一種集成電路的電鍍方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及集成電路芯片電鍍技術領域，尤其涉及一種集成電路的電鍍方法，所述方法包括：對集成電路引線框架進行第一次電鍍，在所述集成電路引線框架的表面形成第一鍍層；對形成有所述第一鍍層的所述集成電路引線框架進行分離，獲得若干集成電路單元；對所述集成電路單元進行第二次電鍍，在所述集成電路單元的表面形成第二鍍層。本發(fā)明通過對分離集成電路引線框架獲得的集成電路單元進行電鍍，電鍍后形成的第二鍍層能夠對集成電路單元裸露的管腳截斷面進行保護，即便對集成電路單元反復蒸煮篩選仍然不會銹蝕變色，提高了焊接效果。
【專利說明】
一種集成電路的電鍍方法
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及集成電路芯片電鍍技術領域，尤其涉及一種集成電路的電鍍方法。
【背景技術】
[0002]現(xiàn)有的集成電路管腳電鍍技術只實施管腳表面鍍金，但是，對于需要在焊接前反復蒸煮篩選的特殊產品，雖然管腳一次電鍍后即可在管腳表面形成鍍層，但切單后截斷面為裸露底材，從而，在反復蒸煮篩選后管腳截斷面底材將會銹蝕，導致焊錫在管腳側面不爬升，造成脫焊和焊接不實的問題，影響焊接效果。

【發(fā)明內容】

[0003 ]本發(fā)明通過提供一種集成電路管腳電鍍方法，解決了現(xiàn)有技術中切單后集成電路管腳的截斷面經(jīng)過反復蒸煮篩選將會銹蝕，進而存在焊接效果差的技術問題。
[0004]本發(fā)明實施例提供了一種集成電路的電鍍方法，所述方法包括:
[0005]對集成電路引線框架進行第一次電鍍，在所述集成電路引線框架的表面形成第一鍍層；
[0006]對形成有所述第一鍍層的所述集成電路引線框架進行分離，獲得若干集成電路單元；
[0007]對所述集成電路單元進行第二次電鍍，在所述集成電路單元的表面形成第二鍍層。
[0008]優(yōu)選的，所述對所述集成電路單元進行第二次電鍍，具體為:
[0009]以滾鍍方式對所述集成電路單元進行第二次電鍍。
[0010]優(yōu)選的，對所述集成電路單元進行滾鍍的時間范圍為30min-50min。
[0011]優(yōu)選的，所述第二鍍層的厚度范圍為0.2um-0.4um。
[0012]優(yōu)選的，在所述對集成電路引線框架進行第一次電鍍之前，所述方法還包括:
[0013]對所述集成電路引線框架進行超聲波除油；
[0014]對除油后的所述集成電路引線框架依次進行第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化。
[0015]優(yōu)選的，在所述對所述集成電路單元進行第二次電鍍之后，所述方法還包括:
[0016]對形成有所述第二鍍層的所述集成電路單元進行水洗；
[0017]對水洗后的所述集成電路單元進行甩干。
[0018]優(yōu)選的，在所述對集成電路引線框架進行第一次電鍍之前，所述方法還包括:
[0019]在所述集成電路引線框架的表面電鍍鎳層；
[0020]對鍍有鎳層的所述集成電路引線框架進行水洗。
[0021 ]優(yōu)選的，所述鎳層的厚度范圍為2um-5um0
[0022]優(yōu)選的，所述集成電路引線框架的封裝方式為方形扁平無引腳方式。
[0023]優(yōu)選的，所述第一鍍層和所述第二鍍層均為金層。
[0024]本發(fā)明實施例中的一個或多個技術方案，至少具有如下技術效果或優(yōu)點:
[0025 ]本發(fā)明通過對分離集成電路引線框架獲得的集成電路單元進行電鍍，電鍍后形成的第二鍍層能夠對集成電路單元裸露的管腳截斷面進行保護，即便對集成電路單元反復蒸煮篩選仍然不會銹蝕變色，提高了焊接效果。
[0026]又，本發(fā)明以滾鍍方式對集成電路單元進行第二次電鍍，利用滾鍍的方式對多個集成電路單元進行電鍍，能夠使各個集成電路單元表面形成的第二鍍層更加均勻。
【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本發(fā)明實施例中一種集成電路的電鍍方法的流程圖。
【具體實施方式】
[0029]為解決現(xiàn)有技術切單后集成電路管腳的截斷面經(jīng)過反復蒸煮篩選將會銹蝕，進而存在焊接效果差的技術問題，本發(fā)明提供一種集成電路的電鍍方法，通過對分離集成電路引線框架獲得的集成電路單元進行電鍍，電鍍后形成的第二鍍層能夠對集成電路單元裸露的管腳截斷面進行保護，即便對集成電路單元反復蒸煮篩選仍然不會銹蝕變色，提高了焊接效果。
[0030]為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0031 ]本發(fā)明實施例提供一種集成電路的電鍍方法，如圖1所示，所述方法包括步驟:
[0032]SlOl:對集成電路引線框架進行第一次電鍍，在所述集成電路引線框架的表面形成第一鍍層。
[0033]S102:對形成有所述第一鍍層的所述集成電路引線框架進行分離，獲得若干集成電路單元。
[0034]S103:對所述集成電路單元進行第二次電鍍，在所述集成電路單元的表面形成第二鍍層。
[0035]其中，集成電路引線框架的封裝方式為方形扁平無引腳方式(QuadFlat No-lead，QFN)。在本申請中，首先對集成電路引線框架進行電鍍，接著對電鍍后的集成電路引線框架進行分離，即，將集成電路引線框架切單成若干獨立的集成電路單元，再對集成電路單元進行第二次電鍍，第二次電鍍后形成的第二鍍層能夠對集成電路單元裸露的管腳截斷面進行保護，即便對集成電路單元反復蒸煮篩選仍然不會銹蝕變色，提高了焊接效果。
[0036]優(yōu)選的，在S102中，以滾鍍方式對集成電路單元進行第二次電鍍，利用滾鍍的方式對多個集成電路單元進行電鍍，能夠使各個集成電路單元表面形成的第二鍍層更加均勻。在第二次電鍍過程中，將滾鍍裝置放置于盛放有滾鍍藥液的槽體內，通過馬達帶動該裝置定位滾動，其中，可以采用臥式滾鍍，也可以采用傾斜式滾鍍，本申請不做限定。而，滾鍍的時間范圍為30min-50min。
[0037]進一步，為確保集成電路單元的管腳截斷面不被銹蝕，在集成電路單元表面形成的第二鍍層的厚度范圍為0.2um-0.4um，而，第一鍍層的厚度范圍為1.27um_l.6um。另外，通常情況下，第一鍍層為金層，而第二鍍層可以與第一鍍層相同，同為金層，當然，第二鍍層也可以為能夠避免集成電路單元銹蝕的其他材料層。
