本發(fā)明屬于合金表面膜層處理領(lǐng)域，具體地涉及一種鍍膜裝置。

背景技術(shù)：

1、加熱盤為薄膜沉積過程中直接與晶圓接觸的部件，通過本身加熱，為薄膜沉積提供合適的工藝環(huán)境溫度，并充當(dāng)射頻回路中的下極板；薄膜沉積工藝中，陽極膜為鋁加熱盤提供了保護，陽極膜的均勻程度影響了工藝過程中的系統(tǒng)阻抗，影響了薄膜沉積的質(zhì)量。

2、常規(guī)陽極氟化或氧化方法使用金屬極板作為陰極，待氟化或氧化材料作為陽極，反應(yīng)生成陽極膜；而加熱盤尺寸大且形狀復(fù)雜，表面布有盲孔；常規(guī)的金屬極板只能放置于加熱盤的一側(cè)，導(dǎo)致電極側(cè)和無電極側(cè)的陽極膜厚度與質(zhì)量不一致，影響加熱盤的使用；且加熱盤的盲孔內(nèi)不易生成陽極膜。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種鍍膜裝置。

2、本發(fā)明的第一方面，提供了一種鍍膜裝置，包括：

3、電源，其正極連接待加工件，而其負極連接定制電極，用于提供陽極鍍膜反應(yīng)所需的電壓；

4、反應(yīng)槽，用于盛放電解液，并容納所述待加工件和所述定制電極；以及

5、所述定制電極，其朝向所述待加工件的待加工表面的一側(cè)，與所述待加工表面的多個位置保持相同的目標(biāo)間距，以在所述多個位置生成相同厚度的陽極膜。

6、在一個或多個實施方案中，所述待加工件為半導(dǎo)體器件加工的工藝腔室內(nèi)部的零件，選自加熱盤、噴淋板、腔體、分氣鋁塊、噴淋擋板中的至少一者，

7、所述陽極鍍膜反應(yīng)為陽極氧化反應(yīng)或陽極氟化反應(yīng)，所述陽極膜對應(yīng)地選自陽極氧化膜或陽極氟化膜。

8、在一個或多個實施方案中，對應(yīng)所述陽極氧化反應(yīng)，所述電解液被配置為硫酸溶液和/或草酸溶液，所述電源根據(jù)所述電解液的電導(dǎo)率調(diào)節(jié)輸出電壓，以向其提供電流密度在0a/dm2～20a/dm2的電流，或者

9、對應(yīng)所述陽極氟化反應(yīng)，所述電解液被配置為氟化鈉溶液、氟化鉀溶液、氟化銨溶液、氟化氫銨溶液中的至少一者，所述電源根據(jù)所述電解液的電導(dǎo)率調(diào)節(jié)輸出電壓，以向其提供電流密度在0a/dm2～30a/dm2的電流。

10、在一個或多個實施方案中，所述定制電極為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其被根據(jù)所述待加工件的至少一個所述待加工表面的第一形狀，而加工為對應(yīng)的第二形狀，其中，所述第二形狀的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)上的多個第二位置，與各所述待加工表面上對應(yīng)的多個第一位置保持所述相同的目標(biāo)間距。

11、在一個或多個實施方案中，所述定制電極被分為多個網(wǎng)狀殼體，其中，各所述網(wǎng)狀殼體相互拼接固定來進行所述陽極鍍膜反應(yīng)，或相互分離來裝入或拆出所述待加工件。

12、在一個或多個實施方案中，所述待加工件為加熱盤，其承載晶圓的表面設(shè)有多個支撐柱安裝孔，所述定制電極還對應(yīng)地包括多個柱狀結(jié)構(gòu)，用于伸入各所述支撐柱安裝孔，并與所述支撐柱安裝孔內(nèi)壁的多個所述第二位置，保持所述相同的目標(biāo)間距。

13、在一個或多個實施方案中，還包括：

14、吊具座，固定于所述反應(yīng)槽的至少一側(cè)；

15、吊桿，固定連接所述吊具座，并跨越所述反應(yīng)槽的上方，用于吊裝所述待加工件和所述定制電極；以及

16、吊具，其第一端固定連接所述吊桿，而其第二端固定連接所述待加工件，以將所述待加工件吊裝到所述吊桿，并浸入所述反應(yīng)槽中的電解液。

17、在一個或多個實施方案中，還包括：

18、至少一個轉(zhuǎn)接座，其第一位置設(shè)有固定連接所述吊具的第二端的第一裝配結(jié)構(gòu)，而其第二位置設(shè)有固定連接所述待加工件的第二裝配結(jié)構(gòu)。

