鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法，屬于環(huán)境保護(hù)處理方法領(lǐng)域。所述的鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法，包括以下步驟：將鉻霧抑制劑配制成一定濃度的鉻霧抑制劑溶液，然后將鉻霧抑制劑溶液加入到預(yù)熱至50℃的鍍鉻電解液中，充分?jǐn)嚢韬笤龠M(jìn)行鍍鉻電解。本發(fā)明所述的鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法，在鍍鉻電解溶液中加入2-4mg/L的含氟表面活性劑全氟已乙醚基磺酸鉀或全氟辛基磺酸鉀，選擇適當(dāng)?shù)奶砑臃绞?，可以形成穩(wěn)定的泡沫層，防止了鉻霧的揮發(fā)，減少對(duì)環(huán)境的污染，將所述的方法應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)中取得了較好的實(shí)踐效果，本方法具有工藝簡單、操作方便、成本低的抑制效果好等優(yōu)點(diǎn)。
【專利說明】鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法，屬于環(huán)境保護(hù)處理方法領(lǐng)域。

【背景技術(shù)】
[0002] 電鍍是在金屬表面以電化學(xué)方法筱蓋一層較薄的金屬，使沉積金屬與基體金屬 產(chǎn)生牢固的結(jié)合，從而達(dá)到防銹、耐磨、修復(fù)尺寸及裝飾之目的。其實(shí)質(zhì)是通過電子轉(zhuǎn)移， 將欲鍍金屬在陽極氧化為離子，在陰極還原為原子而沉積于工件表面。一般說，陽極為 可溶性。但鍍鉻與其他電鍍不同，陽極為不溶性的鉛銻合金，陰極效率很低，一般只有 13%_15%。所以，在陰極上除還原金屬鉻外，同時(shí)大量析出氫，陽極大量析出氧。其電流密 度比其他電鍍大十幾倍至幾十倍。因此，在鍍鉻過程中，從陰陽極析出的氫、氧，產(chǎn)生大 量氣泡，同時(shí)伴隨著鉻酸微粒逸出，這就是鉻霧。一般說，散發(fā)在空氣中的鉻霧，要占生 產(chǎn)耗用鉻酸總量的25%_30%，因此需要由強(qiáng)有力的抽風(fēng)機(jī)將其抽走，排至大氣中。空氣中 的鉻霧會(huì)附著各種塵埃，又落到地面及作物上，這不僅浪費(fèi)了鉻酸，而且還巨污染環(huán)境， 危害人身健康，對(duì)鍍鉻過程中如何抑制鉻霧產(chǎn)生，以改善環(huán)境，降低消耗，一直是電鍍行業(yè) 急待解決的問題。
[0003] 因此，研究一種工藝簡單、操作方便、成本低的抑制效果好的鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑 制方法具有一定的經(jīng)濟(jì)與環(huán)境效益。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明旨在提供一種工藝簡單、操作方便、成本低的抑制效果好的鍍鉻生產(chǎn)中鉻 霧的抑制方法。
[0005] 本發(fā)明所述的鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法，包括以下步驟： 將鉻霧抑制劑配制成一定濃度的鉻霧抑制劑溶液，然后將鉻霧抑制劑溶液加入到預(yù)熱 至50°C的鍍鉻電解液中，充分?jǐn)嚢韬笤龠M(jìn)行鍍鉻電解。
[0006] 優(yōu)選的，本發(fā)明所述的鉻霧抑制劑為全氟已乙醚基磺酸鉀或全氟辛基磺酸鉀。
[0007] 更優(yōu)選的，本發(fā)明所述的鉻霧抑制劑溶液配制方法為先用100倍以上的沸水使鉻 霧抑制劑攪拌徹底溶解后，配成l〇g/L的鉻霧抑制劑溶液。
[0008] 進(jìn)一步優(yōu)選的，本發(fā)明所述的鉻霧抑制劑溶液的加入量為每IL鍍鉻電解液中加 入0. 2-0. 4mL鉻霧抑制劑溶液，使鉻霧抑制劑的用量為2-4mg/L。
[0009] 本發(fā)明所述的方法，采加在鍍鉻電解液中加入鉻霧抑制劑的方法來達(dá)到對(duì)鉻霧的 產(chǎn)生，所用的鉻霧抑制劑為一種表面活性劑，表面活性劑的加入，可以隨著陰極上產(chǎn)生大量 氣體而形成穩(wěn)定的泡沫層，防止了鉻霧的揮發(fā)，減少了對(duì)環(huán)境的污染。由于含氟表面活性劑 比其它表面活性荊具有高表面活性、高熱穩(wěn)定性和高化學(xué)惰性，所以它能長期穩(wěn)定地存在 于鍍鉻電解液中作為鉻霧抑制劑，含氟表面活性劑是現(xiàn)在電鍍鍍鉻過程中使用效果較理想 的鉻霧抑制劑。經(jīng)大量的試驗(yàn)表明，全氟已乙醚基磺酸鉀或全氟辛基磺酸鉀能有效的抑制 鉻霧的揮發(fā)。
[0010] 在本發(fā)明所述的方法中，鉻霧抑制劑添加量越多，則抑霧效果越好。但是如果添加 量太多時(shí)，既浪費(fèi)材料，又可能由于泡沫太多而造成其它方面的負(fù)面影響。經(jīng)試驗(yàn)表明，在 實(shí)際生產(chǎn)中鉻霧抑制劑用量在20-40mg/L是比較理想的。同時(shí)試驗(yàn)表明，不同的加入方式 對(duì)鉻霧的抑制效果不同，經(jīng)測(cè)試，鉻霧抑制劑溶解越完全，泡沫高度越高，抑霧效果也越好， 所以正確的添加方式應(yīng)該是：先用100倍以上的沸水使鉻霧抑制劑徹底溶解后，加入預(yù)熱 過的鍍鉻電解液中。
[0011] 本發(fā)明所述的鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法，在鍍鉻電解溶液中加入2-4mg/L的含 氟表面活性劑全氟已乙醚基磺酸鉀或全氟辛基磺酸鉀，選擇適當(dāng)?shù)奶砑臃绞?，可以形成穩(wěn) 定的泡沫層，防止了鉻霧的揮發(fā)，減少對(duì)環(huán)境的污染，將所述的方法應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)中取得 了較好的實(shí)踐效果，本方法具有工藝簡單、操作方便、成本低的抑制效果好等優(yōu)點(diǎn)。

