s，電流密度0. 4ASD ；7、鍍軟金在焊接層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 3 y m的軟金層，藥水成分金含量8g/L，434HS導電鹽控制比重在14，434HS電解添加劑30g/L，434HS添加劑A2ml/L，S-I添加劑3ml/L ；PH=6. 0，溫度為65°C，浸潰時間12s,電流密度為3. 8ASD。實施例2I、前處理采用了超聲振蕩以及電解除油的工藝對成型框架的銅面做除油處理，使用堿性除油粉，配制濃度為70g/L的溶液，溫度為55°C條件下，控制電解除油電流密度為12ASD ;浸潰時間18s ；2、活化對除油后的銅面做活化處理，采用的75g/L的ZA-200微蝕劑與2%的硫酸混合物，溫度32°C條件下浸潰時間為12s ；3、鍍鎳在成型框架接觸層電鍍I、. 2 U m厚的鎳層，采用了 4個子槽進行鍍鎳，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳100g/L，氯化鎳13g/L，硼酸38g/L，鎳柔軟劑4ml/L，鎳濕潤劑3ml/L。PH=3. 8，溫度為55°C，電流密度控制在20ASD，浸潰時間45s。4、電鍍磷鎳在鎳層的基礎上電鍍0. 35、. 45 Um的磷鎳合金層，采用4個子槽進行電鍍，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳102g/L，氯化鎳42g/L，硼酸37g/L，鎳磷合金添加劑52ml/L，溫度為60°C，PH=1. 5，電流密度控制在4. 0ASD。相同藥水在第二接觸層銅面上電鍍總厚6 ii m的鎳層與磷鎳合金層,浸潰時間45s。5、預鍍金在接觸層的磷鎳合金上預鍍金，藥水成分為含金量2. 2g/L，40CS導電鹽控制比重8，PH=3. 9，溫度430C ;浸潰時間12s，電流密度0. 4ASD ；6、鍍硬金在接觸層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 0125、. 02 U m的硬金層，藥水成分為含金量5g/L，80orosene-RC開缸劑#1控制比重16，80orosene-RC開缸劑#2為30g/L，80orosene-RC光亮劑控制Co含量在0. 9g/L，S_l添加劑3. 5ml/L，PH=4. 5，溫度為63V，浸潰時間15s,電流密度0. 4ASD ；7、鍍軟金在焊接層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 35 y m的軟金層，藥水成分含金量8. 5g/L，434HS導電鹽控制比重在14，434HS電解添加劑30g/L，434HS添加劑A2ml/L，S-I添加劑3. 2ml/L ；PH=6. 0，溫度為63°C，浸潰時間IOs,電流密度為4. 4ASD。實施例3I、前處理采用了超聲振蕩以及電解除油的工藝對成型框架的銅面做除油處理，使用堿性除油粉，配制濃度為75g/L的溶液，最佳溫度為55°C，電解除油最佳電流密度為10ASD ;浸潰時間為18s ；2、活化對除油后的銅面做活化處理，采用的75g/L的ZA-200微蝕劑與4%的硫酸混合物，溫度30°C條件下浸潰時間為12s ；3、鍍鎳在基材框架接觸層電鍍I、. 2 U m厚的鎳層，采用了 4個子槽進行鍍鎳，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳100g/L，氯化鎳13g/L，硼酸38g/L，鎳柔軟劑4ml/L，鎳濕潤劑3ml/L。PH=3. 8，溫度為55°C，電流密度控制在20ASD，浸潰時間44s。4、電鍍磷鎳在鎳層的基礎上電鍍0.42 iim的磷鎳合金層，采用4個子槽進行電鍍，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳98g/L，氯化鎳36g/L，硼酸39g/L，質(zhì)量分數(shù)20%的亞磷酸溶液48ml/L，溫度為52°C，PH=L 5，電流密度控制在4. 2ASD。相同藥水在第二接觸層銅面上電鍍總厚m的鎳層與磷鎳合金層，浸潰時間44s。5、預鍍金在接觸層的磷鎳合金上預鍍金，藥水成分為含金量2. 2g/L，40CS導電鹽控制比重10，PH=3. 8，溫度430C ;浸潰時間Hs,電流密度0. 