專利名稱：絕對濕度傳感器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種絕對濕度傳感器，尤其涉及一種用于微波爐的絕對濕度傳感器。
背景技術：
通常，濕度傳感器用于各種目的，例如，在濕度計、用于在微波爐中烹制食品的濕度傳感器等。目前所用的濕度傳感器的實例包括電容式濕度傳感器、相對濕度傳感器和絕對濕度傳感器。電容式濕度傳感器基于由例如聚酰亞胺的有機材料的吸濕性導致的介電常數(shù)的變化。相對濕度傳感器基于例如MgCr2O4的半導體陶瓷的電阻變化。絕對濕度傳感器基于陶瓷的熱敏電阻。
對于濕度傳感器，基于兩個熱敏電阻的絕對濕度傳感器廣泛用作微波爐中用于烹制食品的濕度傳感器。
絕對濕度傳感器的優(yōu)點是它能夠穩(wěn)定地檢測濕度，因為它不受周圍溫度變化的影響。
微波爐中絕對濕度傳感器的濕度感測原理基于當在食品烹制過程中由食品產(chǎn)生的水蒸汽吸收熱敏電阻的熱量時，由熱敏電阻的溫度變化引起的電阻變化。
圖1所示為現(xiàn)有技術的絕對濕度傳感器的結(jié)構(gòu)。參考圖1，通過以如鉑的貴金屬導體3與支承銷4相連，由諸如玻璃膜的鈍化膜覆蓋的兩陶瓷熱敏電阻1和2浮置。陶瓷熱敏電阻1和2由金屬保護殼5封裝，該金屬保護殼5使這兩熱敏電阻1和2彼此隔開。
熱敏電阻1暴露于空氣中，從而允許水蒸汽通過金屬保護殼5的小孔與熱敏電阻1表面接觸。熱敏電阻1用作感測元件。另一熱敏電阻2通過金屬保護殼5密封在干燥N2中，以不與水蒸汽接觸。熱敏電阻2用作參比元件。
因此，當橋接電路由兩熱敏電阻1和2以及外部電阻組成時，在食品烹制過程中由食品產(chǎn)生的水蒸汽吸收暴露于空氣中的熱敏電阻1的熱量。因此，電阻變化僅在暴露的熱敏電阻1上發(fā)生。這時，由于偏壓而產(chǎn)生輸出變化，從而檢測濕度。
因為現(xiàn)有技術的濕度傳感器采用諸如陶瓷熱敏電阻的元件，所以熱容大，因而靈敏度低。而且，響應時間慢，傳感器的尺寸也較大。
而且，熱敏電阻元件利用導體3和支承銷4浮置，如圖1所示，且導體3和插腳4被點焊焊接。裝配時，參比元件2應當密封在干燥N2中。因此，制造工藝步驟復雜，其工藝步驟數(shù)量增加。此外，成本昂貴，且不利于批量生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是一種絕對濕度傳感器，該絕對濕度傳感器基本消除了由于現(xiàn)有技術的限制和缺點而引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種絕對濕度傳感器，該絕對濕度傳感器具有提高的靈敏度和較快的響應時間。
本發(fā)明的另一目的是提供一種絕對濕度傳感器，該絕對濕度傳感器具有緊湊的尺寸和便于批量生產(chǎn)的簡單工藝步驟。
在隨后的說明中將闡明本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點，并且部分地可由說明可知，或者可以通過實施本發(fā)明而了解。通過在說明書、其權利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)，可以實現(xiàn)并獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點，并根據(jù)本發(fā)明的目的，概括地說，根據(jù)本發(fā)明的絕對濕度傳感器包括一個有腔體的基片；一個形成于該基片上的隔膜；一個形成于該隔膜上的電阻器；形成于隔膜上的電極焊點，用于與電阻器電連接；以及一鈍化膜，該鈍化膜形成于電阻器的整個表面上，用于覆蓋該電阻器。
隔膜由SiO2、Si3N4、SiOxNy和SiO2/Si3N4/SiO2中的任意一種形成。電阻器由Ti、Pt、Ni、Ni-Cr和VO2中的一種或多種形成。鈍化膜由SiO2、Si3N4、SiOxNy、磷硅酸鹽玻璃(PSG)和聚酰亞胺中的任意一種形成。
