一種局部鍍金工藝的制作方法
【專利摘要】局部鍍金工藝，涉及在金屬件表面鍍金的方法，其具體步驟包括了預(yù)處理、局部屏蔽和褪金回收；預(yù)處理可以去除金屬件整體表面的油污，活化，然后在其整體表面上依次鍍鎳、鍍金；局部屏蔽是采用特殊材質(zhì)包裹在局部鍍金區(qū)域，形成保護(hù)層，然后在褪金溶液中褪除非屏蔽區(qū)域的鍍金層。本發(fā)明的局部鍍金工藝，具有良好的實(shí)用性，可以對(duì)金屬件內(nèi)部、電連接器外殼和接觸件針孔鍍金，方便快捷，鍍金效果良好。
【專利說(shuō)明】-種局部鍍金工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電鍍方法，具體涉及到一種局部鍍金工藝。

【背景技術(shù)】
[0002] 貴金屬電鍍自從開發(fā)以來(lái)，得到了迅速的發(fā)展。金鍍層耐蝕性優(yōu)良，有良好的延展 性、釬焊性、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性，且化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，抗變色能力好，因此，電鍍金工藝現(xiàn)已廣泛 應(yīng)用于電連接器、印刷電路板等電子元件制造、國(guó)防科技以及精飾加工領(lǐng)域。
[0003] 金屬件或者電氣連接件在制作后期可能需要在特定的部位鍍金，這些特定的部位 可能在金屬件不規(guī)則的內(nèi)部，或者在金屬件的外部所選區(qū)域，或者在金屬件的針孔中，對(duì)于 局部鍍金來(lái)說(shuō)，通常采用深度控制浸鍍，點(diǎn)鍍、刷鍍等特殊的點(diǎn)鍍裝置和生產(chǎn)線，這些裝置 和生產(chǎn)線的配置無(wú)疑增加了企業(yè)的生產(chǎn)成本，而且對(duì)多品種小批量的局部鍍金效果難以控 制，效果較差。
[0004] 為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足，本發(fā)明提出了一種新的解決方案。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的是提供一種局部鍍金工藝。
[0006] 為達(dá)上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是：提供一種局部鍍金工藝，包括以下步 驟： 預(yù)處理，去除金屬件整體表面的油污，活化，然后在其整體表面上依次鍍鎳、鍍金，獲得 預(yù)處理金屬件； 局部屏蔽，將預(yù)處理金屬件上需要局部鍍金的區(qū)域包裹在屏蔽層內(nèi)，獲得屏蔽金屬 件； 褪金回收，將屏蔽金屬件置于褪金溶液中，反應(yīng)至非屏蔽區(qū)域的鍍金層消失，鍍鎳層完 全暴露為止，然后回收褪金溶液中的金。
[0007] 綜上所述，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)： 1、 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例是采用逆向工藝來(lái)完成局部鍍金，并可以回收褪金溶液中的 金，進(jìn)入生產(chǎn)循環(huán)使用； 2、 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，在化學(xué)褪金的過(guò)程時(shí)，采用緩釋性的氧化劑配合絡(luò)合劑，使 金層的溶解速度遠(yuǎn)大于底鎳層的溶解；底鎳層不發(fā)生可觀察的變化； 3、 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，可以選用電化學(xué)褪金，在此過(guò)程中，基本上只溶解金層而不 溶解鎳層，使得褪金過(guò)程受控，底鍍層無(wú)腐蝕； 4、 本發(fā)明的局部鍍金工藝，鍍層質(zhì)量穩(wěn)定，檢查和控制直觀，對(duì)單件面積大的零件局部 鍍金生產(chǎn)效率高； 5、 本發(fā)明的局部鍍金工藝，具有良好的實(shí)用性，可以對(duì)金屬件內(nèi)部、電連接器外殼和接 觸件針孔鍍金，方便快捷，鍍金效果良好。

