專利名稱：微流體設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種微流體設(shè)備，具體涉及一種具有微泵系統(tǒng)的微流體設(shè)備。
背景技術(shù)：
例如，專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)了微流體設(shè)備的一例——具有微泵系統(tǒng)的微量全分析系 統(tǒng)。專利文獻(xiàn)1的微泵系統(tǒng)由下述基板構(gòu)成，所述基板由微細(xì)流路和填充有氣體生成材料 的微泵室形成。在專利文獻(xiàn)1的微泵系統(tǒng)中，通過(guò)對(duì)微泵室照射光線、施加熱量等而由氣體 生成材料產(chǎn)生氣體，從而使微泵系統(tǒng)運(yùn)行。因此，專利文獻(xiàn)1的微泵系統(tǒng)無(wú)須復(fù)雜的機(jī)械結(jié) 構(gòu)。因而，通過(guò)采用專利文獻(xiàn)1中公開(kāi)的結(jié)構(gòu)，可期待微泵系統(tǒng)的小型化及制造的簡(jiǎn)易化。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)2005-297102號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
可是，就專利文獻(xiàn)1公開(kāi)的微泵系統(tǒng)而言，必須要在基板內(nèi)形成微泵室，而這將導(dǎo) 致微泵系統(tǒng)的制造工序變得繁瑣；并且，該微泵系統(tǒng)也很難充分滿足進(jìn)一步小型化的要求。本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)而完成，目的在于對(duì)于具有微泵系統(tǒng)的微流體設(shè)備，在簡(jiǎn) 化其制造工序的同時(shí)使其進(jìn)一步小型化。本發(fā)明的微流體設(shè)備具有氣體生成部。氣體生成部具有基板和氣體生成層?；?具有第1主面和第2主面?；迳闲纬捎性诘?主面上開(kāi)口的微流路。氣體生成層設(shè)置在 基板的第1主面上，并覆蓋其開(kāi)口。氣體生成層接受外部刺激而產(chǎn)生氣體。在本發(fā)明的某個(gè)特定實(shí)施方式中，氣體生成層是貼合在第1主面上的氣體生成膜。在本發(fā)明的其他特定實(shí)施方式中，氣體生成部還具有隔離層，所述隔離層設(shè)置在 氣體生成層的與基板側(cè)相反的一側(cè)的表面。在本發(fā)明的另一特定實(shí)施方式中，設(shè)置隔離層使之覆蓋氣體生成層，且該隔離層 在氣體生成層的整個(gè)外周上與基板相接合。在本發(fā)明的其他特定實(shí)施方式中，在氣體生成層中形成有連通孔，所述連通孔的 一端和開(kāi)口相連，另一端和與基板相反一側(cè)的表面相連。在本發(fā)明的另外一個(gè)特定實(shí)施方式中，隔離層為玻璃制造或樹(shù)脂制造的膜或基 板。在本發(fā)明的其他特定實(shí)施方式中，其基板中設(shè)置有多個(gè)微流路，其氣體生成層包 含氣體生成劑，該氣體生成劑經(jīng)光照而產(chǎn)生氣體，在微流體設(shè)備的平面視野中還具有遮光 層，該遮光層設(shè)置在相鄰微流路的開(kāi)口之間，對(duì)氣體生成層進(jìn)行遮光。在本發(fā)明的其他實(shí)施方式中，氣體生成層貼合在基板上，且在氣體生成層的基板
3側(cè)表面及基板的第1主面中的至少一面上形成有與開(kāi)口相連的溝或孔。溝或孔優(yōu)選從開(kāi)口沿基板的板面方向延伸。在上述微流體設(shè)備中形成有多個(gè)溝或孔，多個(gè)溝或孔優(yōu)選從開(kāi)口沿基板的板面方 向呈放射狀延伸。在本發(fā)明的其他特定實(shí)施方式中，氣體生成層的基板側(cè)表面及基板的第1主面中 的至少一面為粗糙面。氣體生成層中優(yōu)選包含接受外部刺激而產(chǎn)生氣體的氣體生成劑。所述外部刺激優(yōu) 選為光。氣體生成劑可包含偶氮化合物及疊氮化合物中的至少一種。氣體生成層中還優(yōu)選包含粘合劑樹(shù)脂。在本發(fā)明的另一特定實(shí)施方式中，微流路中形成有多個(gè)與第1主面相對(duì)的開(kāi)口。在本發(fā)明的其他特定實(shí)施方式中，基板中形成有多個(gè)微流路，且所述多個(gè)微流路 相互連接。發(fā)明的效果在本發(fā)明中，由于是從設(shè)置于基板上的氣體生成層向微流路供應(yīng)氣體，因而在具 有微泵系統(tǒng)的微流體設(shè)備中，可同時(shí)期待制造工序的簡(jiǎn)化和進(jìn)一步的小型化。


