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      三相輸入開(kāi)關(guān)整流器缺相檢測(cè)器的制作方法

      文檔序號(hào):6086243閱讀:625來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):三相輸入開(kāi)關(guān)整流器缺相檢測(cè)器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及三相輸入開(kāi)關(guān)整流器缺相檢測(cè)電路。
      在通訊電源領(lǐng)域,三相無(wú)中線(xiàn)開(kāi)關(guān)整流器相對(duì)單相開(kāi)關(guān)整流器而言,因徹底解決了中線(xiàn)電流大和三相電流不平衡問(wèn)題,所以近年來(lái)得到廣泛的應(yīng)用。但對(duì)于三相無(wú)中線(xiàn)開(kāi)關(guān)整流器來(lái)說(shuō),電網(wǎng)缺相將是一個(gè)必須面對(duì)的問(wèn)題,尤其是采用無(wú)源功率校正技術(shù)的開(kāi)關(guān)整流器,缺相時(shí)電網(wǎng)側(cè)諧波電流增加,功率因數(shù)降低。因此一套完善而準(zhǔn)確的缺相檢測(cè)電路對(duì)于三相無(wú)中線(xiàn)開(kāi)關(guān)整流器來(lái)說(shuō)非常重要。
      鑒于上述,本實(shí)用新型的目的是提供一種三相輸入開(kāi)關(guān)整流器缺相檢測(cè)電路,它可提供準(zhǔn)確的缺相信號(hào)。
      本實(shí)用新型的目的提供以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種三相輸入開(kāi)關(guān)整流器缺相檢測(cè)器,其特征在于它由三相全橋整流器、信號(hào)檢測(cè)隔離電路、記憶電路依次串聯(lián)構(gòu)成,信號(hào)檢測(cè)隔離電路由光耦器和穩(wěn)壓器串聯(lián)組成,光耦器的輸出接記憶電路的輸入。
      所述記憶電路由觸發(fā)器構(gòu)成。
      所述光耦器的輸出經(jīng)反相器接觸發(fā)器的脈沖信號(hào)輸入端,觸發(fā)器的信號(hào)輸入端接高電平,置位端接電源地,復(fù)位端接由電容電阻串聯(lián)組成的上電復(fù)位電路。
      由于本實(shí)用新型采用對(duì)三相電源經(jīng)全橋整流后的波形進(jìn)行缺相檢測(cè)鑒別,再經(jīng)光耦隔離,然后存儲(chǔ)在記憶電路中的方式,所用各單元電路均有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、工作可靠的特點(diǎn),故具有電路簡(jiǎn)單、工作可靠的優(yōu)點(diǎn)。
      以下結(jié)合附圖和實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明。


      圖1為本實(shí)用新型的電路圖;圖2-圖4為圖1中的波形圖。
      本實(shí)用新型三相輸入開(kāi)關(guān)整流器缺相檢測(cè)器由三相全橋整流器、信號(hào)檢測(cè)隔離電路、記憶電路依次串聯(lián)構(gòu)成,信號(hào)檢測(cè)隔離電路由光耦器和穩(wěn)壓器串聯(lián)組成,光耦器的輸出接記憶電路的輸入。
      在圖1中二極管V1-V6構(gòu)成三相全橋整流電路,其輸出加至信號(hào)檢測(cè)隔離電路。電阻R1和R2、光耦器N1、穩(wěn)壓管V7組成信號(hào)檢測(cè)隔離電路,完成缺相信號(hào)檢測(cè)隔離,其輸出加至記憶電路。D觸發(fā)器構(gòu)成記憶電路,實(shí)現(xiàn)缺相信號(hào)的觸發(fā)記憶。其中光耦器N1的輸出經(jīng)反相器N2接觸發(fā)器D1的脈沖信號(hào)輸入端CP,觸發(fā)器D1的信號(hào)輸入端D接高電平,置位端S接電源地,復(fù)位端R接由電容C1和電阻R3串聯(lián)組成的上電復(fù)位電路。
      上述電路可裝在一外殼中。
      在三相電網(wǎng)正常的條件下,A、B兩點(diǎn)之間的電壓波形如圖2所示,為一連續(xù)的直流波動(dòng)電壓,最低點(diǎn)為線(xiàn)電壓的0.866倍,最高點(diǎn)為線(xiàn)電壓的1.414倍。根據(jù)開(kāi)關(guān)整流器允許的交流輸入線(xiàn)電壓的波動(dòng)范圍,合理選擇穩(wěn)壓二極管V7的穩(wěn)壓值VR與限流電阻R1的阻值,保證光電耦合器N1能夠可靠導(dǎo)通,則圖1中的C點(diǎn)為高電平、D點(diǎn)為低電平,觸發(fā)器保持上電時(shí)的復(fù)位狀態(tài),E點(diǎn)繼續(xù)為低電平,后級(jí)高頻DC/DC變換電路允許啟動(dòng)。
      在三相電網(wǎng)發(fā)生缺相的情況下,A、B兩點(diǎn)之間的電壓波形如圖3所示。這時(shí)三相全橋整流電路已經(jīng)變?yōu)閱蜗嗳珮蛘麟娐?,因此整流之后的波形有過(guò)零點(diǎn)存在,C點(diǎn)將出現(xiàn)如圖4所示的方波電壓波形,觸發(fā)器D1將發(fā)生翻轉(zhuǎn),E點(diǎn)變?yōu)楦唠娖剑蠹?jí)高頻DC/DC變換電路將被禁止,開(kāi)關(guān)整流器關(guān)閉。
      綜上,本實(shí)用新型的原理是充分利用三相電網(wǎng)全橋整流以后的電壓波形,經(jīng)過(guò)一定的鑒別處理電路,來(lái)檢測(cè)電網(wǎng)的缺相。
      以上實(shí)施例僅為說(shuō)明本實(shí)用新型,并非用來(lái)限制本實(shí)用新型的專(zhuān)利范圍,因此,任何基于本實(shí)用新型和現(xiàn)有技術(shù)所作的非實(shí)質(zhì)性的改進(jìn),當(dāng)屬本實(shí)用新型的專(zhuān)利保護(hù)范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求1.一種三相輸入開(kāi)關(guān)整流器缺相檢測(cè)器,其特征在于它由三相全橋整流器、信號(hào)檢測(cè)隔離電路、記憶電路依次串聯(lián)構(gòu)成,信號(hào)檢測(cè)隔離電路由光耦器和穩(wěn)壓器串聯(lián)組成,光耦器的輸出接記憶電路的輸入。
      2.如權(quán)利要求1所述的三相輸入開(kāi)關(guān)整流器缺相檢測(cè)器,其特征在于所述記憶電路由觸發(fā)器構(gòu)成。
      3.如權(quán)利要求2所述的三相輸入開(kāi)關(guān)整流器缺相檢測(cè)器,其特征在于所述光耦器的輸出經(jīng)反相器接觸發(fā)器的脈沖信號(hào)輸入端,觸發(fā)器的信號(hào)輸入端接高電平,置位端接電源地,復(fù)位端接由電容電阻串聯(lián)組成的上電復(fù)位電路。
      專(zhuān)利摘要三相輸入開(kāi)關(guān)整流器缺相檢測(cè)器由三相全橋整流器、信號(hào)檢測(cè)隔離電路、記憶電路依次串聯(lián)構(gòu)成,信號(hào)檢測(cè)隔離電路由光耦器和穩(wěn)壓器串聯(lián)組成,光耦器的輸出接記憶電路的輸入。它充分利用三相電網(wǎng)全橋整流以后的電壓波形,經(jīng)過(guò)一定的鑒別處理電路,來(lái)檢測(cè)電網(wǎng)的缺相。具有電路簡(jiǎn)單、工作可靠的優(yōu)點(diǎn)。
      文檔編號(hào)G01R29/16GK2458632SQ0026794
      公開(kāi)日2001年11月7日 申請(qǐng)日期2000年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月28日
      發(fā)明者張建利 申請(qǐng)人:北京通力環(huán)電氣股份有限公司
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