提高封裝基板電鍍均勻性的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種提高封裝基板電鍍均勻性的方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著封裝基板不斷向輕薄、短小、高密度方向發(fā)展，在加工能力上給很多設(shè)備帶來(lái)了更高的要求；在設(shè)計(jì)方面，對(duì)于不同的封裝形式，基板的設(shè)計(jì)方案也變的多樣化。由于目前封裝基板設(shè)計(jì)的原因，電鍍的圖形分布不均勻，有的基板設(shè)計(jì)局部只有孤立的焊盤(pán)或者精細(xì)線路，而其它部位圖形面積可能過(guò)大；更有現(xiàn)在常見(jiàn)的封裝基板設(shè)計(jì)，基板的頂層與芯片通過(guò)wire bonding (綁定線)工藝連接，而基板的底層與其它線路板做BGA封裝(植錫球工藝)，這種基板最常見(jiàn)的問(wèn)題是兩面的圖形面積差異過(guò)大。通常與芯片焊接的一面，線條較細(xì)、綁定焊盤(pán)較小，而另一面與常規(guī)線路板焊接的圖形設(shè)計(jì)的焊盤(pán)較大，通常還有很多散熱的大銅面。因基板的上下表面電鍍厚度需求是一樣，這樣即使電鍍?cè)O(shè)備、電鍍?nèi)芤骸㈦婂儏?shù)都在最佳狀態(tài)時(shí)，但是對(duì)于兩面電鍍面積相差較大時(shí)，很難保證電鍍的均勻性，
目前，為了能夠大批量生產(chǎn)封裝基板，基板廠會(huì)將各線路圖形單元合拼在一塊生產(chǎn)板上，拼板的方式有田字型或品字型等矩陣排列，若按照這種傳統(tǒng)的拼板方式進(jìn)行拼板，那么對(duì)于單元圖形中上下表面電鍍面積差異較大的精細(xì)線路單元板，在進(jìn)行后續(xù)的圖形電鍍時(shí)，難以保證電鍍的均勻性，從而導(dǎo)致短路的發(fā)生。
[0003]現(xiàn)有的技術(shù)中，提高電鍍均勻性的方法主要有兩種；
第一種方法:可以通過(guò)調(diào)整電流大小的方式進(jìn)行電鍍，即運(yùn)用小電流電鍍的方法來(lái)改善電鍍均勻性。但是，此方法有很大的弊端，其一，小電流電鍍?cè)黾恿穗婂兊臅r(shí)間，而且用小電流電鍍的封裝基板，圖形表面容易發(fā)黑；其二，小電流電鍍降低了生產(chǎn)效率。
[0004]另一種方法為:在單元板的無(wú)圖形區(qū)域增加輔助銅塊或銅點(diǎn)，用來(lái)平衡電鍍，但是這鐘方法會(huì)增加生產(chǎn)流程，增加的輔助銅塊最后要進(jìn)行腐蝕清理，而且腐蝕的過(guò)程會(huì)影響到單元板里面的設(shè)計(jì)圖形。增加了生產(chǎn)成本，且質(zhì)量還不能確保。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本部分的目的在于概述本發(fā)明的實(shí)施例的一些方面以及簡(jiǎn)要介紹一些較佳實(shí)施例。在本部分以及本申請(qǐng)的說(shuō)明書(shū)摘要和發(fā)明名稱中可能會(huì)做些簡(jiǎn)化或省略以避免使本部分、說(shuō)明書(shū)摘要和發(fā)明名稱的目的模糊，而這種簡(jiǎn)化或省略不能用于限制本發(fā)明的范圍。
[0006]鑒于上述和/或現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝中存在電鍍圖形分布不均勻造成的電鍍均勻性差的問(wèn)題，提出了本發(fā)明。
[0007]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種提高封裝基板電鍍均勻性的方法，使要做圖形電鍍工藝的電鍍圖形在生產(chǎn)板上形成對(duì)稱結(jié)構(gòu)，在后續(xù)電鍍工藝提高封裝基板的電鍍均勻性，提高基板封裝的可靠性，同時(shí)提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。
[0008]按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述提高封裝基板電鍍均勻性的方法，包括以下步驟: (1)分析單元板頂層圖形組成結(jié)構(gòu):單元板為雙層或多層的封裝基板，單元板的頂層圖形包括芯片綁定焊盤(pán)和精細(xì)線路，單元板上芯片綁定焊盤(pán)和精細(xì)線路以外的基材區(qū)為無(wú)銅區(qū)域；
