專利名稱：放射線成像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有用于將放射線轉(zhuǎn)換成放射線圖像的放射線轉(zhuǎn)換面板的放射線圖像捕獲設(shè)備(放射線成像裝置)，放射線轉(zhuǎn)換面板包括由閃爍體和光電變換層組成的堆疊組件、支撐放置在上面的放射線轉(zhuǎn)換面板的基臺(tái)和里面容納有放射線轉(zhuǎn)換面板和基臺(tái)的殼體。
背景技術(shù)：
在醫(yī)療領(lǐng)域中，已經(jīng)廣泛地使用放射線圖像捕獲設(shè)備，所述放射線圖像捕獲設(shè)備將放射線施加到對(duì)象并將已經(jīng)穿過對(duì)象的放射線引導(dǎo)到從放射線捕捉放射線圖像的放射線轉(zhuǎn)換面板。已知形式的放射線轉(zhuǎn)換面板包括用于通過暴露記錄放射線圖像的傳統(tǒng)的放射線膜和可激發(fā)磷光體面板，所述可激發(fā)磷光體面板用于將表示放射線圖像的輻射能儲(chǔ)存在 磷光體中并通過將激發(fā)光施加到磷光體而復(fù)制放射線圖像作為激發(fā)光。近年來，已經(jīng)提出了一種直接轉(zhuǎn)換型放射線轉(zhuǎn)換面板和一種間接轉(zhuǎn)換型放射線轉(zhuǎn)換面板，所述直接轉(zhuǎn)換型放射線轉(zhuǎn)換面板具有用于將放射線直接轉(zhuǎn)換成電信號(hào)以在已經(jīng)捕獲放射線圖像之后立即從放射線轉(zhuǎn)換面板讀取放射線圖像的固態(tài)檢測(cè)器，所述間接轉(zhuǎn)換型放射線轉(zhuǎn)換面板具有用于將放射線臨時(shí)轉(zhuǎn)換成閃爍光(例如，可見光)的閃爍體和用于將閃爍光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的固態(tài)檢測(cè)器。直接轉(zhuǎn)換放射線轉(zhuǎn)換面板或間接轉(zhuǎn)換放射線轉(zhuǎn)換面板以及上面安裝有電子部件的用于處理從放射線轉(zhuǎn)換面板輸出的放射線圖像的電路板容納在殼體中，從而組成放射線圖像捕獲設(shè)備，即，通常所說的電子暗盒。例如，日本公開待審專利公開出版物第2007-101256號(hào)公開了一種放射線轉(zhuǎn)換面板，其中以室溫制造的TFT (薄膜晶體管)被應(yīng)用于信號(hào)輸出層，所述信號(hào)輸出層將放射線圖像作為電信號(hào)輸出(參見段落
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)。放射線轉(zhuǎn)換面板的重量和厚度可以通過在由樹脂形成的板上形成非晶氧化物半導(dǎo)體膜而被減小。如果在間接轉(zhuǎn)換型放射線轉(zhuǎn)換面板中氣泡或真空層存在于閃爍體和固態(tài)檢測(cè)器(被構(gòu)造為可以稱作為“光電變換層”的層的檢測(cè)器)中，則反射系數(shù)和折射率相對(duì)于閃爍線局部變化，從而有助于在檢測(cè)表面上產(chǎn)生無規(guī)律的靈敏度分布。這種無規(guī)律的靈敏度分布可能會(huì)降低所獲得的放射線圖像的質(zhì)量。現(xiàn)有技術(shù)中已經(jīng)公開了各種技術(shù)以增強(qiáng)閃爍體與光電變換層之間的緊密接觸。例如，日本公開待審專利公開出版物第09-54162號(hào)揭露了一種其中閃爍體和光電變換層通過間隔器彼此分隔開給定距離并通過粘合劑相互結(jié)合的設(shè)備(參見第-
段，圖 2)。日本公開待審專利公開出版物第09-257944號(hào)公開了一種其中封閉空間由固態(tài)檢測(cè)裝置、密封裝置和罩裝置限定并且封閉空間通過抽真空裝置被抽真空的設(shè)備(參見第段，圖 I)
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)日本公開待審專利公開出版物第09-54162號(hào)和日本公開待審第09-257944號(hào)中公開的設(shè)備，放射線轉(zhuǎn)換面板的部件的數(shù)量增加。進(jìn)一步地，需要單獨(dú)的制造過程，從而導(dǎo)致制造成本增加?，F(xiàn)有技術(shù)中通常已知的是與玻璃相比樹脂材料具有更高的熱膨脹系數(shù)并更適合進(jìn)行熱膨脹。如果熱量被存儲(chǔ)在由具有不同熱膨脹系數(shù)的結(jié)合材料形成的組件，則由于在結(jié)合材料之間的界面處產(chǎn)生的熱應(yīng)力，所述材料往往會(huì)剝離并裂縫，從而削弱這種材料之間的緊密接觸。處理高分辨率放射線圖像的電子暗盒具有需要被電處理的大量像素。因此，這種電子暗盒的電路板可能會(huì)釋放出大量熱量。如日本公開待審專利公開出版物第2007-101256號(hào)中所公開，如果具有高熱膨脹系數(shù)的樹脂材料用作電路板材料，類似于上述閃爍體和固態(tài)檢測(cè)器的情況，則會(huì)產(chǎn)生削弱電路板與上面安裝有放射線轉(zhuǎn)換面板的基臺(tái)之間的緊密接觸的問題。
已經(jīng)考慮到以上問題完成了本發(fā)明。本發(fā)明的目的是提供一種放射線圖像捕獲設(shè)備，所述放射線圖像捕獲設(shè)備增加閃爍體與光電變換層之間的緊密接觸，并且防止由于熱變形而使得放射線轉(zhuǎn)換面板與基臺(tái)之間的緊密接觸降低。根據(jù)本發(fā)明，提供了一種放射線圖像捕獲設(shè)備，所述放射線圖像捕獲設(shè)備包括用于將放射線轉(zhuǎn)換成放射線圖像的放射線轉(zhuǎn)換面板，放射線轉(zhuǎn)換面板包括由閃爍體和光電變換層組成的堆疊組件、基臺(tái)和殼體，所述基臺(tái)支撐放置在基臺(tái)上的放射線轉(zhuǎn)換面板，所述殼體將放射線轉(zhuǎn)換面板和基臺(tái)容納在殼體中。在使放射線轉(zhuǎn)換面板沿著放射線轉(zhuǎn)換面板放置在基臺(tái)上的方向變形成凸起形狀時(shí)，基臺(tái)支撐放射線轉(zhuǎn)換面板。如上所述，放射線圖像捕獲設(shè)備包括基臺(tái)，在使放射線轉(zhuǎn)換面板沿著放射線轉(zhuǎn)換面板放置在基臺(tái)上的方向變形成凸起形狀的同時(shí)，所述基臺(tái)支撐放射線轉(zhuǎn)換面板。因此，沿著變形成凸起形狀的放射線轉(zhuǎn)換面板在放射線轉(zhuǎn)換面板的重量下延伸的方向在邊緣處產(chǎn)生張力。因此，在放射線轉(zhuǎn)換面板表面?zhèn)群头疵嫘纬蓱?yīng)力。因此，放射線轉(zhuǎn)換面板的閃爍體和光電變換層通過簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)被緊密地保持在一起，即，彼此保持高度緊密接觸。雖然放射線轉(zhuǎn)換面板沿著預(yù)變形方向變形(翹曲)，但是形成在放射線轉(zhuǎn)換面板內(nèi)的彎曲應(yīng)力是有利的。換句話說，能夠防止由于熱變形而使得放射線轉(zhuǎn)換面板與基臺(tái)之間的緊密接觸降低。在彎曲放射線轉(zhuǎn)換面板的同時(shí)，基臺(tái)優(yōu)選地支撐放射線轉(zhuǎn)換面板。因此，檢測(cè)到的放射線計(jì)量具有連續(xù)(即，平滑)的二維輪廓，從而防止在放射線圖像中產(chǎn)生尖銳條帶狀不規(guī)則性。在放射線轉(zhuǎn)換面板關(guān)于放射線轉(zhuǎn)換面板的檢測(cè)表面上的指定軸線軸對(duì)稱地變形的同時(shí)，基臺(tái)優(yōu)選地支撐放射線轉(zhuǎn)換面板。指定軸線優(yōu)選地包括檢測(cè)表面的中心線。放射線轉(zhuǎn)換面板優(yōu)選地具有固定到殼體的內(nèi)壁表面的至少一對(duì)側(cè)表面。通過這種布置，由于放射線轉(zhuǎn)換面板在放射線轉(zhuǎn)換面板的放置方向上變形，因此施加在放射線轉(zhuǎn)換面板上的應(yīng)力的垂直分量增加，從而增強(qiáng)閃爍體與光電變換層之間的緊密接觸?；_(tái)優(yōu)選地由樹脂材料制成以使放射線圖像捕獲設(shè)備的重量和厚度形成得較小。
基臺(tái)優(yōu)選地由電磁波屏蔽材料制成。依此方式構(gòu)造而成的基臺(tái)表現(xiàn)出防止放射線轉(zhuǎn)換面板中的電子部件和外部電子裝置發(fā)生故障的電磁波屏蔽能力。放射線圖像捕獲設(shè)備優(yōu)選地還包括用于基于放射線轉(zhuǎn)換面板的變形程度校正放射線圖像的圖像校正器。圖像校正器能夠校正進(jìn)入放射線轉(zhuǎn)換面板的檢測(cè)表面的放射線劑量從而增加放射線圖像的平面內(nèi)一致性。圖像校正器優(yōu)選地根據(jù)基臺(tái)的形狀估算放射線轉(zhuǎn)換面板的變形程度并校正放射線圖像。放射線圖像因此可以由基臺(tái)的形狀被高度精確地校正，而不需要測(cè)量放射線轉(zhuǎn)換面板的變形程度。根據(jù)本發(fā)明的放射線圖像捕獲設(shè)備包括基臺(tái)，在放射線轉(zhuǎn)換面板沿著放射線轉(zhuǎn)換面板放置在基臺(tái)上的方向變形成凸起形狀的同時(shí)，基臺(tái)支撐放射線轉(zhuǎn)換面板。由于沿著以凸起形狀變形的放射線轉(zhuǎn)換面板在放射線轉(zhuǎn)換面板的重量下延伸的方向在邊緣處產(chǎn)生張力，因此應(yīng)力形成在放射線轉(zhuǎn)換面板的表面?zhèn)群头疵嫔?。因此，放射線轉(zhuǎn)換面板的閃爍體和光電變換層通過簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)被緊密地保持在一起，即，彼此保持高度緊密接觸?！?br> 雖然放射線轉(zhuǎn)換面板沿著預(yù)變形方向變形(翹曲)，但是形成在放射線轉(zhuǎn)換面板內(nèi)的彎曲應(yīng)力是有利的。換句話說，能夠防止由于熱變形而使得放射線轉(zhuǎn)換面板與基臺(tái)之間的緊密接觸降低。


