抑制陽極氧化材料腐蝕的組合物和方法
【專利摘要】一種抑制陽極氧化材料腐蝕的方法，所述方法包括對該陽極氧化材料涂布腐蝕抑制組合物，所述腐蝕抑制組合物包含液體載體和分散在該液體載體中的導電性納米材料。
【專利說明】
抑制陽極氧化材料腐蝕的組合物和方法
技術(shù)領域
[0001]本發(fā)明大體上涉及腐蝕抑制，更具體而言，涉及抑制陽極氧化材料腐蝕的組合物和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]將諸如鋁等各種金屬陽極氧化以增強性能特性。陽極氧化是一種產(chǎn)生和/或增加金屬部件表面上的氧化物涂層的厚度的電化學(例如，電解鈍化)過程。例如，金屬通常被陽極氧化來提高耐腐蝕性并提高耐磨性。相比于裸金屬表面，陽極氧化表面也為漆料、底漆和膠粘劑提供了更好的粘合。因此，陽極氧化結(jié)構(gòu)可見于各種工業(yè)應用中，例如在航天和汽車工業(yè)中。
[0003]例如，陽極氧化金屬一般包含在基底表面上的氧化物層或涂層。雖然陽極氧化產(chǎn)生了非常規(guī)則且均勻的涂層，但涂層中的微小裂縫可能導致腐蝕。此外，涂層在高和低PH化學物質(zhì)的存在下易受化學溶解的影響，這導致涂層的剝離和基底的腐蝕。例如，氧化物層一般是柱狀、蜂窩狀和多孔的，并且孔可促進下面的基底的腐蝕。因此，已開發(fā)了各種技術(shù)來嘗試通過減少孔(例如，裂縫)的數(shù)量和/或?qū)⒏踊瘜W穩(wěn)定的化合物嵌入氧化物涂層中而抑制陽極氧化金屬的腐蝕。
[0004]作為一個實例，可將開孔密封(例如，通過水熱密封或沉淀密封)，例如在陽極氧化之后用熱重鉻酸鹽溶液。密封步驟的加入通過降低孔隙度和間隙路徑(其允許外表面和基底之間的腐蝕離子交換)可顯著提高陽極氧化金屬的耐腐蝕性。然而，熱重鉻酸鹽溶液含有六價鉻，需要對其操作和處理予以特別的關注。
[0005]因此，本領域技術(shù)人員繼續(xù)在陽極氧化金屬腐蝕抑制領域進行研究和開發(fā)工作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在一個方面中，提供了一種抑制陽極氧化材料腐蝕的方法。所述方法可包括對陽極氧化材料涂布下述組合物的步驟，所述組合物包含液體載體和分散在所述載體中的導電性納米材料。
[0007]在另一個方面中，提供了一種腐蝕抑制組合物，其包含液體載體和分散在所述載體中的導電性納米材料。
[0008]在又一個方面中，公開的用于抑制陽極氧化材料(如基底的氧化物層)腐蝕的方法可包括以下步驟:(I)對陽極氧化材料涂布腐蝕抑制組合物，所述腐蝕抑制組合物包含液體載體和分散在所述載體中的導電性納米材料；(2)使所述腐蝕抑制組合物停留在陽極氧化材料上；(3)從所述材料除去過量的腐蝕抑制組合物；以及(4)干燥所述腐蝕抑制組合物。
[0009]在另一個方面中，提供了一種抑制陽極氧化材料腐蝕的方法，所述方法包括:對所述陽極氧化材料涂布腐蝕抑制組合物，所述腐蝕抑制組合物包含:液體載體;和分散在所述載體中的導電性納米材料。
[0010]有利地，所述陽極氧化材料包含具有氧化物層的基底，并且所述涂布步驟包括對所述氧化物層涂布所述腐蝕抑制組合物。
[0011]有利地，所述氧化物層包括孔，并且所述導電性納米材料在所述涂布步驟期間沉積在所述孔中。
[0012]有利地，所述基底包含鋁。
[0013]有利地，所述氧化物層包含氧化鋁。
[0014]有利地，所述涂布步驟包括將所述腐蝕抑制組合物刷到所述陽極氧化材料上。
[0015]有利地，所述方法進一步包括從所述陽極氧化材料除去過量的所述腐蝕抑制組合物。
