一種用于真空共晶爐上的密封裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種用于真空共晶爐上的密封裝置，包括密封蓋、密封環(huán)、第一高溫密封圈和第二高溫密封圈。密封蓋為‘T’形，‘T’形密封蓋的軸線方向設(shè)有通孔，第一高溫密封圈套在密封蓋的凸臺下方，密封蓋的外端表面與通孔的交匯處還設(shè)有導(dǎo)棱，第二高溫密封圈位于導(dǎo)棱形成的環(huán)形導(dǎo)棱槽中，密封環(huán)封堵并壓緊在第二高溫密封圈的外側(cè)。其結(jié)構(gòu)采用二道密封的方式，將真空腔體內(nèi)部以及待密封管件表面分別與外部進行密封，保證了密封質(zhì)量，提高了密封可靠性，并且整個安裝過程在真空腔體外就可完成，特別適合在空間較小、密封要求較高的真空共晶爐中使用。
【專利說明】
一種用于真空共晶爐上的密封裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型涉及一種真空密封裝置，特別涉及一種用于真空共晶爐上、針對鎧裝加熱器出入端進行真空密封的密封裝置，屬于焊接加工設(shè)備領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]真空共晶爐是芯片焊接加工領(lǐng)域中一種常見設(shè)備，其采用真空腔體的方式，將芯片放置在腔體內(nèi)的加熱臺上，利用加熱臺的升溫和降溫控制，完成芯片焊接過程。其中，升溫過程采用加熱管件進行加熱，以形成所需的加熱曲線，使加熱臺快速升溫。降溫過程采用冷卻管件進行快速降溫，以最大限度的使加熱臺溫度快速降低，方便焊點固化和芯片卸載。所以，相應(yīng)的加熱管件和降溫管件都需要穿入或穿出真空腔體，以便與外界電源或冷卻液相連，于是，對此類管件進行密封處理就成為必然。
[0003]現(xiàn)有真空共晶爐上使用的此類密封裝置都為常規(guī)的一道密封，制作中，要求密封口與待密封件外徑尺寸保持高度一致，稍有偏差或缺陷就會產(chǎn)生漏氣，影響密封效果。而安裝時，一道密封的封口需要緊固連接在待密封件表面，緊固連接過程容易造成待密封桿件表面磨損或者造成封口損傷，進而影響密封效果，給后續(xù)使用帶來不利影響。
[0004]于是，設(shè)計一種全新的靜態(tài)條件下的密封裝置，改善真空腔體的密封效果，就成為本實用新型想要解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于上述現(xiàn)有情況和不足，本實用新型旨在提供一種密封效果好，安裝簡單、方便，易于在較小空間安裝使用的用于真空共晶爐上的密封裝置，以降低對真空腔體和待密封管件的加工要求，簡化安裝過程，提高真空腔體的密封質(zhì)量。
[0006]本實用新型是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
[0007]—種用于真空共晶爐上的密封裝置，包括一個密封蓋和一個密封環(huán)，以及與密封蓋配合的第一高溫密封圈、與密封環(huán)配合的第二高溫密封圈；所述密封蓋為‘ T ’形，‘ T ’形密封蓋的軸線方向設(shè)有通孔，‘T’形密封蓋用于封堵在真空共晶爐腔體上的待密封階梯孔上；第一高溫密封圈位于階梯孔的臺階與‘T’形密封蓋的凸臺之間；密封蓋的外端表面與通孔的交匯處還設(shè)有導(dǎo)棱，第二高溫密封圈位于導(dǎo)棱形成的環(huán)形導(dǎo)棱槽中；密封環(huán)封堵并壓緊在第二高溫密封圈的外側(cè)，密封環(huán)螺栓連接在密封蓋上。
[0008]所述第一高溫密封圈的厚度大于階梯孔的臺階厚度。
[0009]第一高溫密封圈的厚度為階梯孔臺階厚度的1.25—1.33倍。
[0010]所述環(huán)形導(dǎo)棱槽的深度大于第二高溫密封圈的厚度。
[0011]所述環(huán)形導(dǎo)棱槽的深度為第二高溫密封圈厚度的1.3倍。
[0012]所述密封蓋的內(nèi)端表面與通孔的交匯處還設(shè)有導(dǎo)向棱。
[0013]本實用新型所述的一種用于真空共晶爐上的密封裝置的有益效果包括:
[0014]1、采用二道密封的方式，將真空腔體內(nèi)部以及待密封管件表面分別與外部進行密封，保證了密封效果，提高了密封可靠性；
[0015]2、通過密封蓋和密封環(huán)的組合，以及在密封蓋上設(shè)置導(dǎo)向棱，使整個密封裝置的安裝過程在真空腔體外就可完成，不會受到真空腔體內(nèi)部結(jié)構(gòu)的影響；
[0016]3、第一高溫密封圈通過擠壓變形形成密封，第二高溫密封圈通過導(dǎo)棱槽的引導(dǎo)形成定向的擠壓密封，不同的位置形成不同的密封方式，有效保證了密封質(zhì)量；
[0017]4、結(jié)構(gòu)簡單，操作和維護方便，特別適合在空間較小的環(huán)境中使用。
【附圖說明】
[0018]圖1為本實用新型的安裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖2為圖1的A-A向剖視圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖1、圖2對本實用新型做進一步的描述:
[0021]本實用新型所述的一種用于真空共晶爐上的密封裝置，包括一個密封蓋1、一個第一高溫密封圈2、一個密封環(huán)3和一個第二高溫密封圈4。
[0022]密封蓋I為‘T’形，‘T’形密封蓋I的軸線方向設(shè)有通孔，‘T’形密封蓋I用于封堵在真空共晶爐腔體6上的待密封階梯孔上。第一高溫密封圈2套在‘T’形密封蓋I的凸臺下方，第一高溫密封圈2被卡持在階梯孔的臺階與‘T’形密封蓋I的凸臺之間。由于第一高溫密封圈2用于防止真空共晶爐腔體6內(nèi)部與密封蓋I之間產(chǎn)生泄漏，故，除了將密封蓋I通過螺栓緊固在真空共晶爐腔體6的外壁上，第一高溫密封圈2的厚度還應(yīng)大于階梯孔的臺階厚度，從而在緊固密封蓋I的同時可以將第一高溫密封圈2壓緊在臺階面上，以形成良好的軸向擠壓密封。本例中，第一高溫密封圈2的厚度選擇為階梯孔臺階厚度的1.25倍，即第一高溫密封圈2的可壓縮量為25%。
[0023]在真空共晶爐的階梯孔中由于會伸出待密封管件5，為了將待密封管件5表面進行密封，在密封蓋I的外端表面與通孔的交匯處還設(shè)有導(dǎo)棱，導(dǎo)棱在密封蓋外端面上形成一個環(huán)形的導(dǎo)棱槽7，導(dǎo)棱槽7內(nèi)側(cè)為傾斜狀，第二高溫密封圈4放置在導(dǎo)棱槽7中。為使第二高溫密封圈4與待密封管件5表面形成良好密封，本例中，環(huán)形導(dǎo)棱槽7的深度大于第二高溫密封圈4的厚度，并且環(huán)形導(dǎo)棱槽7的深度為第二高溫密封圈4厚度的1.3倍，這樣，密封環(huán)3螺栓連接在密封蓋I上時，密封環(huán)3可將第二高溫密封圈4封堵并壓緊到導(dǎo)棱槽7的根部，從而使第二高溫密封圈4與待密封管件5表面形成密封。
[0024]由于真空共晶爐腔體6的體積較小，同時，連接在真空共晶爐內(nèi)加熱臺上的待密封管件5較多，使得整個密封裝置的安裝空間狹小，為方便安裝，本例中，在密封蓋I的內(nèi)端表面與通孔的交匯處還設(shè)有導(dǎo)向棱8，導(dǎo)向棱8可非常容易地將待密封管件5引導(dǎo)并插入到密封蓋I的通孔中，從而簡化了安裝過程。
[0025]具體安裝時，首先，將第一高溫密封圈2套在密封蓋I上，然后，通過導(dǎo)向棱8將密封蓋I套在伸出在腔體外的待密封管件5上，通過螺栓將密封蓋I固定連接在真空共晶爐腔體6的外壁上，同時，第一高溫密封圈2被壓緊在階梯孔的臺階面上，接著，將第二高溫密封圈4和密封環(huán)3分別套在待密封管件5上，并將第二高溫密封圈4放入到導(dǎo)棱槽7中，通過螺栓將密封環(huán)3貼緊并固定連接在密封蓋I上，同時，在導(dǎo)棱槽7的導(dǎo)向下，第二高溫密封圈4被引導(dǎo)并壓緊在導(dǎo)棱槽7的根部，第二高溫密封圈4與待密封管件5表面形成密封，整個安裝過程完成。
【主權(quán)項】
1.一種用于真空共晶爐上的密封裝置，其特征在于，包括一個密封蓋和一個密封環(huán)，以及與密封蓋配合的第一高溫密封圈、與密封環(huán)配合的第二高溫密封圈；所述密封蓋為‘T’形，‘T’形密封蓋的軸線方向設(shè)有通孔，‘T’形密封蓋用于封堵在真空共晶爐腔體上的待密封階梯孔上;所述第一高溫密封圈位于階梯孔的臺階與‘T’形密封蓋的凸臺之間;所述密封蓋的外端表面與通孔的交匯處還設(shè)有導(dǎo)棱，第二高溫密封圈位于導(dǎo)棱形成的環(huán)形導(dǎo)棱槽中；所述密封環(huán)封堵并壓緊在第二高溫密封圈的外側(cè)，密封環(huán)螺栓連接在密封蓋上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于真空共晶爐上的密封裝置，其特征在于，所述第一高溫密封圈的厚度大于階梯孔的臺階厚度。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于真空共晶爐上的密封裝置，其特征在于，第一高溫密封圈的厚度為階梯孔臺階厚度的1.25—1.33倍。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于真空共晶爐上的密封裝置，其特征在于，所述環(huán)形導(dǎo)棱槽的深度大于第二高溫密封圈的厚度。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于真空共晶爐上的密封裝置，其特征在于，所述環(huán)形導(dǎo)棱槽的深度為第二高溫密封圈厚度的1.3倍。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于真空共晶爐上的密封裝置，其特征在于，所述密封蓋的內(nèi)端表面與通孔的交匯處還設(shè)有導(dǎo)向棱。
【文檔編號】F16L5/02GK205534635SQ201620264061
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年4月1日
【發(fā)明人】張延忠, 趙永先
【申請人】北京中科同志科技股份有限公司