專利名稱:高溫高延展電解銅箔制造工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高溫高延展電解銅箔制造工藝，屬于電解銅箔制造技術(shù)領(lǐng)域：
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背景技術(shù)：
電解銅箔是制作印制電路板(PCB)的重要材料。PCB主要用于電子計算機、工業(yè)控制、航空航天及所有消費類電器等領(lǐng)域，印制電路板(PCB)行業(yè)技術(shù)的高速發(fā)展和需求量的日益增長，對電解銅箔性能提出了更高的要求。特別是高端的多層電路板行業(yè)發(fā)展迅猛，由于它技術(shù)含量高，附加值高，受到國內(nèi)外電路板生產(chǎn)廠家重視，將生產(chǎn)重點開始轉(zhuǎn)移到多層電路板生產(chǎn)，多層電路板市場會越來越大。
雖然有著良好的市場前景和發(fā)展機遇，但多層電路板對電解銅箔的性能要求非常高，特別是對多層電路板內(nèi)層電解銅箔的高溫延伸性能提出了很高的要求，如果高溫延伸性能不好，就會出現(xiàn)內(nèi)層銅箔經(jīng)多次壓板升溫或焊接過程發(fā)生銅箔線路斷裂現(xiàn)象，嚴重影響電路板的質(zhì)量?，F(xiàn)多層電路板生產(chǎn)廠家使用的電解銅箔大都從日本、臺灣等銅箔生產(chǎn)企業(yè)進口，成本較高。
目前國內(nèi)銅箔生產(chǎn)廠家采用的生產(chǎn)方法和添加劑各不相同，大都采用明膠、鹽酸等簡單的添加劑，高溫延伸率一般小于3％，這樣的高溫延伸率是無法滿足多層電路板需要的，所以開發(fā)一種新的生產(chǎn)高溫高延展電解銅箔技術(shù)是刻不容緩的。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明目的在于提供一種能夠解決高溫延展性低問題，還可保證電解銅箔的各項性能處于穩(wěn)定狀態(tài)的高溫高延展電解銅箔的制造工藝。
本發(fā)明一種高溫高延展電解銅箔的制造工藝，該技術(shù)是在電解銅箔制造過程中采用不同的工藝和添加劑，使電解銅箔的高溫延展性能大幅提高。
本發(fā)明高溫高延展電解銅箔制造工藝一、電解液工藝范圍電解銅箔的生產(chǎn)過程為先將陰極銅、濃硫酸、軟水、蒸汽混合溶解，生成硫酸銅溶液，再進入電解槽中進行電解，生成銅箔，其中，Cu2+90-140g/l、H2SO4140-200g/l、t45-70℃，最佳工藝范圍Cu2+100-130g/l、H2SO4150-180g/l、t60-70℃；二、添加劑的選擇在電解液中連續(xù)添加添加劑，能得到性能穩(wěn)定的電解銅箔；所述添加劑為明膠、羥乙基纖維素、十二烷基苯磺酸鈉、丙烯基硫脲、聚丙烯酰胺、混合物A中的一種或幾種混合使用，其中混合物A為聚乙二醇PEG(環(huán)氧乙烷縮合物，分子量400-6000)、聚醚(烯丙醇聚氧烷基醚)、糖精(鄰苯甲?；酋啺?、聚二硫二丙烷磺酸、干酪素中的任意二種或三種的百分比混合，添加劑的使用直接用水或電解液溶解；三、電解液凈化電解液中雜質(zhì)總量不超過0.1％，電解液要求過濾精度達到0.1um，電解液活性炭用量為1-3g/L·天；四、電解銅箔生產(chǎn)電流密度在40-90A/dm2、極距在10-30mm范圍中，最佳電流密度在50-80A/dm2、極距在15-25mm。
所述添加劑的組成及含量為明膠0.01～0.1g/L及混合物A 0.01～0.05g/L；所述添加劑的組成及含量為丙烯基硫脲0.01～0.1g/L、十二烷基苯磺酸鈉0.005～0.03g/L及混合物A 0.02～0.06g/L；所述添加劑的組成及含量為明膠0.01～0.1g/L、羥乙基纖維素0.01～0.05g/L及混合物A 0.01～0.05g/L；所述添加劑的組成及含量為明膠0.01～0.1g/L、聚丙烯酰胺0.01～0.05g/L及混合物A 0.01～0.05g/L；所述添加劑的組成及含量為混合物A 0.03～0.08g/L。
