專利名稱：無(wú)靜耗電磁閥的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氣、液壓系統(tǒng)控制器件，具體地說(shuō)是一種開(kāi)關(guān)電磁閥。
背景技術(shù)：
隨著能源緊缺問(wèn)題日益嚴(yán)重，氣、液壓系統(tǒng)控制器件的節(jié)能也就日益成為亟待解決的問(wèn)題，特別對(duì)于大、中型輕、化工、石油等企業(yè)。目前，幾乎所有電磁閥均由電磁鐵驅(qū)動(dòng)動(dòng)作并保持，不論常開(kāi)還是常閉型式，總有一個(gè)轉(zhuǎn)換動(dòng)作和一個(gè)狀態(tài)需要電能消耗。而且， 這種類型開(kāi)關(guān)電磁閥的轉(zhuǎn)換動(dòng)作受到結(jié)構(gòu)、彈簧、潤(rùn)滑等多種因素影響，工作可靠性很難長(zhǎng)期保證；同時(shí)，這種類型的開(kāi)關(guān)電磁閥不僅在工作中耗能，也有由于保持電流波動(dòng)而造成開(kāi)通、關(guān)斷不徹底或開(kāi)通不穩(wěn)的隱患，而在許多應(yīng)用場(chǎng)合，特別是低電壓工作情況，這種通過(guò)耗能的強(qiáng)力保持，隱患更大。而在許多應(yīng)用場(chǎng)合，這種通過(guò)耗能的強(qiáng)力保持大可不必。這意味著幾乎全部靜態(tài)能耗可以節(jié)省，這是個(gè)不可小覷的數(shù)字。因此，開(kāi)發(fā)一種不需要強(qiáng)力保持、又能穩(wěn)定在給定工作狀態(tài)的無(wú)靜耗電磁閥，具有重大技術(shù)、經(jīng)濟(jì)意義。

發(fā)明內(nèi)容
為減少電磁閥不必要的能耗，實(shí)現(xiàn)工作狀態(tài)的穩(wěn)定保持，提高電磁閥的工作效率， 本發(fā)明提供一種不需要強(qiáng)力保持、又能穩(wěn)定在給定工作狀態(tài)的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)無(wú)靜耗電磁閥。它利用驅(qū)動(dòng)線圈對(duì)永久磁鐵的電磁作用實(shí)現(xiàn)工作狀態(tài)的快速轉(zhuǎn)換，利用可滑移永久磁鐵和閥芯外壁相對(duì)于滑缸套和閥套內(nèi)壁的摩擦力實(shí)現(xiàn)工作狀態(tài)的穩(wěn)定保持。其閥體部為包括閥套、閥芯和連桿的執(zhí)行主體結(jié)構(gòu)，其驅(qū)動(dòng)部為包括連桿、電路骨架、永磁體、滑缸腔、滑缸套、 電磁線圈、電觸點(diǎn)、電路接線室、接線端子的電磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是無(wú)靜耗電磁閥利用驅(qū)動(dòng)線圈對(duì)永久磁鐵的電磁作用實(shí)現(xiàn)工作狀態(tài)的快速轉(zhuǎn)換，利用可滑移永久磁鐵和閥芯外壁相對(duì)于滑缸套和閥套內(nèi)壁的摩擦力實(shí)現(xiàn)工作狀態(tài)的穩(wěn)定保持。其結(jié)構(gòu)分為左部的閥體部和右部的驅(qū)動(dòng)部。閥體部為包括閥套、閥芯和連桿的執(zhí)行主體結(jié)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)部為包括連桿、電路骨架、永磁體N極、永磁體S極、滑缸腔、滑缸套、電磁線圈、 反位電觸點(diǎn)、反位觸頭、正位觸頭、正位電觸點(diǎn)、電路接線室、正向驅(qū)動(dòng)接線端子、正位電觸點(diǎn)接線端子、電磁線圈正位接線端子、電磁線圈反位接線端子、反位電觸點(diǎn)接線端子、反向驅(qū)動(dòng)接線端子的電磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；其中閥套與滑缸套為由間壁相隔的兩腔一體結(jié)構(gòu)，由非鐵磁材料制成。