圖1為第1實(shí)施方式的微流體設(shè)備的截面圖。圖2為第2實(shí)施方式的微流體設(shè)備的截面圖。圖3為第3實(shí)施方式的微流體設(shè)備的截面圖。圖4為第4實(shí)施方式的微流體設(shè)備的截面圖。圖5為第5實(shí)施方式的微流體設(shè)備的截面圖。圖6為第5實(shí)施方式的氣體生成層的平面圖。圖7為變形例1中的氣體生成層的平面圖。圖8為變形例2的微流體設(shè)備的截面圖。圖9為變形例2中的基板的平面圖。圖10為變形例3的微流體設(shè)備的截面示意圖。圖11為示出變形例3中的微流路的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖12為示出變形例4中的微流路的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖13為示出變形例5中的微流路的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖14為示出變形例6中的微流路的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖15為示出變形例7中的微流路的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖16為示出變形例8中的微流路的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖17為示出變形例9中的微流路的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖18為示出變形例10中的微流路的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖19為示出變形例11中的微流路的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖20為變形例11中的微流體設(shè)備的平面示意圖。圖21為示出變形例12中的微流路的結(jié)構(gòu)的平面示意圖。圖22為變形例12的微流體設(shè)備的平面示意圖。 圖23為變形例13的微流體設(shè)備的截面圖。 圖M為變形例14的微流體設(shè)備的截面圖。 符號(hào)說(shuō)明
I....微流體設(shè)備 2....微泵系統(tǒng) 3....氣體生成部 10....基板 IOa...第1主面 IOb...第2主面 10c...溝
II....第1基板 12....第2基板 13....第3基板 14....微流路 Ha···開(kāi)口 14b...主流路 14c...副流路 20....氣體生成層 20a. · ·連通孔 20b.··溝 21....隔離層 21a...外周部 22....遮光層 23.…光 30....氣體排出口 31....微流路群 32....微流路組 33、34...粘接劑層
35____通孔
發(fā)明的具體實(shí)施方式
(第1實(shí)施方式)
以下，以圖1所示的微流體設(shè)備1為例對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的一例進(jìn)行說(shuō)明。 其中，微流體設(shè)備1僅是所舉出的一實(shí)例，本發(fā)明并不局限于微流體設(shè)備1。圖1為微流體設(shè)備1的截面圖。微流體設(shè)備1只要是具有微流路的設(shè)備則沒(méi)有特 殊限制。微流體設(shè)備1可以是用來(lái)進(jìn)行例如重金屬分析、生化分析的微量分析設(shè)備。當(dāng)微 流體設(shè)備1為微量分析設(shè)備時(shí)，微流體設(shè)備1也可以是進(jìn)一步具有與微流路14相連通、在 基板10上形成的檢測(cè)部及分析部的設(shè)備。