[0016]可選地，所述除去步驟包括擦拭和洗滌中的至少一種。
[0017]可選地，在至少30分鐘的停留時間結(jié)束后進行所述除去步驟。
[0018]有利地，所述停留時間為至少60分鐘。
[0019]有利地，所述涂布步驟包括將所述陽極氧化材料浸漬在所述腐蝕抑制組合物中。
[0020]可選地，所述方法進一步包括干燥所述腐蝕抑制組合物。
[0021 ]可選地，所述方法進一步包括在所述涂布步驟之前將所述腐蝕抑制組合物加熱至190° F?200° F的溫度。
[0022]可選地，在所述涂布步驟期間對所述腐蝕抑制組合物進行持續(xù)攪拌。
[0023]在另一個方面中，提供了一種腐蝕抑制組合物，其包含:液體載體;和分散在所述載體中的導電性納米材料。
[0024]有利地，所述液體載體包含至多72達因/厘米的表面張力。
[0025]有利地，所述液體載體包括去離子水，并且所述導電性納米材料在所述去離子水中的濃度為約I克/升?約10克/升。
[0026]可選地，所述液體載體包括滲透劑溶液，并且所述滲透劑溶液與所述導電性納米材料的重量比為約120:1?約30:1。
[0027]有利地，所述導電性納米材料包括納米片、納米管和納米棒中的至少一種。
[0028]有利地，所述導電性納米材料包括石墨烯納米片。
[0029]通過下面的詳述、附圖和所附的權(quán)利要求書，公開的抑制陽極氧化材料中腐蝕的組合物和方法的其它方面將變得顯而易見。
【附圖說明】
[0030]圖1是用公開的腐蝕抑制組合物處理過的陽極氧化結(jié)構(gòu)體的示意性截面圖；
[0031]圖2是描繪公開的抑制腐蝕的方法的一個實施方式的流程圖；
[0032]圖3A?3E是陽極氧化鋁試驗板的照片；
[0033]圖4是一個進行了I周鹽噴霧(鹽霧)試驗的陽極氧化鋁試驗板的照片；
[0034]圖5A?5E是進行了3周鹽噴霧(鹽霧)試驗的陽極氧化鋁試驗板的照片；
[0035]圖6A?6E是進行了5周鹽噴霧(鹽霧)試驗的陽極氧化鋁試驗板的照片；
[0036]圖7A和7B是兩個進行了6周鹽噴霧(鹽霧)試驗的陽極氧化鋁試驗板的照片；
[0037]圖8A?SE是進行了7周鹽噴霧(鹽霧)試驗的陽極氧化鋁試驗板的照片；
[0038]圖9A?9E是進行了8周鹽噴霧(鹽霧)試驗的陽極氧化鋁試驗板的照片；
[0039]圖1OA?1E是進行了10周鹽噴霧(鹽霧)試驗的陽極氧化鋁試驗板的照片。
【具體實施方式】
[0040]以下詳述參照了附圖，其圖示了本公開的【具體實施方式】。具有不同結(jié)構(gòu)和操作的其它實施方式并不偏離本發(fā)明的范圍。同樣的附圖標記在不同的圖中可能指代相同的要素或部件。
[0041]現(xiàn)已發(fā)現(xiàn)，將導電性納米材料引入孔(如陽極氧化金屬的氧化物層中的孔)中可抑制腐蝕。不限于任何具體理論，導電性納米材料可在氧化物層的孔內(nèi)形成電路陣列，從而使可能促進電化學腐蝕反應的任何局部的電節(jié)點分散。
[0042]圖1示出了已用根據(jù)本發(fā)明的一個方面的公開的腐蝕抑制組合物處理過的陽極氧化結(jié)構(gòu)體(總體上指定為10)。陽極氧化結(jié)構(gòu)體10可包含基底12和氧化物層14。氧化物層14(例如，陽極層)可界定陽極氧化結(jié)構(gòu)體10的外表面16(例如，陽極氧化表面)。氧化物層14可界定具有多個孔20的多個柱狀小室18。
[0043]基底12可以是任何能夠支持和/或形成氧化物層14的基底。作為一個一般的非限制性實例，基底12可以是金屬或金屬合金。作為一個具體的非限制性實例，基底12可以是能夠形成氧化鋁層的鋁或鋁合金。在其它具體的非限制性實例中，基底12可以是鈦、鋅、鎂、鈮、錯、給、鉭、鐵、鋼以及它們的合金。