在閥套內(nèi)的閥芯與連桿的一端緊固機(jī)械連接，連桿的另一端與永磁體N極的左斷面緊固機(jī)械連接；連桿穿過(guò)閥套與滑缸套的間壁，并與該間壁構(gòu)成氣密滑動(dòng)配合；永磁體N 極與永磁體S極為同體柱形結(jié)構(gòu)，其外側(cè)壁與滑缸腔的內(nèi)側(cè)壁滑動(dòng)配合。在滑缸腔的左內(nèi)壁，挖有一槽室，槽室內(nèi)裝嵌一對(duì)常閉的反位電觸點(diǎn)；在永磁體N極的左端面，對(duì)應(yīng)反位電觸點(diǎn)裝嵌有一突出的反位觸頭，用以在反向到位時(shí)觸開(kāi)反位電觸點(diǎn)。在滑缸腔的右內(nèi)壁，挖有一槽室，槽室內(nèi)裝嵌一對(duì)常閉的正位電觸點(diǎn)；在永磁體S極的右端面，對(duì)應(yīng)正位電觸點(diǎn)裝嵌有一突出的正位觸頭，用以在正向到位時(shí)觸開(kāi)正位電觸點(diǎn)。電路骨架緊固套裝在滑缸套的外側(cè)壁上；電路骨架分為左中部的電磁線圈骨架部和右部的電路接線室。在電路接線室內(nèi)，裝置有驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路和內(nèi)外線接線端子。電磁線圈正位接線端子與電磁線圈的一端構(gòu)成電連接，電磁線圈反位接線端子與電磁線圈的另一端構(gòu)成電連接；正位電觸點(diǎn)接線端子和正向驅(qū)動(dòng)接線端子分別與正位電觸點(diǎn)的兩接線端構(gòu)成電連接；反位電觸點(diǎn)接線端子和反向驅(qū)動(dòng)接線端子分別與反位電觸點(diǎn)的兩接線端構(gòu)成電連接。本發(fā)明的有益效果是減少了不必要的靜態(tài)能耗，實(shí)現(xiàn)了工作狀態(tài)的穩(wěn)定保持， 靈活性好，適應(yīng)性強(qiáng)，只需改變接線就可應(yīng)用于不同的操控方式，同時(shí)提高了電磁閥的工作效率；同時(shí)，該方法可免除平衡或回復(fù)彈簧，從而使結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單，加之其電、氣、液隔離、 動(dòng)、靜分離的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)使得產(chǎn)品不但工作可靠性高，而且易于標(biāo)準(zhǔn)化和批量生產(chǎn)。


下面結(jié)合附圖所示的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。圖1是本發(fā)明——無(wú)靜耗電磁閥的結(jié)構(gòu)視圖。圖2是本發(fā)明的一操控實(shí)施例——無(wú)靜耗電磁閥驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路結(jié)構(gòu)圖。圖3是本發(fā)明的另一操控實(shí)施例——無(wú)靜耗電磁閥的直接操作電路結(jié)構(gòu)圖。圖4是無(wú)靜耗電磁閥的工作信號(hào)時(shí)序示意圖。圖1 3中1.閥套，2.閥芯，3.連桿，4.電路骨架，5.電磁線圈，6.滑缸腔，7.反位電觸點(diǎn)，8.反位觸頭，9.永磁體N極，10.永磁體S極，11.滑缸套，12.正位觸頭，13.正位電觸點(diǎn)，14.電路接線室；ρ。.