本發(fā)明具有如下優(yōu)點1、本電解銅箔制造工藝，溶液成份Cu2+90-140g/L，H2SO4140-200g/L，電流密度50-80A/dm2均可生產(chǎn)出合格產(chǎn)品；2、本電解銅箔制造工藝用添加劑采用連續(xù)添加的方法，能得到性能穩(wěn)定的電解銅箔；3、本電解銅箔制造工藝用添加劑的使用方法簡單，直接用水或電解液溶解；4、本電解銅箔制造工藝生產(chǎn)的電解銅箔Rz值均勻，對電解銅箔后處理奠定基礎(chǔ)；5、本電解銅箔制造工藝生產(chǎn)的電解銅箔高溫延伸率＞6％，工藝及添加劑控制穩(wěn)定能達到8％以上，采用復(fù)合添加劑后高溫延伸率＞10％。
本發(fā)明高溫高延展電解銅箔制造工藝生產(chǎn)的電解銅箔，使用一種添加劑，高溫延伸率＞6％，使用二種添加劑，高溫延伸率＞8％，使用三種添加劑，其中包含獨立研發(fā)的復(fù)合添加劑中的一種，高溫延伸率＞10％；在電解銅箔制造過程中采用不同的工藝和添加劑，使電解銅箔的高溫延展性能大幅提高，不僅解決了高溫延展性低的問題，還可保證電解銅箔的其他性能處于穩(wěn)定狀態(tài)。
圖1為本電解銅箔制造技術(shù)生產(chǎn)的18um電解銅箔2000倍形貌圖；圖2為本電解銅箔制造技術(shù)生產(chǎn)的35um電解銅箔2000倍形貌圖。
具體實施方式實施例一本實施例的高溫高延展電解銅箔制造工藝如下一、電解液工藝電解銅箔的生產(chǎn)過程為先將陰極銅、濃硫酸、軟水、蒸汽混合溶解，生成硫酸銅溶液，再進入電解槽中進行電解，生成銅箔，其中，Cu2+90g/l、H2SO4200g/l、t45℃；二、添加劑的選擇在電解液中連續(xù)添加添加劑，能得到性能穩(wěn)定的電解銅箔；所述添加劑為明膠、羥乙基纖維素、十二烷基苯磺酸鈉、丙烯基硫脲、聚丙烯酰胺、混合物A中的一種或幾種混合使用，其中混合物A為聚乙二醇PEG(環(huán)氧乙烷縮合物，分子量400-6000)、聚醚(烯丙醇聚氧烷基醚)、糖精(鄰苯甲?；酋啺?、聚二硫二丙烷磺酸、干酪素中的任意二種或三種的百分比混合，添加劑的使用直接用水或電解液溶解；三、電解液凈化電解液中雜質(zhì)總量不超過0.1％，電解液要求過濾精度達到0.1um，電解液活性炭用量為1-3g/L·天；四、電解銅箔生產(chǎn)電流密度40A/dm2、極距30mm。
本實施方式電解銅箔制造工藝，生產(chǎn)的電解銅箔高溫延伸率＞6％。
實施例二本實施方式與實施例一不同在于一、電解液工藝Cu2+140g/l、H2SO4140g/l、t70℃；二、添加劑的選擇在電解液中連續(xù)添加添加劑，能得到性能穩(wěn)定的電解銅箔；所述添加劑為明膠、羥乙基纖維素、十二烷基苯磺酸鈉、丙烯基硫脲、聚丙烯酰胺、混合物A的2種混合使用，添加劑的使用，直接用電解液溶解；四、電解銅箔生產(chǎn)電流密度90A/dm2、極距15mm。
生產(chǎn)的電解銅箔高溫延伸率＞8％。
實施例三本實施方式與實施例一不同在于一、電解液工藝 Cu2+100g/l、H2SO4150g/l、t60-70℃；二、添加劑的選擇添加劑為明膠、羥乙基纖維素、十二烷基苯磺酸鈉、丙烯基硫脲、聚丙烯酰胺、混合物A中的三種混合使用，添加劑的使用，直接用水溶解；四、電解銅箔生產(chǎn)電流密度50A/dm2、極距20mm。
生產(chǎn)的電解銅箔高溫延伸率＞10％。
實施例四添加劑組成在電解液中加入明膠0.01～0.1g/L及混合物A 0.01～0.05g/L可以使電解銅箔毛面結(jié)晶細化。
高溫延伸率測試結(jié)果平均值9.5％。
實施例五添加劑組成在電解液中加入丙烯基硫脲0.01～0.1g/L、十二烷基苯磺酸鈉0.005～0.03g/L及混合物A 0.02～0.06g/L可以使電解銅箔毛面結(jié)晶致密。
高溫延伸率測試結(jié)果平均值12.8％。
實施例六添加劑組成在電解液中加入明膠0.01～0.1g/L、羥乙基纖維素0.01～0.05g/L及混合物A 0.01～0.05g/L可以使電解銅箔毛面結(jié)晶更加致密。
高溫延伸率測試結(jié)果平均值13.2％。