需要說(shuō)明的是，在本說(shuō)明書(shū)中，所述“微流路”指的是形成為下述形狀尺寸的流路，所述形狀尺寸會(huì)使得在微流路中流動(dòng)的液體強(qiáng)烈地受到表面張力和毛細(xì)管現(xiàn)象的影響而 顯示出與在常規(guī)尺寸的流路中流過(guò)的液體不同的行為。即，“微流路”指的是形成為下述形 狀尺寸的流路，所述形狀尺寸是指在微流路中流過(guò)的液體會(huì)出現(xiàn)所謂微觀效果的形狀尺 寸。而在何種形狀尺寸的流路中才會(huì)顯示出微觀效果，則是根據(jù)導(dǎo)入到流路中的液體 的物性不同而不同的。例如，當(dāng)微流路的橫截面為矩形時(shí)，一般要將微流路的橫截面的高和 寬中較小者設(shè)定在5mm以下、優(yōu)選500 μ m以下、更優(yōu)選200 μ m以下。當(dāng)微流路的橫截面為 圓形時(shí)，一般要將微流路的直徑設(shè)定在5mm以下、優(yōu)選500 μ m以下、更優(yōu)選200 μ m以下。如圖1所示，微流體設(shè)備1中具有微泵系統(tǒng)2。微泵系統(tǒng)2中形成有氣體生成部 3。氣體生成部3具有基板10、氣體生成層20、隔離層21?；?0中具有第1主面IOa和第2主面10b。其中，第1主面IOa不包含開(kāi)口 1 的內(nèi)周面。即，當(dāng)主面的表面上形成有凹部時(shí)，凹部的表面不包括在該主面內(nèi)。基板10上形成有微流路14。微流路14在基板10的第1主面IOa上具有開(kāi)口。 換言之，微流路14上形成有在第1主面IOa上開(kāi)口的開(kāi)口 14a。需要說(shuō)明的是，在本實(shí)施方 式中，是針對(duì)微流路14僅在第1主面IOa上開(kāi)口的實(shí)例進(jìn)行說(shuō)明。但微流路14也可以同 時(shí)在第1主面IOa和第2主面IOb這兩個(gè)主面上開(kāi)口。對(duì)于基板10的材質(zhì)并無(wú)特殊限制?；?0可以由例如玻璃制成，也可以由樹(shù)脂 制成。具體而言，例如，基板10可以由有機(jī)硅氧烷化合物制成。作為有機(jī)硅氧烷化合物的 具體實(shí)例，可列舉例如聚二甲基硅氧烷(PDMS :p0ly(dimethylSil0Xane))、聚甲基氫化硅
氧烷等。對(duì)于通過(guò)向成形模具中注入樹(shù)脂后使其固化來(lái)制作基板10的情況，基板10尤其 優(yōu)選實(shí)質(zhì)上由PDMS制成。由于由PDMS制成的部件具有高轉(zhuǎn)印性，因此，通過(guò)使用PDMS，可 制作出具有高形狀精密度的基板10。另外，由于PDMS的透光性優(yōu)異，因而可獲得具有高透 光性的基板10。在本實(shí)施方式中，基板10由第1基板11、第2基板12、第3基板13構(gòu)成。其中， 基板10可以由一片基板構(gòu)成，也可以由2片以上的基板構(gòu)成。基板10的第1主面IOa優(yōu)選經(jīng)過(guò)增粘(7 >力一)處理。通過(guò)預(yù)先對(duì)基板10的 第1主面IOa實(shí)施增粘處理，可抑制在基板10和氣體生成層20之間產(chǎn)生氣體、或產(chǎn)生的氣 體積留于基板10和氣體生成層20之間。作為上述增粘處理，可列舉例如對(duì)基板10的第1主面IOa進(jìn)行電暈放電處理或涂 布表面處理劑的處理。其中，作為表面處理劑，可列舉例如聚氨酯樹(shù)脂、(甲基)丙烯酸酯 共聚物、含1，3共軛二烯單體的聚合物或共聚物、含1，3共軛二烯單體的低聚物或共聚低聚 物、含1，3共軛二烯單體衍生物的聚合物或共聚物、含1，3共軛二烯單體衍生物的低聚物或 共聚低聚物、或它們的混合物等。在基板10的第1主面IOa上，設(shè)置有氣體生成層20。在本實(shí)施方式中，氣體生成 層20貼合在基板10上。開(kāi)口 1 被該氣體生成層20所覆蓋。氣體生成層20的厚度優(yōu)選為Ιμπι 200μπκ更優(yōu)選5μπι ΙΟΟμπκ進(jìn)一步優(yōu)選 10 μ m 50 μ m。當(dāng)氣體生成層20的厚度在1 μ m以下時(shí)，會(huì)導(dǎo)致其接受外部刺激而產(chǎn)生的 氣體量減少，或者，對(duì)于粘合劑樹(shù)脂中包含粘接劑樹(shù)脂的情況，可能會(huì)導(dǎo)致該氣體生成層20
6與基板10的粘接性不足。另外，當(dāng)氣體生成層20的厚度在200 μ m以上時(shí)，產(chǎn)生的氣體到 達(dá)基板10所需要的時(shí)間有增加的傾向。氣體生成層20是通過(guò)接受外部刺激而產(chǎn)生氣體的層。氣體生成層20中至少含有 通過(guò)接受外部刺激而生成氣體的氣體生成劑。在本實(shí)施方式中，氣體生成層20中包含氣體 生成劑和粘合劑。氣體生成層20中還可以進(jìn)一步包含各種添加劑。需要指出的是，在本發(fā)明中，所述的外部刺激是指，為了使氣體生成部發(fā)生氣體生 成反應(yīng)而從外部供給的物理或化學(xué)刺激。即，所述外部刺激是作用于氣體生成部而使得從 氣體生成部生成氣體的刺激。作為外部刺激的具體實(shí)例，可列舉光或熱等能量、酸或堿等物 質(zhì)。即，“接受外部刺激”包括照射光或熱等能量、供給酸或堿等物質(zhì)。外部刺激只要是可使氣體生成部發(fā)生氣體生成反應(yīng)的刺激則并無(wú)特殊限制，優(yōu)選 為光。由于光照的開(kāi)/關(guān)及照射光的強(qiáng)度調(diào)整容易進(jìn)行，因此，當(dāng)外部刺激為光時(shí)，容易對(duì) 氣體生成進(jìn)行控制，并且易于獲得氣體生成的高響應(yīng)性。另外，當(dāng)外部刺激為光時(shí)，由于對(duì) 于基板10的熱耐久性要求降低，因此可增加基板10的選擇自由度。氣體生成劑也可以僅由通過(guò)接受外部刺激而產(chǎn)生氣體的材料構(gòu)成。另外，氣體生 成劑中還可以含有通過(guò)接受外部刺激而產(chǎn)生另一刺激的刺激發(fā)生劑、和通過(guò)接受由該刺激 發(fā)生劑產(chǎn)生的刺激而產(chǎn)生氣體的刺激氣體生成劑。氣體生成劑中可包含例如通過(guò)接受光或熱而產(chǎn)生酸或堿的材料、和再由該材料 產(chǎn)生的酸或堿作用下產(chǎn)生氣體的材料。更具體而言，氣體生成材料中可以包含經(jīng)光照而產(chǎn) 生酸的光產(chǎn)酸劑、以及通過(guò)與酸接觸而產(chǎn)生氣體的酸刺激產(chǎn)氣劑。另外，氣體生成材料中還 可以包含經(jīng)光照而產(chǎn)生堿的光產(chǎn)堿劑、以及通過(guò)與堿接觸而產(chǎn)生堿性氣體的堿增殖劑。作為照射至氣體生成層20的光，只要是氣體生成劑或增敏劑所吸收的波段的光 即可，則沒(méi)有特殊限制，優(yōu)選為波長(zhǎng)IOnm 400nm的紫外線及與紫外線接近的400nm 420nm的藍(lán)色光，更優(yōu)選為300nm 400nm的近紫外線。對(duì)于用來(lái)對(duì)氣體生成層20實(shí)施光照的光源并無(wú)特殊限制。作為光源的具體實(shí)例， 可列舉例如低壓水銀燈、中壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、發(fā)光二極管(LED)、全 固態(tài)激光器、化學(xué)燈、黑光燈、微波激發(fā)水銀燈、金屬鹵化物燈、鈉燈、鹵素?zé)簟㈦療?、熒光?等。其中，優(yōu)選使用放熱少且廉價(jià)的發(fā)光二極管(LED)等發(fā)光元件作為光源。作為氣體生成劑的具體實(shí)例，可列舉例如偶氮化合物、疊氮化合物等。偶氮化合物 可以是偶氮酰胺(azoamide)化合物。作為偶氮化合物的具體實(shí)例，可列舉例如2，2’_偶氮雙(N-環(huán)己基-2-甲基丙酰 胺)、2，2’-偶氮雙[N42-甲基丙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’-偶氮雙(N- 丁基-2-甲基丙 酰胺)、2，2，-偶氮雙[N-O-甲基乙基)-2-甲基丙酰胺]、2，2，-偶氮雙(N-己基-2-甲 基丙酰胺)、2，2’ -偶氮雙(N-丙基-2-甲基丙酰胺)、2，2’ -偶氮雙(N-乙基-2-甲基丙 酰胺)、2，2，-偶氮雙{2-甲基-N-[l，l-雙(羥甲基)-2-羥乙基]丙酰胺}、2，2，-偶氮 雙{2-甲基-N-[2-(l-羥丁基)]丙酰胺}、2，2’ -偶氮雙[2-甲基-N-(2-羥乙基)丙酰 胺]、2，2’ -偶氮雙[N-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2，2’ -偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪 唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2，2’ -偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2， 2’ -偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二硫酸鹽二水合物、2，2’ -偶氮雙[2-(3，4，5， 6-四氫嘧啶-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2，2，_偶氮雙{2-[1-(2_羥乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷} 二鹽酸鹽、2，2’-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮雙甲基丙酰 脒)鹽酸鹽、2，2’_偶氮雙(2-氨基丙烷)二鹽酸鹽、2，2’_偶氮雙[N-(2-羧?；?-2-甲 基-丙酰脒]、2，2，-偶氮雙{2-[N-(2-羧基乙基)脒]丙烷}、2，2，-偶氮雙甲基丙 酰胺肟)、2，2’ -偶氮雙甲基丙酸甲酯)、2，2’ -偶氮雙(異丁酸甲酯)、4，4’ -偶氮雙 (4-氰基碳酸)、4，4，_偶氮雙(4-氰基戊酸)、2，2，-偶氮雙(2，4，4_三甲基戊烷)等。這 些偶氮化合物可通過(guò)接受具有特定波長(zhǎng)范圍的光、熱等刺激而產(chǎn)生氮?dú)?。作為疊氮化合物的具體實(shí)例，可列舉例如3-疊氮甲基-3-甲基氧雜環(huán)丁烷、對(duì) 苯二甲酰疊氮、具有疊氮基的聚合物等。作為具有疊氮基的聚合物的具體實(shí)例，可列舉縮 水甘油基疊氮聚合物等?？s水甘油基疊氮聚合物可由例如對(duì)叔丁基苯酰疊氮和3-疊氮甲 基-3-甲基氧雜環(huán)丁烷經(jīng)開(kāi)環(huán)聚合而得到。這些疊氮化合物通過(guò)接受特定波長(zhǎng)范圍的光、 熱、超聲波及沖擊等刺激而發(fā)生分解，從而產(chǎn)生氮?dú)?。需要說(shuō)明的是，由于偶氮化合物在受到?jīng)_擊時(shí)不會(huì)產(chǎn)生氣體，因此其操作簡(jiǎn)單。另 外，由于偶氮化合物也不會(huì)發(fā)生鏈鎖反應(yīng)而爆發(fā)性地產(chǎn)生氣體，因此還可以通過(guò)停止光照 來(lái)中止氣體生成。由此，可通過(guò)使用偶氮化合物作為氣體生成劑來(lái)對(duì)氣體生成量進(jìn)行容易 地控制。偶氮化合物等氣體生成劑優(yōu)選具有高耐熱性。具體而言，氣體生成劑的10小時(shí)半 衰期溫度優(yōu)選在80°C以上。通過(guò)使氣體生成劑具有高耐熱性，即使在高溫環(huán)境下也能夠適 宜地使用微流體設(shè)備1。此外，還可以抑制微流體設(shè)備1在貯藏時(shí)發(fā)生劣化。作為10小時(shí)半衰期溫度在80°C以上的偶氮化合物，可列舉下述通式(3)表示的偶 氮酰胺化合物等。下述通式C3)表示的偶氮酰胺化合物不僅具有優(yōu)異的耐熱性，而且在丙 烯酸烷基酯聚合物等具有粘合性的聚合物中還具有優(yōu)異的溶解性。由此，可抑制偶氮酰胺 化合物在粘接劑樹(shù)脂中形成微粒。[化學(xué)式1]
權(quán)利要求
1.一種微流體設(shè)備，其具有氣體生成部，其中，所述氣體生成部具有基板和氣體生成層，所述基板具有第1主面和第2主面，且形成有在所述第1主面上開(kāi)口的微流路；所述氣體生成層設(shè)置于上述基板的第1主面上，并覆蓋上述開(kāi)口，該氣體生成層通過(guò) 接受外部刺激而產(chǎn)生氣體，所述氣體生成層的所述基板側(cè)的表面及所述基板的第1主面中的至少一面為粗糙面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微流體設(shè)備，其中，所述氣體生成層是貼合在所述第1主面上 的氣體生成膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微流體設(shè)備，其中，所述氣體生成部還具有隔離層，該隔 離層設(shè)置在所述氣體生成層的與所述基板側(cè)相反的一側(cè)的表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微流體設(shè)備，其中，設(shè)置所述隔離層并使之覆蓋氣體生成層， 且所述隔離層在所述氣體生成層的整個(gè)外周上與所述基板接合。