正向驅(qū)動(dòng)接線端子，Pk.正位電觸點(diǎn)接線端子，P.電磁線圈正位接線端子，η.電磁線圈反位接線端子，nk.反位電觸點(diǎn)接線端子，n0.反向驅(qū)動(dòng)接線端子。圖2中s為驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端，C為微分電容，E為工作電源正極端，Rpi為正向偏置電阻，Rp2為正向分壓電阻，Rn2為反向分壓電阻，為反向偏置電阻，Qpi為正向上臂MOSFET 器件，W為反向下臂MOSFET器件，LCn為反向隔離光耦，為反向信號(hào)分壓電阻，Dn為反向隔離二極管，Rp3為正向信號(hào)分壓電阻，Dp為正向隔離二極管，LCp為正向隔離光耦，Qn2為反向上臂MOSFET器件，Qp2為正向下臂MOSFET器件，L為電磁線圈等效電感。圖3中NBP為正向操作鍵，NBn為反向操作鍵。圖4中Vs為驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平電壓，Vpn為輸出到電磁線圈等效電感p-n端的驅(qū)動(dòng)電壓。
具體實(shí)施例方式在附圖1所示的無(wú)靜耗電磁閥結(jié)構(gòu)視圖中無(wú)靜耗電磁閥分為左部的閥體部和右部的驅(qū)動(dòng)部。閥體部為包括閥套1、閥芯和連桿3的執(zhí)行主體結(jié)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)部為包括連桿3、電路骨架4、永磁體N極9、永磁體S極10、滑缸腔6、滑缸套11、電磁線圈5、反位電觸點(diǎn)7、反位觸頭8、正位觸頭12、正位電觸點(diǎn)13、電路接線室14、正向驅(qū)動(dòng)接線端子ρ。、正位電觸點(diǎn)接線端子Pk、電磁線圈正位接線端子ρ、電磁線圈反位接線端子η、反位電觸點(diǎn)接線端子nk、反向驅(qū)動(dòng)接線端子n0的電磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；其中閥套 1與滑缸套11為由間壁相隔的兩腔一體結(jié)構(gòu)，由非鐵磁材料制成。
在閥套1內(nèi)的閥芯2與連桿3的一端緊固機(jī)械連接，連桿3的另一端與永磁體N 極9的左斷面緊固機(jī)械連接；連桿3穿過(guò)閥套1與滑缸套11的間壁，并與該間壁構(gòu)成氣密滑動(dòng)配合；永磁體N極9與永磁體S極10為同體柱形結(jié)構(gòu)，其外側(cè)壁與滑缸腔6的內(nèi)側(cè)壁滑動(dòng)配合。在滑缸腔6的左內(nèi)壁，挖有一槽室，槽室內(nèi)裝嵌一對(duì)常閉的反位電觸點(diǎn)7;在永磁體N極9的左端面，對(duì)應(yīng)反位電觸點(diǎn)7裝嵌有一突出的反位觸頭8，用以在反向到位時(shí)觸開(kāi)反位電觸點(diǎn)7。在滑缸腔6的右內(nèi)壁，挖有一槽室，槽室內(nèi)裝嵌一對(duì)常閉的正位電觸點(diǎn)13 ； 在永磁體S極10的右端面，對(duì)應(yīng)正位電觸點(diǎn)13裝嵌有一突出的正位觸頭12，用以在正向到位時(shí)觸開(kāi)正位電觸點(diǎn)13。電路骨架4緊固套裝在滑缸套11的外側(cè)壁上；電路骨架4分為左中部的電磁線圈5骨架部和右部的電路接線室14。在電路接線室14內(nèi)，裝配有驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路和內(nèi)外線接線端子。電磁線圈正位接線端子P與電磁線圈5的一端構(gòu)成電連接，電磁線圈反位接線端子η與電磁線圈5的另一端構(gòu)成電連接；正位電觸點(diǎn)接線端子Pk和正向驅(qū)動(dòng)接線端子P。