還可以在鈍化膜的形成有電阻器的區(qū)域上形成導熱膜。這時，導熱膜由Al和Au中的任意一種形成。
另一方面，本發(fā)明的絕對濕度傳感器包括一基片，該基片在預定區(qū)域具有第一腔體和第二腔體；一個形成于該基片上的隔膜；一濕度感測元件，該濕度感測元件形成于隔膜上形成第一腔體的位置處，用于檢測空氣的濕度，該濕度感測元件具有可隨所檢測的濕度變化的電阻值；以及一溫度補償元件，該溫度補償元件形成于隔膜上形成第二腔體的位置處，用于補償濕度感測元件的電阻值。
濕度感測元件和溫度補償元件包括一電阻器，該電阻器形成于隔膜上；電極焊點，該電極焊點形成于隔膜上，用于與電阻器電連接；以及鈍化膜，該鈍化膜形成于電阻器的整個表面上，以便覆蓋該電阻器。
還可以在鈍化膜的形成有電阻器的區(qū)域上形成導熱膜。這時，該導熱膜由Al和Au的任意一種形成。
在濕度感測元件和溫度補償元件上還可以形成一封蓋，以覆蓋該濕度感測元件和溫度補償元件的整個表面，該封蓋將濕度感測元件和溫度補償元件彼此分離，并將它們密封。在封蓋的中心區(qū)域內(nèi)形成有保護膜，以分離和密封該濕度感測元件和溫度補償元件。在封蓋中的形成有濕度感測元件的位置處形成一個孔，以通過外部濕氣。該封蓋由硅制成。
根據(jù)本發(fā)明的絕對濕度傳感器還包括一個管座，該管座與基片的底部相連，并有用于與外部電連接的插腳；一導線，用于使?jié)穸雀袦y元件和溫度補償元件的電極焊點與管座的插腳電連接；以及一金屬保護殼，該金屬保護殼形成于管座的上部上，以蓋管座的、包含濕度感測元件和溫度補償元件的整個表面。
一個孔形成于管座的形成有濕度感測元件的區(qū)域內(nèi)，或者形成于金屬保護殼上，以通過外部濕氣。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，具有對濕度的提高的靈敏度的絕對濕度傳感器利用電阻器制造，同時，利用硅的微加工工藝將該傳感器集成到一個芯片中，以便于其批量生產(chǎn)。
應當知道，前面的總體說明和后面的詳細說明都是示例性的和解釋性的，并將對本發(fā)明的作進一步的解釋。


附圖示出了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理，該附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解，且被結(jié)合進說明書中并成為其一部分。
附圖中圖1是顯示現(xiàn)有技術的絕對濕度傳感器的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖3是表示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的封裝的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖4是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖5是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的封裝的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖6a和6b是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的封裝的結(jié)構(gòu)透視圖；圖7是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的結(jié)構(gòu)剖視圖；圖8a和8b是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的結(jié)構(gòu)透視圖；圖9a和9c是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的硅封蓋的工藝步驟的剖視圖；圖10a和10b是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的封裝的結(jié)構(gòu)透視圖；以及圖11是用于基于根據(jù)本發(fā)明的隔膜型絕對濕度傳感器檢測濕度的電路圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將詳細介紹本發(fā)明的優(yōu)選實施例，其例子示于附圖中。