【具體實(shí)施方式】
[0008]

【具體實(shí)施方式】一： 選取單芯電源連接器插孔為電鍍材料，需要在插孔內(nèi)部鍍金。
[0009] 預(yù)處理：將單芯電源連接器插孔進(jìn)行化學(xué)去油污，然后進(jìn)行表面活化，即用 109Γ15%的稀硫酸溶解去除金屬表面的氧化物。然后在單芯電源連接器插孔內(nèi)外表面上均 勻鍍上鎳層和金層，鎳層厚度大于2um，鍍金層厚度0. 76Mm ;獲得預(yù)處理件。
[0010] 局部屏蔽：取屏蔽材料石蠟，加熱熔化后，控制深度，將熔液填充滿插孔內(nèi)部，冷 卻，在插孔內(nèi)表面形成蠟?zāi)じ采w，待用。
[0011] 褪金：配置褪金溶液，以水為溶劑，溶液中的間硝基苯磺酸鈉的濃度為8 g/L，氰化 鉀的濃度為18 g/L。將金屬件置于褪金溶液中，褪金溫度為30°C，并不斷翻轉(zhuǎn)金屬件。在 反應(yīng)過(guò)程中觀察金屬件表面的褪金速度，以金色褪盡暴露均勻的底鎳層為止，一般需要30 秒至1分鐘左右。褪金溶液可反復(fù)使用。
[0012] 當(dāng)發(fā)現(xiàn)褪金速度下降時(shí)，比如褪金時(shí)間延長(zhǎng)到幾分鐘后，可以加入7. 5 g/L的間硝 基苯磺酸鈉和10 g/L的氰化鉀混合液至褪金液中，以保證褪金溶液的濃度，以恢復(fù)退金速 度。當(dāng)非屏蔽區(qū)域的鍍金層完全褪去，鎳層出現(xiàn)時(shí)，可以停止鍍金，取出金屬件，清洗干凈， 然后將插孔內(nèi)的屏蔽材料去除，得到完成局部鍍金的單芯電源連接器插孔，然后在金屬件 整體表面上鍍上0. 05um的金。
[0013] 回收：褪金液反復(fù)使用,其中溶入的金可高達(dá)15克/升以上。一般在含金5克/ 升左右，回收金進(jìn)入生產(chǎn)循環(huán)使用比較經(jīng)濟(jì)。將褪金溶液的pH值調(diào)節(jié)至1. 5,加入置換金屬 鋅細(xì)屑，將溶液中的金完全置換后，分離出沉淀物，并置于鹽酸中煮沸，然后清洗干凈，在硝 酸中煮沸，再用水沖洗干凈，烘干。
[0014]

【具體實(shí)施方式】二： 選取單芯電源連接器插孔為電鍍材料，需要在插孔內(nèi)部鍍金。
[0015] 預(yù)處理：將單芯電源連接器插孔進(jìn)行化學(xué)去油污，然后進(jìn)行表面活化，在單芯電源 連接器插孔內(nèi)外表面上均勻鍍上鎳層和金層，鎳層厚度大于2um，鍍金層厚度0· 76um ;獲得 預(yù)處理件。
[0016] 局部屏蔽：取屏蔽材料硬脂酸或者軟脂酸中的一種，加熱熔化后，控制鍍金插孔的 浸入深度，將熔液填充至插孔內(nèi)部，冷卻待用。
[0017] 褪金：配置褪金溶液，以水為溶劑，溶液中的間硝基苯磺酸鈉的濃度為12 g/L，氰 化鉀的濃度為20 g/L。將金屬件置于褪金溶液中，褪金溫度為45°C，并不斷攪拌金屬件。 不斷攪動(dòng)金屬件，可提出液面觀察褪鍍件，直至無(wú)遮蔽區(qū)域的金色褪盡為止，一般需要25 秒左右。隨褪鍍液使用次數(shù)增多而延長(zhǎng)。在反應(yīng)過(guò)程中觀察金屬件表面的褪金速度，當(dāng)褪金 速度明顯下降時(shí)，一般延長(zhǎng)至2分鐘以上后，可以加入15 g/L的間硝基苯磺酸鈉和19 g/L 的氰化鉀混合液保證褪金溶液的濃度，以恢復(fù)退金速度。當(dāng)非屏蔽區(qū)域的鍍金層完全褪去， 鎳層出現(xiàn)時(shí)，可以停止鍍金，取出金屬件，清洗干凈，然后將插孔內(nèi)的屏蔽材料去除，得到完 成局部鍍金的單芯電源連接器插孔。