分別與正位電觸點(diǎn)13的兩接線端構(gòu)成電連接；反位電觸點(diǎn)接線端子nk和反向驅(qū)動(dòng)接線端子η。分別與反位電觸點(diǎn)7 的兩接線端構(gòu)成電連接。在附圖2所示的無(wú)靜耗電磁閥驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路結(jié)構(gòu)圖中驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路應(yīng)用于高低電平控制的操控方式，由微分電容C、正向偏置電阻 Rpi>正向分壓電阻Rp2、反向分壓電阻Rn2、反向偏置電阻I N1、P溝道增強(qiáng)型正向上臂MOSFET 器件QP1、N溝道增強(qiáng)型反向下臂MOSFET器件ζ Ν1、反向隔離光耦LCn、反向信號(hào)分壓電阻&3、 反向隔離二極管Dn、正向信號(hào)分壓電阻Rp3、正向隔離二極管DP、正向隔離光耦LCP、N溝道增強(qiáng)型反向上臂MOSFET器件QN2、P溝道增強(qiáng)型正向下臂MOSFET器件QP2、電磁線圈等效電感 L構(gòu)成。驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端s連接到微分電容C的負(fù)極。正向偏置電阻Rpi的一端連接到工作電源正極端E，正向偏置電阻Rpi的另一端與正向分壓電阻Rp2的一端連接；正向偏置電阻 Rpi與正向分壓電阻Rp2的連接點(diǎn)與正向上臂MOSFET器件Qpi的柵極連接。反向分壓電阻Rn2 的一端與反向偏置電阻I^ni的一端連接，反向偏置電阻IV的另一端接地；反向分壓電阻Rn2 與反向偏置電阻&的連接點(diǎn)與反向下臂MOSFET器件Qw的柵極連接。正向上臂MOSFET器件Qpi的源極連接到工作電源正極端Ε，正向上臂MOSFET器件Qpi的漏極與反向下臂MOSFET 器件⑷的漏極連接；反向下臂MOSFET器件⑷的源極接地。反向隔離光耦LCn的1、4腳連接到工作電源正極端Ε，反向隔離光耦LCn的2腳和4腳分別與反向信號(hào)分壓電阻Ι Ν3的一端和反向上臂MOSFET器件Qn2的柵極連接。正向隔離光耦LCp的1腳和4腳分別與正向信號(hào)分壓電阻Rp3的一端和正向下臂MOSFET器件Qp2的柵極連接，反向隔離光耦LCn的2、4腳接地。反向信號(hào)分壓電阻Ι Ν3的另一端與正向信號(hào)分壓電阻Ι Ρ3的另一端連接，該連接點(diǎn)連接到微分電容C的正極。反向隔離二極管Dn的負(fù)極與反向上臂MOSFET器件Qn2的柵極連接， 反向隔離二極管0,的正極與反向分壓電阻Rn2的另一端連接。正向隔離二極管Dp的正極與正向下臂MOSFET器件Qp2的柵極連接，正向隔離二極管的負(fù)極與正向分壓電阻Rp2的另一端連接。反向上臂MOSFET器件Qn2的漏極連接到工作電源正極端E，反向上臂MOSFET器件Qn2的源極連接到反位電觸點(diǎn)7的反向驅(qū)動(dòng)接線端子η。。正向下臂MOSFET器件Qp2的源極連接到正位電觸點(diǎn)13的正向驅(qū)動(dòng)接線端子ρ。，正向下臂MOSFET器件Qp2的漏極接地。在高低電平控制的操控方式下正向上臂MOSFET器件Qpi漏極與反向下臂MOSFET器件W漏極的連接點(diǎn)連接到電磁線圈5，即電磁線圈等效電感L的電磁線圈正位接線端子 P ；反位電觸點(diǎn)7的反位電觸點(diǎn)接線端子nk和正位電觸點(diǎn)13的正位電觸點(diǎn)接線端子Pk均連接到電磁線圈5，即電磁線圈等效電感L的電磁線圈反位接線端子η。