国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種可降解環(huán)保鍍錫液的制作方法

      文檔序號:9519726閱讀:510來源:國知局
      一種可降解環(huán)保鍍錫液的制作方法
      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明為金屬加工的技術領域,所涉及電鍍用的可降解環(huán)保鍍錫液。
      【背景技術】
      [0002]將鋼板電鍍錫板層后的錫具有強度高、焊接性好、耐蝕性好以及鍍液無毒等優(yōu)點,屬于功能材料的一種,廣泛地用于汽車、醫(yī)藥、輕工業(yè)和家電等行業(yè),現(xiàn)在是最受歡迎的鋼材料之一。此外,鍍錫層接觸到食品不會對身體產生危害,所以電鍍錫板被長期應用在食品行業(yè),主要是作為包裝材料。然而,目前使用的鍍錫工藝中的硫酸鹽鍍錫存在缺陷:本身鍍層外觀粗糙,孔隙很多,抗蝕性差,成本高,且有一定的腐蝕性和毒性。
      [0003]在過去的10多年中,國內外鍍錫工藝研究的熱點是甲基磺酸鹽高速鍍錫(MSA),甲基磺酸鹽鍍錫(MSA)具有環(huán)境友好性和生物可降解性,且廢水處理簡單,越來越受到重視,鍍液具有對基體和生產設備腐蝕性小,與氟硼酸和氟硅酸相比毒性低,甲基磺酸又可以生物降解,生成硫酸鹽和二氧化碳,鍍液還具有良好的穩(wěn)定性和較高的沉積速率,可與其他金屬共沉積,且合金成分所占比例較大等多種優(yōu)點。
      [0004]由于MSA相對危害小且廢水處理簡單,已逐步替代了傳統(tǒng)的氟硼酸鍍液。此外,MSA在酸性、中性及堿性溶液中都很穩(wěn)定,在不同電鍍溫度下水解都不明顯。甲基磺酸鹽鍍錫對車間內的環(huán)境及生產設備要求不是很高,生產過程中鍍液產生的廢物較少,引起鍍液中各種金屬離子氧化的概率較小。此體系可采用不溶性陽極,因此可降低初期投資金額。甲基磺酸(MSA)體系電鍍配方已經得到廣泛的應用,尤其在電子行業(yè)相關電鍍領域。該鍍液對玻璃和陶瓷都無腐蝕,鍍層細致無結節(jié),這都是電子元器件電鍍時的主要指標。

      【發(fā)明內容】

      [0005]本發(fā)明的目的在于提供一種可降解環(huán)保鍍錫液,配方合理,所生產的產品可焊性好、鍍層均勻、工藝穩(wěn)定,特別是能夠解決此前電鍍錫液的不穩(wěn)定、鍍層質量不理想以及環(huán)保性差等問題。
      [0006]一種可降解環(huán)保鍍錫液,含有機磺酸錫鹽、有機酸、金屬鹽,其特征是組分的質量濃度為:有機磺酸錫鹽:10-25g/L ;有機酸:甲基磺酸100?250g/L ;絡合劑:硫脲50?250g/L ;還原劑:苯二酸1?10g/L ;表面活性劑:聚氧乙烯壬酸醚0.1?5g/L ;抗氧化劑:鄰苯二酚0.1?10g/L ;金屬鹽:乙烷磺酸鹽20?300g/L ;光亮劑:萘甲醛0.5?3g/L,余量去離子水;槽液溫度:溫度控制在45-50°C,pH值4.4-4.6,電流密度2_2.5A/dm2。
      [0007]本發(fā)明配方合理,甲基磺酸又可以生物降解,生產硫酸鹽和二氧化碳,鍍液還具有良好的穩(wěn)定性和較高的沉積速率,可與其他金屬共沉積,且合金成分所占比例較大等多種優(yōu)點??朔艘郧半婂冨a的不環(huán)保,有毒性,鍍液不穩(wěn)定,沉積速率不高等缺點。
      【具體實施方式】
      :
      [0008]實施例1:
      [0009]一種鍍錫液,該鍍錫液由以下成分組成:
      [0010]有機磺酸錫鹽:10_15g/L。
      [0011]有機酸:甲基磺酸(化學文摘中化學物質定義的標準號Chemical AbstractsService, CAS:75-75-2100_150g/L)
      [0012]絡合劑:硫脲(CAS號:62-56-6) 50_100g/L
      [0013]還原劑:苯二酚(CAS:108-46-3) l_3g/L
      [0014]聚氧乙烯壬酚醚(CAS:61827-42-7)0.1-lg/L ;
      [0015]抗氧化劑:鄰苯二酚(CAS:120-80-9)0.l_2g/L ;
      [0016]金屬鹽:乙基磺酸鹽(CAS:5324-47-0) 20_100g/L ;
      [0017]光亮劑:萘甲醛(CAS:66-77-3)0.5-lg/L ;
      [0018]余量為去離子水。
      [0019]溫度控制在45-50°C,pH 值 4.4-4.6,電流密度 2-2.5A/dm2。
      [0020]實施例2
      [0021]一種鍍錫液,該鍍錫液由以下成分組成:(CAS號同上)
      [0022]有機磺酸錫鹽:15_25g/L ;
      [0023]有機酸:甲基磺酸175_250g/L ;
      [0024]絡合劑:硫脲125_250g/L ;
      [0025]還原劑:苯二酚5-10g/L ;
      [0026]聚氧乙烯壬酚醚2.5-5g/L ;
      [0027]抗氧化劑:鄰苯二酚5-10g/L ;
      [0028]金屬鹽:乙烷磺酸鹽200_300g/L ;
      [0029]光亮劑:萘甲醛2_3g/L ;
      [0030]余量為去離子水。
      [0031]溫度控制在45-50°C,pH 值 4.4-4.6,電流密度 2-2.5A/dm2。
      [0032]實施例3
      [0033]一種鍍錫液,該鍍錫液由以下成分組成:(cas號同上)
      [0034]有機鹽:乙磺酸亞錫5?30g/L ;
      [0035]有機酸:甲基磺酸150_175g/L
      [0036]絡合劑:硫脲100_125g/L
      [0037]還原劑:苯二酚3_5g/L
      [0038]聚氧乙烯壬酚醚1-2.5g/L;
      [0039]抗氧化劑:鄰苯二酚2_5g/L ;
      [0040]金屬鹽:乙烷磺酸鹽100_200g/L ;
      [0041]光亮劑:萘甲醛l_2g/L
      [0042]余量為去離子水。
      [0043]溫度控制在45-50°C,pH 值 4.4-4.6,電流密度 2-2.5A/dm2。
      [0044]以上具體實施中的工藝參數(shù)溫度為槽液溫度,pH值為槽液值。作業(yè)時槽液配制按實施例要求加入各組分,然后加入蒸餾水溶解。
      【主權項】
      1.一種可降解環(huán)保鍍錫液,其特征在于:該鍍錫液由以下成分組成: 有機錫鹽:10-25g/L ; 有機混合酸:100?250g/L ; 絡合劑:硫脲50?250g/L ; 還原劑:苯二酚1?10g/L ; 添加劑:聚氧乙烯壬酉分醚0.1?5g/L ; 抗氧化劑:鄰苯二酸0.1?10g/L ; 金屬鹽:乙基磺酸鹽20?300g/L ; 光亮劑:萘甲醛0.5?3g/L; 余量為去尚子水。2.根據(jù)權利要求1所述的一種可降解環(huán)保鍍錫液,其特征在于:所述有機混合酸為甲磺酸、乙磺酸、亞磺酸、硫羧酸中的兩種或多種,使用時按同比例加入。3.根據(jù)權利要求1所述的一種可降解環(huán)保鍍錫液,其特征在于:所述有機錫鹽為甲基磺酸錫、亞磺酸錫或乙磺酸錫其中的一種;選用乙磺酸亞錫的比例是5?30g/L。4.根據(jù)權利要求1所述的一種鍍錫液,其特征在于:所述絡合劑還可以選用二羥基二苯,比例相同。5.根據(jù)權利要求1所述的一種鍍錫液,其特征在于:槽液溫度控制在45-50°C,pH值.4.4-4.6,電流密度 2-2.5A/dm2。
      【專利摘要】一種可降解環(huán)保鍍錫液,其配料為:有機磺酸錫鹽:10-25g/L有機酸:甲基磺酸100~250g/L;絡合劑:硫脲50~250g/L;還原劑:苯二酚1~10g/L;表面活性劑:聚氧乙烯壬酚醚0.1~5g/L;抗氧化劑:鄰苯二酚0.1~10g/L;金屬鹽:乙基磺酸鹽20~300g/L;光亮劑:萘甲醛0.5~3g/L,余量去離子水。本發(fā)明配方合理,甲基磺酸又可以生物降解,生產硫酸鹽和二氧化碳,所鍍產品可焊性好,鍍層均勻,鍍層厚度經測量可達2.5μm,而且有效地抑制晶須等的生長。鍍液性能穩(wěn)定,且合金成分所占比例較大,無有害物質析出,鍍液還具有良好的穩(wěn)定性和較高的沉積速率,可與其他金屬共沉積、可降解等多種優(yōu)點,克服了以前電鍍錫的不環(huán)保,有毒性,鍍液不穩(wěn)定,沉積速率不高等缺點。
      【IPC分類】C25D3/32
      【公開號】CN105274586
      【申請?zhí)枴緾N201410349135
      【發(fā)明人】安成強, 劉春明, 于曉中
      【申請人】東北大學
      【公開日】2016年1月27日
      【申請日】2014年7月21日
      網友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1