[0038]進一步，在本申請的SlOl之前，所述方法還包括:
[0039]對所述集成電路引線框架進行超聲波除油；
[0040]對除油后的所述集成電路引線框架依次進行第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化。
[0041]通常，在對集成電路引線框架電鍍前會進行超聲波除油、第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化的過程。同樣，在S102之后且在S103之前，所述方法還可以包括:
[0042]對所述集成電路單元進行超聲波除油；
[0043]對除油后的所述集成電路單元依次進行第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化。
[0044]另外，在本申請的S1I之前，所述方法還包括:
[0045]在所述集成電路引線框架的表面電鍍鎳層；
[0046]對鍍有鎳層的所述集成電路引線框架進行水洗。
[0047]當在對集成電路引線框架第一次電鍍前進行了超聲波除油、第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化的過程時，則，在活化后先在集成電路引線框架的表面電鍍鎳層及水洗，再對集成電路引線框架進行第一次電鍍。其中，鎳層的厚度范圍為2um-5um0
[0048]本申請在對集成電路引線框架分離后且對集成電路單元電鍍前，也會對集成電路單元進行與集成電路引線框架同樣的預處理工藝，即，對集成電路單元進行超聲波除油、第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化。需要說明的是，對集成電路引線框架所進行的超聲波除油、第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化的過程與對集成電路單元所進行對應各過程相同。
[0049]進一步，在本申請的S103之后，所述方法還包括:
[0050]對形成有所述第二鍍層的所述集成電路單元進行水洗；
[0051 ]對水洗后的所述集成電路單元進行甩干。
[0052]在本申請中，集成電路單元甩干后即可進行收納、質檢以及出貨。其中，在對集成電路引線框架進行第一次電鍍后，同樣可以先對鍍有第一鍍層的集成電鍍引線框架進行水洗、甩干、收納和質檢，再進行超聲波除油等一些列后續(xù)過程。
[0053 ]本申請通過對集成電路弓I線框架電鍍金，并在對鍍有金層的集成電路引線框架切單后，對獲得的集成電路單元滾鍍金，從而滾鍍的金層將會保護集成電路單元裸露的管腳截斷面，即便對集成電路單元反復蒸煮篩選仍然不會銹蝕變色，提高了焊接效果。
[0054]上述本申請實施例中的技術方案，至少具有如下的技術效果或優(yōu)點:
[0055 ]本發(fā)明通過對分離集成電路引線框架獲得的集成電路單元進行電鍍，電鍍后形成的第二鍍層能夠對集成電路單元裸露的管腳截斷面進行保護，即便對集成電路單元反復蒸煮篩選仍然不會銹蝕變色，提高了焊接效果。
[0056]又，以滾鍍方式對集成電路單元進行第二次電鍍，利用滾鍍的方式對多個集成電路單元進行電鍍，能夠使各個集成電路單元表面形成的第二鍍層更加均勻。
[0057]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領域內的技術人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0058]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1.一種集成電路的電鍍方法，其特征在于，所述方法包括: 對集成電路引線框架進行第一次電鍍，在所述集成電路引線框架的表面形成第一鍍層； 對形成有所述第一鍍層的所述集成電路引線框架進行分離，獲得若干集成電路單元； 對所述集成電路單元進行第二次電鍍，在所述集成電路單元的表面形成第二鍍層。2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述對所述集成電路單元進行第二次電鍍，具體為: 以滾鍍方式對所述集成電路單元進行第二次電鍍。3.如權利要求2所述的方法，其特征在于，對所述集成電路單元進行滾鍍的時間范圍為30min_50mino4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二鍍層的厚度范圍為0.2um-0.4um。5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對集成電路引線框架進行第一次電鍍之前，所述方法還包括: 對所述集成電路引線框架進行超聲波除油； 對除油后的所述集成電路引線框架依次進行第一次水洗、酸洗、第二次水洗和活化。6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對所述集成電路單元進行第二次電鍍之后，所述方法還包括: 對形成有所述第二鍍層的所述集成電路單元進行水洗； 對水洗后的所述集成電路單元進行甩干。7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述對集成電路引線框架進行第一次電鍍之前，所述方法還包括: 在所述集成電路引線框架的表面電鍍鎳層； 對鍍有鎳層的所述集成電路引線框架進行水洗。8.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述鎳層的厚度范圍為2um-5um。9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述集成電路引線框架的封裝方式為方形扁平無引腳方式。10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一鍍層和所述第二鍍層均為金層。
【文檔編號】C25D5/10GK106048679SQ201610369711
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年5月30日
【發(fā)明人】馬海艷
【申請人】北京首鋼微電子有限公司