圖I是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的裝有暗盒的放射線圖像捕獲系統(tǒng)的示意性視圖；圖2是圖I所示的暗盒的立體圖；圖3是顯示放射線轉(zhuǎn)換面板的像素的矩陣以及像素與暗盒控制器之間的電連接的方框圖；圖4是顯示圖I所示的電子暗盒的電路布置的方框圖；圖5是圖I所示的電子暗盒沿圖2的線V-V截得的橫截面圖；圖6是圖I所示的電子暗盒沿圖2的線VI-VI截得的橫截面圖；圖7A-7C是顯示圖5和圖6中所示的放射線轉(zhuǎn)換面板放置在基臺(tái)上的方式的視圖；圖8A-8C是顯示根據(jù)第一變形例的電子暗盒中的基臺(tái)的形狀的視圖；圖9A-9C是顯示根據(jù)第二變形例的電子暗盒中的基臺(tái)的形狀的視圖；圖10A-10C是顯示根據(jù)第三變形例的電子暗盒中的基臺(tái)的形狀的視圖；圖11是根據(jù)第四變形例的電子暗盒沿圖2的線XI-XI截得的放大部分橫截面圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的裝有暗盒的放射線圖像捕獲系統(tǒng)的示意性視圖；圖13是圖12所示的電子暗盒的立體圖；圖14是圖13所示的電子暗盒沿圖13的線XIV-XIV截得的橫截面圖；圖15是圖14所示的基臺(tái)的分解立體圖；圖16A和圖16B是顯示根據(jù)第一變形例的電子暗盒中的基臺(tái)的形狀的視圖；圖17是根據(jù)第二變形例的電子暗盒沿圖13的線XVII-XVII截得的放大部分橫截面圖；圖18A是示意性地顯示電子暗盒的內(nèi)部布置的視圖；以及圖18B是示意性地顯示圖18A所示的閃爍體的示例的視圖。
具體實(shí)施例方式以下參照附圖詳細(xì)地說明根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的放射線圖像捕獲設(shè)備。以下參照?qǐng)D1-7描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的放射線圖像捕獲系統(tǒng)10A。如圖I所示，放射線圖像捕獲系統(tǒng)IOA包括用于將具有基于圖像捕獲條件的劑量的放射線16施加到躺在圖像捕獲基部12 (例如，床等)上的對(duì)象14 (例如，病人)的放射線源18、用于檢測(cè)已經(jīng)穿過對(duì)象14的放射線16并將檢測(cè)到的放射線轉(zhuǎn)換成放射線圖像的電子暗盒20A(放射線圖像捕獲設(shè)備)、用于控制放射線源18和電子暗盒20A的控制臺(tái)22、 以及用于顯示捕獲的放射線圖像的顯示裝置24?？刂婆_(tái)22、放射線源18、電子暗盒20A以及顯示裝置24通過諸如UWB (超寬帶)通信鏈路、基于諸如IEEE802. 11. a/g/n的無線LAN(局域網(wǎng))或毫米波通信鏈路的無線通信鏈路將信號(hào)發(fā)送給彼此和從彼此接收信號(hào)?？蛇x地，信號(hào)可以通過使用電纜的有線通信在這些部件之間被發(fā)送和接收?？刂婆_(tái)22連接到放射線信息系統(tǒng)(RIS) 26，所述放射線信息系統(tǒng)通常管理放射線圖像和在醫(yī)院的放射科中被處理的信息。RIS26連接到通常管理醫(yī)院中的醫(yī)療信息的醫(yī)院信息系統(tǒng)(HIS) 28。電子暗盒20A是便攜式電子暗盒，所述便攜式電子暗盒包括設(shè)置在圖像捕獲基部12與對(duì)象14之間的面板容納單元30。面板容納單元30包括用作控制單元20的向上突出右側(cè)部。如圖2所示，面板容納單元30具有由使放射線16可穿透的材料制成的大致矩形殼體40。殼體40具有上表面，對(duì)象14位于所述上表面上，并且所述上表面用作被放射線16照射的圖像捕獲表面42。殼體40具有導(dǎo)向線44，所述導(dǎo)向線大致居中地設(shè)置在圖像捕獲表面42上并用作用于對(duì)象14的圖像捕獲位置的參考。導(dǎo)向線44提供外框架，所述外框架限定可以被放射線16照射的區(qū)域的圖像捕獲區(qū)域46。導(dǎo)向線44包括在中心位置處彼此相交的兩條相交導(dǎo)向線，其中所述中心位置用作圖像捕獲區(qū)域46的中心位置。 控制單元32的在面向由箭頭Y2所示的方向的側(cè)表面上具有用于從外部電源給電子暗盒20A充電的AC適配器輸入端子50、用作用于將信息發(fā)送到外部裝置和從外部裝置接收信息的接口的USB (通用串行總線)端子52以及卡槽54，所述卡槽54用于容納插入該卡槽中的諸如PC卡等的存儲(chǔ)卡。殼體40內(nèi)容納放射線轉(zhuǎn)換面板70和驅(qū)動(dòng)電路74 (參見圖3和圖4)。放射線轉(zhuǎn)換面板70包括間接轉(zhuǎn)換型放射線轉(zhuǎn)換面板，所述間接轉(zhuǎn)換型放射線轉(zhuǎn)換面板包括用于將已經(jīng)穿過對(duì)象14的放射線16轉(zhuǎn)換成在可見光范圍內(nèi)的閃爍光的閃爍體和由非晶態(tài)硅(a-Si)等制成用于將閃爍光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的光電變換器。閃爍光的波長(zhǎng)主要存在于可見光范圍內(nèi)，但是可以包括紫外線范圍或紅外線范圍。殼體40還在控制單元32中容納不涉及將放射線16轉(zhuǎn)換成放射線圖像的部件，例如，諸如電池等的電源56、和用于通過無線通信鏈路將信號(hào)發(fā)送到控制臺(tái)22和從控制臺(tái)22接收信號(hào)的通信單元58 (參見圖4)。
圖3是顯示放射線轉(zhuǎn)換面板70的像素72的矩陣以及設(shè)置在像素72與暗盒控制器80之間的方框圖。像素72陣列在未示出的基板上。像素72通過多個(gè)柵極線76從驅(qū)動(dòng)電路74被供應(yīng)有控制信號(hào)。像素72通過多個(gè)信號(hào)線78將電信號(hào)輸出給驅(qū)動(dòng)電路74。像素72中的每一個(gè)都包括光電變換器。容納在控制單元32中的暗盒控制器80將控制信號(hào)供應(yīng)給驅(qū)動(dòng)電路74以控制驅(qū)動(dòng)電路74。圖4是顯示電子暗盒20A的電路布置的方框圖。放射線轉(zhuǎn)換面板70包括成行、列布置的TFT82的陣列和包括像素72的光電轉(zhuǎn)換層。像素72中的每一個(gè)都包括由用于將閃爍光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)的諸如a-Si的材料制成的光電變換器。光電轉(zhuǎn)換層設(shè)置在TFT82的陣列上。從驅(qū)動(dòng)電路74的偏置電路供應(yīng)偏壓的像素72通過將閃爍光轉(zhuǎn)換成模擬電信號(hào)而產(chǎn)生電荷，然后存儲(chǔ)所產(chǎn)生的電荷。當(dāng)TFT 82沿著每一個(gè)行每次被導(dǎo)通時(shí)，存儲(chǔ)的電荷作為圖像信號(hào)被從像素72讀取。TFT 82連接到相應(yīng)的像素72。平行于所述列延伸的柵極線76和平行于所述行延伸的信號(hào)線78連接到TFT 82。柵極線76連接到柵極驅(qū)動(dòng)電路86，而信號(hào)線78連接到驅(qū) 動(dòng)電路74的多路轉(zhuǎn)接器92。柵極線76被從柵極驅(qū)動(dòng)電路86供應(yīng)有控制信號(hào)以沿著所述列導(dǎo)通和截止TFT 82。柵極驅(qū)動(dòng)電路86被供應(yīng)有來自暗盒控制器80的地址信號(hào)，并根據(jù)所述地址信號(hào)導(dǎo)通和截止TFT 82。信號(hào)線78通過沿行布置的TFT 82被供應(yīng)有存儲(chǔ)在像素72中的電荷。供應(yīng)給信號(hào)線78的電荷被分別連接到信號(hào)線78的放大器88放大。放大器88通過相應(yīng)的抽樣保持電路90連接到多路轉(zhuǎn)接器92。多路轉(zhuǎn)接器92包括用于依次在信號(hào)線78之間切換的多個(gè)FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)開關(guān)和用于每次輸出導(dǎo)通FET開關(guān)94中的一個(gè)的多路轉(zhuǎn)接器驅(qū)動(dòng)電路96。多路轉(zhuǎn)接器驅(qū)動(dòng)電路96被從暗盒控制器80供應(yīng)有地址信號(hào)，并且根據(jù)所述地址信號(hào)每次導(dǎo)通FET開關(guān)中的一個(gè)。FET開關(guān)94連接到A/D轉(zhuǎn)換器98。A/D轉(zhuǎn)換器98將來自像素72的模擬電信號(hào)轉(zhuǎn)換成表示放射線圖像的數(shù)字信號(hào)。數(shù)字信號(hào)通過柔性板138 (參見圖5)被供應(yīng)給暗盒控制器80。柔性板138使暗盒控制器80和驅(qū)動(dòng)電路74相互電連接。用作開關(guān)元件的TFT 82可以與諸如CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器或CCD(電荷耦合裝置)圖像傳感器的各種其它圖像捕獲裝置結(jié)合，在這些圖像捕獲裝置中電荷通過對(duì)應(yīng)于由TFT 82所使用的柵極信號(hào)被改變和轉(zhuǎn)移。暗盒控制器80包括用于產(chǎn)生將被供應(yīng)給柵極驅(qū)動(dòng)電路86和多路轉(zhuǎn)接器驅(qū)動(dòng)電路96的地址信號(hào)的地址信號(hào)發(fā)生器100、用于儲(chǔ)存放射線圖像的圖像存儲(chǔ)器102、用于校正由放射線轉(zhuǎn)換面板70檢測(cè)到的放射線圖像的圖像校正器104、和用于基于放射線轉(zhuǎn)換面板70的變形程度存儲(chǔ)校正數(shù)據(jù)的校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器106。存儲(chǔ)在圖像存儲(chǔ)器102中的放射線圖像從通信單元58被發(fā)送到控制臺(tái)22。電源56將電力供應(yīng)給驅(qū)動(dòng)電路74以及供應(yīng)給暗盒控制器80和通信單元58。以下參照?qǐng)D5和圖6描述電子暗盒20A的內(nèi)部結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)。處于示例性目的，放射線轉(zhuǎn)換面板70的結(jié)構(gòu)在圖5和圖6中被示意性地顯示，并且容納在殼體40中的一些部件根據(jù)尺寸等被放大。圖5是電子暗盒20A的沿圖2的平行于由箭頭X表示的方向延伸的線V_V截得的橫截面圖。圖6是電子暗盒20A的沿圖2的平行于由箭頭Y表示的方向延伸的線VI-VI截得的橫截面圖。
