一種中高壓腐蝕箔后處理方法
【專利摘要】一種中高壓腐蝕箔后處理方法，包括如下步驟：取常規(guī)生產(chǎn)純水洗之后烘干之前的中高壓腐蝕箔在草酸溶液中進行后處理，草酸溶液濃度為10～30g/L，形成溫度為15～25℃，形成電壓1～5V，化成電流密度為10～20mA/cm2，化成時間為1～5分鐘，接著用純水清洗干凈，最后在300℃烘干。本發(fā)明的優(yōu)點是:此腐蝕箔化成后產(chǎn)品具有漏電流低、長壽命的特點。
【專利說明】一種中高壓腐蝕箔后處理方法
【技術(shù)領域】
[0001 ] 本發(fā)明屬于電子材料制造【技術(shù)領域】，具體涉及一種中高壓腐蝕箔后處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]常規(guī)中高壓腐蝕箔制作方法，一般包括:一次電解、二次電解、化學清洗、純水洗、烘干，得到的腐蝕箔化成后產(chǎn)品陽極箔的漏電流比較高，會直接影響到電容器使用壽命。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明為了彌補現(xiàn)有中高壓腐蝕箔工藝的不足，提供一種中高壓腐蝕箔后處理方法，經(jīng)處理的腐蝕箔化成后得到低漏電流、長壽命的陽極箔。
[0004]本發(fā)明通過以下技術(shù)方案達到上述目的:一種中高壓腐蝕箔后處理方法，取常規(guī)生產(chǎn)純水洗之后、烘干之前的中高壓腐蝕箔在草酸溶液中進行后處理，草酸溶液濃度為10~30g/L，形成溫度為15~25°C，形成電壓I~5V，化成電流密度為10~20mA/cm2，化成時間為I~5分鐘，接著用純水清洗干凈，最后在300°C烘干。
[0005]這樣生產(chǎn)的腐蝕箔表面有一層多孔性氧化膜，化成后形成非常致密的氧化膜，得到低漏電流、長壽命的陽極箔。
[0006]本發(fā)明與 現(xiàn)有技術(shù)相比具有如下優(yōu)點和效果:
[0007]1.增加草酸后處理工序，有別于常規(guī)生產(chǎn)腐蝕箔，純水洗后直接烘干。
[0008]2.采用草酸后處理腐蝕箔，進行中高壓化成后，得到低漏電流、長壽命的陽極箔。
[0009]具體的實施方式:
[0010]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進一步詳細描述，但本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0011]實施例1
[0012]一種中高壓腐蝕箔后處理方法，包括如下步驟:取常規(guī)生產(chǎn)純水洗之后烘干之前的中高壓腐蝕箔在30g/L草酸溶液中，在25°C、電流密度20mA/cm2、電壓IV條件下，恒壓形成I分鐘，接著兩級純水清洗干凈，最后在300°C烘干2min。得到的腐蝕箔按常規(guī)進行200V化成，然后檢測陽極箔漏電流。數(shù)值見表1。
[0013]表1本發(fā)明實施例與普通腐蝕箔200Vf化成后陽極箔漏電流對比
[0014]


漏電流，μ A/cm2
Wil10 ~12
本發(fā)明6~8
[0015]結(jié)果表明，采用本發(fā)明制作的腐蝕箔，經(jīng)化成后得到的陽極箔低漏電流值比現(xiàn)有技術(shù)低20%以上。[0016]實施例2
[0017]本發(fā)明所述的中高壓腐蝕箔后處理方法的另一個實例，包括如下步驟:取常規(guī)生產(chǎn)純水洗之后烘干之前的中高壓腐蝕箔在20g/L草酸溶液中，在20°C、電流密度15mA/cm2、電壓3V條件下，恒壓形成2分鐘，接著兩級純水清洗干凈，最后在300°C烘干2min。得到的腐蝕箔按常規(guī)進行365V化成，然后檢測陽極箔漏電流。數(shù)值見表2。
[0018]表2本發(fā)明實施例與普通腐蝕箔365Vf化成后陽極箔的漏電流對比
[0019]
【權(quán)利要求】
1.一種中高壓腐蝕箔后處理方法，其特征在于，包括如下步驟:取常規(guī)生產(chǎn)純水洗之后烘干之前的中高壓腐蝕箔在草酸溶液中進行后處理，草酸溶液濃度為10~30g/L，形成溫度為15~25°C，形成電壓I~5V，化成電流密度為10~20mA/cm2，化成時間為I~5分鐘，接著用純水清洗干 凈，最后在30(TC烘干。
【文檔編號】C25D11/02GK103774197SQ201410004914
【公開日】2014年5月7日 申請日期:2014年1月6日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月6日
【發(fā)明者】宋洪洲, 楊小飛, 胡知健, 楊林桑, 陸寶琳 申請人:廣西賀州市桂東電子科技有限責任公司