[0044]氧化物層14可以是極其堅硬、不導電且優(yōu)異的涂料用基礎。例如，陽極氧化鋁可具有提高的耐腐蝕性、提高的表面硬度、改善的潤滑和/或改善的粘合。此外，氧化鋁層可以是不導電的，并且允許染色(例如，著色)。
[0045]氧化物層14可通過任何合適的方法形成在基底12上。例如，陽極氧化的氧化鋁層可通過使直流電經(jīng)過電解液而生長，其中鋁基底充當陽極(例如，正極)。電流可在陰極(例如，負極)處釋放氫，并在鋁基底表面處釋放氧，形成氧化鋁層的堆積。
[0046]如本文中更詳細描述的，在用公開的腐蝕抑制組合物處理(例如，密封)陽極氧化結(jié)構(gòu)體10(例如，由氧化物層14界定的外表面16)之后，可使導電性納米材料22位于氧化物層14的孔中。氧化物層14的孔20中接受的導電性納米材料22可抑制下面的基底12的腐蝕。
[0047]導電性納米材料22可包括導電并且至少一個維度(例如，寬度;直徑；厚度)小于100nm的任何材料或材料的組合。導電性納米材料22可以是惰性的，并且包括各種形式、尺寸和電導率。導電性納米材料22可被引入并保持在氧化物層14(例如，陽極氧化的氧化鋁層)的孔20中，并且起到將可能發(fā)展成蝕坑(例如，當腐蝕是電化學事件時)的任何局部電流分散的作用。
[0048]在一種表述中，至少一部分導電性納米材料22的至少一個維度可以為約I納米?約500納米。在另一種表述中，至少一部分導電性納米材料22的至少一個維度可以為約I納米?約100納米。在另一種表述中，至少一部分導電性納米材料22的至少一個維度可以為約I納米?約50納米。在另一種表述中，至少一部分導電性納米材料22的至少一個維度可以為約I納米?約10納米。
[0049]還參照圖1，本領域技術(shù)人員將明白，公開的腐蝕抑制組合物中所用導電性納米材料22的尺寸和電導率可由孔20(意欲將導電性納米材料22引入其中)的尺寸決定。例如，較小的孔20可能需要使用具有足夠高電導率的較細的導電性納米材料22。作為另一個實例，較大的孔20可能需要使用具有足夠高電導率的較大的導電性納米材料22。
[0050]導電性納米材料22的組成可沒有限制，因為可使用各種組合物。例如，導電性納米材料22可包含碳納米材料(例如，石墨稀納米材料)和碳化物納米材料等。
[0051 ]可使用各種納米材料結(jié)構(gòu)。例如，導電性納米材料22可包含納米片、納米管、納米棒、納米線、納米顆粒、納米粉末、納米纖維和納米絲等。
[0052]公開的腐蝕抑制組合物可包含導電性納米材料22的載體。導電性納米材料22可分散在載體中，例如通過攪拌載體與導電性納米材料22的混合物。在不偏離本公開范圍的情況下，腐蝕抑制組合物中可包含諸如分散劑等其他組分。
[0053]載體可以是適合于運載和/或懸浮導電性納米材料22并且將導電性納米材料22分散在基底12表面上的任何流體。導電性納米材料22相對于載體的濃度應足夠高以便在孔20內(nèi)提供有效量的導電性納米材料22，但不應高到干擾腐蝕抑制組合物的流動特性。
[0054]作為實例，在仍然能夠?qū)щ娦约{米材料22輸送至陽極氧化結(jié)構(gòu)體10的氧化物層14的孔20中的情況下，載體和導電性納米材料22可以各種濃度混合。在一個實施方案中，導電性納米材料22相對于載體的濃度可為約I克/升?約10克/升。在另一個實施方案中，導電性納米材料22相對于載體的濃度可為約2克/升?約5克/升。在另一個實施方案中，導電性納米材料22相對于載體的濃度可為約5克/升。