如圖5所示，放射線轉(zhuǎn)換面板70包括放置在基臺(tái)120上的板122、安裝在板122上用于將放射線16轉(zhuǎn)換成表示放射線圖像的電信號(hào)的放射線轉(zhuǎn)換層124、以及覆蓋板122上的放射線轉(zhuǎn)換層124的側(cè)表面和上表面以使放射線轉(zhuǎn)換層124免于濕氣等的保護(hù)膜126。如圖5和圖6所不,基臺(tái)120具有在由箭頭Zl所不的方向上的隆起并且該隆起的頂點(diǎn)上具有沿著由箭頭Y表示的方向延伸的引導(dǎo)線44(參見圖2)的形狀?；_(tái)120可以由諸如玻璃、樹脂、包括Mg(鎂)或碳的金屬的各種材料中的任一種制成。板122包括由塑料制成以降低電子暗盒20A的總重量的大致矩形柔性板。具有當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)與圖像捕獲區(qū)域46相同的面積的放射線轉(zhuǎn)換層124包括設(shè)置在板122上的信號(hào)輸出層128、沉積在信號(hào)輸出層128上的光電變換層130和結(jié)合到光電變換層130或與光電變換層130緊密(即，緊密接觸)保持的閃爍體132。由被設(shè)置成垂直于板122的CsI (碘化銫)等的柱狀晶體制成的閃爍體132將放射線16轉(zhuǎn)換成閃爍光?！ふ澈蟿├缈梢杂糜谑构怆娮儞Q層130和閃爍體132相互結(jié)合以防止灰塵進(jìn)入光電變換層130與閃爍體132之間，以及防止光電變換層130和閃爍體132在位置上移位。相互結(jié)合的光電變換層130和閃爍體132相互被非常緊密地保持，即，相互保持高度緊密接觸。然而，根據(jù)本實(shí)施例，可以在不需要粘合劑的情況下獲得光電變換層130與閃爍體132之間的緊密接觸。包括由非晶氧化物半導(dǎo)體(例如，IGZO或OPC有機(jī)光電導(dǎo)體))制成的像素72的光電變換層將閃爍光轉(zhuǎn)換成電信號(hào)。信號(hào)輸出層128包括在板122上根據(jù)室溫方法由諸如IGZO的非晶氧化物半導(dǎo)體制造而成的TFT陣列。信號(hào)輸出層128從光電變換層130讀取電信號(hào)并輸出讀取的電信號(hào)。通常，如果放射線轉(zhuǎn)換面板70處于自由狀態(tài)，則放射線轉(zhuǎn)換面板70在其一平面內(nèi)具有大致相同的厚度。當(dāng)被容納在殼體40中時(shí)，放射線轉(zhuǎn)換面板70沿著放置放射線轉(zhuǎn)換面板70的方向(即，由箭頭Zl表示的方向(在下文中還被稱為“放置方向”))被變形成凸起形狀(參見圖5)。因此，保護(hù)膜126的表面保持與殼體40的頂壁的內(nèi)壁表面134的一部分接觸。如上所述，板122由具有大約10_5/°C的熱膨脹系數(shù)的柔性塑料制成。如果板122由熱膨脹系數(shù)大約為10_6/°c金屬制成，則會(huì)產(chǎn)生以下問題。即，如果熱量被存儲(chǔ)在由具有不同熱膨脹系數(shù)的復(fù)合材料料制成的組件中，則由于界面處產(chǎn)生的熱應(yīng)力材料往往會(huì)剝離并裂縫。根據(jù)本實(shí)施例，基臺(tái)120和板122沒有相互結(jié)合，而是板122 (放射線轉(zhuǎn)換面板70)放置在基臺(tái)120上。如果基臺(tái)120和板122由相同的材料，則放射線轉(zhuǎn)換面板70 (板122)可以結(jié)合到基臺(tái)120。進(jìn)一步地，如果基臺(tái)120和板122由不同的材料制成但是所述材料的熱膨脹系數(shù)基本上是相同的，則放射線轉(zhuǎn)換面板70(板122)可以結(jié)合到基臺(tái)120。在這種情況下，優(yōu)選的是使用由具有基本上與用于基臺(tái)120和板122的材料的熱膨脹系數(shù)相同的熱膨脹系數(shù)的材料制成的粘合劑將放射線轉(zhuǎn)換面板70結(jié)合到基臺(tái)120。如圖5所示，橫截面具有L形狀的固定設(shè)備136設(shè)置在基臺(tái)120的面向由箭頭X2所示的方向的一側(cè)上。固定設(shè)備136還在由箭頭Y所示的方向上延伸。固定設(shè)備136將基臺(tái)120和放射線轉(zhuǎn)換面板70固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。更具體地，固定設(shè)備136定位放射線轉(zhuǎn)換面板70以使放射線轉(zhuǎn)換層124和圖像捕獲區(qū)域46保持相互重疊的關(guān)系。柔性板138固定到固定設(shè)備136的上表面。多個(gè)電子部件140安裝在柔性板138上。柔性板138連接到暗盒控制器80。暗盒控制器80通過柔性板138將信號(hào)發(fā)送到驅(qū)動(dòng)電路74和放射線轉(zhuǎn)換層124并從驅(qū)動(dòng)電路74和放射線轉(zhuǎn)換層124接收信號(hào)。電源56將電力供應(yīng)給殼體40中的暗盒控制器80、通信單元58等，并通過柔性板138將電力供應(yīng)給驅(qū)動(dòng)電路74和放射線轉(zhuǎn)換層124。圖7A-7C是顯示其中放射線轉(zhuǎn)換面板70放置在基臺(tái)120上的方式的視圖。在圖7A-7C中，從說明中省略了除了放射線轉(zhuǎn)換面板70和基臺(tái)120之外的其它部件。雖然基臺(tái)120的曲率被顯示為大于圖5所示的曲率，但是所述曲率以放大形式被顯示從而僅有助于理解本發(fā)明，并且其實(shí)際尺寸在附圖中沒有被顯示?；_(tái)120具有面向由箭頭Y表示的方向的向上凸起弧形側(cè)面150，并且基臺(tái)12 0還在箭頭Y的方向上延伸。基臺(tái)120還具有形成為平滑彎曲表面的上表面152和平行于被放射線16照射的圖像捕獲表面42定位的底部表面154。放射線轉(zhuǎn)換面板70被支撐在基臺(tái)120上，且放射線轉(zhuǎn)換面板70的反面保持與上表面152接觸。此時(shí)，放射線轉(zhuǎn)換面板70的一個(gè)端部158和另一個(gè)端部160在由于放射線轉(zhuǎn)換面板70的重量而導(dǎo)致的作用在放射線轉(zhuǎn)換面板70上的張力T(參見圖7C)下沿著上表面152的彎曲形狀彎曲。由于在使放射線轉(zhuǎn)換面板70在由箭頭Zl所示的方向(放置方向)上以凸起的方式變形的同時(shí)基臺(tái)120支撐放射線轉(zhuǎn)換面板70，因此沿著放射線轉(zhuǎn)換面板70在放射線轉(zhuǎn)換面板70的重量下延伸的方向在該放射線轉(zhuǎn)換面板70的邊緣(端部158和另一個(gè)端部160)處產(chǎn)生張力Τ。因此，應(yīng)力形成在放射線轉(zhuǎn)換面板70的表面和反面上。因此，放射線轉(zhuǎn)換面板70的閃爍體132和光電變換層130通過簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)被非常緊密地保持在一起，即，保持彼此高度緊密接觸。雖然放射線轉(zhuǎn)換面板70沿著預(yù)變形方向變形(翹曲)，但是形成在放射線轉(zhuǎn)換面板70內(nèi)的彎曲應(yīng)力是有利的。換句話說，能夠防止由于熱變形而導(dǎo)致放射線轉(zhuǎn)換面板70與基臺(tái)120之間的緊密接觸降低。由于基臺(tái)120以彎曲形狀支撐放射線轉(zhuǎn)換面板70，因此檢測(cè)到的放射線16的劑量具有連續(xù)(即，平滑)二維輪廓，從而防止在所產(chǎn)生的放射線圖像中產(chǎn)生尖銳條帶形的不規(guī)則性。如果在保持放射線轉(zhuǎn)換面板70與基臺(tái)120之間的位置關(guān)系的同時(shí)根據(jù)普通方法捕獲放射線圖像，則放射線圖像可能會(huì)由于放射線轉(zhuǎn)換面板70的變形而失真。暗盒控制器80的圖像校正器104 (參見圖4)根據(jù)從校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器106獲取的校正數(shù)據(jù)適當(dāng)?shù)匦Ｕ派渚€圖像。更具體地，圖像校正器104根據(jù)從像素72獲得的電信號(hào)和像素72的位置將失真的放射線圖像轉(zhuǎn)換并校正成平坦的投影圖像，例如，在基臺(tái)120是平板的情況下所產(chǎn)生的平坦的投射圖像。各種已知算法中的任一項(xiàng)可以用于將失真的放射線圖像轉(zhuǎn)換成平坦的投射圖像。如果難以測(cè)量放射線轉(zhuǎn)換面板70的實(shí)際形狀，則可以估算放射線轉(zhuǎn)換面板70的形狀。可選地，可以直接根據(jù)基臺(tái)120的各種參數(shù)(包括基臺(tái)120的形狀)估算用于放射線圖像的校正量。校正數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器106存儲(chǔ)根據(jù)基臺(tái)120的形狀確定的校正數(shù)據(jù)。如果放射線轉(zhuǎn)換面板70具有彎曲表面，則校正數(shù)據(jù)可以包括曲率數(shù)據(jù)。校正數(shù)據(jù)還可以包括表示放射線轉(zhuǎn)換面板70與放射線源18間隔開的距離(即，測(cè)量距離值或典型的距離值)的幾何數(shù)據(jù)以及圖像捕獲表面42與基臺(tái)120之間的位置關(guān)系。放射線轉(zhuǎn)換面板70的形狀優(yōu)選地關(guān)于檢測(cè)表面上的給定軸線(單個(gè)軸線)軸對(duì)稱，或者更具體地，與檢測(cè)表面的圖像捕獲區(qū)域46或圖像捕獲表面42軸對(duì)稱。給定軸線優(yōu)選地是沿著由箭頭X和Y所表示的方向延伸的兩個(gè)引導(dǎo)線44中的一個(gè)。放射線轉(zhuǎn)換面板70的軸對(duì)稱形狀使得放射線轉(zhuǎn)換面板70的變形程度或?qū)Ψ派渚€圖像的校正量垂直或水平對(duì)稱，從而減小圖像校正方法所需的計(jì)算量。以下參照?qǐng)D8A-11描述根據(jù)第一實(shí)施例的電子暗盒20A的第一至第四變形例。
第一至第三變形例不同于第一實(shí)施例之處在于基臺(tái)120a至120c的形狀。以下參照?qǐng)D8A-8C描述第一至第三變形例，類似于圖7A-7C，其中圖8A-8C顯示了放射線轉(zhuǎn)換面板70放置在基臺(tái)120上的方式。以下參照?qǐng)D8A-8C描述第一實(shí)施例的第一變形例?；_(tái)120a具有面向由箭頭Y表示的方向的側(cè)表面162，該側(cè)表面中的每一個(gè)都具有等腰三角形，并且基臺(tái)120a還沿箭頭Y的方向延伸?；_(tái)120a具有第一傾斜表面164和第二傾斜表面166,所述第一傾斜表面164和所述第二傾斜表面166具有相同的面積和相同的傾斜角。第一傾斜表面164和第二傾斜表面166在脊部170處彼此相交。放射線轉(zhuǎn)換面板70支撐在基臺(tái)120a上，且所述放射線轉(zhuǎn)換面板70的反面156保持與第一傾斜表面164和第二傾斜表面166接觸。此時(shí)，放射線轉(zhuǎn)換面板70的端部158沿著第一傾斜表面164折曲或彎曲，并且另一個(gè)端部160在由于放射線轉(zhuǎn)換面板70的重量而作用于放射線轉(zhuǎn)換面板70的張力T下(參見圖SC)沿著第二傾斜表面166折曲或彎曲。放射線轉(zhuǎn)換面板70基于脊部170附近的所述放射線轉(zhuǎn)換面板70的剛性而變形。雖然基臺(tái)120a具有與放射線轉(zhuǎn)換面板70的反面156保持接觸的不同形狀的表面，但是基臺(tái)120a以與根據(jù)第一實(shí)施例(參見圖7A-7C)的基臺(tái)120相同的方式操作并提供相同的優(yōu)點(diǎn)。以下參照?qǐng)D9A-9C描述第一實(shí)施例的第二變形例?；_(tái)120b包括板狀平坦部172和設(shè)置在平坦部172的面向由箭頭Y所示的方向的兩側(cè)的相應(yīng)邊緣上的兩個(gè)突出部174。兩個(gè)突出部174的形狀完全相同并且平行于彼此延伸。兩個(gè)突出部174沿著與平坦部172的平面正交的方向直立設(shè)置并具有相應(yīng)的弧形側(cè)表面176。兩個(gè)突出部174具有相應(yīng)的上表面178，所述上表面178中的每一個(gè)都具有平滑彎曲表面的形式。放射線轉(zhuǎn)換面板70支撐在基臺(tái)120b上，且所述放射線轉(zhuǎn)換面板70的反面156保持與兩個(gè)上表面178接觸。此時(shí)，放射線轉(zhuǎn)換面板70的端部158和另一個(gè)端部160在由于放射線轉(zhuǎn)換面板70的重量而作用于放射線轉(zhuǎn)換面板70的張力T(參見圖9C)下沿著上表面178的彎曲形狀彎曲。雖然基臺(tái)120b支撐放射線轉(zhuǎn)換面板70，且反面156部分地但是沒有完全地保持與上表面178接觸，但是基臺(tái)120b以與根據(jù)第一實(shí)施例的基臺(tái)120(參見圖7A-7C)相同的方式操作并提供相同的優(yōu)點(diǎn)。以下參照?qǐng)D10A-10C描述第一實(shí)施例的第三變形例?；_(tái)120c包括板狀平坦部180、沿著由箭頭X表示的方向中心地設(shè)置在平坦部180上的第一突出部182a、沿著由箭頭X表示的方向靠近平坦部180 —側(cè)的邊緣設(shè)置在平坦部180上的第二突出部182b、以及沿著由箭頭X所示的方向靠近平坦部180的相對(duì)側(cè)的邊緣設(shè)置在平坦部180上的第三突出部182c。第一突出部182a、第二突出部182b和第三突出部182c每一個(gè)都具有在由箭頭Y表示的方向上延伸并平行于彼此延伸的矩形板形式。第一突出部182a、第二突出部182b和第三突出部182c沿著與平坦部180的平面正交的方向直立設(shè)置。第二突出部182b和第三突出部182c具有彼此相同的高度，而第一突出部182a具有大于第二突出部182b和第三突出部182c的高度。第一突出部182a、第二突出部182b和第三突出部182c具有端面，所述端面中的每一個(gè)都具有垂直細(xì)長(zhǎng)矩形形狀。第一突出部182a、第二突出部182b和第三突出部182c具有形成為基本上平行于平坦部180定位的平坦表面的相應(yīng)的第一表面184a、第二表面184b和第三表面184c。
放射線轉(zhuǎn)換面板70支撐在基臺(tái)120c上，且放射線轉(zhuǎn)換面板70的反面156保持與第一表面184a、第二表面184b和第三表面184c接觸。此時(shí)，放射線轉(zhuǎn)換面板70的端部158和另一個(gè)端部160在由于放射線轉(zhuǎn)換面板70的重量而作用于放射線轉(zhuǎn)換面板70上的張力T(參見圖10C)下沿著由設(shè)置在第一突出部182a、第二突出部182b和第三突出部182c上的臺(tái)階狀部限定的包絡(luò)線彎曲。雖然不是沿著給定彎曲表面彎曲放射線轉(zhuǎn)換面板70，但是基臺(tái)120c通過將反面156支撐在沿一定方向排列的具有不同高度的點(diǎn)處而保持放射線轉(zhuǎn)換面板70彎曲，并且基臺(tái)120c以與根據(jù)第一實(shí)施例的基臺(tái)120(參見圖7A-7C)相同的方式操作并提供相同的優(yōu)點(diǎn)。以下參照?qǐng)D11描述第一實(shí)施例的第四變形例。圖11是圖5所示的電子暗盒20A的沿圖2的線XI-XI截得的放大部分橫截面圖。第四變形例與第一實(shí)施例的不同在于放射線轉(zhuǎn)換面板70不僅由基臺(tái)120支撐，而且由殼體40支撐。殼體40包括面向由箭頭Yl所示的方向的側(cè)壁186。側(cè)壁186具有限定在該側(cè)壁186的內(nèi)壁表面中的凹部188。放射線轉(zhuǎn)換面板70具有可接合在凹部188中的端部190。類似地，殼體40包括面向由箭頭Y2所示的方向的相對(duì)側(cè)壁。進(jìn)一步地,側(cè)壁具有未示出的凹部，所述凹部沿著由箭頭Z所示的方向在與凹部188相同的高度處限定在所述側(cè)壁的內(nèi)
壁表面中。以下描述將放射線轉(zhuǎn)換面板70和基臺(tái)120容納在殼體40中的方法。首先，在端部190接合在凹部188中的情況下，放射線轉(zhuǎn)換面板70通過粘合劑等固定到殼體40的側(cè)壁。類似地，放射線轉(zhuǎn)換面板70也被固定到殼體40的另一側(cè)壁。依此方式固定的放射線轉(zhuǎn)換面板70與殼體40的底部壁的內(nèi)壁表面間隔開指定距離。接著，基臺(tái)120被迫插入在放射線轉(zhuǎn)換面板70與殼體40的底部壁的內(nèi)壁表面之間，從而沿著箭頭Zl的方向向上推動(dòng)放射線轉(zhuǎn)換面板70。此時(shí)，放射線轉(zhuǎn)換面板70在位置P處受到來自基臺(tái)的阻力N。阻力N在與基臺(tái)120的外周邊表面192正交的方向上產(chǎn)生。放射線轉(zhuǎn)換面板70還基于定位在放射線轉(zhuǎn)換面板70的下方的基臺(tái)120的形狀位移。由于放射線轉(zhuǎn)換面板70的端部190固定到殼體40，因此放射線轉(zhuǎn)換面板70受到沿著放射線轉(zhuǎn)換面板70延伸的方向的拉力T。更具體地，在位置P處，放射線轉(zhuǎn)換面板70受到阻力N在由箭頭Zl表示的方向上的Z分量Nz，以及受到拉力T的在由箭頭Z2表示的方向上的Z分量Tz。由于信號(hào)輸出層128和保護(hù)膜126被這種分力擠壓，因此設(shè)置在信號(hào)輸出層128和保護(hù)膜126內(nèi)部的光電變換層130和閃爍體132也被擠壓。因此，光電變換層130和閃爍體132保持彼此高度緊密接觸。另外，放射線轉(zhuǎn)換面板70的邊緣(即，點(diǎn)P周圍的周邊區(qū)域)和基臺(tái)120也保持彼此高度緊密接觸。放射線轉(zhuǎn)換面板70可以具有至少一對(duì)側(cè)邊緣或端部，所述一對(duì)側(cè)邊緣或端部固定到殼體40的相應(yīng)內(nèi)壁表面。上述優(yōu)點(diǎn)因此可以通過將放射線轉(zhuǎn)換面板70的所有四個(gè)側(cè) 邊緣或端部固定到殼體40的相應(yīng)內(nèi)壁表面而獲得。將要如下所述的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)通過將放射線轉(zhuǎn)換面板70的側(cè)邊緣或端部固定到殼體40的相應(yīng)內(nèi)壁表面來實(shí)現(xiàn)。即，如果閃爍體132和板122中較亮的一個(gè)(比另一個(gè)亮)在由箭頭Zl所示的方向上定位在另一個(gè)上方，則在放射線轉(zhuǎn)換面板70的重量下堆疊層之間獲得的緊密接觸被認(rèn)為降低。然而，由于放射線轉(zhuǎn)換面板70的側(cè)邊緣或端部固定到殼體40的相應(yīng)內(nèi)壁表面，因此與放射線轉(zhuǎn)換面板70的側(cè)邊緣或端部沒有固定到殼體40的相應(yīng)內(nèi)壁表面的情況相比較，放射線轉(zhuǎn)換面板70被基臺(tái)120擠壓得更加強(qiáng)烈。如上所述，該優(yōu)點(diǎn)尤其表現(xiàn)在閃爍體132和板122中較亮的一個(gè)(比另一個(gè)亮)在由箭頭Zl所示的方向上定位在另一個(gè)上方的情況下。因此，如果由光樹脂材料制成的板122被裝入圖11所示的結(jié)構(gòu)中，則放射線轉(zhuǎn)換面板70優(yōu)選地為反面照射型，以獲得如上所述的層之間的緊密接觸。不同于圖5所示的結(jié)構(gòu)，反面照射型放射線轉(zhuǎn)換面板70是其中板122靠近作為被放射線16照射的殼體表面定位的放射線轉(zhuǎn)換面板。以下參照?qǐng)D12-15描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的電子暗盒20Β和放射線圖像捕獲系統(tǒng)10Β。電子暗盒20Β和放射線圖像捕獲系統(tǒng)IOB的與根據(jù)第一實(shí)施例(參見圖1_11)的電子暗盒20Α和放射線圖像捕獲系統(tǒng)IOA完全相同的部件由相同的附圖標(biāo)記表示，并且這些特征在以下將不會(huì)被詳細(xì)描述。如圖12和13所示，根據(jù)第二實(shí)施例的電子暗盒20Β和放射線圖像捕獲系統(tǒng)IOB與根據(jù)第一實(shí)施例的電子暗盒20Α和放射線圖像捕獲系統(tǒng)IOA的不同之處在于面板殼體單元30沒有用作控制單元32的突出部分。如圖13所示，殼體40在所述殼體40的面向箭頭Υ2的方向的側(cè)表面上具有AC適配器輸入端子50、USB端子52、和卡槽54。電子暗盒20Β的電氣布置與電子暗盒20Α的電氣布置(參見圖3和圖4)相同，并且以下不會(huì)描述該特征。如圖14所示，殼體40內(nèi)容納有放射線轉(zhuǎn)換面板70和基臺(tái)220，所述基臺(tái)220上面支撐有放射線轉(zhuǎn)換面板70。基臺(tái)220在箭頭Z的方向上具有大于電子暗盒20Α的基臺(tái)120的高度(參見圖2)的高度?；_(tái)220包括主體222，所述主體222內(nèi)容納有由能夠阻擋放射線16的材料制成的屏蔽板224。基臺(tái)220內(nèi)限定有室226，所述室226被主體222和屏蔽板224包圍。在室226內(nèi)容納有電源56、通信單元58和暗盒控制器80。圖15是圖14所示的基臺(tái)220的分解立體圖。為了簡(jiǎn)潔起見，在圖15中與基臺(tái)220相關(guān)聯(lián)的其它部件從說明中被省略?；_(tái)220具有上表面228，所述上表面228的曲率被顯示為大于圖14所示的曲率，但是所述上表面228的曲率被放大地顯示以僅有助于理解本發(fā)明，而不是表示所述上表面228的實(shí)際尺寸?；_(tái)220的主體222大致為長(zhǎng)方體形狀，而基臺(tái)220的上表面228包括向上凸曲表面?；_(tái)220還具有開口 230，所述開口 230限定在面向由箭頭X所示的方向中的一個(gè)方向上的側(cè)壁中。限定在主體222中的室226大到足以容納包括電源56等的各種單元。主體222具有限定在限定開口 230的側(cè)壁的四個(gè)相應(yīng)角部中的四個(gè)螺栓孔232。為矩形板形式的蓋234具有限定在所述矩形板的四個(gè)相應(yīng)角部中的四個(gè)通孔236。蓋234可以通過四個(gè)螺栓238緊固在開口 230上，所述螺栓238通過通孔236被擰入到相應(yīng)的螺栓孔232中。放射線轉(zhuǎn)換面板70支撐在基臺(tái)220上，且放射線轉(zhuǎn)換面板70的反面156保持與上表面228接觸。此時(shí)，放射線轉(zhuǎn)換面板70的一個(gè)端部158和另一個(gè)端部160由于放射線·轉(zhuǎn)換面板70的重量沿著上表面228的彎曲形狀彎曲。類似于第一實(shí)施例的情況，依此方式構(gòu)造而成的基臺(tái)220可以在放置方向(即，在箭頭Zl的方向)上以凸起結(jié)構(gòu)支撐放射線轉(zhuǎn)換面板70?；_(tái)220可以包括電磁波屏蔽構(gòu)件。例如，鋁箔可以應(yīng)用到基臺(tái)220并且可以被涂有導(dǎo)電涂層。可選地，基臺(tái)220的整個(gè)表面可以通過化學(xué)鍍鎳方法被電鍍有鎳層。依此方式，基臺(tái)220與EMC(電磁兼容性)對(duì)策結(jié)合，所述對(duì)策包括電路板和安裝在所述電路板上的電子部件(例如，圖14所示的電源56、通信單元58和暗盒控制器80)的噪音減弱對(duì)策。因此，放射線轉(zhuǎn)換面板70和外部電子裝置防止由電路板和安裝在所述電路板上的電子部件產(chǎn)生的噪聲而導(dǎo)致的錯(cuò)誤操作，并且能夠防止電子部件由于從電子暗盒20B外部的源施加的噪聲而發(fā)生故障。以下參照?qǐng)D16A-17描述根據(jù)第二實(shí)施例的電子暗盒20B的第一變形例和第二變形例。以下參照?qǐng)D16A和16B描述第二實(shí)施例的第一變形例。以下參照?qǐng)D16A和16B詳細(xì)地描述第一變形例，類似于圖15，圖16A和16B顯示了放射線轉(zhuǎn)換面板70放置在基臺(tái)220上的方式。基臺(tái)220A包括板狀平坦部250、設(shè)置在平坦部250的面向由箭頭X所示的方向的相對(duì)側(cè)的相應(yīng)邊緣上的兩個(gè)突出部252、以及沿著由箭頭Y所示的方向中心地設(shè)置在平坦部250上的主突出部254。突出部252每一個(gè)具有在箭頭Y的方向上延伸的矩形板的形式，并且突出部252平行于彼此延伸。主突出部254沿著與平坦部250的平面正交的方向直立設(shè)置并具有鐘形側(cè)表面。主突出部254比兩個(gè)突出部252高。主突出部254具有側(cè)邊緣，所述側(cè)邊緣固定到延伸橫過側(cè)邊緣的相應(yīng)突出部252。主突出部254將平坦部250的上表面分隔成第一表面256和第二表面258。主突出部254具有形成為平滑彎曲表面的上表面260。如果基臺(tái)220a包括電磁波屏蔽構(gòu)件，則電子部件可以設(shè)置在基臺(tái)220a的平坦部250上。在圖16B中，電源56設(shè)置在第一表面256上，而通信單元58和暗盒控制器80設(shè)置在第二表面258上。
以下參照?qǐng)D17描述第二實(shí)施例的第二變形例，圖17是沿圖13的線XVII-XVII的放大部分橫截面圖。第二變形例與第二實(shí)施例的不同在于放射線轉(zhuǎn)換面板70不僅由基臺(tái)220支撐，還由殼體40支撐。矩形固定設(shè)備302安裝在殼體40的面向箭頭Yl的方向的側(cè)壁300的內(nèi)壁表面上。矩形保護(hù)構(gòu)件304固定到固定設(shè)備302的面向箭頭Y2的方向的側(cè)表面上。保護(hù)構(gòu)件304可以由諸如硅橡膠等的柔性彈性體制成。為了將放射線轉(zhuǎn)換面板70和基臺(tái)220容納在殼體40中，放射線轉(zhuǎn)換面板70和基臺(tái)220 —起放置在殼體40中。此時(shí)，放射線轉(zhuǎn)換面板70的相對(duì)端部固定到殼體40的相應(yīng)側(cè)壁。
沿著基臺(tái)220的外周邊表面306彎曲的放射線轉(zhuǎn)換面板70的保護(hù)膜126保持鄰接在保護(hù)構(gòu)件304上。因此，放射線轉(zhuǎn)換面板70的端部308在基臺(tái)220的外周邊表面306上保持處于卷繞狀態(tài)。類似地，未示出的保護(hù)構(gòu)件和固定設(shè)備安裝在殼體40的面向箭頭Y2的方向的相對(duì)側(cè)壁。因此，放射線轉(zhuǎn)換面板70的相對(duì)端部固定到殼體40的相應(yīng)側(cè)壁。依此方式固定在適當(dāng)位置的放射線轉(zhuǎn)換面板70在位置P處受到來自基臺(tái)220的阻力N。阻力在與外周邊表面306正交的方向上產(chǎn)生。放射線轉(zhuǎn)換面板70還基于定位在放射線轉(zhuǎn)換面板70下方的基臺(tái)220的形狀位移。由于放射線轉(zhuǎn)換面板70的端部308通過安裝在殼體40上的固定設(shè)備302固定在適當(dāng)位置，因此放射線轉(zhuǎn)換面板70受到沿著放射線轉(zhuǎn)換面板70延伸的方向的拉力T。更具體地，在位置P處，放射線轉(zhuǎn)換面板70受到阻力N在由箭頭Zl表示的方向上的Z分量Nz，以及受到拉力T的在由箭頭Z2表示的方向上的Z分量Tz。由于信號(hào)輸出層128和保護(hù)膜126被這種分力擠壓，因此設(shè)置在信號(hào)輸出層128和保護(hù)膜126內(nèi)部的光電變換層130和閃爍體132也被擠壓。因此，光電變換層130和閃爍體132保持高度緊密接觸。由于放射線轉(zhuǎn)換面板70的相對(duì)端部通過由柔性彈性體制成的保護(hù)構(gòu)件304固定在適當(dāng)位置，因此能夠防止放射線轉(zhuǎn)換面板70的相對(duì)端部被刮擦和損壞。另外，放射線轉(zhuǎn)換面板70的邊緣(即，點(diǎn)P周圍的周邊區(qū)域)和基臺(tái)220也保持彼此高度緊密接觸。由于放射線轉(zhuǎn)換面板70的變形程度被穩(wěn)定，因此放射線轉(zhuǎn)換面板70的形狀可以以增加的精度被估算，使得圖像校正器104(參見圖4)能夠高度精確地校正捕獲放射線圖像。最后，以下描述放射線轉(zhuǎn)換面板70的內(nèi)部布置。如圖18A和18B所示，放射線轉(zhuǎn)換面板70包括用于將已經(jīng)穿過對(duì)象14的放射線16轉(zhuǎn)換成可見光(即，吸收放射線16并發(fā)出可見光)的閃爍體400和用于將來自閃爍體400的可見光轉(zhuǎn)換成表示放射線圖像的電信號(hào)(即，電荷)的放射線檢測(cè)器402。用于清除放射線16的散射線的柵格403置于殼體40 (即，圖像捕獲表面42)與放射線檢測(cè)器402之間。放射線轉(zhuǎn)換面板70包括正面讀取型(即，ISS (照射側(cè)取樣)型)放射線轉(zhuǎn)換面板和反面讀取型(即，PSS(透射側(cè)取樣)型)放射線轉(zhuǎn)換面板，在所述正面讀取型放射線轉(zhuǎn)換面板中，放射線檢測(cè)器402和閃爍體400從被放射線16照射的圖像捕獲表面42依次設(shè)置，在所述反面讀取型放射線轉(zhuǎn)換面板中，閃爍體400和放射線檢測(cè)器402從圖像捕獲表面42依次設(shè)置。閃爍體400從靠近被放射線16照射的圖像捕獲表面42的一側(cè)發(fā)出更強(qiáng)的光。由于在ISS型中閃爍體400被定位成相對(duì)于PSS型更靠近圖像捕獲表面42，因此ISS型放射線轉(zhuǎn)換面板70產(chǎn)生更高分辨率的放射線圖像，并且所述放射線轉(zhuǎn)換面板的放射線檢測(cè)器402檢測(cè)來自閃爍體400的更大量的可見光。因此，ISS型放射線轉(zhuǎn)換面板70 (電子暗盒20A、20B)比PSS型放射線轉(zhuǎn)換面板70更加靈敏。閃爍體400可以由諸如CsI: TI (添加鉈的碘化銫)、CsI:Na (鈉活化碘化銫)、GOS (Gd2O2SiTb)等制成。圖18B顯示了包括通過在蒸發(fā)板404上蒸發(fā)含有CsI的材料而產(chǎn)生的柱狀晶體區(qū)域的閃爍體400。
更具體地，圖18B所示的閃爍體400包括由靠近圖像捕獲表面42 ( S卩，被放射線16照射的放射線檢測(cè)器402)的柱狀晶體400a組成柱狀晶體區(qū)域和由遠(yuǎn)離圖像捕獲表面42的非柱狀晶體400b組成的非柱狀晶體區(qū)域。蒸發(fā)板404優(yōu)選地由高度耐熱材料(例如，鋁(Al))(因?yàn)殇X的成本低)而制成。閃爍體400中的柱狀晶體400a沿著柱狀晶體400a的縱向方向具有大致相同的平均直徑。如上所述，閃爍體400包括柱狀晶體區(qū)域(B卩，柱狀晶體400a)和非柱狀晶體區(qū)域(即，非柱狀晶體400b)。能夠進(jìn)行高效發(fā)光的柱狀晶體400a的柱狀晶體區(qū)域被設(shè)置成靠近放射線檢測(cè)器402。因此，由閃爍體400發(fā)出的可見光行進(jìn)通過柱狀晶體400a到達(dá)放射線檢測(cè)器402。因此，能夠防止朝向放射線檢測(cè)器402發(fā)出的可見光擴(kuò)散，使得能夠防止由電子暗盒20A、20B檢測(cè)到的放射線圖像模糊。由于已經(jīng)到達(dá)閃爍體400的深區(qū)域(即，非柱狀晶體區(qū)域)的可見光通過非柱狀晶體400b朝向放射線檢測(cè)器402被反射，因此施加到放射線檢測(cè)器402的可見光的量(即，檢測(cè)由閃爍體400發(fā)出的可見光的效率)增加。假設(shè)被定位成靠近圖像捕獲表面42的閃爍體400的柱狀晶體區(qū)域具有厚度tl，而被定位成靠近蒸發(fā)板404的閃爍體400的非柱狀晶體區(qū)域具有厚度t2，則厚度tl、t2優(yōu)選地滿足關(guān)系 O. 01 ( (t2/tl) ( O. 25。如果柱狀晶體區(qū)域的厚度tl和非柱狀晶體區(qū)域的厚度t2滿足上述關(guān)系，則防止可見光擴(kuò)散的具有高發(fā)光效率的區(qū)域(即，柱狀晶體區(qū)域)和反射可見光的區(qū)域(即，非柱狀晶體區(qū)域)的比值沿著閃爍體400的厚度方向落入適當(dāng)?shù)姆轿?，從而增加閃爍體400的發(fā)光效率，檢測(cè)由閃爍體400發(fā)出的可見光的效率和檢測(cè)到的放射線圖像的分辨率。如果非柱狀晶體區(qū)域的厚度t2太大，則具有低發(fā)光效率的區(qū)域增加，從而導(dǎo)致電子暗盒20A、20B的靈敏度下降。所述比值(t2/tl)優(yōu)選地在從O. 02到O. I的范圍內(nèi)。上述閃爍體400包括連續(xù)布置的柱狀晶體區(qū)域和非柱狀晶體區(qū)域。非柱狀晶體區(qū)域可以被由Al等制成的反光層替換，使得僅包括柱狀晶體區(qū)域。閃爍體400可以可選地具有另一種結(jié)構(gòu)。放射線檢測(cè)器402檢測(cè)從閃爍體400的發(fā)光側(cè)(即，柱狀晶體400a)發(fā)出的可見光。在側(cè)視圖中，如圖18A所示，放射線檢測(cè)器402包括沿著施加放射線16的方向依次沉積在圖像捕獲表面42上的絕緣基板408、TFT層410和多個(gè)光電變換器412。平坦化層414以覆蓋光電變換器412的關(guān)系設(shè)置在TFT層410的底部表面上。放射線檢測(cè)器402被構(gòu)造成為TFT有效矩陣板(以下簡(jiǎn)稱“TFT板”)，所述TFT有效矩陣板包括由當(dāng)在平面圖中觀察時(shí)設(shè)置在絕緣基板408上的像素420形成的矩陣。像素420中的每一個(gè)都具有諸如光電二極管(PD)等的光電變換器412、存儲(chǔ)電容器416、和TFT418。TFT418對(duì)應(yīng)于以上第一實(shí)施例中所述的TFT82(參見圖4)，并且光電變換器412和存儲(chǔ)電容器416對(duì)應(yīng)于像素72。光電變換器412包括靠近閃爍體400的下電極412a、靠近TFT層410的上電極412b、和設(shè)置在下電極412a與上電極412b之間的光電轉(zhuǎn)換膜412c。光電轉(zhuǎn)換膜412c吸收從閃爍體400發(fā)出的可見光并基于吸收的可見光產(chǎn)生電荷。由于要求下電極412a允許從閃爍體400發(fā)出的可見光被施加到光電轉(zhuǎn)換膜412c，因此下電極412a優(yōu)選地由導(dǎo)電材料制成，所述導(dǎo)電材料至少使從閃爍體400發(fā)出的可見光的波長(zhǎng)穿透。更具體地，下電極412a優(yōu)選地由透明導(dǎo)電氧化物(TCO)制成，所述透明導(dǎo)電氧化物具有低電阻并對(duì)可見光具有高透射率。 下電極412a可以為由Au等制成的薄金屬膜的形式。然而，TCO是優(yōu)選的，這是因?yàn)樵诒〗饘倌ぞ哂?0%或更高透光率的情況下，這種薄金屬膜往往具有增加的電阻。例如，下電極412a優(yōu)選地由ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、ΑΖ0(摻雜鋁的氧化鋅)、FT0(摻雜氟的氧化錫)、Sn02、TiO2, ZnO2等等。在這些氧化物中，考慮到處理簡(jiǎn)單、低電阻和透明度，ITO是最優(yōu)選的。下電極412a可以為被所有像素420共享的單個(gè)電極或被給予相應(yīng)像素420的多個(gè)分割電極的形式。光電轉(zhuǎn)換膜412c可以由吸收可見光并由吸收的可見光產(chǎn)生電荷的材料制成。例如，光電轉(zhuǎn)換膜412c可以由非晶態(tài)娃(a-Si)、有機(jī)光電導(dǎo)體(OPC)材料等制成。如果光電轉(zhuǎn)換膜412c由非晶態(tài)硅組成，則光電轉(zhuǎn)換膜412c可以在寬波長(zhǎng)范圍內(nèi)吸收從閃爍體400發(fā)出的可見光。然而，由于需要執(zhí)行蒸發(fā)過程以由非晶態(tài)硅制成光電轉(zhuǎn)換膜412c，因此在絕緣基板408由合成樹脂制成的情況下，必須考慮絕緣基板408的耐熱性。如果光電轉(zhuǎn)換膜412c由含有有機(jī)光電導(dǎo)體材料的材料制成,則由于光電轉(zhuǎn)換膜412c具有在可見光范圍內(nèi)顯示高吸收性的吸收光譜，因此除了從閃爍體400發(fā)出的可見光之外，光電轉(zhuǎn)換膜412c幾乎不吸收電磁波。因此，光電轉(zhuǎn)換膜412c在吸收可以是X射線、Y射線等的放射線16時(shí)幾乎不產(chǎn)生噪聲。由有機(jī)光電導(dǎo)體材料制成的光電轉(zhuǎn)換膜412c可以通過將有機(jī)光電導(dǎo)體材料從諸如噴墨頭等的液滴推進(jìn)頭沉積到目標(biāo)上來制造而成。因此，不要求目標(biāo)耐熱。根據(jù)本結(jié)構(gòu)不例，光電轉(zhuǎn)換膜412c由有機(jī)光電導(dǎo)體材料制成。如果光電轉(zhuǎn)換膜412c由有機(jī)光電導(dǎo)體材料制成，則由于光電轉(zhuǎn)換膜412c幾乎不吸收放射線16，因此在ISS型放射線轉(zhuǎn)換面板70中能夠使穿過放射線檢測(cè)器402的放射線16的衰減最小化，其中在所述ISS型放射線轉(zhuǎn)換面板70中，放射線檢測(cè)器402被定位成使放射線16穿過所述放射線檢測(cè)器402。因此，能夠防止放射線轉(zhuǎn)換面板70對(duì)放射線16的靈敏度降低。由有機(jī)光電導(dǎo)體材料制成的光電轉(zhuǎn)換膜412c在ISS型放射線轉(zhuǎn)換面板70中尤其是優(yōu)選的。光電轉(zhuǎn)換膜412c的有機(jī)光電導(dǎo)體材料優(yōu)選地具有一吸收峰值波長(zhǎng),所述吸收峰值波長(zhǎng)盡可能地接近從閃爍體400發(fā)出的可見光的峰值波長(zhǎng)，以最有效地吸收從閃爍體400發(fā)出的可見光。雖然有機(jī)光電導(dǎo)體材料的吸收峰值波長(zhǎng)和從閃爍體400發(fā)出的可見光的峰值波長(zhǎng)理想地彼此相等，但是如果峰值波長(zhǎng)之間的差值足夠小，則有機(jī)光電導(dǎo)體材料充分地吸收從閃爍體400發(fā)出的可見光。更具體地，有機(jī)光電導(dǎo)體材料的吸收峰值波長(zhǎng)與從閃爍體400發(fā)出的可見光的峰值波長(zhǎng)之間的差值優(yōu)選地為IOnm或較小，或者更優(yōu)選地為5nm或更小。滿足以上要求的有機(jī)光電導(dǎo)體材料例如包括喹吖啶酮基有機(jī)化合物和酞菁基有機(jī)化合物。由于喹吖啶酮在可見光范圍內(nèi)具有560nm的吸收峰值波長(zhǎng)，因此如果喹吖啶酮用作有機(jī)光電導(dǎo)體材料并且CsI:Tl用作閃爍體400的材料，則以上峰值波長(zhǎng)之間的差值可以減小到5nm或更小，從而可以使由光電轉(zhuǎn)換膜412c生成的電荷的量基本上最大化。以下更加詳細(xì)具體地描述施加到放射線轉(zhuǎn)換面板70的光電轉(zhuǎn)換膜412c。放射線轉(zhuǎn)換面板70包括由有機(jī)層提供的電磁波吸收/光電轉(zhuǎn)換區(qū)域，所述有機(jī)層包括上電極412b和下電極412a，且光電轉(zhuǎn)換膜412c被夾在上電極412b與下電極412a之間。有機(jī)層可以通過重疊或混合電磁波吸收區(qū)域、光電轉(zhuǎn)換區(qū)域、電子轉(zhuǎn)移區(qū)域、空穴轉(zhuǎn)移 區(qū)域、電子阻擋區(qū)域、空穴阻擋區(qū)域、防結(jié)晶區(qū)域、電極、和層間接觸改善區(qū)域等形成。有機(jī)層優(yōu)選地包括有機(jī)P型化合物或有機(jī)η型化合物。有機(jī)P型半導(dǎo)體(化合物)是主要由空穴轉(zhuǎn)移有機(jī)化合物作為代表的施主有機(jī)半導(dǎo)體(化合物)，并表示往往捐贈(zèng)電子的有機(jī)化合物。更具體地，當(dāng)兩種有機(jī)材料用于彼此接觸時(shí)，有機(jī)材料中具有低電離電勢(shì)的一個(gè)被稱為施主有機(jī)化合物。能夠捐贈(zèng)電子的任何類型的有機(jī)化合物可以用作施主有機(jī)化合物。有機(jī)η型半導(dǎo)體(化合物)是主要由電子轉(zhuǎn)移有機(jī)化合物作為代表的受體有機(jī)半導(dǎo)體(化合物)，并且表示往往接受電子的有機(jī)化合物。更具體地，當(dāng)兩種有機(jī)材料用于彼此接觸時(shí)，有機(jī)材料中具有大電子親和勢(shì)的一個(gè)被稱為受體有機(jī)化合物。能夠接受電子的任何類型的有機(jī)化合物可以用作受體有機(jī)化合物。可以用作有機(jī)P型半導(dǎo)體和有機(jī)η型半導(dǎo)體的材料和光電轉(zhuǎn)換膜412c的布置在日本公開待審專利公開出版物第2009-032854號(hào)中被詳細(xì)公開，并且以下不再詳細(xì)說明。光電變換器412中的每一個(gè)都可以至少包括上電極412b、下電極412a和光電轉(zhuǎn)換膜412c。為了防止暗電流增加，光電變換器412中的每一個(gè)優(yōu)選另外地包括電子阻擋膜或空穴阻擋膜，并且更優(yōu)選地包括電子阻擋膜和空穴阻擋膜。電子阻擋膜可以設(shè)置在上電極412b與光電轉(zhuǎn)換膜412c之間。當(dāng)偏壓施加在上電極412b與下電極412a之間時(shí)，電子阻擋膜可以防止電子從上電極412b被注入到光電轉(zhuǎn)換膜412c中，從而防止暗電流增加。電子阻擋膜可以由能夠捐贈(zèng)電子的有機(jī)材料制成。電子阻擋膜實(shí)際上由基于相鄰電極的材料和相鄰光電轉(zhuǎn)換膜412c的材料所選擇的材料制成。優(yōu)選的材料應(yīng)該具有大于相鄰電極的材料的功函數(shù)(Wf)的至少I. 3eV的電子親和勢(shì)(Ea)和等于或小于相鄰光電轉(zhuǎn)換膜412c的材料的電離電勢(shì)(Ip)的Ip?？梢杂米骺梢跃栀?zèng)電子的有機(jī)材料的材料在日本公開待審專利公開出版物第2009-032854號(hào)中被詳細(xì)公開，并且以下將不再詳細(xì)說明。電子阻擋膜的厚度優(yōu)選地在從IOnm到200nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地在30nm到150nm的范圍內(nèi)，并且尤其優(yōu)選地在50nm到IOOnm的范圍內(nèi)，以可靠地獲得暗電流減小能力并防止光電變換器412的光電轉(zhuǎn)換效率下降。空穴阻擋膜可以設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換膜412c與下電極412a之間。如果將偏壓施加在上電極412b與下電極412a之間，則空穴阻擋膜可以防止空穴被從下電極412a注入到光電轉(zhuǎn)換膜412c中，從而防止暗電流增加。空穴阻擋膜可以由能夠接受電子的有機(jī)材料制成?？昭ㄗ钃跄?shí)際上由基于相鄰電極的材料和相鄰光電轉(zhuǎn)換膜412c的材料所選擇的材料制成。優(yōu)選的材料應(yīng)該具有大于相鄰電極的材料的功函數(shù)(Wf)的至少為I. 3eV的電離電勢(shì)(Ip)和等于或大于相鄰光電轉(zhuǎn)換膜412c的材料的電子親和勢(shì)(Ea)的Ea?？梢杂米骺梢越邮茈娮拥挠袡C(jī)材料的材料在日本公開待審專利公開出版物第2009-032854號(hào)中被詳細(xì)描述，并且以下將不再詳細(xì)描述。電子阻擋膜的厚度優(yōu)選地在從IOnm到200nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選地在30nm到150nm的范圍內(nèi)，并且尤其優(yōu)選地在50nm到IOOnm的范圍內(nèi)，以可靠地獲得暗電流減小能力并防止光電變換器412的光電轉(zhuǎn)換效率下降。為了設(shè)定偏壓以使空穴從光電轉(zhuǎn)換膜412c中生成的電荷朝向下電極412a移動(dòng)并使電子從光電轉(zhuǎn)換膜412c中生成的電荷中朝向下電極412b移動(dòng)，電子阻擋膜和空穴阻擋層可以在適當(dāng)位置切換?？梢圆恍枰娮幼钃跄ず涂昭ㄗ钃鯇樱强梢园娮幼钃跄せ蚩昭ㄗ钃鯇又械娜我粋€(gè)以提供一定的暗電流減小能力。
TFT層410中的TFT 418中的每一個(gè)都包括由柵電極、柵極絕緣膜和活性層(信道層)組成的堆疊組件。源電極和漏電極設(shè)置在活性層上并彼此間隔開，且在所述源電極與所述漏電極之間具有一間隙?；钚詫涌梢杂煞蔷B(tài)硅、非晶氧化物、有機(jī)半導(dǎo)體材料、碳納米管等中的任一個(gè)制成，但是不受限于此。可以制成活性層的非晶氧化物優(yōu)選地是包括In、Ga和Zn中的至少一個(gè)的氧化物(例如，In-O氧化物)，并且更優(yōu)選地是包括In、Ga和Zn中的至少兩個(gè)的氧化物(例如，In-Zn-O氧化物、In-Ga-O氧化物、或Ga-Zn-O氧化物)，并且甚至更優(yōu)選地是包括In、Ga和Zn的氧化物。In-Ga-An-O非晶氧化物優(yōu)選地是其晶狀組合物由InGaO3(ZnO)111表示的非晶氧化物，其中m表示小于6的自然數(shù)，并且尤其優(yōu)選地是InGaZn04。然而，組成活性層的非晶氧化物不局限于以上材料。制成活性層的有機(jī)半導(dǎo)體材料可以是酞菁化合物、并五苯、酞菁氧化釩等，但是不局限于這種材料。日本公開待審專利出版物第2009-212389號(hào)中具體地公開了酞菁化合物的細(xì)節(jié)，并且以下將不再說明。如果TFT 418的活性層由非晶氧化物、有機(jī)半導(dǎo)體材料或碳納米管中的任一個(gè)制成，則由于活性層不吸收諸如X射線等的放射線16，或者僅吸收微量放射線16，因此活性層可以有效地減小放射線檢測(cè)器402中產(chǎn)生的噪音。如果活性層由碳納米管制成，則TFT 418具有高切換速度并且對(duì)于可見光范圍內(nèi)的光可以顯示低速率。如果活性層由碳納米管制成，則由于TFT418的性能可能會(huì)由于與TFT 418混合的痕量金屬雜質(zhì)而顯著地降低，因此需要通過離心分離器等分離和提取高純度碳納米管，并且使用被分離和提取的高純度納米管形成活動(dòng)層。由于由有機(jī)光電導(dǎo)體材料制成的膜和由有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的膜具有充分柔性，因此由有機(jī)光電導(dǎo)體材料制成的光電轉(zhuǎn)換膜412c和其活動(dòng)層由有機(jī)半導(dǎo)體材料制成的TFT 418使得對(duì)于放射線檢測(cè)器402來說不需要高剛性，盡管對(duì)象14的重量作為負(fù)載施加到放射線檢測(cè)器402。絕緣基板408可以由可透光并僅吸收少量放射線16的材料制成。TFT418的活動(dòng)層的非晶氧化物和光電變換器412的光電轉(zhuǎn)換膜412c的有機(jī)光電導(dǎo)體材料可以作為膜在低溫下被沉積。因此，絕緣基板不局限于諸如半導(dǎo)體基板、石英基板、玻璃基板等的高度耐熱基板，但是可以是柔性塑料基板、由聚芳基酰胺纖維制成的基板、或由生物納米纖維制成的基板。更具體地，絕緣基板408可以是由諸如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚丁烯酞酸鹽、酸乙二酯等的聚酯、或聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚砜、聚芳酯、聚酰亞胺、聚環(huán)烯、降冰片烯樹月旨、聚(一氯三氟乙烯)等的柔性基板。這種柔性塑料基板使放射線檢測(cè)器402重量輕并因此易于隨身攜帶。絕緣基板408可以包括使絕緣基板408電絕緣的絕緣層、使絕緣基板408不透水和氧氣的氣障層和使絕緣基板408平坦以增強(qiáng)與電極的緊密接觸的內(nèi)涂層。用作絕緣基板408的聚芳基酰胺纖維的優(yōu)點(diǎn)在于由于200攝氏溫度或更高的高溫處理可應(yīng)用于基板408，因此聚芳基酰胺纖維允許透明電極材料在高溫下固化以獲得低電阻，并且還允許通過包括回流焊處理的處理使驅(qū)動(dòng)器ICs自動(dòng)安裝在基板408上。此外，由于聚芳基酰胺纖維具有接近ITO和玻璃的熱膨脹系數(shù)，因此由聚芳基酰胺纖維制成的絕緣基板在制造之后不容易翹曲和裂縫。另外，相對(duì)于玻璃基板等，由聚芳基酰胺纖維制成的絕緣基板可以制造得較薄。絕緣基板408可以為超薄玻璃基板和聚芳基酰胺纖維的堆疊組件形式?！?br> 生物納米纖維通過混合由細(xì)菌(醋酸細(xì)菌、木醋菌)制造的一束素微纖維(細(xì)菌纖維素)和透明樹脂而制成。所述一束素微纖維具有為可見光的波長(zhǎng)的1/10的50nm的寬度，具有高強(qiáng)度和高彈性，并受到低熱膨脹。包括60%到70%纖維并在500nm的波長(zhǎng)下顯示大約90%的透光率的生物納米纖維可以通過使細(xì)菌纖維素浸潰有諸如丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂等的透明樹脂并固化所述透明樹脂制造而成。生物納米纖維是柔性的，并具有可與硅晶體相比的從3ppm到7ppm范圍的低熱膨脹系數(shù)、與鋼的強(qiáng)度相匹配的460MPa的高強(qiáng)度、以及30GPa的高彈性。因此，由生物納米纖維制成的絕緣基板408可以比玻璃基板等薄。如果絕緣基板408包括玻璃基板，則放射線檢測(cè)器402 (即，TFT板)的總厚度例如大約為O. 7_。根據(jù)本布置，絕緣基板408包括由合成樹脂形成的薄基板，所述合成樹脂可透光并用于制造電子暗盒20A、20B。因此，放射線檢測(cè)器402的總厚度被減小到例如大約
