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      單桿多級(jí)繞射無源雙控變阻尼磁流變阻尼器的制造方法

      文檔序號(hào):8940021閱讀:169來源:國知局
      單桿多級(jí)繞射無源雙控變阻尼磁流變阻尼器的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及變阻尼磁流變液儀器領(lǐng)域,特指一種單桿多級(jí)繞射無源雙控變阻尼磁流變阻尼器。
      【背景技術(shù)】
      [0002]磁流變阻尼器是利用磁場(chǎng)作用下的磁流變液可以在牛頓流體、賓漢流體之間的相互轉(zhuǎn)化的特性,實(shí)現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的可控阻尼力?,F(xiàn)有技術(shù)的磁流變阻尼器是利用勵(lì)磁線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng),改變?cè)诤愣üぷ鏖g隙中流動(dòng)的磁流變液的黏度,進(jìn)而改變阻尼力。雖然現(xiàn)有技術(shù)的磁流變阻尼器實(shí)現(xiàn)了變阻尼,但仍存在著一定的缺陷:(I)工作間隙恒定導(dǎo)致阻尼力變化范圍?。?2)勵(lì)磁線圈通電時(shí)耗能大,斷電時(shí)容易導(dǎo)致懸浮顆粒沉降。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明需解決的技術(shù)問題是:針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的阻尼力變化范圍小等技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、具有變工作間隙和永久磁場(chǎng)、阻尼力調(diào)節(jié)范圍廣的磁流變阻尼器。
      [0004]為了解決上述問題,本發(fā)明提出的解決方案為:單桿多級(jí)繞射無源雙控變阻尼磁流變阻尼器,它包括流變液缸體、裝設(shè)于所述流變液缸體左端的左端蓋模塊、裝設(shè)于所述流變液缸體右端的右端蓋模塊、裝設(shè)于所述流變液缸體內(nèi)部的繞射活塞模塊、工作間隙大口和工作間隙小口。
      [0005]本發(fā)明的流變液缸體為空心圓柱體,其內(nèi)徑等于所述繞射活塞模塊的最大直徑;所述左端蓋模塊包括左端蓋、裝設(shè)于所述左端蓋內(nèi)側(cè)的左端蓋磁鐵、裝設(shè)于所述左端蓋磁鐵上的左端蓋保護(hù)層;所述右端蓋模塊包括右端蓋、設(shè)于所述右端蓋中心處的軸承孔、裝設(shè)于所述軸承孔內(nèi)的直線軸承、裝設(shè)于所述右端蓋內(nèi)側(cè)的右端蓋磁鐵、裝設(shè)于所述右端蓋磁鐵上的右端蓋保護(hù)層;所述繞射活塞模塊包括繞射活塞本體、活塞桿、活塞左磁鐵、活塞右磁鐵、活塞左保護(hù)層、活塞右保護(hù)層。
      [0006]本發(fā)明的繞射活塞本體上開設(shè)有一道蛇形彎曲內(nèi)徑漸變的繞射節(jié)流孔;所述繞射節(jié)流孔的一端開孔內(nèi)徑較大,為所述工作間隙大口,另一端開孔內(nèi)徑較小,為所述工作間隙小口 ;所述活塞桿的一端裝設(shè)有所述繞射活塞本體,另一端通過所述右端蓋保護(hù)層、所述右端蓋磁鐵和所述直線軸承,伸到所述流變液缸體的外部;所述繞射活塞模塊將所述流變液缸體的內(nèi)部空間分割為流變液左室和流變液右室;所述流變液左室與所述工作間隙大口相同,所述流變液右室與所述工作間隙小口相同;所述繞射活塞模塊運(yùn)動(dòng)時(shí),繞射節(jié)流孔變成了磁流變液流動(dòng)的工作間隙。
