專(zhuān)利名稱：真空設(shè)備的閥門(mén)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種閥門(mén)裝置，特別涉及一種真空設(shè)備的閥門(mén)裝置。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體相關(guān)制造過(guò)程中，有許多的制程必須在真空狀態(tài)下進(jìn)行，隨著制程不同所設(shè)定的真空條件也常有不同，例如在薄膜沉積制程中隨著真空程度不同，可以控制氣流的流動(dòng)形式和薄膜沉積的速率，常見(jiàn)的物理氣相沉積法主要有蒸鍍與濺鍍兩種，而蒸鍍及分子束磊晶制程必須在高真空狀態(tài)，所發(fā)射的原子才能順利到達(dá)基板，而電漿蝕刻中氣體的壓力決定電漿中離子與自由基的濃度，因此真空設(shè)備在高科技產(chǎn)業(yè)的制程中非常重要。為了使連續(xù)的制程中具有不同的真空條件，在公知技術(shù)中，是在一個(gè)真空設(shè)備中設(shè)置多數(shù)個(gè)串聯(lián)的真空區(qū)間，在兩個(gè)相鄰的真空區(qū)間之間個(gè)別安裝一個(gè)閥門(mén)。當(dāng)工作件在其中一個(gè)真空區(qū)間內(nèi)加工時(shí)，其左右兩側(cè)閥門(mén)必須關(guān)閉，以單獨(dú)的控制該真空區(qū)間內(nèi)的真空條件及加工條件，加工后再打開(kāi)閥門(mén)讓工作件往下一個(gè)真空區(qū)間移動(dòng)，已準(zhǔn)備進(jìn)行下一個(gè)加工，以此類(lèi)推，一個(gè)工作件就可以移動(dòng)到各個(gè)串聯(lián)的真空區(qū)間內(nèi)進(jìn)行加工，以達(dá)到連續(xù)加工的目的。然而，就公知的連續(xù)真空設(shè)備雖可以一貫化作業(yè)，以提高生產(chǎn)效率，但在閥門(mén)的設(shè)計(jì)上，其是直接安裝在兩個(gè)真空區(qū)間之間(如圖5、6所示)，且具有二個(gè)利用彈性體用彼此伸張或縮合對(duì)應(yīng)的第一閥門(mén)及第二閥門(mén)，而由第一閥門(mén)及第二閥門(mén)底端活動(dòng)連接動(dòng)力源， 且在兩個(gè)真空區(qū)間所設(shè)為令第一閥門(mén)及第二閥門(mén)作運(yùn)動(dòng)的閥室，也必須特別設(shè)計(jì)可令第一閥門(mén)及第二閥門(mén)在伸張狀態(tài)對(duì)兩側(cè)的真空裝置兼具有密不可分的關(guān)系；致使該閥門(mén)裝置的構(gòu)成復(fù)雜、制作組裝成本高，且當(dāng)閥門(mén)產(chǎn)生故障需要檢修時(shí)，不僅拆卸費(fèi)時(shí)、費(fèi)力，而且成本亦高，故此種公知的連續(xù)真空設(shè)備在閥門(mén)的設(shè)計(jì)上存有種種不理想的地方。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種真空設(shè)備的閥門(mén)裝置，該閥門(mén)裝置可借助動(dòng)力源驅(qū)使軸桿帶動(dòng)閥門(mén)體在上升、下降的同時(shí)，使閥室兩側(cè)壁所設(shè)的閥孔作封閉、開(kāi)啟，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、 并降低制作成本、維修方便。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供了下述技術(shù)方案—種真空設(shè)備的閥門(mén)裝置，所述閥門(mén)裝置主要包括；一基座，所述基座底端設(shè)有動(dòng)力源，所述動(dòng)力源上具有穿出通道而作上下直線運(yùn)動(dòng)的軸桿，而軸桿與通道之間具有防漏設(shè)置；一閥室，所述閥室設(shè)于基座的頂端，閥室內(nèi)部形成密閉空間，而此密閉空間位居上方的兩側(cè)壁各形成朝上漸往內(nèi)縮的斜面部，且該密閉空間處于斜面的兩側(cè)壁各設(shè)有閥孔；一閥門(mén)體，所述閥門(mén)體于兩側(cè)形成有為對(duì)應(yīng)閥室斜面部的切面部，而所述閥門(mén)體容置于閥座的密閉室間內(nèi)，且所述閥門(mén)體的底端與基座動(dòng)力源的軸桿上端形成一體。
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)側(cè)剖圖；圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)前剖圖；圖3為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)運(yùn)動(dòng)側(cè)剖圖；圖4為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)運(yùn)動(dòng)前剖圖；圖5為公知的結(jié)構(gòu)側(cè)剖圖；圖6為公知的結(jié)構(gòu)運(yùn)動(dòng)側(cè)剖圖；附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明1基座 11通道12動(dòng)力源 121軸桿2閥室 21密閉空間 22斜面部 23閥孔3閥門(mén)體 31切面部