[0055]作為另一個實例，在仍然能夠?qū)щ娦约{米材料22輸送至陽極氧化結(jié)構(gòu)體10的氧化物層14的孔20中的情況下，載體和導電性納米材料22可以各種重量比混合。在一個實施方案中，載體與導電性納米材料22的重量比可為約120:1?約30:1。在另一個實施方案中，載體與導電性納米材料22的重量比可為約100:1?約50:1。在另一個實施方案中，載體與導電性納米材料22的重量比可為約80:1?約60:1。在另一個實施方案中，載體與導電性納米材料22的重量比可為約60:1。
[0056]在一個實施方案中，載體可以是液體，并且可以具有適合于使載體穿透相對較大的裂縫、比如氧化物層14中較大的孔20(例如，直徑大于約150nm的孔)的表面張力。在一個實施方案中，載體可具有約40達因/厘米?72達因/厘米的表面張力。在另一個實施方案中，載體可以是液體，并可具有相對較低的表面張力，從而使載體穿透相對較小的裂縫，比如氧化物層14中較小的孔20(例如，直徑為約1nm?150nm的孔)。在一個實施方案中，載體可具有至多約35達因/厘米的表面張力。在另一個實施方案中，載體可具有至多約30達因/厘米的表面張力。在另一個實施方案中，載體可具有至多約25達因/厘米的表面張力。在另一個實施方案中，載體可具有至多約20達因/厘米的表面張力。
[0057]本領域技術(shù)人員將明白，孔20的尺寸可取決于各種陽極氧化性質(zhì)，包括但不限于溶液濃度、溶液溫度和電流密度等。
[0058]可采用各種載體組成來實現(xiàn)所需表面張力。載體可包含單一液體成分或液體成分的混合物來實現(xiàn)所需表面張力。例如，載體可以是或可包括水，例如去離子水。載體可以是或可包括表面活性劑，例如乙氧基化醇。
[0059]作為一個一般的非限制性實例，載體可以是或可包括液體滲透劑溶液，例如用于進行染料滲透檢驗的液體滲透劑溶液。作為一個具體的非限制性實例，載體可以是或可包括HM-7 O 7焚光滲透劑溶液，其可購自加利福尼亞州Sou th Gat e的Sh erw i η，I n c.。本領域技術(shù)人員將明白，在載體中包含染料是可選的。
[0060]參照圖2，還公開了一種抑制陽極氧化材料腐蝕的方法100。陽極氧化材料可以是陽極氧化結(jié)構(gòu)體，例如圖1所示的陽極氧化結(jié)構(gòu)體10，并且可包括具有包含多個孔20的氧化物層14的基底12，。
[0061]在框102處，可對所述材料涂布公開的腐蝕抑制組合物。例如，可將公開的腐蝕抑制組合物涂布至圖1所示陽極氧化結(jié)構(gòu)體10的外表面16。
[0062]可使用各種技術(shù)來將公開的腐蝕抑制組合物涂布至所述材料(例如，陽極氧化結(jié)構(gòu)體10)。作為一個非限制性實例，可將公開的腐蝕抑制組合物擦和/或刷到所述材料商。例如，可將公開的腐蝕抑制組合物涂到陽極氧化結(jié)構(gòu)體10的外表面16 (例如，氧化物層14)上。作為另一個非限制性實例，可將公開的腐蝕抑制組合物噴到所述材料上。作為另一個非限制性實例，可將所述材料浸入(例如，浸漬)到公開的腐蝕抑制組合物中。
[0063]在框104處，可使公開的腐蝕抑制組合物停留在所述材料上。作為一個非限制性實例，公開的腐蝕抑制組合物可在所述材料上停留至少5分鐘。作為另一個非限制性實例，公開的腐蝕抑制組合物可在所述材料上停留至少15分鐘。作為另一個非限制性實例，公開的腐蝕抑制組合物可在所述材料上停留至少30分鐘。作為另一個非限制性實例，公開的腐蝕抑制組合物可在所述材料上停留至少I小時。作為另一個非限制性實例，公開的腐蝕抑制組合物可在所述材料上停留至少5分鐘并且至多2小時。