      [0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明的單桿多級(jí)繞射無源雙控變阻尼磁流變阻尼器設(shè)有繞射活塞本體,繞射活塞本體上開設(shè)有蛇形彎曲的繞射節(jié)流孔,當(dāng)磁流變液由工作間隙大口流入時(shí),由于繞射節(jié)流孔的內(nèi)徑越來越小,阻尼力變小,反之,由工作間隙小口流入時(shí)阻尼力增大;本發(fā)明還設(shè)有端蓋磁鐵和活塞磁鐵,有效防止了懸浮顆粒的沉降。由此可知,本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、采用變工作間隙拓寬了阻尼力調(diào)節(jié)范圍,并提高了磁流變液的穩(wěn)定性。
      【附圖說明】
      [0008]圖1是本發(fā)明的單桿多級(jí)繞射無源雙控變阻尼磁流變阻尼器的結(jié)構(gòu)原理示意圖。
      [0009]圖2是本發(fā)明的繞射活塞模塊的結(jié)構(gòu)原理圖。
      [0010]圖中,I—流變液缸體;2—左端蓋模塊;21—左端蓋;22—左端蓋磁鐵;23—左端蓋保護(hù)層;3—右端蓋模塊;31—右端蓋;32—右端蓋磁鐵;33—右端蓋保護(hù)層;34—直線軸承;35—軸承孔;4一繞射活塞模塊;41 一繞射活塞本體;42—繞射節(jié)流孔;421—工作間隙大口 ;422—工作間隙小口 ;43—活塞桿;44一活塞左磁鐵;45—活塞左保護(hù)層;46—活塞右磁鐵;47—活塞右保護(hù)層;51—流變液左室;52—流變液右室。
      【具體實(shí)施方式】
      [0011]以下將結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
      [0012]參見圖1所示,本發(fā)明的單桿多級(jí)繞射無源雙控變阻尼磁流變阻尼器,包括流變液缸體1、裝設(shè)于流變液缸體I左端的左端蓋模塊2、裝設(shè)于流變液缸體I右端的右端蓋模塊3、裝設(shè)于流變液缸體I內(nèi)部的繞射活塞模塊4、工作間隙大口 421和工作間隙小口 422 ;流變液缸體I為空心圓柱體,其內(nèi)徑等于繞射活塞模塊4的最大直徑;左端蓋模塊2包括左端蓋21、裝設(shè)于左端蓋21內(nèi)側(cè)的左端蓋磁鐵22、裝設(shè)于左端蓋磁鐵22上的左端蓋保護(hù)層23 ;右端蓋模塊3包括右端蓋31、設(shè)于右端蓋31中心處的軸承孔35、裝設(shè)于軸承孔35內(nèi)的直線軸承34、裝設(shè)于右端蓋31內(nèi)側(cè)的右端蓋磁鐵32、裝設(shè)于右端蓋磁鐵32上的右端蓋保護(hù)層33。
      [0013]參見圖1和圖2所示,繞射活塞模塊4包括繞射活塞本體41、活塞桿43、活塞左磁鐵44、活塞右磁鐵46、活塞左保護(hù)層45、活塞右保護(hù)層47 ;繞射活塞本體41上開設(shè)有一道蛇形彎曲內(nèi)徑漸變的繞射節(jié)流孔42 ;繞射節(jié)流孔42的一端開孔內(nèi)徑較大,為工作間隙大口421,另一端開孔內(nèi)徑較小,為工作間隙小口 422 ;活塞桿43的一端裝設(shè)有繞射活塞本體41,另一端通過右端蓋保護(hù)層33、右端蓋磁鐵32和直線軸承34,伸到流變液缸體I的外部。
      [0014]繞射活塞模塊4將流變液缸體I的內(nèi)部空間分割為流變液左室51和流變液右室52 ;流變液左室51與工作間隙大口 421相同,流變液右室52與工作間隙小口 422相同?’繞射活塞模塊4運(yùn)動(dòng)時(shí),繞射節(jié)流孔42構(gòu)成了磁流變液流動(dòng)的工作間隙;當(dāng)流變液由工作間隙大口 421流入時(shí),由于繞射節(jié)流孔的內(nèi)徑越來越小,阻尼力變小,反之,由工作間隙小口422流入時(shí)阻尼力增大。
