還原法從ito廢靶材中回收銦的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種還原法從ΙΤ0廢靶材中回收銦的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]銦是一種重要的稀散金屬元素，其化合物在半導體、電子工業(yè)、原子能工業(yè)等方面有著廣泛的應(yīng)用。其中銦錫氧化物(ΙΤ0)是銦的最大宗消費，占總消費量的七成以上。在ΙΤ0粉生產(chǎn)靶材過程中產(chǎn)生的邊角料、切肩和廢品、以及濺射鍍膜后的靶材，此類為銦的二次資源的最大來源。ΙΤ0主成分為:銦70-75%，錫7-8%，其它為氧、少量雜質(zhì)。
[0003]從ΙΤ0廢靶材中回收銦關(guān)鍵是考慮銦錫的分離、粗銦的質(zhì)量、粗銦的收率、環(huán)境污染、生產(chǎn)成本。
[0004]采用傳統(tǒng)工藝、利用鹽酸浸出溶液中置換錫的工藝雖然能夠分離銦錫得到合格的粗銦，但每天需10%左右的粗銦成品返回置換錫工序，銦的回收率〈95%，且海綿錫中的銦品位高達5-10%，難以舍棄作為錫產(chǎn)物直接出售。
[0005]還有其他濕法用酸浸出生產(chǎn)，都會產(chǎn)生大量廢酸，造成環(huán)境污染。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明旨在實現(xiàn)的技術(shù)問題為:設(shè)計一種還原法從ΙΤ0廢靶材中回收銦錫的方法，實現(xiàn)在氫氣還原氣氛中高效率回收。
[0007]為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，其采用的技術(shù)方案為:用氫氣還原，生成銦錫合金，再經(jīng)過電解的方法，電解生產(chǎn)出高純銦4N(99,995%)o
[0008]把ΙΤ0廢靶材球磨成粉，將ΙΤ0廢靶粉盛裝在器皿內(nèi)，在高溫的條件下，通入氫氣，將氧化銦、氧化錫還原成銦錫合金，再將銦錫合金澆鑄成陽極進行電解，錫進入陽極泥。
[0009]工藝條件:
[0010]1、還原條件:IT0粉料、粒度:200目、還原劑:氫氣、還原溫度:750°C?820°C。
[0011 ] 2、電解體系:硫酸、PH=2-2.5、In3+: 70_100g/L、Na+: 75_90g/L、溫度:22_25°C。
[0012]本方法具有以下有益效果:該法生產(chǎn)沒有污染，銦純度能夠保證，一次電解銦純度可達4N以上。該法生產(chǎn)成本比濕法生產(chǎn)節(jié)約費用50 %，而且無廢水廢氣產(chǎn)生。
【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明實施例的工藝流程圖。
【具體實施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。
[0015]實施例一:還原法工藝如圖1所示:把ΙΤ0廢靶材球磨成粉，ΙΤ0廢靶粉料粒度:200目；將1?廢靶粉盛裝在器皿內(nèi)，在780°C高溫的條件下，通入還原劑氫氣，將氧化銦、氧化錫還原成銦錫合金；
[0016]再將銦錫合金澆鑄成陽極進行電解，電解體系:硫酸、？!1= 2;1113+:70/1、^:758/L、溫度:22°C。錫進入陽極泥。之后再對錫進行還原。
[0017]實施例二:同實施例一，其中電解體系:硫酸，PH= 2; In3+: 70/L、Na+: 90g/L、溫度:22°C。
[0018]實施例三:同實施例一，其中電解體系:硫酸，PH= 2.5； In3+: 100/L、Na+:75g/L、溫度:220C。
[0019]實施例四:同實施例一，其中電解體系:硫酸，PH= 2.5； In3+: 100/L、Na+:90g/L、溫度:220C。
[0020]實施例五:同實施例一，其中電解體系:硫酸，？!1=2.5;1113+:100/1、他+:9(^/1、溫度:250C。
[0021 ]實施例六:同實施例一，其中通入氫氣時，為750°C的高溫環(huán)境。
[0022]實施例七:同實施例一，其中通入氫氣時，為820°C的高溫環(huán)境。
[0023]以上的實施例僅為說明本發(fā)明的技術(shù)思想，不能以此限定本發(fā)明的保護范圍，凡是按照本發(fā)明提出的技術(shù)思想，在技術(shù)方案基礎(chǔ)上所做的任何改動，均落入本發(fā)明保護范圍之內(nèi)。本發(fā)明未涉及的技術(shù)均可通過現(xiàn)有的技術(shù)加以實現(xiàn)。
【主權(quán)項】
1.還原法從ITO廢靶材中回收銦的方法，其特征在于: 步驟一:將ΙΤ0廢靶材經(jīng)球磨，得ΙΤ0廢靶粉，將所述ΙΤ0廢靶粉盛裝在器皿內(nèi)，在750°c-820°C高溫的條件下通入氫氣，還原得銦錫合金； 步驟二:在PH為2?2.5的硫酸、1113+含量70?10(^/1、他+含量75?9(^/1，溫度22?25°〇環(huán)境下，將所述銦錫合金電解，得到高純銦4N，錫進入陽極泥。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原法從IT0廢靶材中回收銦的方法，其特征在于:將所述銦錫合金澆鑄成陽極進行電解。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的還原法從IT0廢靶材中回收銦的方法，其特征在于:所述IT0廢靶粉粒度為200目。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種還原法從ITO廢靶材中回收銦的方法，包括以下步驟：步驟一、將ITO廢靶材經(jīng)球磨，得ITO廢靶粉，將所述ITO廢靶粉盛裝在器皿內(nèi)，在780℃高溫的條件下通入氫氣，還原得銦錫合金；步驟二、在PH為2～2.5的硫酸、70～100g/L銦離子、75～90g/L鈉離子，溫度22～25℃環(huán)境下，將所述銦錫合金電解，得到高純銦4N，錫進入陽極泥。該法生產(chǎn)沒有污染，銦純度能夠保證，一次電解銦純度可達4N以上。該法生產(chǎn)成本比濕法生產(chǎn)節(jié)約費用50％，而且無廢水廢氣產(chǎn)生。
【IPC分類】B22F9/22, C25C1/22
【公開號】CN105420756
【申請?zhí)枴緾N201510896090
【發(fā)明人】袁承乾, 范德勝
【申請人】南京中鍺科技有限責任公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2015年12月8日