[0064]在框106處，可從所述材料除去過量的所公開的腐蝕抑制組合物。例如，可從圖1所示陽極氧化結(jié)構(gòu)體10的外表面16除去過量公開的腐蝕抑制組合物。除去步驟(框106)可在停留步驟(框104)之后進行，但也設想了無停留步驟的除去和在停留步驟之前的除去。
[0065]可使用各種技術(shù)來從所述材料除去過量的所公開的腐蝕抑制組合物。作為一個非限制性實例，可用清潔干燥的抹布(例如，粗棉布;紙巾；毛巾；破布)擦去過量的所公開的腐蝕抑制組合物。作為另一個非限制性實例，可利用干燥抹布擦拭，然后(例如，立即)用潤濕(例如，水潤濕;溶劑潤濕)的抹布再一次擦拭，從而擦去過量的所公開的腐蝕抑制組合物。作為另一個非限制性實例，可用潤濕(例如，丙酮潤濕)的抹布擦去過量的所公開的腐蝕抑制組合物。作為另一個非限制性實例，可洗去(例如，利用噴水或海綿)過量的所公開的腐蝕抑制組合物。
[0066]在框108處，可將所述材料上的公開的腐蝕抑制組合物干燥。作為一個非限制性實例，干燥可在室溫下進行足夠的時間(例如，24小時)。作為另一個非限制性實例，干燥可在升高溫度下進行，例如在烘箱內(nèi)進行。
[0067]實施例
[0068]實施例1
[0069](腐蝕抑制組合物)
[0070]將去離子水和工業(yè)級石墨烯納米片(厚度為2nm?1nm)以每升去離子水5克石墨烯納米片的濃度組合(例如，混合)，從而制備第一腐蝕抑制組合物。持續(xù)攪動(例如，攪拌)混合物。
[0071]實施例2
[0072](腐蝕抑制組合物)
[0073]將HM-707熒光滲透劑溶液(來自Sherwin，Inc.)與工業(yè)級石墨烯納米片(厚度為2nm?1nm)以60:1的重量比(滲透劑溶液:石墨烯納米片)組合，從而制備第二腐蝕抑制組合物。持續(xù)攪拌混合物。
[0074]實施例3
[0075](鹽霧測試)
[0076]獲得15個相同的2024-T3裸鋁的陽極氧化試驗板用于測試。首先將所有板進行堿性清潔并脫氧。在清洗之后，將板置于陽極氧化槽中，并以4伏/分鐘的速率逐步升高電流直至達到19伏。將電壓在19伏維持35分鐘。隨后將板取出并清洗。如本文中在下面更詳細描述的，將三個板用于每個陽極氧化后密封處理。
[0077]將板C1、C2和C3(統(tǒng)稱為C系板)浸入熱(190°F?200°F)重鉻酸鹽溶液中，并置于一邊作為第二對照。圖3A表示了涂布熱重鉻酸鹽后的C系板中的一個板。
[0078]將板W1、W2和W3(統(tǒng)稱為W系板)浸入熱(190°F?200°F)去離子水中，并置于一邊作為第一對照。圖3B表示了涂布熱去離子水后的W系板中的一個板。
[0079]將板H1、H2和H3(統(tǒng)稱為H系板)浸入實施例1的腐蝕抑制組合物的熱(190°F?200°F)溶液中。圖3C表示了涂布熱的實施例1的腐蝕抑制組合物后的H系板中的一個板。
[0080]將板Rl、R2和R3(統(tǒng)稱為R系板)浸入實施例1的腐蝕抑制組合物的室溫(64°F?75°F)溶液中。圖3D表示了涂布室溫的實施例1的腐蝕抑制組合物后的R系板中的一個板。
[0081]用實施例2的腐蝕抑制組合物的溶液擦拭(用漆刷來刷)板S1、S2和S3(統(tǒng)稱為S系板)。在I小時的停留時間之后，用清潔干燥的粗棉布擦拭板SI?S3。隨后用丙酮潤濕的清潔粗棉布進行第二次擦拭。圖3E表示了涂布實施例2的腐蝕抑制組合物之后的S系板中的一個板。
[0082]依照ASTM 8117，將15個試驗板(板胃1?胃3、板(:1?03、板!11?!13、板1?1?1?3和板51?S3)陳化24小時，然后置于中性鹽霧室中。觀察板，并且在I周、3周、5周、6周、7周、8周和10周鹽霧接觸之后拍攝W系板、C系板、H系板、R系板和S系板的代表性照片。
[0083]圖4表示了在I周鹽霧接觸之后的W系板中的一個板。在I周鹽霧接觸之后，W系板(用熱水處理過的板Wl?W3)開始顯現(xiàn)腐蝕跡象，特別是在中心區(qū)域附近，如圖4所示。在2周鹽霧接觸之后，W系板顯現(xiàn)了點蝕。
[0084]圖5A、5B、5C、5D和5E分別表示了在3周鹽霧接觸之后的W系板中的一個板、C系板中的一個板、H系板中的一個板、R系板中的一個板和S系板中的一個板。
[0085]圖6A、6B、6C、6D和6E分別表不了在5周鹽霧接觸之后的W系板中的一個板、C系板中的一個板、H系板中的一個板、R系板中的一個板和S系板中的一個板。在5周鹽霧接觸之后，H系板(用熱的實施例1的腐蝕抑制組合物處理過的板Hl?H3)、R系板(用室溫的實施例1的腐蝕抑制組合物處理過的板Rl?R3)和S系板(用實施例2的腐蝕抑制組合物處理過的板SI?S3)繼續(xù)通過測試。這明顯超出了MIL-A-8625的要求(S卩，試驗板必須通過2周的中性鹽霧接觸hH系板、R系板和S系板(用公開的腐蝕抑制組合物處理過的板)顯示了顯著低于W系板(用熱水處理過的板Wl?W3)的腐蝕，并且展現(xiàn)了與C系板(用重鉻酸鹽處理過的板Cl?C3)相似的腐蝕抑制。
[0086]圖7A和7B分別表不了在6周鹽霧接觸之后的R系板中的一個板和C系板中的一個板。
[0087]圖8A、8B、8C、8D和8E分別表示了在7周鹽霧接觸之后的W系板中的一個板、C系板中的一個板、H系板中的一個板、R系板中的一個板和S系板中的一個板。在7周鹽霧接觸之后，H系板開始顯現(xiàn)腐蝕(即，開始失敗)，如圖SC所示。
[0088]圖9A、9B、9C、9D和9E分別表示了在8周鹽霧接觸之后的W系板中的一個板、C系板中的一個板、H系板中的一個板、R系板中的一個板和S系板中的一個板。在8周鹽霧接觸之后，W系板、H系板和R系板顯現(xiàn)了點蝕(S卩，失敗)，如分別由圖9A、圖9C和圖9D所示。在8周鹽霧接觸之后，C系板和S系板繼續(xù)通過依照MIL-C-8625的測試，如分別由圖9B和圖9E所示。
[0089]圖10A、10B、10C、1D和1E分別表示了在10周鹽霧接觸之后的W系板中的一個板、C系板中的一個板、H系板中的一個板、R系板中的一個板和S系板中的一個板。在10周鹽霧接觸之后，C系板和S系板繼續(xù)通過依照MIL-C-8625的測試，如分別由圖1OB和圖1OE所示。
[0090]因此，公開的用于抑制腐蝕的腐蝕抑制組合物和方法可有利地抑制陽極氧化結(jié)構(gòu)(如陽極氧化鋁)的腐蝕。此外，公開的實例顯示出，在不使用六價鉻的情況下，使用導電性納米材料(例如，石墨烯納米材料)作為腐蝕抑制組合物來密封陽極氧化結(jié)構(gòu)的氧化物層可超出MIL要求。
[0091]雖然已經(jīng)顯示和描述了公開的用于抑制陽極氧化結(jié)構(gòu)腐蝕的組合物和方法，但本領域技術(shù)人員在閱讀本說明書后可進行修改。本申請包括這樣的修改，并且僅由權(quán)利要求的范圍所限制。
【主權(quán)項】
1.一種抑制陽極氧化材料腐蝕的方法，所述方法包括: 對所述陽極氧化材料涂布腐蝕抑制組合物框104，所述腐蝕抑制組合物包含: 液體載體;和 分散在所述載體中的導電性納米材料22。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述陽極氧化材料包含具有氧化物層14的基底12，并且所述涂布步驟包括對所述氧化物層14涂布所述腐蝕抑制組合物。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述氧化物層包括孔20，并且所述導電性納米材料在所述涂布步驟期間沉積在所述孔中。4.如權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述基底包含鋁。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述氧化物層包含氧化鋁。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述涂布步驟包括將所述腐蝕抑制組合物刷到所述陽極氧化材料上。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括從所述陽極氧化材料除去過量的所述腐蝕抑制組合物。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述除去步驟包括擦拭和洗滌中的至少一種。9.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，在至少30分鐘的停留時間結(jié)束后進行所述除去步驟。10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述停留時間為至少60分鐘。11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述涂布步驟包括將所述陽極氧化材料浸漬在所述腐蝕抑制組合物中。12.如權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括干燥所述腐蝕抑制組合物框108。13.如權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括在所述涂布步驟之前，將所述腐蝕抑制組合物加熱至190° F?200° F的溫度。14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述涂布步驟期間對所述腐蝕抑制組合物進行持續(xù)攪拌。15.一種腐蝕抑制組合物，其包含: 液體載體;和 分散在所述載體中的導電性納米材料22。16.如權(quán)利要求15所述的腐蝕抑制組合物，其中，所述液體載體包含至多72達因/厘米的表面張力。17.如權(quán)利要求15所述的腐蝕抑制組合物，其中，所述液體載體包括去離子水，并且所述導電性納米材料22在所述去離子水中的濃度為約I克/升?約10克/升。18.如權(quán)利要求15所述的腐蝕抑制組合物，其中，所述液體載體包括滲透劑溶液，并且所述滲透劑溶液與所述導電性納米材料的重量比為約120:1?約30:1。19.如權(quán)利要求15所述的腐蝕抑制組合物，其中，所述導電性納米材料22包括納米片、納米管和納米棒中的至少一種。20.如權(quán)利要求15所述的腐蝕抑制組合物，其中，所述導電性納米材料22包括石墨烯納米片。
【文檔編號】C25D11/18GK106029956SQ201480072041
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2014年12月21日
【發(fā)明人】L·M·勞賴斯, B·M·格里芬
【申請人】波音公司