具體實(shí)施方式
現(xiàn)通過(guò)實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說(shuō)明如圖1、圖4所示本專(zhuān)利真空設(shè)備的閥門(mén)裝置指一種安裝在連續(xù)真空設(shè)備的兩相鄰真空區(qū)間，具有精簡(jiǎn)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可降低制作成本、維修方便的獨(dú)立型閥門(mén)裝置。該閥門(mén)裝置，主要構(gòu)造包括有一基座1，該基座1具有一通道11，并于底端連設(shè)有動(dòng)力源12，此動(dòng)力源12上具有穿出通道11而作上下直線運(yùn)動(dòng)的軸桿121，而軸桿121與通道11之間具有防漏設(shè)置；一閥室2，該閥室2組設(shè)定位于基座1頂端上，閥室2內(nèi)部形成密閉空間21，而此密閉空間21位居上方的兩側(cè)壁各形成朝上漸往內(nèi)縮的斜面部22，且該密閉空間21位居斜面部22的兩側(cè)壁各設(shè)有閥孔23 ；一閥門(mén)體3，該閥門(mén)體3于兩側(cè)邊形成有對(duì)應(yīng)閥室2基斜面部22的切面部31，而該閥門(mén)體3為容置于閥座2的密閉空間21內(nèi)，且該閥門(mén)體3的底端為與基座1其動(dòng)為源12 的軸桿121上端組設(shè)為一體。據(jù)此，當(dāng)閥門(mén)裝置欲將兩真空區(qū)間實(shí)施封閉時(shí)，如圖3、圖4所示，啟動(dòng)動(dòng)力源12驅(qū)使軸桿121帶動(dòng)閥門(mén)體3作上升移動(dòng)，使閥門(mén)體3及基兩側(cè)邊切面部31正好對(duì)應(yīng)閥室2其斜面部22作緊密貼靠，而順勢(shì)封閉其閥室2兩側(cè)壁所設(shè)的閥孔23。倘若欲將兩真空區(qū)間的閥門(mén)裝置實(shí)施開(kāi)啟時(shí)，如圖1、圖2所示，啟動(dòng)動(dòng)力源12驅(qū)使軸桿121帶動(dòng)閥門(mén)體3作下降移動(dòng)，使該閥門(mén)體3及其兩側(cè)邊切面部31正好離閥室其斜面部22，此時(shí)閥室2兩側(cè)壁所設(shè)的閥孔23則對(duì)應(yīng)開(kāi)啟相通。因此，本實(shí)用新型借由動(dòng)力源驅(qū)使帶動(dòng)閥門(mén)體3在上升、下降的同時(shí)，予以實(shí)施對(duì)閥室2兩側(cè)壁所設(shè)的閥孔23作封閉、開(kāi)啟的設(shè)置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、可降低制作成本、維修方便。
權(quán)利要求1. 一種真空設(shè)備的閥門(mén)裝置，其特征在于所述閥門(mén)裝置主要包括； 一基座，所述基座底端設(shè)有動(dòng)力源，所述動(dòng)力源上具有穿出通道而作上下直線運(yùn)動(dòng)的軸桿，而軸桿與通道之間具有防漏設(shè)置；一閥室，所述閥室設(shè)于基座的頂端，閥室內(nèi)部形成密閉空間，而此密閉空間位居上方的兩側(cè)壁各形成朝上漸往內(nèi)縮的斜面部，且該密閉空間處于斜面的兩側(cè)壁各設(shè)有閥孔；一閥門(mén)體，所述閥門(mén)體于兩側(cè)形成有為對(duì)應(yīng)閥室斜面部的切面部，而所述閥門(mén)體容置于閥座的密閉室間內(nèi)，且所述閥門(mén)體的底端與基座動(dòng)力源的軸桿上端形成一體。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種真空設(shè)備的閥門(mén)裝置，安裝在連續(xù)真空設(shè)備的兩相鄰真空區(qū)間，包括有基座底端連設(shè)為作上下直線運(yùn)動(dòng)的動(dòng)力源；閥室組設(shè)于基座頂端，具有密閉空間，密閉空間兩側(cè)壁形成具有閥孔的斜面部；閥門(mén)體兩側(cè)邊形成切面部容置于閥閉空間內(nèi)，且閥門(mén)體底端與基座動(dòng)力源的軸桿上端形成一體，以供可由動(dòng)力源驅(qū)軸桿帶動(dòng)閥門(mén)體在上升、下降時(shí)，作封閉、開(kāi)啟其閥室兩側(cè)壁所設(shè)的閥孔。
文檔編號(hào)F16K3/12GK202100744SQ20112009204
公開(kāi)日2012年1月4日 申請(qǐng)日期2011年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月31日
發(fā)明者劉辛 申請(qǐng)人:蘇州凡特真空濺鍍科技有限公司