19、在一個或多個實施方案中，所述待加工件為加熱盤，其柄部的底面設(shè)有多個用于連接機臺的第一螺紋孔，

20、至少一個所述轉(zhuǎn)接座的第二位置設(shè)有對應(yīng)數(shù)量的多個第二通孔，以經(jīng)由多個螺栓來固定連接所述柄部的各所述第一螺紋孔。

21、在一個或多個實施方案中，還包括：

22、絕緣墊，設(shè)于所述吊桿與所述吊具座之間，以實現(xiàn)所述待加工件與所述吊具座之間的電隔離。

23、在一個或多個實施方案中，還包括：

24、攪拌裝置，設(shè)于所述反應(yīng)槽的底部，用于攪拌所述電解液，以避免其沉淀分層；和/或

25、冷卻裝置，連接所述反應(yīng)槽，用于冷卻所述電解液，以保證電解液溫度在設(shè)定范圍內(nèi)。

26、本發(fā)明的第二方面，提供了一種鍍膜方法，使用本發(fā)明第一方面所述的鍍膜裝置，在待加工件的待加工表面的多個位置生成相同厚度的陽極膜。

技術(shù)特征：

1.一種鍍膜裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述待加工件為半導(dǎo)體器件加工的工藝腔室內(nèi)部的零件，選自加熱盤、噴淋板、腔體、分氣鋁塊、噴淋擋板中的至少一者，

3.如權(quán)利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于，對應(yīng)所述陽極氧化反應(yīng)，所述電解液被配置為硫酸溶液和/或草酸溶液，所述電源根據(jù)所述電解液的電導(dǎo)率調(diào)節(jié)輸出電壓，以向其提供電流密度在0a/dm2～20a/dm2的電流，或者

4.如權(quán)利要求2所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述定制電極為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，其被根據(jù)所述待加工件的至少一個所述待加工表面的第一形狀，而加工為對應(yīng)的第二形狀，其中，所述第二形狀的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)上的多個第二位置，與各所述待加工表面上對應(yīng)的多個第一位置保持所述相同的目標(biāo)間距。

5.如權(quán)利要求4所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述定制電極被分為多個網(wǎng)狀殼體，其中，各所述網(wǎng)狀殼體相互拼接固定來進行所述陽極鍍膜反應(yīng)，或相互分離來裝入或拆出所述待加工件。

6.如權(quán)利要求4所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述待加工件為加熱盤，其承載晶圓的表面設(shè)有多個支撐柱安裝孔，所述定制電極還對應(yīng)地包括多個柱狀結(jié)構(gòu)，用于伸入各所述支撐柱安裝孔，并與所述支撐柱安裝孔內(nèi)壁的多個所述第二位置，保持所述相同的目標(biāo)間距。

7.如權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，還包括：

8.如權(quán)利要求7所述的鍍膜裝置，其特征在于，還包括：

9.如權(quán)利要求8所述的鍍膜裝置，其特征在于，所述待加工件為加熱盤，其柄部的底面設(shè)有多個用于連接機臺的第一螺紋孔，

10.如權(quán)利要求7所述的鍍膜裝置，其特征在于，還包括：

11.如權(quán)利要求1所述的鍍膜裝置，其特征在于，還包括：

12.一種鍍膜方法，其特征在于，使用如權(quán)利要求1～11中任一項所述的鍍膜裝置，在待加工件的待加工表面的多個位置生成相同厚度的陽極膜。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于合金表面膜層處理領(lǐng)域，具體地涉及一種鍍膜裝置，具體地，所述鍍膜裝置包括：電源，其正極連接待加工件，而其負極連接定制電極，用于提供陽極鍍膜反應(yīng)所需的電壓；反應(yīng)槽，用于盛放電解液，并容納所述待加工件和所述定制電極；以及所述定制電極，其朝向所述待加工件的待加工表面的一側(cè)，與所述待加工表面的多個位置保持相同的目標(biāo)間距，以在所述多個位置生成相同厚度的陽極膜。本發(fā)明鍍膜裝置可以在待加工件的表面及內(nèi)部盲孔生成厚度均勻的陽極膜。

技術(shù)研發(fā)人員：張家川,趙聰,王新宇
受保護的技術(shù)使用者：拓荊創(chuàng)益（沈陽）半導(dǎo)體設(shè)備有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10