[0018] 回收：將褪金溶液的pH值調(diào)節(jié)至2,加入置換金屬鋅細(xì)屑，將溶液中的金完全置換 后，分離出沉淀物，并置于鹽酸中煮沸，然后清洗干凈，在硝酸中煮沸，再用水沖洗干凈，烘 干。
【權(quán)利要求】
1. 一種局部鍍金工藝，包括以下步驟： 預(yù)處理，去除金屬件整體表面的油污，活化，然后在其整體表面上依次鍍鎳、鍍金，獲得 預(yù)處理金屬件； 局部屏蔽，將預(yù)處理金屬件上需要局部鍍金的區(qū)域包裹在屏蔽層內(nèi)，獲得屏蔽金屬 件； 褪金回收，將屏蔽金屬件置于褪金溶液中，反應(yīng)至非屏蔽區(qū)域的鍍金層消失，鍍鎳層完 全暴露為止，然后回收褪金溶液中的金。
2. 如權(quán)利要求1所述的局部鍍金工藝，其特征在于：所述預(yù)處理步驟中，在金屬表面上 鍍鎳的厚度大于2um。
3. 如權(quán)利要求1所述的局部鍍金工藝，其特征在于：所述局部屏蔽步驟中，屏蔽層為不 溶于褪金溶液，不與其反應(yīng)的材質(zhì)制成。
4. 如權(quán)利要求1或3所述的局部鍍金工藝，其特征在于：所述局部屏蔽步驟中，屏蔽層 材質(zhì)為石蠟、硬脂酸或者軟脂酸；在包裹需要鍍金的局部區(qū)域時(shí)，先將屏蔽層材料熔化，然 后將其浸涂在需要鍍金的局部區(qū)域內(nèi)。
5. 如權(quán)利要求1所述的局部鍍金工藝，其特征在于：所述褪金回收步驟中，褪金溶液 為化學(xué)褪金溶液，其中間硝基苯磺酸鈉的濃度為8 g/L ~12g/L，氰化鉀的濃度為18 g/L ?20g/L，溶劑為水。
6. 如權(quán)利要求1或5所述的局部鍍金工藝，其特征在于：所述褪金回收步驟中，褪金溶 液溫度低于55°C，并輕微翻動(dòng)屏蔽金屬件；褪金液使用一段時(shí)間后，逐漸加入7.5 g/L?15 g/L的間硝基苯磺酸鈉和10 g/L ~19 g/L的氰化鉀以恢復(fù)褪金速度。
7. 如權(quán)利要求1或5所述的局部鍍金工藝，其特征在于：所述褪金回收步驟中，回收過(guò) 程為：將回收的褪金液pH值調(diào)節(jié)至1. 5~2 ;加入置換金屬，置換出金；置換完全后，分離出 沉淀物，并置于鹽酸中煮沸，然后清洗干凈，在硝酸中煮沸，再用水沖洗干凈，烘干。
8. 如權(quán)利要求1所述的局部鍍金工藝，其特征在于：所述褪金回收步驟中，褪金溶液為 電解褪金溶液，電解褪金溶液中亞硫酸鈉的含量為20g/L?30g/L，硫脲的含量為20g/L? 30g/L ;電解褪金的溫度為20°C?60°C，電壓為8V~12V，陰極為不銹鋼。
9. 如權(quán)利要求1或8所述的局部鍍金工藝，其特征在于：所述褪金回收步驟中，回收過(guò) 程為：將褪金溶液中的沉淀物分離，使用王水溶解；排硝后使用鋅粉或亞硫酸鈉，置換還原 出金粉；金粉再使用鹽酸煮沸、純凈水沖洗；硝酸煮沸、純凈水沖洗，烘干。
10. 如權(quán)利要求1所述的局部鍍金工藝，其特征在于：還包括閃鍍金，在褪金回收步驟 結(jié)束后，在褪金后的金屬件整體表面上鍍上0. 〇2unT〇. 05um的金。
【文檔編號(hào)】C25D5/02GK104109887SQ201410322199
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2014年7月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月8日
【發(fā)明者】張勇強(qiáng) 申請(qǐng)人:四川華豐企業(yè)集團(tuán)有限公司