O.Imm,從而使得放射線檢測(cè)器402是柔性的。因此，電子暗盒20A、20B更加耐沖擊，因此在受到?jīng)_擊的情況下不易損壞。塑料、聚芳基酰胺纖維和生物納米纖維吸收少量放射線16。如果絕緣基板408由這些材料中的任一種制成，則由于被絕緣基板408吸收的放射線16的量小，因此即使放射線16穿過ISS型放射線檢測(cè)器402，也能夠防止放射線檢測(cè)器402對(duì)于放射線16的靈敏度降低。電子暗盒20A、20B的絕緣基板408不必由合成樹脂制成，但是可以由諸如玻璃的另一種材料制成，盡管玻璃基板往往使得電子暗盒20A、20B較厚。用于使放射線檢測(cè)器402平坦化的平坦化層414設(shè)置在放射線檢測(cè)器402(即，TFT板)的靠近閃爍體400的側(cè)部(即，遠(yuǎn)離放射線檢測(cè)器402的施加放射線16的側(cè)部)上。 根據(jù)本布置，放射線轉(zhuǎn)換面板70可以以以下方式布置而成。(I)包括H)的光電變換器412可以由有機(jī)光電導(dǎo)體材料制成，并且TFT層410可以被構(gòu)造成將CMOS傳感器裝入到所述TFT層410中。由于僅ro由有機(jī)光電導(dǎo)體材料制成，因此包括CMOS傳感器的TFT層410可能不是柔性的。在日本公開待審專利公開出版物第2009-212377號(hào)中詳細(xì)地公開了由有機(jī)光電導(dǎo)體材料制成的光電變換器412和CMOS傳感器，并且這些特征將在以下不會(huì)再詳細(xì)描述。(2)包括光電二極管的光電變換器412可以由有機(jī)光電導(dǎo)體材料制成，并且TFT層410可以通過裝有CMOS電路形成為柔性的，其中所述CMOS電路具有由有機(jī)材料形成的TFT。CMOS電路采用由并五苯制成的P型有機(jī)半導(dǎo)體材料和由氟化銅酞菁(F16CuPc)制成的η型有機(jī)半導(dǎo)體材料。因此，TFT層410被形成為柔性的并且能夠被彎曲成具有較小曲率半徑。因此，TFT層410能夠明顯有效地減小用于低驅(qū)動(dòng)電壓的柵極絕緣膜。此外，柵極絕緣膜、半導(dǎo)體和電極可以在室溫、或等于或低于100°C的溫度下被制造而成。CMOS電路可以直接制造在柔性絕緣基板408上。由有機(jī)材料制成的TFT可以通過遵循比例規(guī)律的制造過程被微制造而成。絕緣基板408可以通過使薄聚酰亞胺基板涂布有聚酰亞胺前體然后將將涂覆的聚酰亞胺前體加熱成聚酰亞胺而被制造成為沒有表面不平度的平坦基板。(3)由結(jié)晶Si制成的H)和TFT可以通過流體自組裝過程制造在作為樹脂基板的絕緣基板408上。流體自組裝過程允許微米級(jí)的多個(gè)裝置塊被放置在基板上的指定位置處。更具體地，構(gòu)成微米級(jí)裝置塊的ro和TFT被預(yù)先制造在另一個(gè)基板上然后與該基板分離。接著，ro和TFT被浸潰在液體中并作為目標(biāo)基板延展到絕緣基板408上，使得ro和TFT 統(tǒng)計(jì)地放置在相應(yīng)位置處。絕緣基板408事先被處理以使絕緣基板408本身適配裝置塊，使得裝置塊可以被選擇性地放置在絕緣基板408上。因此，由最佳材料制成的裝置塊(即，PD和TFT)可以集成在作為最佳基板的絕緣基板408上。因此，可以將PD和TFT集成在作為非結(jié)晶樹脂基板的絕緣基板408上。本發(fā)明不局限于以上實(shí)施例，而是可以在不背離本發(fā)明的保護(hù)范圍的情況下在本發(fā)明中采取各種布置。例如，控制臺(tái)22可以獲取電子暗盒20A、20B的ID信息，并且進(jìn)一步獲取放射線轉(zhuǎn)換面板70的與ID信息相關(guān)聯(lián)的校正數(shù)據(jù)，從而允許控制臺(tái)22中的圖象處理器校正放射線圖像。光電變換層130和閃爍體132可以以基于以上實(shí)施例的順序的反向的順序堆疊。更具體地，閃爍體132和光電變換層130可以依此順序堆疊在信號(hào)輸出層128上。
權(quán)利要求
1.一種放射線圖像捕獲設(shè)備(20A，20B)，包括用于將放射線(16)轉(zhuǎn)換成放射線圖像的放射線轉(zhuǎn)換面板(70)，所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)包括由閃爍體(132)和光電變換層(130)組成的堆疊組件、基臺(tái)(120，120a，120b，120c，220，220a)和殼體(40)，所述基臺(tái)支撐放置在所述基臺(tái)上的所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)，所述殼體將所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)和所述基臺(tái)(120,120a, 120b, 120c, 220, 220a)容納在所述殼體中， 其中在所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)沿著所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)放置在所述基臺(tái)上的方向變形成凸起形狀時(shí)，所述基臺(tái)(120，120a，120b，120c，220，220a)支撐所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的放射線圖像捕獲設(shè)備(20A，20B)，其中，在彎曲所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)的同時(shí)，所述基臺(tái)(120，120a，120b，120c，220，220a)支撐所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的放射線圖像捕獲設(shè)備(20A，20B)，其中，在使所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)關(guān)于所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)的檢測(cè)表面(42，46)上的指定軸線軸對(duì)稱地變形時(shí)，所述基臺(tái)(120，120a，120b，120c，220，220a)支撐所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放射線圖像捕獲設(shè)備(20A，20B)，其中，所述指定軸線包括所述檢測(cè)表面(42，46)的中心線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的放射線圖像捕獲設(shè)備(20A，20B)，其中，所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)具有至少一對(duì)側(cè)表面，所述至少一對(duì)側(cè)表面固定到所述殼體(40)的內(nèi)壁表面(186,300)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的放射線圖像捕獲設(shè)備(20A，20B)，其中，所述基臺(tái)(120，120a, 120b, 120c, 220，220a)由樹脂材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的放射線圖像捕獲設(shè)備(20A，20B)，其中，所述基臺(tái)(120，120a, 120b, 120c, 220，220a)由電磁波屏蔽材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的放射線圖像捕獲設(shè)備(20A，20B)，還包括圖像校正器(104)，所述圖像校正器用于基于所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)的變形程度校正所述放射線圖像。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的放射線圖像捕獲設(shè)備(20A，20B)，其中，所述圖像校正器(104)根據(jù)所述基臺(tái)(120，120a，120b，120c，220，220a)的形狀估計(jì)所述放射線轉(zhuǎn)換面板(70)的變形程度并校正所述放射線圖像。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種放射線成像裝置，該放射線成像裝置包括放射線轉(zhuǎn)換面板(70)，所述放射線轉(zhuǎn)換面板通過層疊閃爍體(132)和光電轉(zhuǎn)換層(130)層疊而獲得并將放射線(16)轉(zhuǎn)換成放射線圖像；基臺(tái)(120，120a，120b，120c，220，220a)，所述基臺(tái)支撐放置在所述基臺(tái)上的放射線轉(zhuǎn)換面板(70)；和殼體(40)，所述殼體容納放射線轉(zhuǎn)換面板(70)和基臺(tái)(120，120a，120b，120c，220，220a)。在放射線轉(zhuǎn)換面板(70)相對(duì)于放射線轉(zhuǎn)換面板(70)的安裝方向變形成凸起形狀時(shí)，基臺(tái)(120，120a，120b，120c，220，220a)支撐放射線轉(zhuǎn)換面板(70)。
文檔編號(hào)G03B42/04GK102918418SQ20118002602
公開日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2011年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月25日
發(fā)明者大田恭義, 西納直行, 中津川晴康, 巖切直人 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社