一種電子銅箔的表面處理粗化工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明屬于銅箔表面處理生產(chǎn)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種電子銅箔的表面處理粗化工藝，步驟如下：將陰極銅、濃硫酸混合溶解，配制粗化液；其中，Cu2+:20-40g/L，H2SO4：80-150g/L，粗化液溫度為25-40℃；將得到的粗化液混合充分后進入粗化槽，依次經(jīng)高電流密度、中電流密度和低電流密度進行電鍍。本發(fā)明采用的粗化工藝使用一種電鍍液來代替兩種不同成分的粗化液和固化液，通過控制不同的電流密度來實現(xiàn)高比表面積、低峰值和高結(jié)合力的電解銅箔，應用于Tg170及以上板材時具有優(yōu)良的剝離強度。
【專利說明】一種電子銅箔的表面處理粗化工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于銅箔表面處理生產(chǎn)【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種電子銅箔的表面處理粗化 工藝。

【背景技術(shù)】
[0002] 電子銅箔是覆銅板及印制電路板制造的基礎材料。隨著電子行業(yè)的高速發(fā)展，投 放于市場的新電子和電氣設備中含有的鉛、汞、鎘、六價鉻、聚溴二苯醚或聚溴聯(lián)苯等危險 物質(zhì)給環(huán)境和人類健康帶來危害。近幾年，國家逐漸加大了對環(huán)境保護的重視，促使電子行 業(yè)向更環(huán)保的方向發(fā)展，隨之而來的就是技術(shù)的提升。環(huán)保板材已經(jīng)逐漸占據(jù)主導地位，特 別是阻燃效果優(yōu)良的無鹵板發(fā)展速度飛快，現(xiàn)在Tgl70以上的板材已經(jīng)成為主力，且有繼 續(xù)升高的趨勢。
[0003] Tgl70板材的壓合溫度升高，必然要提高銅箔的各項性能，特別是提高銅箔的剝離 強度，現(xiàn)有的銅箔表面粗化工藝一般采用粗化液、固化液相結(jié)合后，經(jīng)固定電流電鍍，由此 方法處理后的銅箔，其抗剝離強度并沒有得到顯著提高，且操作工作較復雜。因此研發(fā)生產(chǎn) 出低粗糙度、高結(jié)合力、抗剝離強度大的電子銅箔具有深遠的價值意義。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)銅箔高比表面積的粗化 效果、對銅箔剝離強度有明顯提高的粗化工藝。
[0005] 本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種電子銅箔的表面處理粗化工藝， 步驟如下：
[0006] (1)將陰極銅、濃硫酸混合溶解，配制粗化液；其中，Cu2+:20-40g/L，H 2S04: 80-150g/L，粗化液溫度為25-40°C ;
[0007] (2)將步驟⑴得到的粗化液混合充分后進入粗化槽，依次經(jīng)高電流密度、中電流 密度和低電流密度進行電鍍。
[0008] 本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明采用的粗化工藝使用一種電鍍液來代替兩種不同成 分的粗化液和固化液，通過控制不同的電流密度來實現(xiàn)高比表面積、低峰值和高結(jié)合力的 電解銅箔，應用于Tgl70及以上板材時具有優(yōu)良的剝離強度。
[0009] 在上述技術(shù)方案的基礎上，本發(fā)明還可以做如下改進。
[0010] 進一步，步驟⑵中所述的高電流密度為140-200A/dm2,電鍍時間為1. 5-6S ;所述 的中電流密度為70-90A/dm2,電鍍時間為1. 5-6s ;所述的低電流密度為30-50A/dm2,電鍍時 間為L 5-6s。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011] 圖1為對比例1的銅箔表面粗化效果的SEM圖譜；
[0012] 圖2為采用本發(fā)明實施例1的銅箔表面粗化效果的SEM圖譜。

【具體實施方式】
[0013] 以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本發(fā)明，并 非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0014] 本發(fā)明實施例采用KYKY-2800系列實用型掃描電子顯微鏡觀測樣品表面粗化效 果。
[0015] 對比例1
[0016] 一種18μπι電子銅箔的表面處理粗化工藝，采用兩種不同的電解液，分別為粗化 液 Cu2+ :10g/L，H2S04 :180g/L 和固化液 Cu2+ :60g/L，H2S04 :110g/L，經(jīng)固定電流電鍍。
[0017] 圖1為對比例1的銅箔表面粗化效果的SEM圖譜。
[0018] 實施例1
[0019] 一種18 μ m電子銅箔的表面處理粗化工藝，步驟如下：
[0020] (1)將陰極銅、濃硫酸混合溶解，配制粗化液；其中，Cu2+:20g/L，H2S04 : 80g/L，粗化 液溫度為25°C ;
[0021] (2)將步驟（1)得到的粗化液混合充分后進入粗化槽，依次經(jīng)高電流密度、中電流 密度和低電流密度進行電鍍，其中所述的高電流密度為140A/dm 2,電鍍時間為6s ;所述的中 電流密度為70A/dm2,電鍍時間為6s ;所述的低電流密度為30A/dm2,電鍍時間為4. 5s。
[0022] 圖2為采用本發(fā)明實施例1的銅箔表面粗化效果的SEM圖譜。
[0023] 將圖1和圖2進行比較可以看到，圖2中本發(fā)明的粗化層基本上是橫向生長，在保 證"銅牙"高度變化較小的情況下，盡可能地向峰谷方向生長，增大粗化層的比表面積，提高 銅箔的剝離強度。
[0024] 將此銅箔壓合Tgl70板材，檢測其剝離強度，見表1。
[0025] 表 1
[0026]

【權(quán)利要求】
1. 一種電子銅箔的表面處理粗化工藝，其特征在于步驟如下： (1) 將陰極銅、濃硫酸混合溶解，配制粗化液；其中，Cu2+:20-40g/L，H2S04 : 80-150g/L， 粗化液溫度為25-40°C ; (2) 將步驟（1)得到的粗化液混合充分后進入粗化槽，依次經(jīng)高電流密度、中電流密度 和低電流密度進行電鍍。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種電子銅箔的表面處理粗化工藝，其特征在于步驟（2)中 所述的高電流密度為140_200A/dm2,電鍍時間為1. 5-6s ;所述的中電流密度為70-90A/dm2， 電鍍時間為1. 5-6s ;所述的低電流密度為30-50A/dm2,電鍍時間為1. 5-6s。
【文檔編號】C25D5/00GK104099652SQ201410325800
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2014年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月9日
【發(fā)明者】胡旭日, 王維河, 王海振, 薛偉, 徐好強, 楊鵬海, 溫世興, 姜桂東, 趙東, 王天堂, 尹瑞權(quán), 趙海燕 申請人:山東金寶電子股份有限公司