5ASD ；6、鍍硬金在接觸層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 009 iim的硬金層，藥水成分為含金量5g/L，80orosene-RC開缸劑#1控制比重16，80orosene-RC開缸劑#2為30g/L，80orosene-RC光亮劑控制Co含量在I. 0g/L，S_l添加劑4. 5ml/L，PH=4. 8，溫度為62°C，浸潰時間14s,電流密度0. 2ASD ；7、鍍軟金在焊接層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 35 y m的軟金層，藥水成分含金量8. 5g/L，434HS導電鹽控制比重在15，434HS電解添加劑30g/L，434HS添加劑A2ml/L，S-I添加劑3. 5ml/L ；PH=6. 0，溫度為62°C，浸潰時間IOs,電流密度為4. 4ASD。實施例4I、前處理采用了超聲振蕩以及電解除油的工藝對成型框架的銅面做除油處理，使用堿性除油粉，配制濃度為66g/L的溶液，溫度為55°C，電解除油最佳電流密度為9ASD ；浸潰時間為 19s ；2、活化對除油后的銅面做活化處理，采用的70g/L的ZA-200微蝕劑與質(zhì)量分數(shù)3%的硫酸混合溶液，溫度40°C條件下浸潰時間為9s ；3、鍍鎳在成型框架接觸層電鍍2pm厚的鎳層，采用了 4個子槽進行鍍鎳，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳105g/L，氯化鎳14g/L，硼酸36g/L，糖精鈉4. 5ml/L，十二烷基磺酸鈉3ml/L (質(zhì)量分數(shù)10%)。PH=3. 9，溫度為56°C，電流密度控制在18ASD，浸潰時間48s。4、電鍍磷鎳在鎳層的基礎上電鍍0.4 iim的磷鎳合金層，采用4個子槽進行電鍍，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳105g/L，氯化鎳43g/L，硼酸36g/L，質(zhì)量分數(shù)10%的亞磷酸溶液46ml/L，溫度為52°C，PH=L 5，電流密度控制在4ASD。相同藥水在焊接層銅面上電鍍總厚3 ii m的鎳層與磷鎳合金層,浸潰時間48s。5、預鍍金在接觸層的磷鎳合金上預鍍金，藥水成分為含金量2g/L，40CS導電鹽控制最佳比重9，PH=4. 0，溫度450C ;浸潰時間9s,電流密度0. 3ASD ；6、鍍硬金在接觸層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 032 iim的硬金層，藥水成分為含金量5g/L，80orosene-RC開缸劑#1控制比重16，80orosene-RC開缸劑#2為30g/L，80orosene-RC光亮劑控制Co含量在I. 0g/L，S_l添加劑4ml/L，PH=4. 4，溫度為60°C，浸潰時間13s，電流密度0. 46ASD ；7、鍍軟金在焊接層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 2 y m的軟金層，藥水成分含金量8g/L，434HS導電鹽控制比重在14，434HS電解添加劑30g/L，434HS添加劑A2ml/L，S-I添加劑3ml/L ；PH=6. 0，溫度為65°C，浸潰時間9s，電流密度為2. OASD。實施例5I、前處理采用了超聲振蕩以及電解除油的工藝對成型框架的銅面做除油處理，使用堿性除油粉，最佳濃度為75g/L，最佳溫度為55°C，電解除油最佳電流密度為12ASD ;浸潰時間為20s ；2、活化對除油后的銅面做活化處理，采用ACT9600活化鹽，溫度18°C條件下浸潰時間為15s ；3、鍍鎳在成型框架接觸層電鍍2 Pm厚的鎳層，采用了 4個子槽進行鍍鎳，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳110g/L，氯化鎳15g/L，硼酸40g/L，糖精鈉5ml/L，十二烷基磺酸鈉2 4ml/L (質(zhì)量分數(shù)15%)。PH=4. 0，溫度為55°C，電流密度控制在18ASD，浸潰時間48s。