在附圖3所示的無(wú)靜耗電磁閥的直接操作電路結(jié)構(gòu)中直接操作電路應(yīng)用于脈沖電平控制的操控方式，由雙聯(lián)常開(kāi)式正向操作鍵Mp和反向操作鍵Mn構(gòu)成。正向操作鍵NBp的上聯(lián)進(jìn)線端連接到工作電源正極端Ε，正向操作鍵NBp的下聯(lián)進(jìn)線接線端接地，正向操作鍵的下聯(lián)出線接線端連接到電磁線圈5，即電磁線圈等效電感 L的電磁線圈反位接線端子η ；正向操作鍵NBp的上聯(lián)出線接線端連接到正位電觸點(diǎn)13的正向驅(qū)動(dòng)接線端子P。；正位電觸點(diǎn)13的正位電觸點(diǎn)接線端子pk連接到電磁線圈5，即電磁線圈等效電感L的電磁線圈正位接線端子ρ。反向操作鍵NBn的下聯(lián)進(jìn)線端連接到工作電源正極端Ε，反向操作鍵NBn的上聯(lián)進(jìn)線接線端接地，反向操作鍵NBn的上聯(lián)出線接線端連接到電磁線圈5，即電磁線圈等效電感 L的電磁線圈正位接線端子ρ ；反向操作鍵NBn的下聯(lián)出線接線端連接到反位電觸點(diǎn)7的反向驅(qū)動(dòng)接線端子η。；反位電觸點(diǎn)7的反位電觸點(diǎn)接線端子nk連接到電磁線圈5，即電磁線圈等效電感L的電磁線圈反位接線端子η。在所示的無(wú)靜耗電磁閥工作信號(hào)時(shí)序示意圖中，當(dāng)需要電磁閥從一個(gè)狀態(tài)(如圖 1的當(dāng)前位，即閥芯2到正(右)位)向另一個(gè)狀態(tài)(如圖1的閥芯2到反(左)位)轉(zhuǎn)換時(shí)，如t3時(shí)亥lj，輸出到電磁線圈等效電感p-n端的驅(qū)動(dòng)電壓Vpn使得電磁閥電磁線圈5通以一個(gè)方向(如反向的由η端向ρ端)的驅(qū)動(dòng)電流，使永磁體N極9與永磁體S極10的同體結(jié)構(gòu)受電磁力作用而迅速向左滑動(dòng)，該結(jié)構(gòu)通過(guò)連桿3推動(dòng)閥芯2迅速向左同步滑動(dòng)。當(dāng)該滑動(dòng)過(guò)程使得永磁體N極9左端面的反位觸頭8觸碰到反位電觸點(diǎn)7并將其觸開(kāi)時(shí)，如t4 時(shí)刻，表明閥芯2到反位，反向驅(qū)動(dòng)電路被切斷，輸出到電磁線圈等效電感p-n端的驅(qū)動(dòng)電壓Vpn由反向電平電壓回到零。同時(shí)，如果應(yīng)用于高低電平控制的操控方式，則有本發(fā)明的無(wú)靜耗電磁閥驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路(如圖幻操控實(shí)施例運(yùn)行驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端s電壓處于低電平，即驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平電壓Vs的、前或t3后段，微分電容C的反向發(fā)電再正向充電導(dǎo)致反向驅(qū)動(dòng)電路，即驅(qū)動(dòng)電路反向輸出的反向下臂MOSFET器件Qw-反向上臂MOSFET器件Qn2支路關(guān)斷；如果應(yīng)用于脈沖電平控制的操控方式，則有本發(fā)明的無(wú)靜耗電磁閥直接操作電路 (如圖3)操控實(shí)施例運(yùn)行反向操作鍵冊(cè),的回彈即反向輸出支路關(guān)斷。反之，當(dāng)需要電磁閥從閥芯2的反(左)位向閥芯2的正(右)位轉(zhuǎn)換時(shí)，電磁閥電磁線圈5通以一個(gè)正向 (由P端向η端)的驅(qū)動(dòng)電流，使永磁體N極9與永磁體S極10的同體結(jié)構(gòu)受電磁力作用而迅速向右滑動(dòng)，該結(jié)構(gòu)通過(guò)連桿3拉動(dòng)閥芯2迅速向右同步滑動(dòng)。當(dāng)該滑動(dòng)過(guò)程使得永磁體S極10右端面的正位觸頭12觸碰到反位電觸點(diǎn)13并將其觸開(kāi)時(shí)，即t2時(shí)刻，表明閥芯 2到正位，正向驅(qū)動(dòng)電路被切斷，輸出到電磁線圈等效電感p-n端的驅(qū)動(dòng)電壓Vpn由正向電平電壓回到零。同時(shí)，如果應(yīng)用于高低電平控制的操控方式，即本發(fā)明的無(wú)靜耗電磁閥驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路操控實(shí)施例運(yùn)行，則驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端s電壓為高電平，即驅(qū)動(dòng)信號(hào)電平電壓Vs 的、_、段，微分電容C的正向放電再反向充電導(dǎo)致正向驅(qū)動(dòng)電路，即驅(qū)動(dòng)電路正向輸出的正向上臂MOSFET器件W1-正向下臂MOSFET器件Qp2支路關(guān)斷；如果應(yīng)用于脈沖電平控制的操控方式，即本發(fā)明的無(wú)靜耗電磁閥直接操作電路操控實(shí)施例運(yùn)行，則正向操作鍵Mp的回彈即正向輸出支路關(guān)斷。
權(quán)利要求
1.一種無(wú)靜耗電磁閥，分為左部的閥體部和右部的驅(qū)動(dòng)部，其特征是利用驅(qū)動(dòng)線圈對(duì)永久磁鐵的電磁作用實(shí)現(xiàn)工作狀態(tài)的快速轉(zhuǎn)換，利用可滑移永久磁鐵和閥芯外壁相對(duì)于滑缸套和閥套內(nèi)壁的摩擦力實(shí)現(xiàn)工作狀態(tài)的穩(wěn)定保持；閥體部為包括閥套、閥芯和連桿的執(zhí)行主體結(jié)構(gòu)，驅(qū)動(dòng)部為包括連桿、電路骨架、永磁體N極、永磁體S極、滑缸腔、滑缸套、電磁線圈、反位電觸點(diǎn)、反位觸頭、正位觸頭、正位電觸點(diǎn)、電路接線室、正向驅(qū)動(dòng)接線端子P。、正位電觸點(diǎn)接線端子pk、電磁線圈正位接線端子P、電磁線圈反位接線端子η、反位電觸點(diǎn)接線端子nk、反向驅(qū)動(dòng)接線端子的電磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)；其中閥套與滑缸套為由間壁相隔的兩腔一體結(jié)構(gòu)，由非鐵磁材料制成；在閥套內(nèi)的閥芯與連桿的一端緊固機(jī)械連接，連桿的另一端與永磁體N極的左斷面緊固機(jī)械連接；連桿穿過(guò)閥套與滑缸套的間壁，并與該間壁構(gòu)成氣密滑動(dòng)配合；永磁體N極與永磁體S極為同體柱形結(jié)構(gòu)，其外側(cè)壁與滑缸腔的內(nèi)側(cè)壁滑動(dòng)配合；在滑缸腔的左內(nèi)壁，挖有一槽室，槽室內(nèi)裝嵌一對(duì)常閉的反位電觸點(diǎn)；在永磁體N極的左端面，對(duì)應(yīng)反位電觸點(diǎn)裝嵌有一突出的反位觸頭，用以在反向到位時(shí)觸開(kāi)反位電觸點(diǎn)；在滑缸腔的右內(nèi)壁，挖有一槽室，槽室內(nèi)裝嵌一對(duì)常閉的正位電觸點(diǎn)；在永磁體S極的右端面，對(duì)應(yīng)正位電觸點(diǎn)裝嵌有一突出的正位觸頭，用以在正向到位時(shí)觸開(kāi)正位電觸點(diǎn)；電路骨架緊固套裝在滑缸套的外側(cè)壁上；電路骨架分為左中部的電磁線圈骨架部和右部的電路接線室；在電路接線室內(nèi)，裝置有驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路和內(nèi)外線接線端子；電磁線圈正位接線端子P與電磁線圈的一端構(gòu)成電連接，電磁線圈反位接線端子η與電磁線圈的另一端構(gòu)成電連接；正位電觸點(diǎn)接線端子Pk和正向驅(qū)動(dòng)接線端子P。