(2 )分板單元板底層圖形組成結(jié)構(gòu):單元板的底層圖形包括植球封裝焊盤(pán)，植球封裝焊盤(pán)以外的基材區(qū)為無(wú)銅區(qū)域；
(3)制作拼板:根據(jù)對(duì)單元板的頂層和底層的圖形結(jié)構(gòu)分析結(jié)果可知單元板頂層設(shè)計(jì)的圖形較底層圖形稀疏，即單元板頂層圖形的含銅量較底層圖形的含銅量少；在拼板時(shí)，在生產(chǎn)板上放置若干塊單元板，左右側(cè)相鄰的單元板圖形呈鏡像布置；
(4)在對(duì)拼板后的生產(chǎn)板進(jìn)行后續(xù)的電鍍工藝。
[0009]進(jìn)一步的，所述芯片綁定焊盤(pán)的大小為70X 120Mm。
[0010]進(jìn)一步的，所述精細(xì)線路的線寬線距為25Mm/25Mm?75Mm/75Mm。
[0011]進(jìn)一步的，所述植球封裝焊盤(pán)的大小為220?440Mm。
[0012]進(jìn)一步的，所述步驟中制作拼板時(shí)，當(dāng)單元板是多層板時(shí)，需要把左右側(cè)相鄰的單元板的每一層圖形都進(jìn)行鏡像處理。
[0013]本發(fā)明主要是通過(guò)更改拼板的方法來(lái)解決電鍍均勻性不良的現(xiàn)象，打破以往傳統(tǒng)的拼板方法，尤其是基板兩個(gè)表面圖形成分相差較的圖形設(shè)計(jì)。通過(guò)對(duì)單元板的電鍍圖形進(jìn)行分析，再進(jìn)行拼板處理，使要做圖形電鍍工藝的電鍍圖形在生產(chǎn)板上形成對(duì)稱結(jié)構(gòu)，在后續(xù)電鍍工藝提高了封裝基板的電鍍均勻性，提高了基板封裝的可靠性，同時(shí)提高了生產(chǎn)效率的同時(shí)，也提高了產(chǎn)品的質(zhì)量保證。
【附圖說(shuō)明】
[0014]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中:
圖1為單元板的頂層圖形示意圖。
[0015]圖2為單元板的底層圖形示意圖。
[0016]圖3為拼板后生產(chǎn)板的頂層示意圖。
[0017]圖4為拼板后生廣板的底層不意圖。
[0018]圖中序號(hào):芯片綁定焊盤(pán)A、精細(xì)線路B、無(wú)銅區(qū)域C、植球封裝焊盤(pán)D、生產(chǎn)板F。
【具體實(shí)施方式】
[0019]為了使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合具體附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的說(shuō)明。
[0020]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
[0021]其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)施制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0022]另，本發(fā)明中提出的術(shù)語(yǔ)“頂層”、“底層”、“左側(cè)”、“右側(cè)”等指示方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不理解為對(duì)本發(fā)明的限制。
[0023]所述提高封裝基板電鍍均勻性的方法，包括以下步驟:
(1)分析單元板頂層圖形組成結(jié)構(gòu):單元板可以為雙層或多層的封裝基板，主要分析單元板的兩個(gè)表面圖形，即頂層圖形和底層圖形組成結(jié)構(gòu)，其中單元板圖形尺寸可以為矩形或其它形狀，如圖1所示，單元板的頂層圖形包括芯片綁定焊盤(pán)A和精細(xì)線路B，芯片綁定焊盤(pán)A的大小一般為70X 120Mm，精細(xì)線路B的線寬線距一般為25Mm/25Mm?75Mm/75Mm ;單元板上芯片綁定焊盤(pán)A和精細(xì)線路B以外的基材區(qū)為無(wú)銅區(qū)域C ;
(2)分板單元板底層圖形組成結(jié)構(gòu):如圖2所示，單元板的底層圖形包括植球封裝焊盤(pán)D，植球封裝焊盤(pán)D的大小一般為220?440Pm，植球封裝焊盤(pán)D以外的基材區(qū)為無(wú)銅區(qū)域C；
(3)制作拼板:
根據(jù)對(duì)單元板的頂層和底層的圖形結(jié)構(gòu)分析結(jié)果，由于單元板頂層設(shè)計(jì)的圖形比較稀疏，而底層圖形設(shè)計(jì)圖形較多，兩面圖形的含銅量差異較大，如果按照傳統(tǒng)方式進(jìn)行拼板，拼板后的生產(chǎn)板兩面圖形的均勻性較差。
[0024]如圖3、圖4所示，拼板時(shí)，在滿足生產(chǎn)加工尺寸的同時(shí)，確定一個(gè)生產(chǎn)板F上可以放置多少塊單元板，最大的使用拼板的利用率，左右側(cè)相鄰的單元板圖形呈鏡像布置；如果單元板是多層板，那么需要把每一層圖形都進(jìn)行鏡像處理
圖3和圖4分別為拼板后的生產(chǎn)板的頂層和底層的示意圖。按此種方式拼板，使得生產(chǎn)板的兩面的圖形含銅量達(dá)到均衡，在后續(xù)制作電鍍工藝時(shí)，會(huì)得到良好的電鍍均勻性。
[0025](4)根據(jù)設(shè)計(jì)的生產(chǎn)板拼板，采用常規(guī)工藝完成后續(xù)的電鍍工藝和其它工藝等。
[0026]本發(fā)明主要具有以下優(yōu)勢(shì):
(1)本發(fā)明通過(guò)更改拼板的方法，可以提高封裝基板的電鍍均勻性，信號(hào)完整性；
(2)本發(fā)明適用于所有圖形設(shè)計(jì)不均衡的基板，包括雙面板和多層封裝基板；
(3)本發(fā)明降低了基板電鍍均勻性差導(dǎo)致的滲鍍、電鍍不均等問(wèn)題導(dǎo)致基板短路，提高了封裝基板的良率；
(4)本發(fā)明無(wú)需增加工藝流程及設(shè)備，不增加生產(chǎn)成本。
[0027]應(yīng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提高封裝基板電鍍均勻性的方法，其特征是，包括以下步驟: (1)分析單元板頂層圖形組成結(jié)構(gòu):單元板為雙層或多層的封裝基板，單元板的頂層圖形包括芯片綁定焊盤(pán)(A)和精細(xì)線路(B)，單元板上芯片綁定焊盤(pán)(A)和精細(xì)線路(B)以外的基材區(qū)為無(wú)銅區(qū)域(C); (2)分板單元板底層圖形組成結(jié)構(gòu):單元板的底層圖形包括植球封裝焊盤(pán)(D)，植球封裝焊盤(pán)(D)以外的基材區(qū)為無(wú)銅區(qū)域(C); (3)制作拼板:根據(jù)對(duì)單元板的頂層和底層的圖形結(jié)構(gòu)分析結(jié)果可知單元板頂層設(shè)計(jì)的圖形較底層圖形稀疏，即單元板頂層圖形的含銅量較底層圖形的含銅量少；在拼板時(shí)，在生產(chǎn)板上放置若干塊單元板，左右側(cè)相鄰的單元板圖形呈鏡像布置； (4)在對(duì)拼板后的生產(chǎn)板進(jìn)行后續(xù)的電鍍工藝。2.如權(quán)利要求1所述的提高封裝基板電鍍均勻性的方法，其特征是:所述芯片綁定焊盤(pán)(A)的大小為70X120Mm。3.如權(quán)利要求1所述的提高封裝基板電鍍均勻性的方法，其特征是:所述精細(xì)線路(B)的線寬線距為25Mm/25Mm?75Mm/75Mm。4.如權(quán)利要求1所述的提高封裝基板電鍍均勻性的方法，其特征是:所述植球封裝焊盤(pán)(D)的大小為220?440Mm。5.如權(quán)利要求1所述的提高封裝基板電鍍均勻性的方法，其特征是:所述步驟(3)中制作拼板時(shí)，當(dāng)單元板是多層板時(shí)，需要把左右側(cè)相鄰的單元板的每一層圖形都進(jìn)行鏡像處理。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種提高封裝基板電鍍均勻性的方法，包括以下步驟：（1）單元板的頂層圖形包括芯片綁定焊盤(pán)和精細(xì)線路，單元板上芯片綁定焊盤(pán)和精細(xì)線路以外的基材區(qū)為無(wú)銅區(qū)域；（2）單元板的底層圖形包括植球封裝焊盤(pán)，植球封裝焊盤(pán)以外的基材區(qū)為無(wú)銅區(qū)域；（3）制作拼板：根據(jù)對(duì)單元板的頂層和底層的圖形結(jié)構(gòu)分析結(jié)果可知單元板頂層設(shè)計(jì)的圖形較底層圖形稀疏，即單元板頂層圖形的含銅量較底層圖形的含銅量少；在拼板時(shí)，在生產(chǎn)板上放置若干塊單元板，左右側(cè)相鄰的單元板圖形呈鏡像布置；（4）進(jìn)行電鍍工藝。本發(fā)明通過(guò)更改拼板的方法來(lái)解決電鍍均勻性不良的現(xiàn)象，提高了封裝基板的電鍍均勻性。
【IPC分類】H01L23/492, C25D7/12
【公開(kāi)號(hào)】CN105401189
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510779190
【發(fā)明人】宋陽(yáng)
【申請(qǐng)人】華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2015年11月13日