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的微流體設(shè)備，其中，所述隔離層為玻璃制造或樹(shù)脂制造的 膜或基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的微流體設(shè)備，其中，在所述基板中設(shè)置有多個(gè)所述微流路，所述氣體生成層含有氣體生成劑，該氣體生成劑通過(guò)照射光而產(chǎn)生氣體，在平面視野中還具有遮光層，該遮光層設(shè)置在相鄰的所述微流路的開(kāi)口之間，對(duì)所述 氣體生成層進(jìn)行遮光。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的微流體設(shè)備，其中，所述氣體生成層貼合在所述 基板上，且在所述氣體生成層的所述基板側(cè)的表面及所述基板的第1主面中的至少一面上 形成有與所述開(kāi)口相連的溝或孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微流體設(shè)備，其中，所述溝或孔自所述開(kāi)口沿所述基板的板 面方向延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的微流體設(shè)備，其中，形成有多個(gè)所述溝或孔，所述多個(gè)溝 或孔自所述開(kāi)口沿所述基板的板面方向呈放射狀延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 5、7 9中任一項(xiàng)所述的微流體設(shè)備，其中，所述氣體生成層包 含通過(guò)接受外部刺激而產(chǎn)生氣體的氣體生成劑。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的微流體設(shè)備，其中，所述氣體生成劑含有偶氮化合物及疊 氮化合物中的至少一種。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的微流體設(shè)備，其中，所述氣體生成層中還含有粘合劑 樹(shù)脂。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的微流體設(shè)備，其中，所述粘合劑樹(shù)脂中包含粘接劑樹(shù)脂。
14.根據(jù)權(quán)利要求1 13中任一項(xiàng)所述的微流體設(shè)備，其中，所述微流路中形成有多個(gè) 與所述第1主面相對(duì)的開(kāi)口。
15.根據(jù)權(quán)利要求1 14中任一項(xiàng)所述的微流體設(shè)備，其中，所述基板中形成有多個(gè)所 述微流路，且所述多個(gè)微流路相互連接。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于在簡(jiǎn)化具有微泵系統(tǒng)的微流體設(shè)備的制造工序的同時(shí)使其進(jìn)一步小型化。為此，本發(fā)明提供微流體設(shè)備(1)，其具有氣體生成部(3)。氣體生成部具有基板(10)和氣體生成層(20)?；?10)具有第1主面(10a)和第2主面(10b)，且形成有至少在所述第1主面(10a)上開(kāi)口的微流路(14)。氣體生成層(20)設(shè)置于基板(10)的第1主面(10a)上，并覆蓋開(kāi)口(14a)。氣體生成層(20)通過(guò)接受外部刺激而產(chǎn)生氣體。
文檔編號(hào)F04B19/00GK102146905SQ20111003669
公開(kāi)日2011年8月10日 申請(qǐng)日期2009年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月11日
發(fā)明者山本一喜, 福井弘司, 福岡正輝, 赤木良教 申請(qǐng)人:積水化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社