第一實施例圖2是表示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的結(jié)構(gòu)剖視圖。
如圖2所示，由SiO2、Si3N4、SiOxNy或SiO2/Si3N4/SiO2構(gòu)成的隔膜12形成于硅基片11上。具有電阻溫度系數(shù)(TCR)的電阻材料沉積在隔膜12上，然后被構(gòu)圖以形成電阻器13。該電阻器由Ti、Pt、Ni、Ni-Cr和VO2中的一種或多種形成。
隨后，金屬膜沉積在具有TCR的電阻器13上，然后構(gòu)圖以形成與電阻器13接觸的電極焊點14。
在電阻器13上形成絕緣膜15以覆蓋該電阻器13。
這時，絕緣膜15由具有極好絕緣特性的材料形成，例如SiO2、Si3N4、SiOxNy、PSG和聚酰亞胺。
然后，例如Al或Au的金屬膜沉積在絕緣膜15上，再構(gòu)圖以形成與電阻器13對齊的導熱膜16。
導熱膜16起到將電阻器13的熱快速發(fā)散到外部的作用。在某些情況下也可以不形成導熱膜16。
最后，蝕刻基片11的后側(cè)，以露出隔膜12的形成有電阻13的區(qū)域。
如上述制造的隔膜型絕對濕度傳感器需要一溫度補償元件，該溫度補償元件不受周圍濕度變化的影響；以及一濕度感測元件，該濕度感測元件檢測周圍濕度的變化。
圖3是表示根據(jù)本發(fā)明第一實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的封裝的結(jié)構(gòu)剖視圖。
如圖3所示，作為濕度感測元件的絕對濕度傳感器21和作為溫度補償元件的絕對濕度傳感器22連接于管座23上。插腳24形成于管座23上，以與外部電連接。電極焊點形成于絕對濕度傳感器21和22內(nèi)。插腳24分別通過導線與電極焊點相連。
隨后，金屬保護殼25密封并連接在管座上，以覆蓋管座23的包含絕對濕度傳感器21和22的整個表面。
保護膜25a形成于金屬保護殼25的中心區(qū)域，以分離和密封作為濕度感測元件的絕對濕度傳感器21與作為溫度補償元件的絕對濕度傳感器22。
在金屬保護殼25的形成有作為濕度感測元件的絕對濕度傳感器的區(qū)域內(nèi)形成有一個孔，以通過外部濕氣。在金屬保護殼25的形成有作為溫度補償元件的絕對濕度傳感器的區(qū)域內(nèi)填充干燥N2氣，以不受外部濕度的影響。
第二實施例在本發(fā)明的第二實施例中，作為濕度感測元件的絕對濕度傳感器和作為溫度補償元件的絕對濕度傳感器被集成在一個芯片上，以便于批量生產(chǎn)。
圖4是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的結(jié)構(gòu)剖視圖。
如圖4所示，由SiO2、Si3N4、SiOxNy或SiO2/Si3N4/SiO2構(gòu)成的隔膜32形成于硅基片31上。具有TCR的電阻材料沉積在隔膜32上，然后構(gòu)圖以形成作為濕度感測元件的電阻器33a和作為溫度補償元件的電阻器33b。該電阻器33a和33b由Ti、Pt、Ni、Ni-Cr和VO2中的一種或多種形成。
隨后，金屬膜沉積在具有TCR的電阻器33a和33b上，再構(gòu)圖以形成與電阻器33a和33b接觸的電極焊點34。
在電阻器33a和33b上形成絕緣膜35以覆蓋該電阻器33a和33b的整個表面。
這時，絕緣膜35由具有極好絕緣特性的材料形成，例如SiO2、Si3N4、SiOxNy、PSG和聚酰亞胺。
還有，在某些情況下可以在絕緣膜35上形成Al或Au導熱膜，以與電阻器33a和33b對齊。
最后，蝕刻基片31的后側(cè)，以露出隔膜32的形成有電阻33a和33b的區(qū)域。
在如上制造的隔膜型絕對濕度傳感器中，在一個基片上同時形成不受周圍濕度變化影響的溫度補償元件和檢測周圍濕度的變化的濕度感測元件。因此有利于批量生產(chǎn)。
圖5是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的封裝的結(jié)構(gòu)剖視圖，圖6a和6b是表示根據(jù)本發(fā)明第二實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的封裝的結(jié)構(gòu)透視圖。
如圖5、6a和6b所示，設置有濕度感測元件41和溫度補償元件42的絕對濕度傳感器連接于管座43上。插腳44形成于管座43上，以與外部電連接。電極焊點形成于濕度感測元件41和溫度補償元件42內(nèi)。插腳44分別通過導線與電極焊點相連。
隨后，金屬保護殼45密封并連接在管座43上，以覆蓋管座43的包含濕度感測元件41和溫度補償元件42的整個表面。
與第一實施例不同，在金屬保護殼45中并不形成保護膜。干燥N2氣體填充于濕度感測元件41和溫度補償元件42的上部分，從而不受外部濕度的影響。
僅在管座45的形成有濕度感測元件的區(qū)域內(nèi)形成有一個孔，以使外部濕氣經(jīng)過隔膜。形成有溫度補償元件42的區(qū)域通過基片31密封，以不受外部濕度的影響。
第三實施例本發(fā)明的第三實施例在其結(jié)構(gòu)上與第二實施例相同。
不過，在本發(fā)明的第三實施例中，外部濕氣并不通過在底部形成的管座傳播至隔膜內(nèi)，而是通過形成于上部的保護殼和硅封蓋傳播進絕緣膜內(nèi)。
圖7是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的結(jié)構(gòu)剖視圖，圖8a和8b是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的結(jié)構(gòu)透視圖。
如圖7、8a和8b所示，隔膜52形成于硅基片51上。作為濕度感測元件的電阻器53a和作為溫度補償元件的電阻器53b形成于隔膜52上。該電阻器53a和53b由Ti、Pt、Ni、Ni-Cr和VO2中的一種或多種形成。
隨后，形成電極焊點54，以與電阻器53a和53b接觸。在電阻器53a和53b上形成絕緣膜55以覆蓋電阻器53a和53b的整個表面。
這時，為了使電阻器53a和53b快速散熱，在某些情況下，可以在絕緣膜55上形成Al或Au的導熱膜，以與電阻器53a和53b對齊。
蝕刻基片51的后側(cè)，以露出隔膜32的形成有電阻53a和53b的區(qū)域。
最后，將一個硅封蓋56密封和連接在絕緣膜55的上部，以覆蓋濕度感測元件61和溫度補償元件62的整個表面。
在硅封蓋56的中間區(qū)域形成保護膜，以分離和密封濕度感測元件61和溫度補償元件62。
在硅封蓋56的形成有濕度感測元件61的區(qū)域中形成一個孔，以通過外部濕氣。在硅封蓋56的形成有溫度補償元件的區(qū)域內(nèi)填充干燥N2氣，以不受外部濕度的影響。
在如上制造的隔膜型絕對濕度傳感器中，硅封蓋覆蓋濕度感測元件和溫度補償元件，使得外部濕度向上傳播。
根據(jù)本發(fā)明第三實施例的硅封蓋能夠通過簡單的工藝步驟制造。
圖9a和9c是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的硅封蓋的制造工藝步驟的剖視圖。
如圖9a所示，在硅基片70的兩側(cè)形成有第一和第二蝕刻掩膜71和72。該第一和第二蝕刻掩膜71和72由Si3N4或CrN形成。
隨后，如圖9b所示，除去第一蝕刻掩膜71的預定區(qū)域，以露出硅基片70。再通過濕法或干法蝕刻方法對露出的硅基片70蝕刻預定深度。