實施例七添加劑組成在電解液中加入明膠0.01～0.1g/L、聚丙烯酰胺0.01～0.05g/L及混合物A 0.01～0.05g/L可以使電解銅箔毛面結(jié)晶更加致密。
高溫延伸率測試結(jié)果平均值12.2％。
實施例八添加劑組成在電解液中加入混合物A 0.03～0.08g/L可以使電解銅箔毛面結(jié)晶更加致密。
高溫延伸率測試結(jié)果平均值10.8％。
由于電解銅箔生產(chǎn)各廠家的設(shè)備差異，所用生產(chǎn)技術(shù)也各不相同，只要采用本專利技術(shù)方案的電解銅箔生產(chǎn)工藝，高溫延展性能都會有很大的提高。
本發(fā)明技術(shù)解決了銅箔高溫延展性能問題，但添加劑的濃度分析控制上需要輔助紅外和紫外分析儀器。
權(quán)利要求
1.高溫高延展電解銅箔制造工藝，其特征在于(1)、電解液工藝范圍電解銅箔的生產(chǎn)過程為先將陰極銅、濃硫酸、軟水、蒸汽混合溶解，生成硫酸銅溶液，再進入電解槽中進行電解，生成銅箔，其中，Cu2+90-140g/l、H2So4140-200g/l、t45-70℃；(2)、添加劑的選擇在電解液中連續(xù)添加添加劑，能得到性能穩(wěn)定的電解銅箔；所述添加劑為明膠、羥乙基纖維素、十二烷基苯磺酸鈉、丙烯基硫脲、聚丙烯酰胺、混合物A中的一種或幾種混合使用，其中混合物A為聚乙二醇PEG(環(huán)氧乙烷縮合物，分子量400-6000)、聚醚(烯丙醇聚氧烷基醚)、糖精(鄰苯甲?；酋啺?、聚二硫二丙烷磺酸、干酪素中的任意二種或三種的百分比混合，添加劑的使用直接用軟水或電解液溶解；(3)、電解液凈化電解液中雜質(zhì)總量不超過0.1％，電解液要求過濾精度達到0.1um，電解液活性炭用量為1-3g/L·天；(4)、電解銅箔生產(chǎn)電流密度在40-90A/dm2、極距在10-30mm范圍。
2.權(quán)利要求
1所述的高溫高延展電解銅箔制造工藝，其特征在于(1)、電解液工藝范圍最佳工藝范圍Cu2+100-130g/l、H2So4150-180g/l、t60-70℃；(4)、電解銅箔生產(chǎn)最佳電流密度在50-80A/dm2、極距在15-25mm。
3.權(quán)利要求
1所述的高溫高延展電解銅箔制造工藝，其特征在于所述添加劑的組成及含量為明膠0.01～0.1g/L及混合物A 0.01～0.05g/L。
4.權(quán)利要求
1所述的高溫高延展電解銅箔制造工藝，其特征在于所述添加劑的組成及含量為丙烯基硫脲0.01～0.1g/L、十二烷基苯磺酸鈉0.005～0.03g/L及混合物A 0.02～0.06g/L
5.權(quán)利要求
1所述的高溫高延展電解。銅箔制造工藝，其特征在于所述添加劑的組成及含量為明膠0.01～0.1g/L、羥乙基纖維素0.01～0.05g/L及混合物A0.01～0.05g/L。
6.權(quán)利要求
1所述的高溫高延展電解銅箔制造工藝，其特征在于所述添加劑的組成及含量為明膠0.01～0.1g/L、聚丙烯酰胺0.01～0.05g/L及混合物A0.01～0.05g/L。
7.權(quán)利要求
1所述的高溫高延展電解銅箔制造工藝，其特征在于所述添加劑的組成及含量為混合物A 0.03～0.08g/L。
專利摘要
本發(fā)明涉及一種高溫高延展電解銅箔制造工藝，屬于電解銅箔制造技術(shù)領(lǐng)域：
，主要解決電解銅箔高溫延展性偏低的問題。特征主要包含(1)電解液工藝范圍；(2)添加劑的選擇；(3)電解液凈化；(4)電流密度、極距的選擇。本發(fā)明高溫高延展電解銅箔制造工藝生產(chǎn)，采用不同的工藝和添加劑，使電解銅箔的高溫延展性能大幅提高，不僅解決了高溫延展性低的問題，還可保證電解銅箔的其他性能處于穩(wěn)定狀態(tài)，滿足印制電路板的需求，特別適應(yīng)于多層電路板內(nèi)層需求。
文檔編號C25D3/38GK1995469SQ200610070550
公開日2007年7月11日 申請日期2006年11月28日
發(fā)明者徐樹民, 胡旭日, 楊祥魁, 鄭小偉, 劉建廣, 王維河 申請人:招遠金寶電子有限公司導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan