專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具備發(fā)光元件的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
顯示裝置可大致分為液晶顯示裝置這樣的非自發(fā)光型顯示裝置、和等離子體顯示器或有機場致發(fā)光顯示裝置這樣的自發(fā)光型顯示裝置。在這種顯示裝置中，可分為無源驅(qū)動方式與有源矩陣驅(qū)動方式，有源矩陣驅(qū)動方式的有機場致發(fā)光顯示器面板在高對比度、高清晰方面比無源驅(qū)動方式好。例如，在日本特開平8-330600號公報中記載的現(xiàn)有有源矩陣驅(qū)動方式的有機場致發(fā)光顯示顯示中，對每個象素設(shè)置有機場致發(fā)光元件(下面稱為有機EL元件。)、向柵極施加對應(yīng)于圖像數(shù)據(jù)的電壓信號后在有機EL元件中流過電流的驅(qū)動晶體管、和執(zhí)行向該驅(qū)動晶體管的柵極提供對應(yīng)于圖像數(shù)據(jù)的電壓信號的轉(zhuǎn)換的開關(guān)用晶體管。在該有機場致發(fā)光顯示器面板中，若選擇掃描線，則開關(guān)用晶體管成為導(dǎo)通，此時，構(gòu)成有機EL元件的亮度數(shù)據(jù)的電位的信號電壓經(jīng)數(shù)據(jù)線施加于驅(qū)動晶體管的柵極上。由此，驅(qū)動晶體管成為導(dǎo)通，大小對應(yīng)于柵極電壓值的驅(qū)動電流從電源經(jīng)驅(qū)動晶體管的源極-漏極流向有機EL元件，有機EL元件以對應(yīng)于電流大小的亮度發(fā)光。在從掃描線選擇結(jié)束之后到后面選擇該掃描線之間，即便開關(guān)用晶體管成為截止，驅(qū)動晶體管的柵極電壓值也保持不變，有機EL元件以按照對應(yīng)于電壓的驅(qū)動電流大小的亮度發(fā)光。
在有機場致發(fā)光顯示裝置中，在有機場致發(fā)光顯示器面板周圍設(shè)置驅(qū)動電路，向鋪設(shè)于有機場致發(fā)光顯示器面板中的掃描線、數(shù)據(jù)線、電源線等施加電壓。
另一方面，在現(xiàn)有的有源矩陣驅(qū)動方式的有機場致發(fā)光顯示裝置中，在開關(guān)用晶體管、驅(qū)動晶體管等象素電路的布線工序的同時，布線掃描線、數(shù)據(jù)線、電源線。即，在制造有機場致發(fā)光顯示裝置中，通過對構(gòu)成象素電路電極原料的薄膜執(zhí)行光刻法、蝕刻法，由該薄膜對象素電路的電極進行形狀加工，同時，還同時對連接于電極上的布線進行形狀加工。
當如此由構(gòu)成象素電路電極原料的薄膜來形成布線時，布線的厚度與象素電路的電極厚度相同，但為了與要求的象素電路的特性一致地設(shè)計象素電路的電極厚度，為了在多個象素中流過電流，布線成為高電阻，因布線的電阻或寄生容量，容易產(chǎn)生電壓下降或產(chǎn)生通過布線的電流延遲。尤其是連接于多個象素電路上的布線，由于多個發(fā)光元件而必需流過較大的電流，所以必需是低電阻。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明鑒于上述問題作出，其優(yōu)點在于抑制電壓下降或電流延遲的產(chǎn)生。
為了解決上述問題，本發(fā)明是一種顯示裝置，其特征在于具備基板；設(shè)置在所述基板上的發(fā)光元件；具有用于驅(qū)動所述發(fā)光元件的電極的象素電路；和布線，連接于所述象素電路上，具有與所述象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層。
另外，另一發(fā)明是一種顯示裝置，其特征在于具備基板；設(shè)置在所述基板上的多個發(fā)光元件；具有用于分別驅(qū)動所述發(fā)光元件的電極的多個象素電路；和象素電路連接布線，連接于所述多個象素電路上，具有與所述象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層。
此外，另一發(fā)明是一種顯示裝置，其特征在于具備基板；設(shè)置在所述基板上的多個發(fā)光元件；具有用于分別驅(qū)動所述發(fā)光元件的電極的多個象素電路；和發(fā)光元件連接布線，連接于所述多個發(fā)光元件上，具有與所述象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層。
另外，另一發(fā)明是一種顯示裝置，其特征在于具備具有發(fā)光層的多個發(fā)光元件；分別驅(qū)動所述多個發(fā)光元件的多個象素電路；和布線，連接于所述象素電路或所述發(fā)光元件上，同時，具有分隔所述發(fā)光層的導(dǎo)電層，作為成膜所述發(fā)光元件發(fā)光層的區(qū)域的至少一邊。
顯示裝置的制造方法的發(fā)明是一種顯示裝置的制造方法，其特征在于成膜象素電路連接布線，該布線連接于設(shè)置在基板上的多個象素電路上，具有與所述象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層。
在本發(fā)明中，因為設(shè)置具有與象素電路的電極不同的導(dǎo)電層的象素電路連接布線或發(fā)光元件連接布線，所以可使象素電路連接布線或發(fā)光元件連接布線的電阻比象素電路的電阻小。因此，可抑制布線中的電流延遲或電壓下降。
另外，另一發(fā)明是一種顯示裝置的制造方法，其特征在于設(shè)置具有與設(shè)置于基板上的多個象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層的布線，將所述布線作為分隔壁，成膜發(fā)光層。
在本發(fā)明中，因為設(shè)置具有與象素電路的電極不同的導(dǎo)電層的布線，所以可使布線的電阻比象素電路的電極的電阻小。因此，可抑制布線中的電流延遲或電壓下降。


圖1是晶體管陣列基板1的等效電路圖。
圖2是說明第1實施方式中制造場致發(fā)光顯示器面板的加工一工序用的截面圖。
圖3是說明圖2的下一工序用的截面圖。
圖4是說明圖3的下一工序用的截面圖。
圖5是說明圖4的下一工序用的截面圖。
圖6是說明圖5的下一工序用的截面圖。
圖7是說明圖6的下一工序用的截面圖。
圖8是圖5狀態(tài)下的平面圖。
圖9是顯示裝置的平面圖。
圖10是顯示裝置的等效電路圖。
圖11是說明第2實施方式中制造場致發(fā)光顯示器面板的加工一工序用的截面圖。
圖12是說明圖11的下一工序用的截面圖。
圖13是說明圖12的下一工序用的截面圖。
圖14是說明圖13的下一工序用的截面圖。
圖15是說明圖14的下一工序用的截面圖。
圖16是說明圖15的下一工序用的截面圖。
圖17是說明第3實施方式中制造場致發(fā)光顯示器面板的加工一工序用的截面圖。
圖18是說明圖17的下一工序用的截面圖。
圖19是說明圖18的下一工序用的截面圖。
圖20是說明圖19的下一工序用的截面圖。
圖21是說明圖20的下一工序用的截面圖。
圖22是說明圖21的下一工序用的截面圖。
圖23是說明第4實施方式中制造場致發(fā)光顯示器面板的加工一工序用的截面圖。
圖24是說明圖23的下一工序用的截面圖。
圖25是說明圖24的下一工序用的截面圖。
圖26是說明圖25的下一工序用的截面圖。
圖27是說明圖26的下一工序用的截面圖。
圖28是說明圖27的下一工序用的截面圖。
圖29是說明第5實施方式中制造場致發(fā)光顯示器面板的加工一工序用的截面圖。
圖30是說明圖28的下一工序用的截面圖。
圖31是說明圖30的下一工序用的截面圖。
圖32是說明圖31的下一工序用的截面圖。
圖33是說明圖32的下一工序用的截面圖。
圖34是說明圖33的下一工序用的截面圖。
圖35是說明第6實施方式中制造場致發(fā)光顯示器面板的加工一工序用的截面圖。
圖36是說明圖35的下一工序用的截面圖。
圖37是說明圖36的下一工序用的截面圖。
圖38是說明圖37的下一工序用的截面圖。
圖39是說明圖38的下一工序用的截面圖。
圖40是說明圖39的下一工序用的截面圖。
圖41是圖38狀態(tài)下的平面圖。
圖42是說明第7實施方式中制造場致發(fā)光顯示器面板的加工一工序用的截面圖。
圖43是說明圖42的下一工序用的截面圖。
圖44是說明第8實施方式中制造場致發(fā)光顯示器面板的加工一工序用的截面圖。
圖45是說明圖44的下一工序用的截面圖。
圖46是說明圖45的下一工序用的截面圖。
圖47是說明圖4的下一工序用的截面圖。
圖48是說明圖47的下一工序用的截面圖。
圖49是說明圖48的下一工序用的截面圖。
圖50是說明圖49的下一工序用的截面圖。
圖51是說明第9實施方式中制造場致發(fā)光顯示器面板的加工一工序用的截面圖。
圖52是說明圖51的下一工序用的截面圖。
圖53是說明圖52的下一工序用的截面圖。
圖54是說明圖53的下一工序用的截面圖。
圖55是說明圖54的下一工序用的截面圖。
圖56是說明圖55的下一工序用的截面圖。
圖57是說明第10實施方式中制造場致發(fā)光顯示器面板的加工一工序用的截面圖。
圖58是說明圖57的下一工序用的截面圖。
圖59是說明圖58的下一工序用的截面圖。
圖60是說明圖59的下一工序用的截面圖。
圖61是說明圖60的下一工序用的截面圖。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，可抑制布線中的電流延遲或電壓下降。
具體實施例方式
下面，參照附圖來說明實施本發(fā)明的最佳方式。但是，在下述的實施方式中，為了實施本發(fā)明而附加技術(shù)上最佳的各種限定，但發(fā)明范圍不限于下面的實施方式和圖示例。
用圖2-圖7來說明將作為發(fā)光元件的有機場致發(fā)光元件設(shè)為象素的顯示裝置的制造方法。圖2-圖7是制造方法中的各工序的截面圖，工序順序按圖2-圖7的順序。
首先，制造圖1、圖2所示的具有象素電路的晶體管陣列基板1。該晶體管陣列基板1是如下來制造，即，控制有機EL元件的象素電路6不是象以前那樣利用信號電壓來進行電壓亮度灰度控制的，而是通過在象素電路6內(nèi)流過電流值基于亮度灰度數(shù)據(jù)的亮度灰度電流(記憶電流)，產(chǎn)生電流值基于亮度灰度電流的電流值的驅(qū)動電流，并通過在后述的有機EL元件26中流過該驅(qū)動電流，來進行灰度控制，通過合適地執(zhí)行氣相成長法(例如PVD法、CVD法、濺射法等)等成膜工序、光刻法、金屬掩膜法等掩膜工序、蝕刻等形狀加工工序，在基板2上布圖構(gòu)成象素電路6的一部分的多個晶體管或電容10，由此來制造。
具體而言，如圖1所示，晶體管陣列基板1具備將玻璃或樹脂等形成薄片狀或板狀的絕緣性基板2；彼此平行地排列在基板2上的多個信號電流線(數(shù)據(jù)線)3、3、...；從平面看基板2時，與信號電流線3正交且彼此平行地排列在基板2上的多個掃描線4、4、...；在掃描線4、4、...各個之間與掃描線4平行地排列在基板2上的多個電流源線18、18、...和EL線19、19、...；沿信號電流線3、3、...和掃描線4、4、...、成二維陣列狀地排列在基板2上的多個象素電路6、6、...等。
象素電路6是對每個象素設(shè)置在象素周圍的電路。象素電路6具有三個薄膜晶體管(下面簡稱為晶體管。)7、8、9、和電容10。任一晶體管7、8、9都是N溝道MOS型場效應(yīng)晶體管，具備柵極7G、8G、9G(圖2等中示出)；覆蓋柵極7G、8G、9G的柵極絕緣膜41(圖2等中示出)；夾持柵極絕緣膜41、面對各柵極7G、8G、9G的半導(dǎo)體層42(圖2等中示出)；保護半導(dǎo)體層42的溝道表面不受蝕刻劑侵蝕的封閉(blocking)絕緣膜43(圖2等中示出)；形成于半導(dǎo)體層42兩端部上的雜質(zhì)半導(dǎo)體層44、44(圖2等中示出)；形成于一個雜質(zhì)半導(dǎo)體層44上的漏極7D、8D、9D(圖2等中示出)；形成于另一雜質(zhì)半導(dǎo)體層44上的源極7S、8S、9S(圖2等中示出)等，尤其是將非晶硅設(shè)為半導(dǎo)體層42(溝道區(qū)域)的a-Si晶體管，但也可以是將多晶硅設(shè)為半導(dǎo)體層42的p-Si晶體管。晶體管7、8、9的構(gòu)造可以是逆交錯型，也可以是共面型等類型。下面，將晶體管7稱為電流路徑控制晶體管7，將晶體管8稱為保持晶體管8，將晶體管9稱為電流控制晶體管9。這里，具備電流路徑控制晶體管7和保持晶體管8的電路相當于在選擇期間中在信號電流線3中流過規(guī)定電流值的記憶電流、同時在非選擇期間中停止在信號電流線3中流過電流的開關(guān)電路，具備電流控制晶體管9和電容10的電路相當于電流記憶電路，在選擇期間中，記憶基于經(jīng)信號電流線3流過的記憶電流的電流值的電流數(shù)據(jù)，并根據(jù)在該選擇期間中記憶的電流數(shù)據(jù)，在非選擇期間中，向有機EL元件26(圖8中所示)提供電流值基于記憶電流的電流值的驅(qū)動電流。另外，電流路徑控制晶體管7具有控制電流路徑的功能，以在非選擇期間中，不在信號電流線3中流過從電流控制晶體管9流出的驅(qū)動電流，而使該電流流過有機EL元件26。保持晶體管8具有保持基于選擇期間中流過的記憶電流的電流值的電流控制晶體管9的柵極9S-源極9S的電壓、直到非選擇期間為止的功能。另外，圖2-圖7是沿正交于掃描線4的面切斷電流控制晶體管9時的晶體管陣列基板1的截面圖，表示一個象素。其它象素也通過各工序而成為圖2-圖7的狀態(tài)。
如圖1所示，將電流路徑控制晶體管7的柵極7G連接于掃描線4上，將電流路徑控制晶體管7的源極7S連接于信號電流線3上，將電流路徑控制晶體管7的漏極7D連接于電流控制晶體管9的源極9S上。將保持晶體管8的柵極8G連接于掃描線4上，將保持晶體管8的漏極8D連接于電流控制晶體管9的漏極9D和電流源線18上，將保持晶體管8的源極8S連接于電流控制晶體管9的柵極9G上。電流控制晶體管9的漏極9D連接在電流源線18。電容10具有連接于電流控制晶體管9的柵極9G的電極、連接于電流控制晶體管9的源極9S上的電極、和介于這兩個電極之間的電介質(zhì)膜，具有在電流控制晶體管9的柵極9G與源極9S之間積累電荷的功能。電容10的電介質(zhì)膜也可具有柵極絕緣膜41。
由于上述晶體管7、8、9是在同一工序中同時布圖的，所以柵極7G、8G、9G、柵極絕緣膜41、半導(dǎo)體層42、雜質(zhì)半導(dǎo)體層44、漏極7D、8D、9D、源極7S、8S、9S等的組成在晶體管7、8、9中是相同的，但晶體管7、8、9的形狀、大小、尺寸、溝道寬度、溝道長度等可對應(yīng)于晶體管7、8、9各自的功能而不同。
信號電流線3、3、...通過在同一工序中同時布圖構(gòu)成晶體管7、8、9的各源極7S、8S、9S、漏極7D、8D、9D的源極、漏極導(dǎo)電膜來形成。
掃描線4、4、...通過在同一工序中同時布圖構(gòu)成晶體管7、8、9的各柵極7G、8G、9G的柵極導(dǎo)電膜來形成。
另外，圖9所示的布線36、36、布線39、39、多個布線45的下層都布圖柵極導(dǎo)電膜，上層都布圖源極、漏極導(dǎo)電膜。布線36、36、布線39、39、多個布線45都設(shè)置于非顯示區(qū)域中，所以即便像柵極導(dǎo)電膜或源極、漏極導(dǎo)電膜那樣薄，也可通過設(shè)置成寬幅來構(gòu)成足夠的低電阻。
另外，如圖2所示，在晶體管陣列基板1的表層，整面成膜平坦化膜11，利用平坦化膜11來覆蓋信號電流線3、3、...、掃描線4、4、...和象素電路6、6、...。平坦化膜11是在用于保護晶體管7、8、9的氮化硅、氧化硅等無機層間絕緣膜上層疊成膜厚成表面被平坦化程度的聚酰亞胺等感光性絕緣膜。另外，將晶體管陣列基板1的各層中、從基板2的表面至平坦化膜11的表面之間的多層膜稱為晶體管層。
如圖2所示，通過對準備的晶體管陣列基板1實施光刻法、蝕刻法等，在平坦化膜11上形成通過各電流控制晶體管9的源極9S的接觸孔12和通過各電流控制晶體管9的漏極9D的接觸孔13。同時，在布線36、36各一端部上的平坦化膜11上形成接觸孔37、37，在布線39、39各一端部上的平坦化膜11上形成接觸孔40、40，并在各電流源線18、18、...的端部中形成接觸孔46。
之后，布圖形成由氮化硅或氧化硅構(gòu)成的有機EL分離絕緣膜14，使之在縱向上(列方向)上相鄰的象素之間與掃描線4平行。有機EL分離絕緣膜14經(jīng)所謂氣相成長法的薄膜形成工序、光刻法等掩膜工序、所謂蝕刻法的形狀加工工序來布圖。
之后，如圖3所示，利用濺射等氣相成長法，在晶體管陣列基板1的一個面中成膜由金、銀、銅、鋁、鈦或鉻等金屬材料構(gòu)成的高反射率的反射金屬膜15。反射金屬膜15在接觸孔12、13內(nèi)也在表面上成膜。
之后，通過濺射等氣相成長法，在反射金屬膜15上的一個面中成膜透明金屬氧化物膜16。透明金屬氧化物膜16由氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含它們中的至少一個的混合物(例如錫摻雜氧化銦(ITO)、鋅摻雜氧化銦、鎘錫氧化物(CTO))構(gòu)成。透明金屬氧化物膜16在接觸孔12、13內(nèi)也在表面上成膜。
之后，利用濺射等氣相成長法，在透明金屬氧化物膜16上的一個面中成膜金屬層17，該金屬層17具有30nm-50nm左右厚度的由銅或鎳等金屬材料構(gòu)成的下層、和通過電解電鍍等在該下層上形成的500nm左右的銅等上層。
之后，形成露出與接觸孔13重疊并且沿行方向的部分金屬層17、以及與有機EL分離絕緣膜14重疊并且沿行方向的部分金屬層17的光刻膠膜61。同時，光刻膠膜6 1露出通過接觸孔37與布線36連接的金屬層17，露出通過接觸孔40與布線39連接的金屬層17，以及露出通過各接觸孔46與布線45連接的金屬層17。
之后，將露出的金屬層17作為電極，執(zhí)行電解電鍍，由此如圖4所示，在露出的金屬層17上，分別形成膜厚為2微米-100微米、并且寬度為2微米-50微米的銅等電鍍電流源線18、18、...、EL線19、19、...、和在顯示區(qū)域外的左側(cè)彼此連接EL線19、19、...的共同布線35、以及在顯示區(qū)域外的右側(cè)彼此連接EL線19、19、...的共同布線38。經(jīng)接觸孔37、37將共同布線35連接于布線36、36上，經(jīng)接觸孔40、40將共同布線38連接于布線39、39上。經(jīng)各接觸孔46將電流源線18、18、...連接于各布線45、45上。
堆積電流源線18、18、...、EL線19、19、共同布線35和共同布線38，使它們都比晶體管7、8、9的源極7S、8S、9S和漏極7D、8D、9D的膜厚厚，電流源線18、18、...、EL線19、19、...、共同布線35和共同布線38的每單位長度的電阻全都比晶體管7、8、9的源極7S、8S、9S和漏極7D、8D、9D的每單位長度的電阻小。另外，最好電流源線18、18、...、EL線19、19、...、共同布線35及共同布線38的電阻率全都比晶體管7、8、9的源極7S、8S、9S和漏極7D、8D、9D的導(dǎo)電材料的電阻率低。另外，堆積電流源線18、18、...、EL線19、19、共同布線35和共同布線38，使得全都比晶體管7、8、9的柵極7G、8G、9G的膜厚厚，電流源線18、18、...、EL線19、19、...、共同布線35和共同布線38的每單位長度的電阻全都比晶體管7、8、9的柵極7G、8G、9G的每單位長度的電阻小。最好電流源線18、18、...、EL線19、19、...、共同布線35及共同布線38的電阻率全都比晶體管7、8、9的柵極7G、8G、9G的導(dǎo)電材料的電阻率低。另外，電流源線18相當于象素電路連接布線的導(dǎo)電層，將沿掃描線4排列在同一行的象素電路6、6、...連接于同一電流源線18上。這樣，電流源線18、18、...、EL線19、19、...、共同布線35和共同布線38是電阻，形成為長條，與此相反，由于布線36、36、布線39、39和各布線45較短，所以對整體的布線電阻的影響小。
電流源線18、18、...的條數(shù)、EL線19、19、...的條數(shù)和布線45、45、...的條數(shù)都與掃描線4、4、...的條數(shù)相同，對各行各設(shè)一條電流源線18、EL線19、布線45和掃描線4。之后，去除光刻膠膜61。另外，也可代替電解電鍍，而通過濺射法、升華蒸鍍法或分配器(dispenser)法來成膜銅厚膜。
另外，通過蝕刻對去除被電流源線18、18、...、EL線19、19、...、共同布線35和共同布線38覆蓋的部分后露出的金屬層17進行形狀加工，可在電流源線18、18、...的下方形成底部層17a，在EL線19、19、...的下方形成底部層17b。
之后，如圖5所示，通過將對透明金屬氧化物膜16實施光刻法、蝕刻法所形成的抗蝕劑掩膜作為掩膜，對每個象素殘留透明金屬氧化物膜16，布圖形成象素電極16a，同時，使設(shè)置在將電流源線18、18、...作為掩膜的底部層17a下方的透明金屬氧化物膜16殘留，形成透明金屬氧化物底部膜16b，并使設(shè)置在底部層17b下方的透明金屬氧化物膜16殘留，形成透明金屬氧化物底部膜16c。這里，布圖透明金屬氧化物膜16，以便平面看時，殘留的象素電極16a重疊于接觸孔12上，并且，殘留的象素電極16a對每個象素獨立。象素電極16a用作后述的有機EL元件26(圖8中所示)的陽極。底部層17a和透明金屬氧化物底部膜16b的形狀與電流源線18大致相同，沿行方向延伸。底部層17b和透明金屬氧化物底部膜16c的形狀與EL線19大致相同，沿行方向延伸。另外，圖5是作為沿后述圖8的(V)-(V)線的面的、沿箭頭方向看的面的截面圖。
之后，將象素電極16a和抗蝕劑掩膜作為掩膜，將反射金屬膜15布圖成與象素電極16a一樣的形狀，形成反射金屬底部膜15a，并蝕刻以殘留透明金屬氧化物底部膜16b下方的反射金屬膜15，形成反射金屬底部膜15b，并蝕刻以殘留透明金屬氧化物底部膜16c下方的反射金屬膜15，形成反射金屬底部膜15c。另外，平面看，反射金屬底部膜15a配置成重疊在接觸孔12上。因此，象素電極16a彼此對每個象素電絕緣，并且，與該象素的電流控制晶體管9的源極9S連接。圖5狀態(tài)的晶體管陣列基板1的電路圖為圖1。
另外，在未設(shè)置該有機EL元件26的構(gòu)造的晶體管陣列基板1中，由于使檢查用掃描驅(qū)動器連接于各掃描線4上，使輸出規(guī)定電壓的檢查用驅(qū)動驅(qū)動器連接于電流源線18上，使在信號電流線3中流過規(guī)定電流值的電流的檢查用電流控制驅(qū)動器連接于信號電流線3上，然后進行驅(qū)動，以便從驅(qū)動驅(qū)動器向掃描線4、電流源線18施加規(guī)定電壓，并從電流控制驅(qū)動器向信號電流線3流過規(guī)定電流，檢測從電流源線18經(jīng)由各象素電路6的電流控制晶體管9的源極9S、漏極9D之間和電流路徑控制晶體管7的源極7S、漏極7D之間向信號電流線3是否流過規(guī)定電流值的電流。這樣，在設(shè)置有機EL元件26的前階段中，由于能確認各象素電路6是否正常，所以假設(shè)在晶體管陣列基板1的某個象素電路6的晶體管7、8、9、電容10之一中有動作不良、被認定為不合格品的情況下，由于在該晶體管陣列基板1中不形成有機EL元件26即可，所以可提高生產(chǎn)性。
圖8是圖5狀態(tài)下的象素電路6的主要部分的大致平面圖，相對掃描線4平行地設(shè)置電流源線18和EL線19。另外，如圖5所示，平面看，由于電流源線18的一部分形成為相對設(shè)置在排列于橫向(行方向)上的全部象素、即各行的象素的接觸孔13中的底部層17一致，所以各行的全部象素的電流控制晶體管9的漏極9D成為分別電連接于各行的電流源線18上的狀態(tài)。
另外，圖8中，在與晶體管7-9的源極7S、8S、9S一體形成的信號電流線3、和與晶體管7-9的柵極7G、8G、9G一體形成的掃描線4之間，除柵極絕緣膜41之外，還形成布圖與半導(dǎo)體層42相同膜所構(gòu)成的保護膜42a。另外，保持晶體管8的源極8S與電流控制晶體管9的柵極9G經(jīng)設(shè)置于柵極絕緣膜41中的接觸孔31來彼此連接。
之后，如圖6所示，通過向各電流源線18施加電壓的電泳涂漆法，形成電流源線絕緣膜21，以便僅選擇地覆蓋電流源線18、共同布線35和共同布線38的表面。另外，也可代替電流源線絕緣膜21，陽極氧化電流源線18、共同布線35和共同布線38的表面，覆蓋絕緣膜。
另外，也可使用氣相成長法、光刻法、蝕刻法來布圖由氮化硅膜或氧化硅等的無機絕緣膜、或疏水性有機絕緣膜構(gòu)成的電流源線絕緣膜21，以僅覆蓋電流源線18。另外，也可在掩膜的狀態(tài)下執(zhí)行旋涂法，通過剝離掩膜(離地(lift off)法)，布圖由絕緣材料構(gòu)成的電流源線絕緣膜21，以僅覆蓋電流源線18。
之后，如圖6所示，利用液滴噴出法(噴墨法)、旋涂法、浸漬涂布法、針(needle)的滴下法等濕式成膜法，成膜由PEDOT(聚噻吩)和作為摻雜物的PSS(聚苯乙烯磺酸)構(gòu)成的形成空穴傳輸層22的溶液?？昭▊鬏攲?2可以形成于晶體管陣列基板1的一個面中，并使其在所有象素中共通，也可形成為對每個象素獨立。此時，最好電流源線絕緣膜21和有機EL分離絕緣膜14對于空穴傳輸層材料含有溶液或發(fā)光層材料含有溶液顯示出疏液性。若顯示疏液性，則空穴傳輸層材料含有溶液或發(fā)光層材料含有溶液由于未沿EL線19偏向成膜，所以可以均勻的厚度在象素電極16a上成膜。圖中，示出在將包含空穴傳輸層22的溶液或懸濁液填充在包圍電流源線18和EL線19的區(qū)域中后，通過溶劑或水的揮發(fā)，成膜空穴傳輸層22的狀態(tài)。
在干燥空穴傳輸層22之后，通過液滴噴出法(噴墨法)、旋涂法、浸漬涂布法、基于針的注入等的濕式成膜法來成膜備有具有共軛雙鍵的聚對亞乙烯基(ポリパラビニレン)類發(fā)光材料或聚芴類發(fā)光材料的含有發(fā)光層23的溶液。發(fā)光層23如圖9所示，沿電流源線18和EL線19，在多個象素中連續(xù)形成，在每行構(gòu)成發(fā)出紅色光的紅發(fā)光層23R、發(fā)出綠色光的綠發(fā)光層23G、發(fā)出藍色光的藍發(fā)光層23B。這里，雖然在有機EL分離絕緣膜14上殘留反射金屬底部膜15c、透明金屬氧化物底部膜16c、底部層17b和EL線19，但空穴傳輸層22的膜厚或發(fā)光層23的膜厚比有機EL分離絕緣膜14的膜厚薄。另外，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液的高度和構(gòu)成覆蓋在象素區(qū)域中時的發(fā)光層23的溶液或懸濁液的高度都比電流源線18的高度或EL線19的高度低。因此，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液不會越過電流源線18和EL線19而流出到相鄰行的象素。這樣，電流源線18和EL線19用作防止構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液流出的分隔壁。因此，如圖9所示，若設(shè)沿電流源線18和EL線19包圍的行方向的多個象素為發(fā)出相同色光的發(fā)光層，則可通過使包含發(fā)光層23的溶液或懸濁液統(tǒng)一流入電流源線18和EL線19之間，在行方向的多個象素中統(tǒng)一成膜發(fā)光層23。
接著，如圖7所示，通過蒸鍍等氣相成長法，單面成膜二層構(gòu)造的共同電極24，作為陰極電極，該二層構(gòu)造包括由鎂、鈣、鋰、鈀、稀土類金屬等低工作函數(shù)材料構(gòu)成的電子注入層、和具有氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含其中至少一個的混合物(例如錫摻雜氧化銦(ITO)、鋅摻雜氧化銦、鎘錫氧化物(CTO))的透明導(dǎo)電層。為了薄至10nm-200nm厚度使可視光透過的程度，電子注入層可利用電流源線18或EL線19的級差來切斷，但為了使多個象素的有機EL元件26的一個電極成為彼此相等的電位，跨躍電流源線18上的電流源線絕緣膜21上且跨躍EL線19上地成膜共同電極24中的透明導(dǎo)電層。由此，發(fā)光層23在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24覆蓋，進而，EL線19也在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24被覆蓋，與共同電極24電連接。圖7中，按象素電極16a、空穴傳輸層22、發(fā)光層23、共同電極24的順序來層疊構(gòu)成有機EL元件26，共同電極24覆蓋全部象素(有機EL元件26)地連續(xù)形成。
之后，通過旋涂法、浸漬涂布法、氣相成長法來單面成膜保護涂層絕緣層25。
之后，如圖9所示，使掃描驅(qū)動器32的各端子與在各布線36的露出接觸孔37相反側(cè)的端部連接。接著，使電流控制用數(shù)據(jù)驅(qū)動器33的各端子連接于各信號電流線3的露出端部上。并且，經(jīng)各布線45將電流源驅(qū)動器34的各端子連接于各電流源線18上。另外，將從掃描驅(qū)動器32和電流源驅(qū)動器34輸出的恒定電壓VSS經(jīng)布線36、布線39、共同布線35、共同布線38和EL線19提供給共同電極24。另外，基板2的上面可由透明密封基板來覆蓋，有機EL元件26可由基板2和透明密封基板來覆蓋。這樣，有源矩陣驅(qū)動方式的顯示裝置完成。
完成的顯示裝置具備圖10的電路。如圖10所示，在電流源線18與EL線19之間，串聯(lián)連接電流控制晶體管9與有機EL元件26。即，將電流控制晶體管9的漏極9D連接于電流源線18上，將電流控制晶體管9的源極9S連接于作為有機EL元件26的陽極的象素電極16a上，將作為有機EL元件26的陰極的共同電極24連接于EL線19上。另外，有機EL元件19相當于發(fā)光元件連接布線的導(dǎo)電層，將沿掃描線4排列在同一行的有機EL元件26，26…連接于同一EL線19上。
說明該場致發(fā)光顯示器面板的驅(qū)動方法一例。
掃描驅(qū)動器32依次向多個掃描線4輸出導(dǎo)通電平(高電平)的移位脈沖，與之同步地，電流源驅(qū)動器34依次向多個電流源線18輸出低電平(比EL線19的恒定電壓VSS低的電位或與電壓VSS相等的電位)的移位脈沖，在分別向掃描線4輸出移位脈沖時，數(shù)據(jù)驅(qū)動器33經(jīng)連接于信號電流線3和電流控制晶體管9上的電流路徑控制晶體管7的漏極7D-源極7S，強制地在電流控制晶體管9的漏極9D-源極9S之間流過基于亮度灰度的電流值的記憶電流(拉拔電流)。
具體而言，在某行的選擇期間，向該行的掃描線4輸出高電平的移位脈沖，并且在向該行以外的多個掃描線4施加截止電平(低電平)的電壓時，向該行的電流源線18輸出比EL線19的恒定電壓VSS低的電位或與該電壓VSS相等的電位的低電平的移位脈沖。此時，電流路徑控制晶體管7和保持晶體管8成為導(dǎo)通狀態(tài)(選擇狀態(tài))。此時，數(shù)據(jù)驅(qū)動器33進行控制，以在電流控制晶體管9的漏極9D-源極9S之間強制地流過對應(yīng)于灰度數(shù)據(jù)的電流值的記憶電流。記憶電流從電流源線18經(jīng)由電流控制晶體管9的漏極9D-源極9S之間、電流路徑控制晶體管7的漏極7D-源極7S之間流向信號電流線3。該記憶電流的電流值對應(yīng)于有機EL元件26的發(fā)光亮度灰度，由數(shù)據(jù)驅(qū)動器33來自動控制。
在晶體管的特性上，在電流控制晶體管9的漏極9D-源極9S之間流過的電流的電流值取決于電流控制晶體管9的柵極9G-源極9S之間的電位和電流控制晶體管9的漏極9D-源極9S之間的電位。數(shù)據(jù)驅(qū)動器33對應(yīng)于記憶電流的電流值來設(shè)定電流控制晶體管9的柵極9G-源極9S之間的電位和電流控制晶體管9的漏極9D-源極9S之間的電位，利用充電到電流控制晶體管9的柵極9G-源極9S之間的電容10中的電荷，在此后的發(fā)光期間中保持(記憶)此時的柵極9G-源極9S之間的電壓值。在該行的選擇期間后的發(fā)光期間中，通過掃描驅(qū)動器32，該行的掃描線4成為截止電平，電流路徑控制晶體管7和保持晶體管8成為截止狀態(tài)，但通過截止狀態(tài)的保持晶體管8來保持電容10的電荷，維持電流控制晶體管9的柵極9G-源極9S之間的電壓不變。此時，通過電流源線18成為高電平(比EL線19的電壓高的電平)，電流控制晶體管9的漏極9D-源極9S之間越是處于飽和狀態(tài)，則電位差越大，所以從電流源線18經(jīng)電流控制晶體管9向有機EL元件26中流過由電流控制晶體管9的柵極9G-源極9S之間的電壓大小唯一確定電流值的驅(qū)動電流，根據(jù)驅(qū)動電流的電流值，有機EL元件26發(fā)光。驅(qū)動電流的大小取決于電流控制晶體管9的柵極9G-源極9S之間的電壓。因此，利用選擇期間中的記憶電流的電流值來唯一確定發(fā)光期間中的驅(qū)動電流的電流值。之后，通過對選擇期間、發(fā)光期間錯開每行，場致發(fā)光顯示器面板可進行幀顯示。
如上所述，由信號電流線3拉拔的記憶電流的電流值與流過一個有機EL元件26的驅(qū)動電流的電流值基本相等，所以信號電流線3可設(shè)定為即便使用與晶體管7、8、9的源極、漏極相同的膜、也足夠用的程度的電阻。另外，掃描線4由于只要利用電壓調(diào)制來導(dǎo)通截止控制電流路徑控制晶體管7和保持晶體管8即可，所以未必流過大電流，可設(shè)定為即便使用與晶體管7、8、9的柵極相同的膜也足夠用的程度的電阻。
但是，由于某行的電流源線18在該行的發(fā)光期間成為分別流過該行的多個象素的有機EL元件26的驅(qū)動電流的電流源，所以必需是流過大電流值的電流的低電阻。另外，由于某行的EL線19在該行的發(fā)光期間中統(tǒng)一流過分別流過該行的多個象素的有機EL元件26的驅(qū)動電流，所以必需是流過大電流值的電流的低電阻。這種電流源線18和EL線19的電阻必需隨著各行的象素數(shù)量(有機EL元件26的數(shù)量)增加而減小，若象素數(shù)量充分大，則有可能僅通過使用與晶體管7、8、9的柵極相同的膜則無法流過充分大的電流。
這里，在本實施方式中，因為由與構(gòu)成晶體管7、8、9的一部分的導(dǎo)電膜不同的導(dǎo)電膜來形成電流源線18和EL線19，所以電流源線18、18、...和EL線19、19、...可堆積得比晶體管7、8、9的源極7S、8S、9S、漏極7D、8D、9D的膜厚要厚，可將每單位長度的電阻設(shè)定得比源極7S、8S、9S、漏極7D、8D、9D小。另外，可將電流源線18、18、...和EL線19、19、...堆積得比晶體管7、8、9的柵極7G、8G、9G的膜厚要厚，可對于柵極7G、8G、9G，將每單位長度的電阻設(shè)定得小。因此，可使電流源線18或EL線19的電阻低，抑制從發(fā)光期間的開始時到有機EL元件26在期望的亮度(灰度)發(fā)光為止的時間延遲，或抑制電流源線18或EL線19中的電壓下降。另外，通過將電流源線18或EL線19成為低電阻，可抑制場致發(fā)光顯示器面板的亮度下降、亮度的不均、串擾等顯示惡化。
例如，在將電流源線18和EL線19設(shè)定為布線寬度20微米、布線長度664mm、并如本發(fā)明那樣使用膜厚5微米的銅的情況下，成為薄片電阻0.003Ω/□，電阻111Ω，將40mA時的電壓下降抑制到4.4V。另一方面，如以前那樣，在將用于晶體管7、8、9的漏極、源極中的膜厚0.3微米的Al-Ti用作電流源線18和EL線19的情況下，成為薄片電阻0.5Ω/□，電阻16600Ω，40mA時的電壓下降為6644V。
另外，本發(fā)明不限于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明精神的范圍下，可進行各種改良和設(shè)計上的變更。
例如，也可在柵極絕緣膜41和平坦化膜11中設(shè)置接觸孔，以使去除與信號電流線3交叉部分的掃描線4露出，在與電流源線18和EL線19的成膜相同的工序中，在掃描線4上形成電鍍層，使掃描線4低電阻化。該電鍍層為了與共同電極24絕緣，與電流源線18的電流源線絕緣膜21一樣，在與共同電極24之間夾入絕緣膜，并電連接于晶體管7、8、9的柵極上。
另外，在上述實施方式中，將晶體管7、8、9說明為N溝道型的薄膜晶體管，但晶體管7、8、9也可以是P溝道型的薄膜晶體管。在晶體管7、8、9是P溝道型的薄膜晶體管的情況下，由于源極與漏極的連接相反，所以只要將上述說明中的源極置換成漏極，將漏極置換成源極即可，只要將信號的高電平置換成低電平，將低電平置換成高電平即可。另外，即便在該情況下，記憶電流的方向也不變。
用圖11-圖16來說明第2實施方式中的顯示裝置的制造方法。圖11-圖16是制造方法中的各工序的截面圖，工序順序按圖11-圖16的順序。另外，圖11-圖16中，向?qū)?yīng)于第1實施方式中的顯示裝置的各部的部分附加相同符號，部分省略與第1實施方式相同的工序部分。
首先，如圖11所示，制造晶體管陣列基板1。之后，通過在平坦化膜11上順序執(zhí)行基于氣相成長法等的反射金屬膜15的成膜工序、光刻法等掩膜工序、蝕刻等形狀加工工序，對每個象素布圖形成反射金屬膜15d。
之后，通過實施氣相成長法，在一個面的整個面上成膜透明絕緣膜131，以覆蓋反射金屬膜15d。利用透明絕緣膜131來將反射金屬膜15d電絕緣。如此來將透明絕緣膜131成膜，這是第2實施方式與第1實施方式的不同的處。
之后，通過實施光刻法、蝕刻法等，在平坦化膜11和透明絕緣膜131中形成通過各電流控制晶體管9的源極9S的接觸孔12和通過各電流控制晶體管9的漏極9D的接觸孔13。然后，布圖由氮化硅或氧化硅構(gòu)成的有機EL分離絕緣膜14，使之在縱向上相鄰的象素之間與掃描線4平行。
之后，如圖12所示，利用氣相成長法，在透明絕緣膜131上的一個面中成膜透明金屬氧化物膜16。透明金屬氧化物膜16在接觸孔12、13內(nèi)也于表面成膜，連接于電流控制晶體管9的漏極9D和源極9S上。這樣，通過透明絕緣膜131使反射金屬膜15d與透明金屬氧化物膜16電分離，這是第2實施方式與第1實施方式的不同的處。
之后，通過濺射等氣相成長法，在透明金屬氧化物膜16上的一個面中成膜由銅、鎳等金屬材料構(gòu)成的金屬層17。形成露出與接觸孔13重疊并且沿行方向的部分金屬層17、和與有機EL分離絕緣膜14重疊并且沿行方向的部分金屬層17的光刻膠膜62。另外，光刻膠膜62與第1實施方式的光刻膠膜61一樣，露出通過接觸孔37與布線36連接的金屬層17，露出通過接觸孔40與布線39連接的金屬層17，以及露出通過各接觸孔46與布線45連接的金屬層17。
之后，通過執(zhí)行電解電鍍，如圖13所示，在露出的金屬層17上，形成由膜厚比晶體管7、8、9的源極、漏極、柵極膜厚厚的2微米-10微米的鍍銅厚膜、寬度為5微米-50微米的鍍銅厚膜構(gòu)成的電流源線18和EL線19。由此，沿行方向排列的多個象素的電流控制晶體管9的漏極9D成為電連接于共同的電流源線18上的狀態(tài)。另外，也可代替電解電鍍，利用濺射法或升華蒸鍍法來成膜銅厚膜。電流源線18、18、...和EL線19、19、...的數(shù)量都與掃描線4、4、...相同，在各行各設(shè)置一條電流源線18、EL線19和掃描線4。
之后，如圖14所示，在去除光刻膠膜62之后，將電流源線18和EL線19作為掩膜，蝕刻去除露出的金屬層17，并在電流源線18、18、...的下方形成底部層17a，在EL線19、19、...的下方形成底部層17b。并且，通過對透明金屬氧化物膜16實施光刻法、蝕刻法，布圖象素電極16a，同時，使設(shè)置在將電流源線18作為掩膜的底部層17a下方的透明金屬氧化物膜16殘留，形成透明金屬氧化物底部膜16b，并使設(shè)置在底部層17b下方的透明金屬氧化物膜16殘留，形成透明金屬氧化物底部膜16c。
之后，布圖形成電流源線絕緣膜21，以僅覆蓋電流源線18。之后，如圖15所示，利用液滴噴出法(噴墨法)、旋涂法、浸漬涂布法、基于針(needle)的滴下法等濕式成膜法，成膜由PEDOT(聚噻吩)和作為摻雜物的PSS(聚苯乙烯磺酸)構(gòu)成的空穴傳輸層22。空穴傳輸層22可以形成于晶體管陣列基板1的一個面中，并使之在所有象素中共通，也可形成為對每個象素獨立。圖中，示出在將包含空穴傳輸層22的溶液或懸濁液填充在電流源線18和EL線19包圍的區(qū)域中后，通過溶劑或水的揮發(fā)，成膜空穴傳輸層22的狀態(tài)。
在將空穴傳輸層22干燥之后，與第1實施方式一樣，通過液滴噴出法(噴墨法)、基于針的滴下法等濕式成膜法，對每個象素布圖由聚芴類發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層23。這里，在有機EL分離絕緣膜14上殘留透明金屬氧化物底部膜16c、底部層17b和EL線19，但空穴傳輸層22的膜厚或發(fā)光層23的膜厚比有機EL分離絕緣膜14的膜厚薄。另外，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液的高度和構(gòu)成覆蓋在象素區(qū)域中時的發(fā)光層23的溶液或懸濁液的高度都比電流源線18的高度或EL線19的高度低。因此，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液不會越過電流源線18和EL線19而流出到相鄰行的象素。這樣，電流源線18和EL線19用作防止構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液流出的分隔壁。因此，如圖9所示，若使沿電流源線18和EL線19包圍的行方向的多個象素為發(fā)出相同色光的發(fā)光層，則可通過使包含發(fā)光層23的溶液或懸濁液流入電流源線18和EL線19之間，在行方向的多個象素中統(tǒng)一成膜發(fā)光層23。
接著，如圖16所示，通過蒸鍍等氣相成長法，單面成膜二層構(gòu)造的共同電極24，作為陰極電極，該二層構(gòu)造包括由鎂、鈣、鋰、鈀、稀土類金屬等低工作函數(shù)材料構(gòu)成的電子注入層、和具有氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含其中至少一個的混合物(例如錫摻雜氧化銦(ITO)、鋅摻雜氧化銦、鎘錫氧化物(CTO))的透明導(dǎo)電層。電子注入層為了薄至10nm-200nm厚度、可視光透過的程度，可利用電流源線18或EL線19的級差來切斷，但為了使多個象素的有機EL元件26的一個電極成為彼此相等的電位，跨躍電流源線18上的電流源線絕緣膜21上且跨躍EL線19上地成膜共同電極24的透明導(dǎo)電層。由此，發(fā)光層23在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24覆蓋，進而，EL線19也在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24被覆蓋，形成有機EL元件26。
之后，通過旋涂法、浸漬涂布法、氣相成長法來單面成膜保護涂層絕緣層25，并在連接掃描驅(qū)動器32、數(shù)據(jù)驅(qū)動器33和電流源驅(qū)動器34后，使透明密封基板貼合。
通過上述工序，有源矩陣驅(qū)動方式的場致發(fā)光顯示器面板完成。
在第2實施方式中，由于用與構(gòu)成晶體管7、8、9一部分的導(dǎo)電膜不同的膜來形成電流源線18和EL線19，所以可使電流源線18和EL線19比晶體管7、8、9的漏極、源極、柵極或信號電流線3、掃描線4等的膜厚，進一步減小每單位長度的電阻。因此，可降低電流源線18或EL線19的電阻，抑制從發(fā)光期間的開始時到有機EL元件26在期望的亮度(灰度)發(fā)光為止的時間延遲，或抑制電流源線18或EL線19中的電壓下降。另外，通過將電流源線18或EL線19成為低電阻，可抑制場致發(fā)光顯示器面板的亮度下降、亮度的不均、串擾等顯示惡化。
用圖17-圖22來說明第3實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的制造方法。圖17-圖22是制造方法中的各工序的截面圖，工序順序按圖17-圖22的順序。另外，圖17-圖22中，向?qū)?yīng)于第2實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的各部的部分附加相同符號，部分省略與第1實施方式相同的工序部分。
首先，如圖17所示，制造晶體管陣列基板1。之后，通過在平坦化膜11上順序執(zhí)行基于濺射等氣相成長法的反射金屬膜的成膜工序、光刻法等掩膜工序、蝕刻等形狀加工工序，對每個象素布圖形成反射金屬膜15d。
之后，通過實施氣相成長法，單面的整個面成膜透明絕緣膜131，以覆蓋反射金屬膜15d。利用透明絕緣膜131來電絕緣反射金屬膜15d。
之后，通過實施光刻法、蝕刻法等，在平坦化膜11和透明絕緣膜131中形成通過各電流控制晶體管9的源極9S的接觸孔12和通過各電流控制晶體管9的漏極9D的接觸孔13。
這里，在第2實施方式中布圖有機EL分離絕緣膜14，但在本實施方式中，不布圖有機EL分離絕緣膜。
之后，如圖18所示，利用氣相成長法，在透明絕緣膜131上的一個面中成膜透明金屬氧化物膜16。透明金屬氧化物膜16在接觸孔12、13內(nèi)也于表面成膜，連接于電流控制晶體管9的漏極9D和源極9S上。
之后，如圖19所示，通過氣相成長法，在透明金屬氧化物膜16上的一個面中成膜由銅、鎳等金屬材料構(gòu)成的金屬層17。形成露出與金屬層17中的接觸孔13重疊并且沿行方向的部分17a、和相對反射金屬膜15d、在與部分17a相對邊側(cè)形成沿行方向的分隔壁231的部分17b的光刻膠膜63。另外，光刻膠膜63與第1實施方式的光刻膠膜61一樣，露出通過接觸孔37與布線36連接的金屬層17，露出通過接觸孔40與布線39連接的金屬層17，以及露出通過各接觸孔46與布線45連接的金屬層17。
之后，通過執(zhí)行電解電鍍，在露出的底部層17a、17b上，形成由膜厚比晶體管7、8、9的源極、漏極、柵極膜厚厚的2微米-10微米膜厚、寬度為5微米-50微米的鍍銅厚膜構(gòu)成的電流源線18和分隔壁231。由此，沿行方向排列的多個象素的電流控制晶體管9的漏極9D成為電連接于共同的電流源線18上的狀態(tài)。另外，也可代替電解電鍍，利用濺射法或升華蒸鍍法來成膜銅厚膜。
另外，在布圖電流源線18、18、...和分隔壁231、231時，相對分隔壁231平行設(shè)置電流源線18，進而相對掃描線4平行地設(shè)置電流源線18和分隔壁231。另外，布圖電流源線18，以便平面看時，電流源線18相對橫向(行方向)排列的全部象素的接觸孔13重疊。另外，布圖電流源線18，使電流源線18延伸到晶體管陣列基板1的邊。
之后，如圖20所示，在去除光刻膠膜63之后，將電流源線18和分隔壁231作為掩膜，蝕刻去除露出的金屬層17，并在電流源線18、18、...的下方殘留底部層17a，在分隔壁231、231、...的下方殘留底部層17b。并且，通過對透明金屬氧化物膜16實施光刻法、蝕刻法，布圖象素電極16a，同時，使設(shè)置在將電流源線18作為掩膜的底部層17a下方的透明金屬氧化物膜16殘留，形成透明金屬氧化物底部膜16b，并使設(shè)置在底部層17b下方的透明金屬氧化物膜16殘留，形成透明金屬氧化物底部膜16c。
之后，如圖21所示，形成電流源線絕緣膜21，以覆蓋電流源線18，同時，由與電流源線絕緣膜21相同的工序形成與電流源線絕緣膜21相同材料的EL線絕緣膜232，以覆蓋分隔壁231。通過上述工序，有機EL驅(qū)動基板完成。
之后，利用液滴噴出法(噴墨法)、旋涂法、浸漬涂布法、基于針(needle)的滴下法等濕式成膜法，成膜由PEDOT(聚噻吩)和作為摻雜物的PSS(聚苯乙烯磺酸)構(gòu)成的空穴傳輸層22?？昭▊鬏攲?2可以形成于晶體管陣列基板1的一個面中，并使之在所有象素中共通，也可形成為對每個象素獨立。圖中，示出在將包含空穴傳輸層22的溶液或懸濁液填充在包圍電流源線18和分隔壁231的區(qū)域中后，通過溶劑或水的揮發(fā)，成膜空穴傳輸層22的狀態(tài)。
在干燥空穴傳輸層22之后，與第1實施方式一樣，通過液滴噴出法(噴墨法)、基于針的滴下法等濕式成膜法，對每個象素布圖由聚芴類發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層23。這里，空穴傳輸層22的膜厚或發(fā)光層23的膜厚比分隔壁231的膜厚薄。另外，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液的高度和構(gòu)成覆蓋在象素區(qū)域中時的發(fā)光層23的溶液或懸濁液的高度比電流源線18的高度或分隔壁231的高度低。因此，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液不會越過電流源線18和分隔壁231而流出到相鄰行的象素。這樣，電流源線18和分隔壁231用作防止構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液流出的分隔壁。因此，若設(shè)沿電流源線18和分隔壁231包圍的行方向的多個象素為發(fā)出相同色光的發(fā)光層，則可通過使包含發(fā)光層23的溶液或懸濁液流入電流源線18和分隔壁231之間，在行方向的多個象素中統(tǒng)一成膜發(fā)光層23。
接著，如圖22所示，通過蒸鍍等氣相成長法，單面成膜二層構(gòu)造的共同電極24，作為陰極電極，該二層構(gòu)造包括由鎂、鈣、鋰、鈀、稀土類金屬等低工作函數(shù)材料構(gòu)成的電子注入層、和具有氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含其中至少一個的混合物(例如錫摻雜氧化銦(ITO)、鋅摻雜氧化銦、鎘錫氧化物(CTO))的透明導(dǎo)電層。為了薄至10nm-200nm厚度、可視光透過的程度，電子注入層可利用電流源線18或分隔壁231的級差來切斷，但為了使多個象素的有機EL元件26的一個電極成為彼此相等的電位，跨躍電流源線18表面的電流源線絕緣膜21上且跨躍分隔壁231表面的EL線絕緣膜232上地成膜共同電極24的透明導(dǎo)電層。由此，發(fā)光層23在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24覆蓋，進而，分隔壁231也在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24被覆蓋，形成有機EL元件26。分隔壁231被用作將包含空穴傳輸層22的溶液或懸濁液、和/或包含發(fā)光層23的溶液或懸濁液設(shè)置在規(guī)定位置上的隔板，不向第1實施方式的EL線19那樣被施加電壓。
之后，通過蒸鍍法、濺射法、網(wǎng)印法、升華蒸鍍法或分配法等，平面看與分隔壁231重疊地在共同電極24上形成膜厚比晶體管7、8、9的源極、漏極、柵極的膜厚厚的EL線233。EL線233相當于第一實施方式的EL線19，形狀、長度、厚度都與EL線19一樣，因為比晶體管7、8、9的源極7S、8S、9S、漏極7D、8D、9D、柵極7G、8G、9G的膜厚厚，所以將每單位布線的長度的電阻設(shè)定得比這些電極還低。另外，EL線223也可與第一實施方式的EL線19一樣，使用光刻膠膜61并通過電解電鍍來堆積。EL線223在分隔壁231上方與全部象素共同的共同電極24連接。電流源線18、18、...和EL線233、233、...的數(shù)量都與掃描線4、4、...相同，對各行各設(shè)一條電流源線18、EL線233和掃描線4。
之后，通過旋涂法、浸漬涂布法、氣相成長法來單面成膜保護涂層絕緣層25，并在連接掃描驅(qū)動器32、數(shù)據(jù)驅(qū)動器33和電流源驅(qū)動器34后，使透明密封基板貼合。
通過上述工序，有源矩陣驅(qū)動方式的顯示裝置完成。
在第3實施方式中，也由于用與構(gòu)成晶體管7、8、9一部分的導(dǎo)電膜不同的膜來形成電流源線18和EL線233，所以可使電流源線18和EL線233比晶體管7、8、9的漏極、源極、柵極或信號電流線3、掃描線4等的膜厚。因此，可降低電流源線18或EL.233的電阻，抑制從發(fā)光期間的開始時到有機EL元件26在期望的亮度(灰度)發(fā)光為止的時間延遲，或抑制電流源線18或EL線233中的電壓下降。另外，通過將電流源線18或EL線233成為低電阻，可抑制場致發(fā)光顯示器面板的亮度下降、亮度的不均、串擾等顯示惡化。
用圖23-圖28來說明第4實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的制造方法。圖23-圖28是制造方法中的各工序的截面圖，工序順序按圖23-圖28的順序。另外，圖23-圖28中，向?qū)?yīng)于第1實施方式中的場致發(fā)光器面板的各部的部分附加相同符號，部分省略與第1實施方式相同的工序部分。
首先，如圖23所示，制造晶體管陣列基板1。通過對準備的晶體管陣列基板1實施光刻法、蝕刻法等，在平坦化膜11上形成通過各電流控制晶體管9的源極9S的接觸孔12和通過各電流控制晶體管9的漏極9D的接觸孔13。
然后，布圖形成由氮化硅或氧化硅構(gòu)成的有機EL分離絕緣膜14，使之在縱(列)向上相鄰的象素之間與掃描線4平行。
之后，如圖24所示，利用氣相成長法，在晶體管陣列基板1上的一個面中成膜透明金屬氧化物膜16。這里，在第1實施方式中，在透明金屬氧化物膜16之間成膜反射金屬膜15，但在本實施方式中，不成膜反射金屬膜15。接著，通過氣相成長法，在透明金屬氧化物膜16上的一個面中成膜由銅、鎳等金屬材料構(gòu)成的金屬層17。
之后，通過光刻法布圖掩膜，并利用蒸鍍法等方法來成膜金的薄膜，通過剝離掩膜，形成由金薄膜構(gòu)成的象素電極331。另外，在布圖象索電極331時，上述掩膜是在對應(yīng)于后述的電流源線18的部分、即與接觸孔13重疊且沿行方向延伸的部分、及對應(yīng)于EL線19的部分、即與有機EL分離絕緣膜14重疊且沿行方向延伸的部分中分別殘留底部膜331a、331b的掩膜。
之后，如圖25所示，形成露出與接觸孔13重疊并且沿行方向的部分的底部膜331a、和與有機EL分離絕緣膜14重疊并且沿行方向的部分的底部膜331b的光刻膠膜64。之后，通過將露出的底部膜331a和底部膜331b作為電極來執(zhí)行電解電鍍，在底部膜331a和底部膜331b上分別形成膜厚為2微米-100微米、并且寬度為5微米-50微米的鍍銅厚膜的電流源線18和EL線19。因為電流源線18、18、...和EL線19、19、...堆積得比晶體管7、8、9的源極7S、8S、9S、漏極7D、8D、9D、柵極7G、8G、9G的膜厚厚，所以將每單位布線的長度設(shè)定得比這些電極低。電流源線18、18、...和EL線19、19、...的數(shù)量都與掃描線4、4、...相同，在各行各設(shè)置一條電流源線18、EL線19和掃描線4。之后，去除光刻膠膜64。另外，也可代替電解電鍍，利用濺射法、升華蒸鍍法或分配法來成膜銅厚膜。
之后，如圖26所示，蝕刻去除由電流源線18、18、...和EL線19、19、...覆蓋的部分后露出的金屬層17，在電流源線18、18、...的下方形成底部層17a、17a、...，在EL線19、19、...的下方形成底部層17b、17b、...。另外，將電流源線18、EL線19和象素電極331作為掩膜，蝕刻透明金屬氧化物膜16，分別形成透明金屬氧化物膜底部膜16b、透明金屬氧化物底部膜16c、透明金屬氧化物膜底部膜16d。
之后，如圖27所示，形成電流源線絕緣膜21，以覆蓋電流源線18。通過上述工序，有機EL驅(qū)動基板完成。
之后，利用液滴噴出法(噴墨法)、旋涂法、浸漬涂布法、基于針(needle)的滴下法等濕式成膜法，成膜由PEDOT(聚噻吩)和作為摻雜物的PSS(聚苯乙烯磺酸)構(gòu)成的空穴傳輸層22?？昭▊鬏攲?2可以形成于晶體管陣列基板1的一個面中，并使之在所有象素中共通，也可形成為對每個象素獨立。圖中，示出在將包含空穴傳輸層22的溶液或懸濁液填充在包圍電流源線18和EL線19的區(qū)域中后，通過溶劑或水的揮發(fā)，成膜空穴傳輸層22的狀態(tài)。
在干燥空穴傳輸層22之后，通過液滴噴出法(噴墨法)、打印法、基于針的滴下法等濕式成膜法，對每個象素布圖由聚芴類發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層23。這里，在有機EL分離絕緣膜14上殘留透明金屬氧化物底部膜16c、底部層17b和EL線19，但空穴傳輸層22的膜厚或發(fā)光層23的膜厚比有機EL分離絕緣膜14的膜厚薄。另外，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液的高度和構(gòu)成覆蓋在象素區(qū)域中時的發(fā)光層23的溶液或懸濁液的高度都比電流源線18的高度或EL線19的高度低。因此，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液不會越過電流源線18和EL線19而流出到相鄰行的象素。這樣，電流源線18和EL線19用作防止構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液流出的分隔壁。因此，如圖9所示，若設(shè)沿電流源線18和EL線19包圍的行方向的多個象素為發(fā)出相同色光的發(fā)光層，則可通過使包含發(fā)光層23的溶液或懸濁液注入電流源線18和EL線19之間，在行方向的多個象素中統(tǒng)一成膜發(fā)光層23。
接著，如圖28所示，通過氣相成長法，單面成膜二層構(gòu)造的共同電極24，作為陰極電極，該二層構(gòu)造包括由鎂、鈣、鋰、鈀、稀土類金屬等低工作函數(shù)材料構(gòu)成的電子注入層、和具有氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含其中至少一個的混合物(例如錫摻雜氧化銦(ITO)、鋅摻雜氧化銦、鎘錫氧化物(CTO))的透明導(dǎo)電層。為了薄至10nm-200nm厚度、可視光透過的程度，電子注入層可利用電流源線18或EL線19的級差來切斷，但為了使多個象素的有機EL元件26的一個電極成為彼此相等的電位，跨躍電流源線18上的電流源線絕緣膜21上且跨躍EL線19上地成膜共同電極24的透明導(dǎo)電層。
之后，通過旋涂法、浸漬涂布法、氣相成長法來單面成膜保護涂層絕緣層25，并在連接掃描驅(qū)動器32、數(shù)據(jù)驅(qū)動器33和電流源驅(qū)動器34后，使透明密封基板貼合。
通過上述工序，有源矩陣驅(qū)動方式的顯示裝置完成。
另外，也可在柵極絕緣膜41和平坦化膜11中設(shè)置接觸孔，以使去除與信號電流線3交叉部分的掃描線4露出，在與電流源線18或EL線19的成膜相同的工序中，在掃描線4上形成電解電鍍層。此時，為了使電鍍層與共同電極24絕緣，與電流源線18的電流源線絕緣膜21一樣，在其間夾入絕緣，但電連接于晶體管7、8的柵極上。
在第4實施方式中，由于用與構(gòu)成晶體管7、8、9一部分的導(dǎo)電膜不同的膜來形成電流源線18和EL線19，所以可使電流源線18和EL線19比晶體管7、8、9的漏極、源極、柵極或信號電流線3、掃描線4等的膜厚。因此，可降低電流源線18或EL線19的電阻，抑制從發(fā)光期間的開始時到有機EL元件26在期望的亮度(灰度)發(fā)光為止的時間延遲，或抑制電流源線18或EL線19中的電壓下降。另外，通過將電流源線18或EL線19成為低電阻，可抑制場致發(fā)光顯示器面板的亮度下降、亮度的不均、串擾等顯示惡化。
用圖29-圖34來說明第5實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的制造方法。圖29-圖34是制造方法中的各工序的截面圖，工序順序按圖29-圖34的順序。另外，圖29-圖34中，向?qū)?yīng)于第2實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的各部的部分附加相同符號，部分省略與第1實施方式相同的工序。
首先，如圖29所示，制造晶體管陣列基板1。之后，通過順序執(zhí)行氣相成長法等成膜工序、光刻法等掩膜工序、蝕刻等形狀加工工序，對每個象素布圖形成反射金屬膜15d。
之后，通過實施氣相成長法，單面成膜透明絕緣膜131，以覆蓋反射金屬膜15d。
之后，通過實施光刻法、蝕刻法等，在平坦化膜11和透明絕緣膜131中形成通過各電流控制晶體管9的源極9S的接觸孔12和通過各電流控制晶體管9的漏極9D的接觸孔13。
另外，在本實施方式中，不形成第2實施方式中的有機EL分離絕緣膜14，這與第2實施方式不同。
之后，如圖30所示，利用氣相成長法，在透明絕緣膜131上的一個面中成膜透明金屬氧化物膜16。透明金屬氧化物膜16在接觸孔12、13內(nèi)也于表面成膜，連接于電流控制晶體管9的漏極9D和源極9S上。
之后，通過濺射等氣相成長法，在透明金屬氧化物膜16上的一個面中成膜由銅、鎳等金屬材料構(gòu)成的金屬層17。
之后，如圖31所示，形成露出與金屬層17中的接觸孔13重疊并且沿行方向的部分17a、和相對反射金屬膜15d、在與部分17a相對邊側(cè)形成沿行方向的EL線19的部分17b的光刻膠膜65。之后，通過執(zhí)行電解電鍍，在露出的底部層部分17a、17b上，形成由膜厚比晶體管7、8、9的源極、漏極、柵極膜厚厚的2微米-10微米膜厚、寬度為5微米-50微米的鍍銅厚膜構(gòu)成的電流源線18和EL線19。由此，沿行方向排列的多個象素的電流控制晶體管9的漏極9D成為電連接于共同的電流源線18上的狀態(tài)。另外，也可代替電解電鍍，利用濺射法或升華蒸鍍法來成膜銅厚膜。因此，相對掃描線4平行地設(shè)置電流源線18、18、...和EL線19、19、...。
之后，在去除光刻膠膜65之后，如圖32所示，將電流源線18和EL線19作為掩膜，蝕刻去除露出的底部層17，并在電流源線18、18、...的下方殘留底部層17a，在EL線19、19、...的下方殘留底部層17b。并且，通過對透明金屬氧化物膜16實施光刻法、蝕刻法，布圖象素電極16a，同時，使設(shè)置在將電流源線18作為掩膜的底部層17a下方的透明金屬氧化物膜16殘留，形成透明金屬氧化物底部膜16b，并使設(shè)置在底部層17b下方的透明金屬氧化物膜16殘留，形成輔助電極線16d。輔助電極線16d的寬度最好比EL線19寬。
之后，如圖33所示，形成電流源線絕緣膜21，以覆蓋電流源線18，同時，由與電流源線絕緣膜21相同的工序形成EL線絕緣膜441，以覆蓋EL線19。通過上述工序，有機EL驅(qū)動基板完成。
之后，利用液滴噴出法(噴墨法)、旋涂法、浸漬涂布法、基于針(needle)的滴下法等濕式成膜法，成膜由PEDOT(聚噻吩)和作為摻雜物的PSS(聚苯乙烯磺酸)構(gòu)成的空穴傳輸層22?？昭▊鬏攲?2可以形成于晶體管陣列基板1的一個面中，并使之在所有象素中共通，也可形成為對每個象素獨立。
在干燥空穴傳輸層22之后，與第1實施方式一樣，通過液滴噴出法(噴墨方法)、基于針的滴下法、打印法等濕式成膜法，對每個象素布圖由聚芴類發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層23。這里，空穴傳輸層22的膜厚或發(fā)光層23的膜厚比EL線19的膜厚薄。另外，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液的高度和構(gòu)成覆蓋在象素區(qū)域中時的發(fā)光層23的溶液或懸濁液的高度比電流源線18的高度或EL線19的高度低。因此，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液不會越過電流源線18和EL線19而流出到相鄰行的象素。這樣，電流源線18和EL線19用作防止構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液流出的分隔壁。因此，若設(shè)沿電流源線18和EL線19包圍的行方向的多個象素為發(fā)出相同色光的發(fā)光層，則可通過使包含發(fā)光層23的溶液或懸濁液流入電流源線18和EL線19之間，在行方向的多個象素中統(tǒng)一成膜發(fā)光層23。
在干燥發(fā)光層23之后，在空穴傳輸層22和發(fā)光層23中形成接觸孔51，以使輔助電極線16d的部分表面露出。
接著，如圖34所示，通過蒸鍍等氣相成長法，單面成膜二層構(gòu)造的共同電極24，作為陰極電極，該二層構(gòu)造包括由鎂、鈣、鋰、鈀、稀土類金屬等低工作函數(shù)材料構(gòu)成的電子注入層、和具有氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含其中至少一個的混合物(例如錫摻雜氧化銦(ITO)、鋅摻雜氧化銦、鎘錫氧化物(CTO))的透明導(dǎo)電層。為了薄至10nm-200nm厚度、可視光透過的程度，電子注入層可利用電流源線18或EL線19的級差來切斷，但為了使多個象素的有機EL元件26的一個電極成為彼此相等的電位，跨躍電流源線18表面的電流源線絕緣膜21上且跨躍EL線19表面的EL線絕緣膜441上地成膜共同電極24的透明導(dǎo)電層。共同電極24經(jīng)接觸孔51連接于輔助電極線16d和EL線19上。這樣，發(fā)光層23在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24覆蓋，進而，EL線19也在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24被覆蓋，形成有機EL元件26。
之后，通過旋涂法、浸漬涂布法、氣相成長法來單面成膜保護涂層絕緣層25，并在連接掃描驅(qū)動器32、數(shù)據(jù)驅(qū)動器33和電流源驅(qū)動器34后，使透明密封基板貼合。
通過上述工序，有源矩陣驅(qū)動方式的顯示裝置完成。
在第5實施方式中，也由于用與構(gòu)成晶體管7、8、9一部分的導(dǎo)電膜不同的膜來形成電流源線18和EL線19，所以可使電流源線18和EL線19比晶體管7、8、9的漏極、源極、柵極或信號電流線3、掃描線4等的膜厚。
在第1實施方式中，在晶體管層(從基板2的表面到平坦化膜11的表面之間的多層膜)上形成電流源線18和EL線19，但在本實施方式中，在晶體管層的下形成電流源線18和EL線19。具體為圖35-圖40所示的制造方法。
用圖35-圖41來說明第6實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的制造方法。圖35-圖40是制造方法中的各工序的截面圖，工序順序按圖35-圖40的順序。另外，圖35-圖40中，向?qū)?yīng)于第2實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的各部的部分附加相同符號，部分省略與第1實施方式相同的工序部分。
首先，如圖35所示，通過執(zhí)行電解電鍍，在基板2上布圖寬度為5微米-50微米、膜厚為2微米-100微米的多個電流源線18和多個EL線19。在布圖電流源線18和EL線19時，相對EL線19平行地設(shè)置電流源線18，布圖電流源線18和EL線19，使電流源線18和EL線19延伸到基板2的邊緣，并且，電流源線18和EL線19沿基板2的橫向延伸。由于電流源線18和EL線19堆積得比后述的晶體管7、8、9的源極、漏極、柵極厚，所以每單位布線的長度的電阻設(shè)定得比這些電極低。
接著，在基板2上在單面的整個面上成膜層間絕緣膜501，由層間絕緣膜501來覆蓋電流源線18和EL線19。之后，就一個象素而言，在層間絕緣膜501中形成通至電流源線18的接觸孔502和通至EL線19的接觸孔503。
之后，如圖36所示，通過適當進行所謂氣相成長法的成膜工序、所謂光刻法的掩膜工序、所謂蝕刻的形狀加工工序，對一個象素布圖形成3個晶體管7、8、9。這里，構(gòu)成晶體管7、8、9的柵極的導(dǎo)電性薄膜形成布圖成埋設(shè)于接觸孔502中的柵極底部膜511a，形成布圖為埋設(shè)于接觸孔503中的柵極底部膜511b。另外，在柵極絕緣膜41中統(tǒng)一設(shè)置柵極底部膜511a露出的接觸孔和柵極底部膜511b露出的接觸孔，布圖構(gòu)成晶體管7、8、9的源極、漏極的導(dǎo)電性薄膜，在其中埋設(shè)電流控制晶體管9的漏極9D和源極、漏極底部膜504。布圖形成構(gòu)成晶體管7、8、9的柵極的導(dǎo)電性薄膜的一部分，作為信號電流線3。
之后，通過對平坦化膜11實施光刻法、蝕刻法等，在平坦化膜11上形成通過各電流控制晶體管9的源極9S的接觸孔12和通過底部膜504的接觸孔505。
之后，如圖37所示，通過順序執(zhí)行氣相成長法等成膜工序、光刻法等掩膜工序、蝕刻等形狀加工工序，對每個象素布圖形成反射金屬膜15d。之后，通過實施氣相成長法，單面整個面地成膜透明絕緣膜131，以覆蓋反射金屬膜15d。
接著，在透明絕緣膜131中也對準接觸孔12和接觸孔505地形成接觸孔。
之后，通過氣相成長法在透明絕緣膜131上的一個面中成膜透明金屬氧化物膜。透明金屬氧化物膜在接觸孔12、505內(nèi)也于表面成膜，接觸電流控制晶體管9的源極9S和底部膜504。
之后，如圖38所示，通過對透明金屬氧化物膜實施光刻法、蝕刻法，形成經(jīng)接觸孔12與電流控制晶體管9的源極9S連接的象素電極16a，同時，經(jīng)接觸孔505，形成輔助電極線16e。另外，圖38是沿圖41的(XXXVIII)-(XXXVIII)線在厚度方向上切斷時的大致截面圖。
之后，如圖49所示，利用光刻法，布圖由聚酰亞胺等感光性樹脂構(gòu)成的網(wǎng)眼狀的分隔壁506。這里，布圖分隔壁506，使象素電極16a圍繞在分隔壁506構(gòu)成的網(wǎng)眼之間。
之后，利用液滴噴出法(噴墨法)、旋涂法、浸漬涂布法、基于針(needle)的滴下法等濕式成膜法，成膜由PEDOT(聚噻吩)和作為摻雜物的PSS(聚苯乙烯磺酸)構(gòu)成的空穴傳輸層22?？昭▊鬏攲?2可以形成于晶體管陣列基板1的一個面中，并使之在所有象素中共通，也可形成為對每個象素獨立。
在干燥空穴傳輸層22之后，與第1實施方式一樣，通過濕式成膜法，對每個象素布圖。這里，空穴傳輸層22的膜厚或發(fā)光層23的膜厚比分隔壁231的膜厚薄。另外，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液的高度和構(gòu)成覆蓋在象素區(qū)域中時的發(fā)光層23的溶液或懸濁液的高度比分隔壁506的高度低。因此，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液不會越過分隔壁506而流出到相鄰行的象素。這樣，分隔壁506用作防止構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液流出的分隔壁。因此，若設(shè)沿分隔壁506包圍的行方向的多個象素為發(fā)出相同色光的發(fā)光層，則可通過使包含發(fā)光層23的溶液或懸濁液一起流入分隔壁506之間，在行方向的多個象素中統(tǒng)一成膜發(fā)光層23。
在干燥發(fā)光層23之后，在空穴傳輸層22和發(fā)光層23中形成接觸孔51，以使輔助電極線16e的部分表面露出。
接著，如圖40所示，通過蒸鍍等氣相成長法，單面成膜二層構(gòu)造的共同電極24，作為陰極電極，該二層構(gòu)造包括由鎂、鈣、鋰、鈀、稀土類金屬等低工作函數(shù)材料構(gòu)成的電子注入層、和具有氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含其中至少一個的混合物(例如錫摻雜氧化銦(ITO)、鋅摻雜氧化銦、鎘錫氧化物(CTO))的透明導(dǎo)電層。為了薄至10nm-200nm厚度、可視光透過的程度，電子注入層可利用分隔壁506的級差來切斷，但為了使多個象素的有機EL元件26的一個電極成為彼此相等的電位，跨躍分隔壁506表面的電流源線絕緣膜21上且跨躍分隔壁506表面的EL線絕緣膜441上地成膜共同電極24的透明導(dǎo)電層。共同電極24經(jīng)接觸孔51連接于輔助電極線16e上。這樣，發(fā)光層23在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24覆蓋，進而，分隔壁506也在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24被覆蓋，形成有機EL元件26。
之后，如圖40所示，通過旋涂法、浸漬涂布法、氣相成長法來單面成膜保護涂層絕緣層25，并在連接掃描驅(qū)動器32、數(shù)據(jù)驅(qū)動器33和電流源驅(qū)動器34后，使透明密封基板貼合。
通過上述工序，有源矩陣驅(qū)動方式的顯示裝置完成。
在第6實施方式中，由于電流源線18和EL線19在不同于晶體管7、8、9的工序中布圖與晶體管7、8、9的源極、漏極、柵極不同的導(dǎo)電膜，所以可使電流源線18和EL線19比晶體管7、8、9的漏極、源極、柵極或信號電流線3、掃描線4等的膜厚，可降低電流源線18或EL線19的電阻。因此，可抑制電流源線18或EL線19中的信號延遲或電壓下降。
用圖42-圖43來說明第7實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的制造方法。圖42-圖43是制造方法中的各工序的截面圖，工序順序按圖42-圖43的順序。另外，圖42-圖43中，向?qū)?yīng)于第6實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的各部的部分附加相同符號。另外，在第7實施方式中，由于在形成象素電極工序之間的工序與第6實施方式的圖35-圖38一樣，所以省略說明。
在形成象素電極16a之后，如圖42所示，利用光刻法，沿電流源線18布圖分隔壁507，同時，在與形成分隔壁507相同的工序中，沿EL線19形成分隔壁508、509。這里，形成分隔壁507、508，使象素電極16a位于分隔壁507與分隔壁508之間，另外，形成分隔壁508和分隔壁509，使殘留于底部膜504上的輔助電極線16e在平面看位于分隔壁508與分隔壁509之間。
之后，在分隔壁508與分隔壁509之間埋入導(dǎo)電性膠510。由此，導(dǎo)電性膠510緊貼在殘留于底部膜504上的輔助電極線16e上。
在干燥導(dǎo)電性膠510之后，與第6實施方式一樣，成膜空穴傳輸層22、發(fā)光層23。此時，分隔壁507和分隔壁508具有與第6實施方式的分隔壁506一樣的功能。
之后，如圖43所示，與第6實施方式一樣，單面成膜共同電極24。由此，發(fā)光層23在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24覆蓋，進而，導(dǎo)電性膠510也緊貼在共同電極24上。因此，共同電極24經(jīng)導(dǎo)電性膠510、輔助電極線16e、源極、漏極底部膜504、柵極底部膜511b連接于EL線19上。
之后，通過旋涂法、浸漬涂布法、氣相成長法來單面成膜保護涂層絕緣層25，并在連接掃描驅(qū)動器32、數(shù)據(jù)驅(qū)動器33和電流源驅(qū)動器34后，使透明密封基板貼合。
通過上述工序，有源矩陣驅(qū)動方式的顯示裝置完成。
在第7實施方式中，由于在不同于晶體管7、8、9的工序中布圖電流源線18和EL線19，所以可使電流源線18和EL線19比晶體管7、8、9的漏極、源極、柵極或信號電流線3、掃描線4等的膜厚，可成為相對比晶體管7、8、9低的電阻，可降低電流源線18或EL線19的電阻。因此，可抑制電流源線18或EL線19中的信號延遲或電壓下降。
在上述各實施方式中，設(shè)置反射金屬膜15，使發(fā)光層23的發(fā)光從共同電極24側(cè)射出，但不限于此，也可不設(shè)置反射金屬膜15，使發(fā)光層23的發(fā)光從象素電極16側(cè)射出。此時，共同電極24最好是不透明或光反射性的，尤其是低工作函數(shù)的電子射出膜、和覆蓋并保護電子放出膜的高工作函數(shù)的導(dǎo)電膜等多層構(gòu)造。
用圖44-圖50來說明將作為發(fā)光元件的有機場致發(fā)光元件設(shè)為象素的顯示裝置的制造方法。圖44-圖50是制造方法中的各工序的截面圖，工序順序按圖44-圖50的順序。向?qū)?yīng)于第1實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的各部的部分附加相同符號，部分省略與第1實施方式相同的工序部分。
另外，圖44-圖50是沿與掃描線4正交的面切斷電流控制晶體管9時的截面圖，示出一象素。其它象素在各工序中也為圖44-圖50的狀態(tài)。
如圖44所示，對準備好的晶體管陣列基板1實施光刻法、蝕刻法等，在絕緣膜11中形成通過各電流控制晶體管9的源極9S的接觸孔12和通過各電流控制晶體管9的漏極9D的接觸孔13。
之后，利用濺射或蒸鍍等氣相成長法，在晶體管陣列基板1的一個面中成膜由從鋁、鈦、金等金屬單體或合金或透明金屬氧化物膜等中選擇的導(dǎo)電材料構(gòu)成導(dǎo)電膜。該導(dǎo)電膜在接觸孔12、13內(nèi)也成膜于表面上。之后，在導(dǎo)電膜上成膜從氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含它們中的至少一個的混合物(例如錫摻雜氧化銦(ITO)、鋅摻雜氧化銦、鎘錫氧化物(CTO))中選擇的透明金屬氧化物膜。
之后，布圖這些層疊的導(dǎo)電膜，形成連接于各電流控制晶體管9的源極9S上的象素電極16a、和在沿行方向排列的同時、連接于沿行方向排列的各電流控制晶體管9的漏極9D上的底部布線16b。
之后，如圖45所示，成膜由疏液性絕緣膜或氮化硅或氧化硅構(gòu)成的層間絕緣膜20，并在該層間絕緣膜20的對應(yīng)于各電流控制晶體管9的漏極9D的位置上，形成接觸孔27，使漏極9D露出。之后，通過濺射或蒸鍍，單面成膜由銅、鎳等金屬材料構(gòu)成的底部層。此時，底部層被層間絕緣膜20的級差在各接觸孔27分離為成膜于漏極9D上的底部層17a與層間絕緣膜20上的底部層17b，彼此電絕緣，同時，沿行方向延伸形成。同時，光刻膠膜61露出通過接觸孔37與布線36連接的金屬層17，露出通過接觸孔40與布線39連接的金屬層17，并且露出通過各接觸孔46與布線45連接的金屬層17。
之后，如圖46所示，形成光刻膠膜61，該光刻膠膜61露出漏極9D上的各底部層17a，并且，露出在象素電極16a的多個周緣邊中與漏極9D上的各底部層17a側(cè)的邊相對邊側(cè)、沿行方向的位置的層間絕緣膜20上的底部層17b。之后，將露出的底部層17a、17b作為電極，通過進行電解電鍍，在漏極9D上的底部層17a上形成膜厚為2微米-100微米、寬度為5微米-50微米的鍍銅厚膜的電流源線18、18、...，在象素電極16a的多個周緣邊中與漏極9D上的各底部層17a側(cè)的邊相對邊側(cè)、沿行方向的位置的層間絕緣膜20上的底部層17b上，形成膜厚為2微米-100微米、并且寬度為5微米-50微米的鍍銅厚膜的EL線19、19、...，形成在顯示區(qū)域外的左側(cè)彼此連接EL線19、19、...的共同布線35、和在顯示區(qū)域外的右側(cè)彼此連接EL線19、19、...的共同布線38。
之后，如圖47所示，在去除光刻膠膜61之后，蝕刻除了被電流源線18、18、...、和EL線19、19、...覆蓋的部分后露出的底部層17b，在EL線19、19、...的下方形成底部層17c。
圖8示出此時的象素平面圖。圖47是沿圖8的(V)-(V)線在厚度方向切斷時的大致截面圖。如圖8所示，相對掃描線4平行地設(shè)置電流源線18和EL線19。另外，平面看，因為電流源線18的一部分相對于排列在橫向(行方向)的全部象素、即各行象素的接觸孔13中設(shè)置的底部層17a重疊地形成，所以各行的全部象素的電流控制晶體管9的漏極9D成為分別電連接于各行的電流源線18上的狀態(tài)。
之后，如圖48所示，通過向各電流源線18和各EL線19施加電壓的電泳涂漆法，形成疏液性絕緣膜33a、疏液性絕緣膜33b，以僅選擇地覆蓋電流源線18、EL線19、共同布線35和共同布線38的表面。疏液性絕緣膜33a、疏液性絕緣膜33b足夠厚，即便在疏液性絕緣膜33a、疏液性絕緣膜33b的表面形成導(dǎo)體，也不與電流源線18、EL線19導(dǎo)通。另外，疏液性絕緣膜33a、疏液性絕緣膜33b也可通過光刻法布圖疏液性感光性樹脂來形成。
之后，如圖49所示，利用液滴噴出法(噴墨法)、旋涂法、浸漬涂布法、基于針(needle)的滴下法等濕式成膜法，成膜由PEDOT(聚噻吩)和作為摻雜物的PSS(聚苯乙烯磺酸)構(gòu)成的形成空穴傳輸層22的溶液?？昭▊鬏攲?2可以形成于晶體管陣列基板1的一個面中，并使之在所有象素中共通，也可形成為對每個象素獨立。此時，由于疏液性絕緣膜33a、疏液性絕緣膜33b不沾空穴傳輸層材料含有溶液，所以空穴傳輸層材料含有溶液未沿EL線19偏向成膜，故可以均勻的厚度在象素電極16a上成膜。圖中，示出在將包含空穴傳輸層22的溶液或懸濁液填充在包圍電流源線18和EL線19的區(qū)域中后，通過溶劑或水的揮發(fā)，成膜空穴傳輸層22的狀態(tài)。
在干燥空穴傳輸層22之后，通過液滴噴出法(噴墨法)、旋涂法、浸漬涂布法、基于針的注入等的濕式成膜法來成膜備有具有共軛雙鍵的聚對亞乙烯基(ポリパラビニレン)類發(fā)光材料或聚芴類發(fā)光材料的含有發(fā)光層23的溶液。發(fā)光層23如圖9所示，沿電流源線18和EL線19，在多個象素中連續(xù)形成，在每行構(gòu)成發(fā)出紅色光的紅發(fā)光層23R、發(fā)出綠色光的綠發(fā)光層23G、發(fā)出藍色光的藍發(fā)光層23B。這里，雖然在有機EL分離絕緣膜14上殘留反射金屬底部膜15c、透明金屬氧化物底部膜16c、底部層17b和EL線19，但空穴傳輸層22的膜厚或發(fā)光層23的膜厚比有機EL分離絕緣膜14的膜厚薄。另外，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液的高度和構(gòu)成覆蓋在象素區(qū)域中時的發(fā)光層23的溶液或懸濁液的高度都比電流源線18的高度或EL線19的高度低。因此，構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液不會越過電流源線18和EL線19而流出到相鄰行的象素。這樣，電流源線18和EL線19用作防止構(gòu)成空穴傳輸層22的溶液或懸濁液和構(gòu)成發(fā)光層23的溶液或懸濁液流出的分隔壁。因此，如圖9所示，若設(shè)沿電流源線18和EL線19包圍的行方向的多個象素為發(fā)出相同色光的發(fā)光層，則可通過使包含發(fā)光層23的溶液或懸濁液流入電流源線18和EL線19之間，在行方向的多個象素中統(tǒng)一成膜發(fā)光層23。
之后，如圖50所示，在疏液性絕緣膜33b中形成接觸孔33c，以使EL線19在延伸方向上露出。接觸孔33c也可掃描激光，將疏液性絕緣膜33b消失。
接著，通過蒸鍍等氣相成長法，單面成膜二層構(gòu)造的共同電極24，作為陰極電極，該二層構(gòu)造包括由鎂、鈣、鋰、鈀、稀土類金屬等低工作函數(shù)材料構(gòu)成的電子注入層、和具有氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含其中至少一個的混合物(例如錫摻雜氧化銦(ITO)、鋅摻雜氧化銦、鎘錫氧化物(CTO))的透明導(dǎo)電層。為了薄至1nm-20nm厚度、可視光透過的程度，電子注入層可利用電流源線18或EL線19的級差來切斷，但為了使多個象素的有機EL元件26的一個電極成為彼此相等的電位，跨躍電流源線18上的疏液性絕緣膜33a上且跨躍EL線19上地成膜共同電極24的透明導(dǎo)電層。由此，發(fā)光層23在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24覆蓋，進而，EL線19也在緊貼于共同電極24上的狀態(tài)下被共同電極24被覆蓋。并且，共同電極24經(jīng)接觸孔33c與EL線19導(dǎo)通，但通過疏液性絕緣膜33a與電流源線18絕緣。
之后，通過旋涂法、浸漬涂布法、氣相成長法來單面成膜保護涂層絕緣層25，并在連接掃描驅(qū)動器32、數(shù)據(jù)驅(qū)動器33和電流源驅(qū)動器34后，使透明密封基板貼合。
用圖51-圖56來說明第9實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的制造方法。圖51-圖56是制造方法中的各工序的截面圖，工序順序按此順序。另外，圖51-圖56中，向?qū)?yīng)于第8實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的各部之部分附加相同符號。
首先，在本實施方式中，在制造晶體管陣列基板1后，與第8實施方式一樣，經(jīng)過圖44、圖45所示的工序，形成底部層17a、底部層17b。之后，如圖51所示，在底部層17a上、及象素電極16a的多個周緣邊中與各底部層17a側(cè)的邊面對邊側(cè)沿行方向的位置之層間絕緣膜20上，分別布圖形成光刻膠膜62。
之后，如圖52所示，將光刻膠膜62作為掩膜，保護底部層17a，同時，蝕刻露出的底部層17b，形成底部層17d，接著，蝕刻去除除去底部層17d下方之層間絕緣膜20，布圖形成層間絕緣膜20，同時，使象素電極16a露出。去除光刻膠膜62，使底部層17a和底部層17d露出。
之后，如圖53所示，形成光刻膠膜63，以露出底部層17a和底部層17d。另外，與第8實施方式一樣，通過電解電鍍，在底部層17a上，選擇地成膜比晶體管7、8、9的源極、漏極、柵極之膜厚厚的膜厚為2-100微米的銅電鍍厚膜并且寬度為5微米-50微米的電流源線18，在底部層17d上選擇地成膜膜厚為2-100微米的銅電鍍厚膜并且寬度為5微米-50微米的EL線19。
之后，在去除光刻膠膜63之后，如圖54所示，形成至少覆蓋露出的電流源線18的表面、底部層17a的側(cè)面和底部布線16b的側(cè)面之絕緣膜52。此時，最好根據(jù)電流源線18的高度不同，使覆蓋電流源線18側(cè)壁之絕緣膜52的厚度為不損害絕緣性的厚度。之后，在整個面中成膜浸液性可變導(dǎo)通膜30。由于各象素電極16a、16a、...的表面平坦，所以浸液性可變導(dǎo)通膜30在重疊于象素電極16a、16a、...上的區(qū)域中為平坦的薄膜。另外，在絕緣膜52和EL線19的側(cè)壁或?qū)娱g絕緣膜20的側(cè)壁中也成膜浸液性可變導(dǎo)通膜30。由于浸液性可變導(dǎo)通膜30的浸液性低，疏液性高，膜厚極薄，所以具有沿厚度方向?qū)ǖ男再|(zhì)。
具體說明該浸液性可變導(dǎo)通膜30的成膜方法。
首先，在形成了晶體管陣列基板1的象素電極16a、16a、...的面上涂布含有具有包含氟元素之官能團的硅氮烷化合物之溶液(下面稱為硅氮烷類溶液。)，成膜硅氮烷化合物的溶液膜。
這里，所謂‘具有包含氟元素之官能團的硅氮烷化合物’是指具有Si-N-Si鍵，包含氟元素之官能團結(jié)合在N或/和Si上，例如，例舉下面的一般式(1)所表示的齊聚物或聚合體。
RfSi(NH)3/2…(1)一般式(1)中，Rf是包含氟元素之官能團。
作為‘包含氟元素之官能團’，有氟代烷基，例如，例舉由下面的一般式(2)-(19)所表示的官能團。
-(CH2)a(CF2)bCF3…(2)-(CH2)a(CF2)bCF(CF3)2…(3)-(CH2)a(CF2)bC(CF3)3…(4)-(CF2)aCF3…(5)-(CF2)aCF(CF3)2…(6)-(CF2)aC(CF3)3…(7)-(CF2)a(C(CF3)2)bCF3…(8)-(CF2)a(C(CF3)2)bCF(CF3)2…(9)
-(CF2)a(C(CF3)2)bC(CF3)3…(10)-(CF2)a(C(CF3)2)b(CF2)cCF3…(11)-(CF2)a(C(CF3)2)b(CF2)cCF(CF3)2…(12)-(CF2)a(C(CF3)2)b(CF2)cC(CF3)3…(13)-(C(CF3)2)aCF3…(14)-(C(CF3)2)aCF(CF3)2…(15)-(C(CF3)2)aC(CF3)3…(16)-(C(CF3)2)a(CF2)bCF3…(17)-(C(CF3)2)a(CF2)bCF(CF3)2…(18)-(C(CF3)2)a(CF2)bC(CF3)3…(19)一般式(2)-(19)中，a、b、c都是整數(shù)。
作為硅氮烷類溶液的溶媒，例如氟元素類溶劑。
這里，作為硅氮烷化合物，使用由下面的一般式(20)所表示的硅氮烷低聚物(silazane oligomer)(KP-801M信越化學(xué)工業(yè)株式會社制)。另外，在上述的浸漬涂布工序中，把將該硅氮烷低聚物作為溶質(zhì)、溶于間二甲苯六氟化物溶媒中的硅氮烷類溶液(濃度為3wt％)浸漬在晶體管陣列基板1中。
C8F17C2H4Si(NH)3/2…(20)之后，向晶體管陣列基板1吹例如氮氣等惰性氣體，使硅氮烷類溶液的溶媒蒸發(fā)，由此成為硅氮烷化合物堆積在象素電極16a、16a、...和層間絕緣膜20等的表面中之狀態(tài)。
之后，若將晶體管陣列基板1放置10-30分鐘，則利用保護氣中的水分，硅氮烷化合物加水分解、縮合。由此，如圖54所示，單面成膜由包含氟元素之官能團結(jié)合之縮合體構(gòu)成的浸液性可變導(dǎo)通膜30，以覆蓋包含象素電極16a、16a、...的基板整體。
在硅氮烷化合物沿象素電極16a、16a、...的表面之面方向被縮合的同時，在形成于象素電極16a、16a、...的表面的、作為單分子單元中的主鏈之Rf-Si-X基或Rf-Si-基的上方，幾乎沒有單分子單元中的主鏈Rf-Si-X基或Rf-Si-基重疊的情況。其中，X是與硅氮烷化合物結(jié)合的象素電極16a之原子或原子團。因此，浸液性可變導(dǎo)通膜30的厚度實質(zhì)上等于作為單分子單元中的主鏈(這里相當于作為縮合體的側(cè)鏈)之Rf-Si-X基或Rf-Si-基的長度。另外，該浸液性可變導(dǎo)通膜30由于縮合成各單分子單元中的主鏈中包含氟元素之官能團Rf配置在浸液性可變導(dǎo)通膜30的表面?zhèn)?，所以在表面由于各官能團Rf的疏液性，而對有機化合物含有液示出疏液性。
如上所述，通過邊成膜浸液性可變導(dǎo)通膜30，邊由間二甲苯六氟化物液(與硅氮烷類溶液的溶媒相同的液體)漂洗浸液性可變導(dǎo)通膜30，流洗堆積的未反應(yīng)硅氮烷化合物或剩余的硅氮烷化合物。
之后，通過使光掩膜基板與晶體管陣列基板1相對，進而使活性光線透過光掩膜基板，部分地向浸液性可變導(dǎo)通膜30照射活性光線，將浸液性可變導(dǎo)通膜30布圖成浸液性低的部分與浸液性高的部分。作為活性光線，有可視光線、紫外線、紅外線等，但也可以是激勵后述的光觸媒膜之光線。
這里，說明光掩膜基板。光掩膜基板具有透過活性光線的透明基板，在該透明基板的一個面中，與象素電極16a、16a、...對應(yīng)地將具有排列成矩陣狀的多個開口部之掩膜形成網(wǎng)眼狀，將約0.2微米厚度的光觸媒膜覆蓋掩膜整體地成膜在一個面整體中。將開口部設(shè)定為沿行方向開口于電流源線18與EL線19之間的寬度。
掩膜反射或吸收活性光線，不透過活性光線。光觸媒膜由從氧化鈦(TiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)、鈦酸鍶(SrTiO3)、氧化鎢(WO3)、氧化鉍(Bi2O3)和氧化鐵(Fe2O3)中選擇的一種或二種以上的物質(zhì)來形成。
使用上述光掩膜基板，當使活性光線入射時，掩膜遮蔽活性光線，但在沒有掩膜的開口部，透過光觸媒膜。因此，活性光線不入射到浸液性可變導(dǎo)通膜30中與掩膜重疊的區(qū)域、即象素電極16a的周圍，而活性光線入射到重疊于各個象素電極16a的區(qū)域中。
當活性光線透過光觸媒膜時，生成活性氧種(·OH)，該活性氧種與浸液性可變導(dǎo)通膜30引起化學(xué)反應(yīng)。透過光觸媒膜的活性氧種到達浸液性可變導(dǎo)通膜30中重疊于象素電極16a、16a、...的區(qū)域，在重疊于象素電極16a的區(qū)域中，由于活性光線被掩膜遮蔽，所以活性氧種未到達。這樣，光觸媒的作用通過活性光線入射到光觸媒膜，產(chǎn)生活性氧種，產(chǎn)生的活性氧種到達浸液性可變導(dǎo)通膜30，浸液性可變導(dǎo)通膜30的化學(xué)構(gòu)造因活性氧種而變化。
浸液性可變導(dǎo)通膜30中重疊于開口部的區(qū)域是親液性膜30a，利用通過光觸媒的作用生成的活性氧種(·OH)，將示出疏液性的Rf基置換成示出親水性的氫氧基。親液性膜30a中，包含氟元素之官能團(上述Rf)分解、脫離，為了被置換成氫氧基，對有機化合物含有液示出親液性，不排拒包含構(gòu)成后述的場致發(fā)光層23之材料的液體，可在親液性膜30a的表面均勻成膜該液體。
另外，在親液性膜30a中，以沿象素電極16a、16a、...的表面之狀態(tài)形成由硅與氧構(gòu)成的縮合體中的主鏈，并且，由于將包含示出疏液性的氟元素之官能團置換成氫氧基，所以膜厚也與作為單分子單元中的主鏈(這里相當于作為縮合體的側(cè)鏈)之HO-Si-X-基或HO-Si-基的長度相等，可非常薄，至1nm以下。因此，在作為生成活性氧種的區(qū)域之象素電極16a、16a、...上，圖案膜30的膜厚非常薄，親液性膜30a幾乎不能妨礙空穴等的電荷注入、傳輸。
另外，在浸液性可變導(dǎo)通膜30中與掩膜重疊的區(qū)域中，由于活性氧種不到達，所以不引起化學(xué)反應(yīng)，對包含構(gòu)成后述發(fā)光層的材料之液體依然示出疏液性。在該區(qū)域中形成性質(zhì)與浸液性可變導(dǎo)通膜30相同的疏液性膜30b。疏液性膜30b在與親液性膜30a連續(xù)形成的同時，僅比親液性膜30a大致厚包含氟元素之官能團Rf的部分。
接著，在各象素、即各親液性膜30a、30a、...中分別成膜EL層。這里，如圖55所示，將空穴傳輸層22與發(fā)光層23用作EL層來進行說明。
通過旋涂法、浸漬涂布法等濕式成膜法來成膜包含聚噻吩和作為摻雜物的聚苯乙烯磺酸之水溶液或懸濁液。該水溶液或懸濁液在示出親液性的各親液性膜30a、30a、...中容易浸液，同時容易滲透，在示出疏液性的疏液性膜30b、30b、...中，難以浸液，容易排拒。因此，選擇地在各親液性膜30a、30a、...上覆蓋水溶液或懸濁液。之后，水溶液或懸濁液的溶媒在各親液性膜30a、30a、...上干燥，成膜空穴傳輸層22。包含空穴傳輸層22的材料之水溶液或懸濁液由于是包含數(shù)vol％的空穴傳輸層22的材料之溶液，所以在成膜初期時堆積得比發(fā)光層23厚，但由于電流源線18和EL線19構(gòu)成比該溶液或懸濁液的高度高得多的分隔壁，所以可防止流出到鄰接于該行的行中，可成膜為均勻的厚度。
因此，電流源線18可作為成膜空穴傳輸層22的區(qū)域之至少一邊，切割空穴傳輸層22。另外，EL線19可作為成膜空穴傳輸層22的區(qū)域之至少另一邊，切割空穴傳輸層22。
在成膜空穴傳輸層22之后，如圖55所示，與空穴傳輸層22一樣，通過打印法等濕式成膜法，對每個象素成膜由聚芴類發(fā)光材料構(gòu)成的發(fā)光層23。這里，包含發(fā)光層23的水溶液或懸濁液由于是包含數(shù)vol％發(fā)光層23之溶液，所以在成膜初期時堆積得比發(fā)光層23厚，但由于構(gòu)成比該溶液或懸濁液的高度高得多的分隔壁，所以可防止流出到鄰接于該行的行中。
因此，若沿電流源線18和EL線19包圍的行方向之多個象素被設(shè)為發(fā)出相同顏色光的發(fā)光層，則通過使包含發(fā)光層23的溶液或懸濁液統(tǒng)一流入電流源線18和EL線19之間，可對行方向的多個象素統(tǒng)一成膜發(fā)光層23。
之后，電流源線18可作為成膜發(fā)光層23的區(qū)域之至少一邊，切割發(fā)光層23。另外，EL線19可作為成膜發(fā)光層23的區(qū)域之至少另一邊，切割發(fā)光層23。
之后，如圖56所示，使由透明電極構(gòu)成的共同電極24覆蓋在整個面中，由保護涂層絕緣膜25來密封上面。共同電極24由于經(jīng)絕緣膜52成膜，所以與電流源線18電絕緣，在與EL線19之間介入疏液性膜30b，但由于疏液性膜30b是非常薄的構(gòu)造，沒有足夠的絕緣性，所以成為電連接的狀態(tài)。因此，全部EL線19經(jīng)共同電極24彼此連接。由于共同電極24是ITO等透明電極，所以電阻率高，但由于EL線19為了使每單位長度的電阻比晶體管7、8、9的源極7S、8S、9S、漏極7D、8D、9D、柵極7G、8G、9G小而堆積得比這些電極的膜厚厚，所以可從全部象素的有機EL元件26的陰極流出足夠的電流。另外，由于電流源線18為了使每單位長度的電阻比晶體管7、8、9的源極7S、8S、9S、漏極7D、8D、9D、柵極7G、8G、9G小而堆積得比這些電極的膜厚厚，所以可從各行象素的有機EL元件26的陽極流出足夠的電流。
之后，通過旋涂法、浸漬涂布法、氣相成長法來單面成膜保護涂層絕緣層25，并在連接掃描驅(qū)動器32、數(shù)據(jù)驅(qū)動器33和電流源驅(qū)動器34后，使透明密封基板貼合。
完成的顯示裝置的象素為圖10的電路構(gòu)成。在電流源線18與EL線19之間，串聯(lián)連接電流控制晶體管9與有機EL元件26。即，將電流控制晶體管9的漏極9D連接于電流源線18上，將電流控制晶體管9的源極9S連接于作為有機EL元件26的陽極之象素電極16a上，將作為有機EL元件26陰極之共同電極24連接于EL線19上。
電流源線18由于平面看與象素電極16a不重疊，所以可抑制與象素電極16a之間的寄生電容。另外，為了抑制與掃描線4之間的寄生電容、抑制掃描線4的信號延遲，最好電流源線18從平面看與掃描線4不重疊。并且，電流源線18平面看與流過微小電流的信號電流線3重疊的面積越小，則越能抑制與信號電流線3之間的寄生電容，如圖8所示，最好在與信號電流線3重疊的部分中寬度細。
EL線19由于平面看與象素電極16a不重疊，所以可抑制與象素電極16a之間的寄生電容。另外，為了抑制與掃描線4之間的寄生電容、抑制掃描線4的信號延遲，EL線19最好從平面看與掃描線4不重疊。并且，EL線19從平面看與流過微小電流的信號電流線3重疊的面積越小，則越能抑制與信號電流線3之間的寄生電容，最好在與信號電流線3重疊的部分中寬度變細。
在本實施方式中，因為由與構(gòu)成晶體管7、8、9的導(dǎo)電膜不同的膜來形成電流源線18和EL線19，所以電流源線18、18、...和EL線19、19、...可堆積得比晶體管7、8、9的源極7S、8S、9S、漏極7D、8D、9D的膜厚厚，可將每單位長度的電阻設(shè)定得比源極7S、8S、9S、漏極7D、8D、9D小。另外，可將電流源線18、18、...和EL線19、19、...堆積得比晶體管7、8、9的柵極7G、8G、9G的膜厚厚，可將每單位長度的電阻設(shè)定得比柵極7G、8G、9G小。因此，可使電流源線18或EL線19的電阻低，抑制從發(fā)光期間的開始時到有機EL元件26在期望的亮度(灰度)發(fā)光為止的時間延遲，或抑制電流源線18或EL線19中的電壓下降。另外，通過將電流源線18或EL線19成為低電阻，可抑制場致發(fā)光顯示器面板的亮度下降、亮度的不均、串擾等顯示惡化。
另外，本發(fā)明不限于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明精神的范圍下，可進行各種改良和設(shè)計上的變更。
例如，也可在柵極絕緣膜41和絕緣膜11中設(shè)置接觸孔，以使去除與信號電流線3交叉部分之掃描線4露出，在與電流源線18和EL線19的成膜相同的工序中，在掃描線4上形成電解電鍍層。此時，電鍍層為了與共同電極24絕緣，與絕緣膜33a、33b一樣，在之間夾入絕緣膜，但電連接于晶體管7、8的柵極上。
另外，在上述實施方式中，將晶體管7、8、9說明為N溝道型的薄膜晶體管，但晶體管7、8、9也可以是P溝道型的薄膜晶體管。在晶體管7、8、9是P溝道型的薄膜晶體管的情況下，由于源極與漏極的連接相反，所以只要將上述說明中的源極置換成漏極，將漏極置換成源極即可，只要將信號的高電平置換成低電平，將低電平置換成高電平即可。另外，即便在該情況下，記憶電流的方向也不變。
用圖57-圖61來說明第10實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的制造方法。圖57-圖61是制造方法中的各工序的截面圖，工序順序按圖57-圖61的順序。另外，圖57-圖61中，向?qū)?yīng)于第1、第8、第9實施方式中的場致發(fā)光顯示器面板的各部之部分附加相同符號。
首先，如圖57所示，在第8實施方式的圖44所示的晶體管陣列基板1上，成膜層間絕緣膜20，在層間絕緣膜20的對應(yīng)于各電流控制晶體管9的漏極9D之位置上，形成接觸孔27，使漏極9D露出，在象素電極16a的多個周緣邊中與形成電流源線18側(cè)的邊相對的邊側(cè)、并且沿行方向的位置之層間絕緣膜20中，形成開口部28，當成膜比層間絕緣膜20的厚度薄得多的底部層時，形成分別由接觸孔27中的級差和開口部28的級差分斷的底部層17a、底部層17e。
之后，如圖58所示，當形成露出底部層17a、底部層17e的光刻膠膜64時，執(zhí)行將底部層17a、底部層17e作為電極的電解電鍍，在底部層17a上，成膜比晶體管7、8、9的源極、漏極、柵極膜厚厚的膜厚為2-100微米的銅電鍍厚膜并且寬度為5微米-50微米的電流源線18，在底部層17e上，成膜膜厚為2-100微米的銅電鍍厚膜并且寬度為5微米-50微米的EL線19。
之后，如圖59所示，去除光刻膠膜64，形成至少覆蓋露出的電流源線18的表面、底部層17a的側(cè)面和底部布線16b的側(cè)面之絕緣膜52。另外，與第9實施方式一樣，在整個面中成膜浸液性可變導(dǎo)通膜30之后，照射紫外線，布圖形成利用光觸媒的作用而變性的親液性膜30a，同時，未受到光觸媒作用的部分成為疏液性膜30b。
與第9實施方式一樣，如圖60所示，在親液性膜30a上選擇地濕式成膜包含空穴傳輸層22的溶液或懸濁液，使之干燥形成空穴傳輸層22之后，在其上成膜發(fā)光層23。
之后，如圖61所示，使由透明電極構(gòu)成的共同電極24覆蓋整個面，由保護涂層絕緣膜25來密封上面。共同電極24由于經(jīng)絕緣膜52成膜，所以與電流源線18電絕緣，在與EL線19之間介入疏液性膜30b，但由于疏液性膜30b是非常薄的構(gòu)造，沒有足夠的絕緣性，所以成為電連接的狀態(tài)。因此，全部EL線19經(jīng)共同電極24彼此連接。由于共同電極24是ITO等透明電極，所以電阻率高，但由于EL線19為了使每單位長度的電阻比晶體管7、8、9的源極7S、8S、9S、漏極7D、8D、9D、柵極7G、8G、9G小而堆積得比這些電極的膜厚厚，所以可從全部象素的有機EL元件26的陰極流出足夠的電流。另外，由于電流源線18為了使每單位長度的電阻比晶體管7、8、9的源極7S、8S、9S、漏極7D、8D、9D、柵極7G、8G、9G小而堆積得比這些電極的膜厚厚，所以可從各行象素的有機EL元件26的陽極流出足夠的電流。
之后，在基板2上的多個信號電流線3上連接電流控制驅(qū)動器，在多個掃描線4上連接掃描驅(qū)動器，在多個電流源線18上連接驅(qū)動驅(qū)動器，多個EL線19被設(shè)定為等電位、例如接地電位，由此被維持在恒定電壓。
雖然為了實施本發(fā)明而附加技術(shù)上最佳的各種限定，但發(fā)明范圍不限于上述各實施方式和圖示例。
在上述實施方式中，保持晶體管8的漏極8D連接于電流源線18上，但即便代之與掃描線4連接也可同樣動作。
另外，在上述實施方式中，使各電流控制晶體管9的源極9S與有機EL元件26的陽極連接，使EL線19與有機EL元件26的陰極連接，但不限于此，也可使各電流控制晶體管9的源極9S與有機EL元件26的陰極連接，使EL線19與有機EL元件26的陽極連接。
另外，在上述各實施方式中，電流源線18作為成膜空穴傳輸層22的區(qū)域之至少一邊，切割空穴傳輸層22，并且作為成膜發(fā)光層23的區(qū)域之至少一邊，切割發(fā)光層23，但即便在有機EL元件26是沒有空穴傳輸層的發(fā)光層單層的情況下，也可作為成膜發(fā)光層的區(qū)域之至少一邊，切割發(fā)光層，即便在有機EL元件26設(shè)置電子傳輸層的情況下，也可作為成膜電子傳輸層的區(qū)域之至少一邊，切割電子傳輸層。
同樣，EL線19即便在有機EL元件26是沒有空穴傳輸層的發(fā)光層單層的情況下，也可作為成膜發(fā)光層的區(qū)域之至少一邊，切割發(fā)光層，即便在有機EL元件26設(shè)置電子傳輸層的情況下，也可作為成膜電子傳輸層的區(qū)域之至少一邊，切割電子傳輸層。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，其特征在于具備基板；設(shè)置在所述基板上的發(fā)光元件；具有用于驅(qū)動所述發(fā)光元件的電極的象素電路；和布線，連接于所述象素電路上，具有與所述象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于所述導(dǎo)電層每單位長度的電阻比所述象素電路的電極的每單位長度的電阻小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于所述導(dǎo)電層比所述象素電路的電極厚。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于所述導(dǎo)電層的電阻率比所述象素電路的電極的電阻率低。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于所述象素電路具有薄膜晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其特征在于所述象素電路的電極是源極、漏極。
7.一種顯示裝置，其特征在于具備基板；設(shè)置在所述基板上的多個發(fā)光元件；具有用于分別驅(qū)動所述發(fā)光元件的電極的多個象素電路；和象素電路連接布線，連接于所述多個象素電路上，具有與所述象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于所述象素電路連接布線的導(dǎo)電層每單位長度的電阻比所述象素電路的電極的每單位長度的電阻小。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于所述象素電路連接布線的導(dǎo)電層比所述象素電路的電極厚。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于所述象素電路連接布線的導(dǎo)電層的電阻率比所述象素電路的電極的電阻率低。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于所述象素電路具有薄膜晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其特征在于所述象素電路的電極是源極、漏極。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于還具備發(fā)光元件連接布線，連接于所述多個發(fā)光元件上，具有與所述象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于所述象素電路具有開關(guān)電路，在選擇期間中，在信號電流線中流過規(guī)定電流值的記憶電流，在非選擇期間中，停止在所述信號電流線中流過電流；和電流記憶電路，在所述選擇期間中，記憶對應(yīng)于經(jīng)所述信號電流線流過的所述記憶電流的電流值的電流數(shù)據(jù)，并根據(jù)在所述選擇期間中記憶的所述電流數(shù)據(jù)，在所述非選擇期間中，向所述發(fā)光元件提供電流值對應(yīng)于所述記憶電流的電流值的驅(qū)動電流。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其特征在于所述電流記憶電路具有在所述發(fā)光元件中流過所述驅(qū)動電流的電流控制晶體管。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其特征在于所述開關(guān)電路具有電流路徑控制晶體管，將源極、漏極之一連接于所述信號電流線上，在所述選擇期間中，在所述信號電流線中流過所述記憶電流，而在所述非選擇期間中，停止在所述信號電流線中流過所述驅(qū)動電流。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其特征在于所述開關(guān)電路具有保持晶體管，控制向所述電流記憶電路中寫入所述電流數(shù)據(jù)。
18.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于還具備發(fā)光元件連接布線，連接于所述多個發(fā)光元件上，具有與所述象素電路的電極不同的導(dǎo)電層，所述發(fā)光元件具有發(fā)光層和象素電極，將所述發(fā)光層成膜于所述象素電路連接布線及所述發(fā)光元件連接布線之間的象素電極上。
19.一種顯示裝置，其特征在于具備基板；設(shè)置在所述基板上的多個發(fā)光元件；具有用于分別驅(qū)動所述發(fā)光元件的電極的多個象素電路；和發(fā)光元件連接布線，連接于所述多個發(fā)光元件上，具有與所述象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其特征在于所述發(fā)光元件連接布線的導(dǎo)電層每單位長度的電阻比所述象素電路的電極的每單位長度的電阻小。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其特征在于所述發(fā)光元件連接布線的導(dǎo)電層比所述象素電路的電極厚。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其特征在于所述發(fā)光元件連接布線的導(dǎo)電層的電阻率比所述象素電路的電極的電阻率低。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示裝置，其特征在于還具備象素電路連接布線，連接于所述多個象素電路上，具有與所述象素電路的電極不同的導(dǎo)電層。
24.一種顯示裝置，其特征在于具備具有發(fā)光層的多個發(fā)光元件；分別驅(qū)動所述多個發(fā)光元件的多個象素電路；和布線，連接于所述象素電路或所述發(fā)光元件上，并具有分隔所述發(fā)光層的導(dǎo)電層，作為成膜所述發(fā)光元件發(fā)光層的區(qū)域的至少一邊。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其特征在于所述導(dǎo)電層每單位長度的電阻比所述象素電路的電極的每單位長度的電阻小。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其特征在于所述導(dǎo)電層比所述象素電路的電極厚。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其特征在于所述導(dǎo)電層的電阻率比所述象素電路的電極的電阻率低。
28.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其特征在于所述象素電路具有薄膜晶體管。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的顯示裝置，其特征在于所述象素電路的電極是源極、漏極。
30.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其特征在于所述多個發(fā)光元件分別具有象素電極，在所述象素電極的表面上成膜親液性膜。
31.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其特征在于所述象素電路具有開關(guān)電路，在選擇期間中，在所述電流線中流過規(guī)定電流值的記憶電流，在非選擇期間中，停止在所述電流線中流過電流；和電流記憶電路，在所述選擇期間中，記憶對應(yīng)于經(jīng)所述電流線流過的所述記憶電流的電流值的電流數(shù)據(jù)，并根據(jù)在所述選擇期間中記憶的所述電流數(shù)據(jù)，在所述非選擇期間中，向所述發(fā)光元件提供電流值對應(yīng)于所述記憶電流的電流值的驅(qū)動電流。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的顯示裝置，其特征在于所述電流記憶電路具有在所述發(fā)光元件中流過所述驅(qū)動電流的電流控制晶體管。
33.根據(jù)權(quán)利要求31所述的顯示裝置，其特征在于所述開關(guān)電路具有電流路徑控制晶體管，將源極、漏極之一連接于所述電流線上，在所述選擇期間中，在所述電流線中流過所述記憶電流，而在所述非選擇期間中，停止在所述電流線中流過所述驅(qū)動電流。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的顯示裝置，其特征在于所述開關(guān)電路具有保持晶體管，控制向所述電流記憶電路中寫入所述電流數(shù)據(jù)。
35.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其特征在于所述布線具有連接于所述象素電路的第1布線、和連接于所述發(fā)光元件的第2布線。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的顯示裝置，其特征在于所述第1布線經(jīng)設(shè)置在覆蓋所述象素電路的絕緣膜上的接觸孔與所述象素電路連接。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的顯示裝置，其特征在于所述第2布線配置在覆蓋所述象素電路的絕緣膜的上方。
38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的顯示裝置，其特征在于所述第2布線連接于透明電極上。
39.根據(jù)權(quán)利要求24所述的顯示裝置，其特征在于所述發(fā)光元件具有象素電極，所述布線配置在與所述象素電極不重合的位置上。
40.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于成膜象素電路連接布線，該布線連接于設(shè)置在基板上的多個象素電路上，具有與所述象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于通過電鍍處理來成膜所述象素電路連接布線。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于顯示裝置具備具有發(fā)光層的發(fā)光元件，在用于連接所述多個發(fā)光元件的發(fā)光元件連接布線與所述象素電路連接布線之間，成膜所述發(fā)光層。
43.一種顯示裝置的制造方法，其特征在于設(shè)置具有與設(shè)置于基板上的多個象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層的布線，將所述布線作為分隔壁，成膜發(fā)光層。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于通過電鍍處理來成膜所述布線。
45.根據(jù)權(quán)利要求43所述的顯示裝置的制造方法，其特征在于將所述發(fā)光層濕式成膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，抑制電壓下降或電流延遲的產(chǎn)生。其特征在于具備基板；設(shè)置在所述基板上的發(fā)光元件；具有用于驅(qū)動所述發(fā)光元件的電極的象素電路；和布線，連接于所述象素電路上，具有與所述象素電路的電極不同層的導(dǎo)電層。
文檔編號H05B33/14GK1707569SQ20051007658
公開日2005年12月14日 申請日期2005年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月7日
發(fā)明者白崎友之, 當山忠久, 武居學(xué), 小倉潤, 山口郁博, 尾崎剛 申請人:卡西歐計算機株式會社