      【主權(quán)項(xiàng)】
      1.單桿多級(jí)繞射無源雙控變阻尼磁流變阻尼器,其特征在于:包括流變液缸體(1)、裝設(shè)于所述流變液缸體(I)左端的左端蓋模塊(2)、裝設(shè)于所述流變液缸體(I)右端的右端蓋模塊(3)、裝設(shè)于所述流變液缸體(I)內(nèi)部的繞射活塞模塊(4)、工作間隙大口(421)和工作間隙小口(422);所述流變液缸體(I)為空心圓柱體,其內(nèi)徑等于所述繞射活塞模塊(4)的最大直徑;所述左端蓋模塊(2)包括左端蓋(21)、裝設(shè)于所述左端蓋(21)內(nèi)側(cè)的左端蓋磁鐵(22)、裝設(shè)于所述左端蓋磁鐵(22)上的左端蓋保護(hù)層(23);所述右端蓋模塊(3)包括右端蓋(31)、設(shè)于所述右端蓋(31)中心處的軸承孔(35)、裝設(shè)于所述軸承孔(35)內(nèi)的直線軸承(34)、裝設(shè)于所述右端蓋(31)內(nèi)側(cè)的右端蓋磁鐵(32)、裝設(shè)于所述右端蓋磁鐵(32)上的右端蓋保護(hù)層(33);所述繞射活塞模塊(4)包括繞射活塞本體(41)、活塞桿(43)、活塞左磁鐵(44)、活塞右磁鐵(46)、活塞左保護(hù)層(45)、活塞右保護(hù)層(47);所述繞射活塞本體(41)上開設(shè)有一道蛇形彎曲內(nèi)徑漸變的繞射節(jié)流孔(42);所述繞射節(jié)流孔(42)的一端開孔內(nèi)徑較大,為所述工作間隙大口(421),另一端開孔內(nèi)徑較小,為所述工作間隙小口(422);所述活塞桿(43)的一端裝設(shè)有所述繞射活塞本體(41),另一端通過所述右端蓋保護(hù)層(33)、所述右端蓋磁鐵(32)和所述直線軸承(34),伸到所述流變液缸體(I)的外部;所述繞射活塞模塊⑷將所述流變液缸體⑴的內(nèi)部空間分割為流變液左室(51)和流變液右室(52);所述流變液左室(51)與所述工作間隙大口(421)相同,所述流變液右室(52)與所述工作間隙小口(422)相同;所述繞射活塞模塊(4)運(yùn)動(dòng)時(shí),繞射節(jié)流孔(42)變成了磁流變液流動(dòng)的工作間隙。
      【專利摘要】本發(fā)明公開了單桿多級(jí)繞射無源雙控變阻尼磁流變阻尼器,屬于變阻尼磁流變液儀器領(lǐng)域。它包括流變液缸體、左端蓋模塊、右端蓋模塊、裝設(shè)于流變液缸體內(nèi)部的繞射活塞模塊、工作間隙大口和工作間隙小口;繞射活塞模塊包括繞射活塞本體、活塞桿、活塞左磁鐵、活塞右磁鐵、活塞左保護(hù)層、活塞右保護(hù)層;繞射活塞本體上開設(shè)有一道蛇形彎曲內(nèi)徑漸變的繞射節(jié)流孔;繞射節(jié)流孔的一端開孔內(nèi)徑較大,為工作間隙大口,另一端開孔內(nèi)徑較小,為工作間隙小口;繞射活塞模塊運(yùn)動(dòng)時(shí),繞射節(jié)流孔變成了磁流變液流動(dòng)的工作間隙。本發(fā)明是一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單合理、具有變工作間隙和永久磁場(chǎng)、阻尼力調(diào)節(jié)范圍廣的磁流變阻尼器。
      【IPC分類】F16F9/34, F16F9/53
      【公開號(hào)】CN105156573
      【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510427610
      【發(fā)明人】班書昊, 李曉艷, 蔣學(xué)東, 華同曙, 席仁強(qiáng), 譚鄒卿
      【申請(qǐng)人】常州大學(xué)
      【公開日】2015年12月16日
      【申請(qǐng)日】2015年7月20日
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