4、電鍍磷鎳在鎳層的基礎上電鍍0.4 iim的磷鎳合金層，采用4個子槽進行電鍍，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳110g/L，氯化鎳45g/L，硼酸40g/L，質(zhì)量分數(shù)25%的亞磷酸溶液55ml/L，溫度為50°C，PH=L 3，電流密度控制在4ASD。相同藥水在焊接層銅面上電鍍總厚7 y m的鎳層與磷鎳合金層，浸潰時間48s。5、預鍍金在接觸層的磷鎳合金上預鍍金，藥水成分為含金量2. 5g/L，40CS導電鹽控制比重6，PH=4. 2，溫度450C ;浸潰時間6s，電流密度0. 8ASD ；6、鍍硬金在接觸層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 05 iim的硬金層，藥水成分為含金量 6g/L，80orosene-RC 開缸劑 #1 控制比重 18，80orosene_RC 開缸劑 #2 為 30g/L,80orosene-RC光亮劑控制Co含量在I. lg/L，S_l添加劑5. 5ml/L，PH=5. 0，溫度為55°C，浸潰時間7s，電流密度0. 72ASD ；7、鍍軟金在焊接層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 4 y m的軟金層，藥水成分含金量9g/L，434HS導電鹽控制比重在18，434HS電解添加劑30g/L，434HS添加劑A2ml/L，S-I添加劑5ml/L ；PH=6. 5，溫度為65°C，浸潰時間5s，電流密度為5ASD。實施例6I、前 處理采用了超聲振蕩以及電解除油的工藝對框架的銅基做除油處理，使用堿性除油粉，最佳濃度為60g/L，最佳溫度為55°C，電解除油最佳電流密度為6ASD ;浸潰時間為IOs ；2、活化對除油后的銅基做活化處理，采用ACT9600活化鹽，溫度30°C條件下浸潰時間為7s ；3、鍍鎳在成型框架接觸層電鍍2pm厚的鎳層，采用了 4個子槽進行鍍鎳，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳90g/L，氯化鎳10g/L，硼酸35g/L，糖精鈉3ml/L，十二烷基磺酸鈉2ml/L (質(zhì)量分數(shù)5%)。PH=4. 0，溫度為65°C，電流密度控制在18ASD，浸潰時間48s。4、電鍍磷鎳在鎳層的基礎上電鍍0.8 iim的磷鎳合金層，采用4個子槽進行電鍍，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳90g/L，氯化鎳35g/L，硼酸35g/L，質(zhì)量分數(shù)15%的亞磷酸溶液45ml/L，溫度為55°C，PH=L 7，電流密度控制在8ASD，浸潰時間48s。5、預鍍金在接觸層的磷鎳合金上預鍍金，藥水成分為含金量I. 5g/L，40CS導電鹽控制比重6，PH=3. 6，溫度400C ;浸潰時間15s，電流密度0. IASD ；6、鍍硬金在接觸層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 0125 iim的硬金層，藥水成分為含金量4g/L，80orosene-RC開缸劑#1控制比重12，80orosene-RC開缸劑#2為30g/L,80orosene-RC 光亮劑控制 Co 含量在 0. 85g/L，S-I 添加劑 2. 5ml/L, PH=5. 0，溫度為 65。。，浸潰時間20s，電流密度0. 18ASD。7、鍍軟金在焊接層磷鎳合金層外鍍厚度為0. 4 y m的軟金層，藥水成分含金量9g/L，434HS導電鹽控制比重在15，434HS電解添加劑30g/L，434HS添加劑A2ml/L，S-I添加劑5ml/L ；PH=6. 5，溫度為65°C，浸潰時間5. 5s,電流密度為4. 5ASD。表I :實施例1飛電鍍方法制得的智能卡封裝框架的檢測，傳統(tǒng)產(chǎn)品廣3為市售普通產(chǎn)品，其中傳統(tǒng)產(chǎn)品廣2做過封孔處理，傳統(tǒng)產(chǎn)品3未做封孔處理。電鍍層為三層，無磷鎳層，正常鍍金厚度(接觸層0. l±0.05iim，焊接層0. 3 ±0. Iiim)。所做鹽霧試驗為NSS中性鹽霧試驗。以隨機選取的兩組傳統(tǒng)方法得到的產(chǎn)品做對比試驗。表I
權(quán)利要求