如圖9c所示，除去第二蝕刻掩膜72的預定區(qū)域，以露出硅基片70。再通過濕法或干法蝕刻方法對露出的硅基片70進行蝕刻，以形成第一和第二凹形區(qū)域。此時，硅基片70被蝕刻一深度，該深度與在圖9b的步驟中蝕刻的硅基片的底部相連。
在如上制造的本發(fā)明的硅封蓋中，通過硅蝕刻而彼此分離的第一和第二凹形部分得以形成，在第一凹形部分的底部形成一通過外部濕氣的孔，并且在第二凹形部分的底部沒有形成孔，因此不通過外部濕氣。
圖10a和10b是表示根據(jù)本發(fā)明第三實施例的隔膜型絕對濕度傳感器的封裝的結(jié)構(gòu)透視圖。
如圖10a和10b所示，具有濕度感測元件61和溫度補償元件62的絕對濕度傳感器連接于管座63上。插腳64形成于管座63上，以與外部電連接。電極焊點形成于濕度感測元件61和溫度補償元件62內(nèi)。插腳64分別通過導線與電極焊點相連。
隨后，金屬保護殼65密封并連接在管座63上，以覆蓋管座63的包含硅封蓋56的整個表面。
與第一實施例不同，在金屬保護殼65中不形成保護膜。在金屬保護殼65中形成一個孔，以通過外部濕氣。也就是，外部濕氣通過金屬保護殼65的孔和硅封蓋56的孔而傳播到形成有濕度感測元件61的區(qū)域內(nèi)。
圖11是用于基于根據(jù)本發(fā)明的隔膜型絕對濕度傳感器來檢測濕度的電路圖。
參考圖11，利用根據(jù)本發(fā)明的隔膜型絕對濕度傳感器檢測周圍濕度變化的電路包括一個橋接電路和一個用于該橋接電路的電源(V)。橋接電路包括濕度感測元件61、溫度補償元件62、固定電阻器R1和可變電阻器VR。
作為一個實例，下面將介紹利用絕對濕度傳感器和上述電路來檢測在對微波爐內(nèi)的食品進行烹制的過程中由于食品產(chǎn)生的水蒸汽而引起的濕度變化的方法。
首先，如果食品在微波爐中被加熱，則產(chǎn)生水汽。產(chǎn)生的水蒸汽通過形成于傳感器內(nèi)的孔傳播到傳感器內(nèi)。這樣，水蒸汽與濕度感測元件接觸。
這時，濕度感測元件61的電阻通過偏壓自加熱。因此，與濕度感測元件61接觸的水蒸汽吸收電阻器的熱量。因此，濕度感測元件61的電阻器由于熱量損失而降低溫度，從而改變電阻值。
然而，因為溫度補償元件62并不與水蒸汽接觸，電阻值的變化不發(fā)生。
濕度感測元件61的電阻變化引起橋接電路的輸出改變，從而檢測濕度變化。
因此，在傳感器周圍的濕度變化可以通過絕對濕度傳感器和上述電路輕易地檢測。在例如微波爐的烹制機器中烹制食品的過程中由于加熱而從食品產(chǎn)生的水蒸氣被探測，以用于食品的自動烹制。
工業(yè)實用性如上所述，根據(jù)本發(fā)明的隔膜型絕對濕度傳感器有以下優(yōu)點。
因為形成了具有TCR的電阻器，所以可以提高電阻器的靈敏度，并獲得很快的響應時間。而且，因為利用硅的微加工工藝將傳感器集成在一個芯片中，所以能實現(xiàn)緊湊的尺寸和簡單的工藝步驟，以利于批量生產(chǎn)。而且還能節(jié)約生產(chǎn)成本。
前述實施例僅僅是示例性的，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限定。本宗旨可以很容易地應用于其它類型的裝置。本發(fā)明的說明書是說明性的，不對權利要求的范圍進行限定。本領域技術人員可以進行多種改進、改變和變化。
權利要求
1.一種絕對濕度傳感器，包括一具有腔體的基片；一形成于該基片上的隔膜；一形成于該隔膜上的電阻器；形成于該隔膜上的電極焊點，用于與電阻器電連接；以及一鈍化膜，該鈍化膜形成于電阻器的整個表面上，以覆蓋該電阻器。
2.根據(jù)權利要求1所述的絕對濕度傳感器，其中，該隔膜由SiO2、Si3N4、SiOxNy和SiO2/Si3N4/SiO2中的任意一種形成。
3.根據(jù)權利要求1所述的絕對濕度傳感器，其中，電阻器由Ti、Pt、Ni、Ni-Cr和VO2中的一種或多種形成。
4.根據(jù)權利要求1所述的絕對濕度傳感器，其中，鈍化膜由SiO2、Si3N4、SiOxNy、磷硅酸鹽玻璃和聚酰亞胺中的任意一種形成。
5.根據(jù)權利要求1所述的絕對濕度傳感器，還包括一導熱膜，該導熱膜形成于鈍化膜的形成有電阻器的區(qū)域上。
6.根據(jù)權利要求5所述的絕對濕度傳感器，其中，導熱膜由Al和Au中的任意一種形成。
7.一種絕對濕度傳感器，包括一基片，該基片在預定區(qū)域內(nèi)具有第一腔體和第二腔體；一形成于該基片上的隔膜；一濕度感測元件，該濕度感測元件形成于隔膜上形成有第一腔體的位置處，用于檢測空氣中的濕度，該濕度感測元件具有可隨所檢測的濕度而變化的電阻值；以及一溫度補償元件，該溫度補償元件形成于隔膜上形成有第二腔體的位置處，用于補償濕度感測元件的電阻值。
8.根據(jù)權利要求7所述的絕對濕度傳感器，其中，濕度感測元件和溫度補償元件包括一電阻器，該電阻器形成于隔膜上；電極焊點，該電極焊點形成于隔膜上，用于與電阻器電連接；以及一鈍化膜，該鈍化膜形成于電阻器的整個表面上，以覆蓋該電阻器。
9.根據(jù)權利要求8所述的絕對濕度傳感器，其中，隔膜由SiO2、Si3N4、SiOxNy和SiO2/Si3N4/SiO2中的任意一種形成。
10.根據(jù)權利要求8所述的絕對濕度傳感器，其中，電阻器由Ti、Pt、Ni、Ni-Cr和VO2中的任意一種或多種形成。
11.根據(jù)權利要求8所述的絕對濕度傳感器，其中，鈍化膜由SiO2、Si3N4、SiOxNy、磷硅酸鹽玻璃和聚酰亞胺中的任意一種形成。
12.根據(jù)權利要求7所述的絕對濕度傳感器，還包括一導熱膜，該導熱膜形成于鈍化膜的形成有電阻器的區(qū)域上。
13.根據(jù)權利要求12所述的絕對濕度傳感器，其中，導熱膜由Al和Au中的任意一種形成。
14.根據(jù)權利要求7所述的絕對濕度傳感器，還包括一封蓋，該封蓋形成于濕度感測元件和溫度補償元件上，以覆蓋該濕度感測元件和溫度補償元件的整個表面，用于將濕度感測元件和溫度補償元件彼此分離并將它們密封于其中。
15.根據(jù)權利要求14所述的絕對濕度傳感器，其中，在封蓋的中心區(qū)域中形成保護膜，以分離和密封該濕度感測元件和溫度補償元件。
16.根據(jù)權利要求14所述的絕對濕度傳感器，其中，在封蓋的形成有濕度感測元件的區(qū)域內(nèi)形成一個孔，以通過外部濕氣。
17.根據(jù)權利要求14所述的絕對濕度傳感器，其中，該封蓋由硅制成。
18.根據(jù)權利要求7所述的絕對濕度傳感器，還包括一管座，該管座與基片的底部相連，具有用于與外部電連接的插腳；一導線，用于使?jié)穸雀袦y元件和溫度補償元件的電極焊點與管座的插腳電連接；以及一金屬保護殼，該金屬保護殼形成于管座的上部上，以覆蓋管座的包含濕度感測元件和溫度補償元件的整個表面。
19.根據(jù)權利要求18所述的絕對濕度傳感器，其中，在管座的形成有濕度感測元件的區(qū)域內(nèi)形成一個孔，以通過外部濕氣。
20.根據(jù)權利要求18所述的絕對濕度傳感器，其中，在保護殼內(nèi)形成一個孔，以通過外部濕氣。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于微波爐的絕對濕度傳感器。該絕對濕度傳感器包括:一在預定區(qū)域內(nèi)具有第一孔和第二孔的基片;一形成于該基片上的隔膜;一在隔膜上在形成有第一孔的位置處形成的、用于檢測空氣的濕度的、具有可隨所測濕度變化的電阻值的濕度感測元件;以及一在隔膜上在形成第二孔的位置處形成的、用于補償濕度感測元件的電阻值的溫度補償元件。為了進行封裝,該絕對濕度傳感器還包括:一與基片下部接合的管座,具有用于與外部電連接的插腳和流過外部濕氣的孔;一導線,用于將濕度感測元件和溫度補償元件的電極焊點與管座的插腳電連接;以及一形成于管座上部上的金屬保護殼,以覆蓋管座的包含濕度感測元件和溫度補償元件的整個表面。
文檔編號G01N27/12GK1382255SQ00814589
公開日2002年11月27日 申請日期2000年12月12日 優(yōu)先權日2000年7月19日
發(fā)明者李敦熙, 洪炯基 申請人:Lg電子株式會社