分別與正位電觸點(diǎn)的兩接線端構(gòu)成電連接；反位電觸點(diǎn)接線端子nk和反向驅(qū)動(dòng)接線端子分別與反位電觸點(diǎn)的兩接線端構(gòu)成電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所示的無(wú)靜耗電磁閥，其特征是電路接線室內(nèi)裝配有驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路，以應(yīng)用于高、低電平控制的操控方式；驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路由微分電容C、正向偏置電阻IV、正向分壓電阻Rp2、反向分壓電阻Rn2、反向偏置電阻I N1、P溝道增強(qiáng)型正向上臂 MOSFET器件ζ Ρ1、N溝道增強(qiáng)型反向下臂MOSFET器件ζ Ν1、反向隔離光耦LCn、反向信號(hào)分壓電阻Rn3、反向隔離二極管Dn、正向信號(hào)分壓電阻Rp3、正向隔離二極管DP、正向隔離光耦LCP、 N溝道增強(qiáng)型反向上臂MOSFET器件QN2、P溝道增強(qiáng)型正向下臂MOSFET器件QP2、電磁線圈等效電感L構(gòu)成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所示的無(wú)靜耗電磁閥，其特征是在驅(qū)動(dòng)信號(hào)轉(zhuǎn)換電路中，驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸入端s連接到微分電容C的負(fù)極；正向偏置電阻Rpi的一端連接到工作電源正極端E，正向偏置電阻Rpi的另一端與正向分壓電阻Rp2的一端連接；正向偏置電阻Rpi與正向分壓電阻Rp2的連接點(diǎn)與正向上臂MOSFET器件Qpi的柵極連接；反向分壓電阻Rn2的一端與反向偏置電阻的一端連接，反向偏置電阻的另一端接地；反向分壓電阻Rn2與反向偏置電阻 Rni的連接點(diǎn)與反向下臂MOSFET器件Qw的柵極連接；正向上臂MOSFET器件Qpi的源極連接到工作電源正極端Ε，正向上臂MOSFET器件Qpi的漏極與反向下臂MOSFET器件Qw的漏極連接；反向下臂MOSFET器件Qw的源極接地；反向隔離光耦LCn的1、4腳連接到工作電源正極端Ε，反向隔離光耦LCn的2腳和4腳分別與反向信號(hào)分壓電阻Ι Ν3的一端和反向上臂MOSFET器件Qn2的柵極連接；正向隔離光耦LCp的1腳和4腳分別與正向信號(hào)分壓電阻 Rp3的一端和正向下臂MOSFET器件Qp2的柵極連接，反向隔離光耦LCn的2、4腳接地；反向信號(hào)分壓電阻Rn3的另一端與正向信號(hào)分壓電阻Rp3的另一端連接，該連接點(diǎn)連接到微分電容C的正極；反向隔離二極管Dn的負(fù)極與反向上臂MOSFET器件Qn2的柵極連接，反向隔離二極管0,的正極與反向分壓電阻Rn2的另一端連接；正向隔離二極管Dp的正極與正向下臂 MOSFET器件Qp2的柵極連接，正向隔離二極管的負(fù)極與正向分壓電阻Rp2的另一端連接； 反向上臂MOSFET器件Qn2的漏極連接到工作電源正極端E，反向上臂MOSFET器件Qn2的源極連接到反位電觸點(diǎn)7的反向驅(qū)動(dòng)接線端子n0 ；正向下臂MOSFET器件Qp2的源極連接到正位電觸點(diǎn)13的正向驅(qū)動(dòng)接線端子p。