1. 一種智能卡封裝框架的電鍍方法，其特征在于，接觸層電鍍工藝步驟為 1.1、前處理對成型框架的銅面進行表面清洗，除去銅面上的油脂和雜質(zhì)；使用活化鹽對銅面做活化處理，除掉銅面表面的氧化物； I. 2、鍍鎳在接觸層的銅面上電鍍I. 8^2. 2 μ m厚的鎳層； I. 3、鍍磷鎳在接觸層的鎳層上電鍍O. Γ0. 8 μ m的磷鎳合金層； 1.4、鍍金在接觸層的磷鎳合金層上再電鍍O. 009^0. 05 μ m厚的金層。
焊接層銅面上電鍍總厚5±2 μ m的鎳層與磷鎳合金層，再在磷鎳合金層上電鍍0.3±0. I μ m厚的金層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種智能卡封裝框架的電鍍方法，其特征在于所述的步驟1.I前處理采用先做超聲振蕩再電解除油的工藝，電解除油具體工藝條件為在45飛5°C條件下，使用堿性除油粉配制濃度為6(T75g/L的溶液，電解除油電流密度為6 12ASD ;浸潰時間為10 20s。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種智能卡封裝框架的電鍍方法，其特征在于所述的步驟I. 2鍍鎳的具體工藝條件為在銅面電鍍I. 8^2. 2 μ m厚的鎳層，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳9(Tll0g/L，氯化鎳l(Tl5g/L，硼酸35 40g/L，鎳柔軟劑3 5ml/L，鎳濕潤劑2 4ml/L ；PH=3. 5 4. 0，溫度為55 65°C，電流密度控制在10 30ASD。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種智能卡封裝框架的電鍍方法，其特征在于所述的步驟I. 3鍍磷鎳的具體工藝條件為在鎳層上電鍍O. 4^0. 8 μ m的磷鎳合金層，電鍍藥水成分為氨基磺酸鎳90 110g/L,氯化鎳35 45g/L，硼酸35 40g/L，15 25%的亞磷酸溶液45 55ml/L，溫度為50 55°C，PH=L 3 I. 7，電流密度控制在5 15ASD。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種智能卡封裝框架的電鍍方法，其特征在于所述的步驟I. 2鍍鎳中在銅面電鍍2 μ m厚的鎳層；所述的步驟I. 3鍍磷鎳中在鎳層再上電鍍O. 5 μ m的磷鎳合金層。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種智能卡封裝框架的電鍍方法，其特征在于所述的步驟I. 5鍍金中在在接觸層的磷鎳合金層外電鍍O. 03 μ m厚的金層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種智能卡封裝框架的電鍍方法，其特征在于所述的步驟·1.5鍍金具體工藝為 步驟I、預鍍金進行預鍍金，控制預鍍金藥水的PH=3. 6^4. 2，溫度4(T45°C ;浸潰時間·6 15s，電流密度O. I O. 8ASD ； 步驟2、鍍硬金在接觸層的磷鎳合金層上電鍍厚度為O. 0125、. 05 μ m的硬金層，控制藥水成分中金含量4 6g/L，Co含量在O. 85^1. lg/L，控制PH=4. 2^5. 0，溫度為55飛5°C，浸潰時間7 20s，電流密度O. 18 O. 72ASD ； 鍍軟金在焊接層的磷鎳合金層上電鍍厚度為O. 3±0. Iym的軟金層，控制藥水成分中金含量7 9g/L ;控制PH=5. 5 6. 5，溫度為60 65 °C，浸潰時間5 15s，電流密度為·2.5 5ASD。
全文摘要
一種智能卡封裝框架的電鍍方法，屬于電子信息技術(shù)領域。其特征在于本發(fā)明將成型框架進行前處理之后再在框架接觸層電鍍1.8~2.2μm厚的鎳層，再在鎳層的基礎上電鍍0.4~0.8μm的磷鎳合金層，之后再在框架接觸面的磷鎳合金層外電鍍0.009~0.05μm厚的金層。本發(fā)明提高了產(chǎn)品接觸表面的耐磨性和抗腐蝕性。本發(fā)明可以減少硬金的厚度，并取消后處理的使用，大大節(jié)約成本。
文檔編號C25D5/12GK102978671SQ20121050921
公開日2013年3月20日 申請日期2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月3日
發(fā)明者何玉鳳, 王亞斌, 劉琪, 卞京明 申請人:山東恒匯電子科技有限公司