【具體實(shí)施方式】
[0012] 實(shí)施例一： 先用100倍以上的沸水使鉻霧抑制劑全氟已乙醚基磺酸鉀或全氟辛基磺酸鉀攪拌徹 底溶解后，配成l〇g/L的鉻霧抑制劑溶液。然后向預(yù)熱至50°C的鍍鉻電解液中加入每IL鍍 鉻電解液中加入〇. 2-0. 4mL鉻霧抑制劑溶液，使鉻霧抑制劑的用量為2-4mg/L，充分?jǐn)嚢韬?再進(jìn)行鍍鉻電解。
[0013] 實(shí)施例二：抑制效果 使用本發(fā)明所述的鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法，對(duì)某鍍鉻電解溶液進(jìn)行處理，并測(cè)定 其抑制效果，抑制效果如表-1所示。
[0014] 表-1抑制效果

【權(quán)利要求】
1. 鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法，包括以下步驟： 將鉻霧抑制劑配制成一定濃度的鉻霧抑制劑溶液，然后將鉻霧抑制劑溶液加入到預(yù)熱 至50°C的鍍鉻電解液中，充分?jǐn)嚢韬笤龠M(jìn)行鍍鉻電解。
2. 如權(quán)利要求1所述的鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法，其特征在于所述的鉻霧抑制劑 為全氟已乙醚基磺酸鉀或全氟辛基磺酸鉀。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法，其特征在于所述的鉻霧抑制 劑溶液配制方法為先用100倍以上的沸水使鉻霧抑制劑攪拌徹底溶解后，配成l〇g/L的鉻 霧抑制劑溶液。
4. 如權(quán)利要求1或2或3所述的鍍鉻生產(chǎn)中鉻霧的抑制方法，其特征在于所述的鉻霧 抑制劑溶液的加入量為每IL鍍鉻電解液中加入0. 2-0. 4mL鉻霧抑制劑溶液，使鉻霧抑制劑 的用量為2-4mg/L。
【文檔編號(hào)】C25D21/14GK104313675SQ201410530721
【公開日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月10日
【發(fā)明者】陸強(qiáng) 申請(qǐng)人:陜西華陸化工環(huán)保有限公司