，正向下臂MOSFET器件Qp2的漏極接地。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所示的無(wú)靜耗電磁閥，其特征是在高低電平控制的操控方式下，正向上臂MOSFET器件Qpi漏極與反向下臂MOSFET器件Qw漏極的連接點(diǎn)連接到電磁線圈，即電磁線圈等效電感L的電磁線圈正位接線端子ρ;反位電觸點(diǎn)的反位電觸點(diǎn)接線端子 nk和正位電觸點(diǎn)的正位電觸點(diǎn)接線端子Pk均連接到電磁線圈，即電磁線圈等效電感L的電磁線圈反位接線端子η。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所示的無(wú)靜耗電磁閥，其特征是在脈沖電平控制的操控方式下，電路接線室內(nèi)裝配的正向驅(qū)動(dòng)接線端子P。、正位電觸點(diǎn)接線端子Pk、電磁線圈正位接線端子P、電磁線圈反位接線端子η、反位電觸點(diǎn)接線端子nk 和反向驅(qū)動(dòng)接線端子n。，與雙聯(lián)常開(kāi)式正向操作鍵NBp和反向操作鍵NBn構(gòu)成直接操作電路；正向操作鍵NBp的上聯(lián)進(jìn)線端連接到工作電源正極端E，正向操作鍵NBp的下聯(lián)進(jìn)線接線端接地，正向操作鍵MpW下聯(lián)出線接線端連接到電磁線圈，即電磁線圈等效電感L的電磁線圈反位接線端子η ；正向操作鍵Mp的上聯(lián)出線接線端連接到正位電觸點(diǎn)的正向驅(qū)動(dòng)接線端子P。；正位電觸點(diǎn)的正位電觸點(diǎn)接線端子Pk連接到電磁線圈，即電磁線圈等效電感 L的電磁線圈正位接線端子ρ;反向操作鍵NBn的下聯(lián)進(jìn)線端連接到工作電源正極端Ε，反向操作鍵NBn的上聯(lián)進(jìn)線接線端接地，反向操作鍵MnW上聯(lián)出線接線端連接到電磁線圈，即電磁線圈等效電感L的電磁線圈正位接線端子P ；反向操作鍵Mn的下聯(lián)出線接線端連接到反位電觸點(diǎn)的反向驅(qū)動(dòng)接線端子η。；反位電觸點(diǎn)的反位電觸點(diǎn)接線端子nk連接到電磁線圈，即電磁線圈等效電感 L的電磁線圈反位接線端子η。
全文摘要
一種不需要強(qiáng)力保持、又能穩(wěn)定在給定工作狀態(tài)的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)無(wú)靜耗電磁閥。它利用驅(qū)動(dòng)線圈對(duì)永久磁鐵的電磁作用實(shí)現(xiàn)工作狀態(tài)的快速轉(zhuǎn)換，利用可滑移永久磁鐵和閥芯外壁相對(duì)于滑缸套和閥套內(nèi)壁的摩擦力實(shí)現(xiàn)工作狀態(tài)的穩(wěn)定保持。其閥體部為包括閥套、閥芯和連桿的執(zhí)行主體結(jié)構(gòu)，其驅(qū)動(dòng)部為包括連桿、電路骨架、永磁體、滑缸腔、滑缸套、電磁線圈、電觸點(diǎn)、電路接線室、接線端子的電磁驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。
文檔編號(hào)F16K31/06GK102563179SQ20121000392
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2012年1月9日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月9日
發(fā)明者屈百達(dá) 申請(qǐng)人:江南大學(xué)