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      具有減振阻尼層板的核自旋斷層造影裝置的制作方法

      文檔序號(hào):6038725閱讀:223來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:具有減振阻尼層板的核自旋斷層造影裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明一般涉及核自旋斷層造影法(同義詞磁共振斷層造影法,即MRT),如其在醫(yī)學(xué)中用于對(duì)病人進(jìn)行檢查那樣。本發(fā)明尤其涉及一種核自旋斷層造影裝置,其中,對(duì)設(shè)備部件的振動(dòng)作了衰減,因?yàn)檫@種振動(dòng)在許多方面會(huì)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)造成有害影響。
      背景技術(shù)
      MRT是基于核自旋共振這一物理現(xiàn)象,其作為成功應(yīng)用于醫(yī)學(xué)和生物物理學(xué)領(lǐng)域的成像方法已有超過(guò)15年的歷史。在這種檢查方法中,對(duì)象被置于一個(gè)強(qiáng)大而恒定的磁場(chǎng)中,由此使對(duì)象內(nèi)原本無(wú)規(guī)律取向的原子核自旋定向。高頻波可在此時(shí)使“有序的”核自旋產(chǎn)生某種特定的振動(dòng)。這種振動(dòng)在MRT內(nèi)產(chǎn)生所需的測(cè)量信號(hào),該信號(hào)可被合適的接收線圈所接收。通過(guò)使用由梯度線圈產(chǎn)生的不均勻磁場(chǎng)可以將測(cè)量對(duì)象在所有三維方向上進(jìn)行立體編碼。這種方法允許自由選擇成像層,從而可在所有方向上記錄人體的斷層圖像。MRT作為斷層成像方法用于醫(yī)療診斷技術(shù),其特點(diǎn)首先體現(xiàn)在它是一種具有多種對(duì)比分辨能力的“非侵入性”檢查方法。當(dāng)今的MRT使用梯度功率較高的應(yīng)用,能夠在數(shù)量級(jí)為秒和分的測(cè)量時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的成像質(zhì)量。
      MRT機(jī)部件技術(shù)的不斷改進(jìn)以及使用更高的成像頻率,使MRT在醫(yī)學(xué)的越來(lái)越多的應(yīng)用領(lǐng)域中得到應(yīng)用。支持最少侵入手術(shù)的實(shí)時(shí)成像、用于神經(jīng)科的功能性成像、以及用于心臟病學(xué)的灌注測(cè)量只是少數(shù)幾個(gè)例子。
      這種MRT機(jī)的核心部分的基本結(jié)構(gòu)如圖4所示。圖中示出了一個(gè)基本磁場(chǎng)磁鐵1(例如一個(gè)具有主動(dòng)式散射場(chǎng)屏蔽的軸向超導(dǎo)空氣線圈磁鐵),它在一個(gè)內(nèi)腔中產(chǎn)生一個(gè)均勻基本磁場(chǎng)。該超導(dǎo)磁鐵1在內(nèi)部由一個(gè)置于液氦中的超導(dǎo)線圈構(gòu)成。該基本磁場(chǎng)磁鐵由一個(gè)通常用不銹鋼制成的雙殼容器包圍。其內(nèi)層容器含有液氦,它的一部分也作為磁線圈的繞組體,該內(nèi)層容器通過(guò)導(dǎo)熱性弱的Gfk棒(桿)懸掛在其溫度為室溫的外容器上。內(nèi)、外容器之間是真空。
      通過(guò)支承件7可在基本磁場(chǎng)磁鐵1內(nèi)將筒形梯度線圈2同心地安裝在支承管上。所述支承管向外以外殼8為界,向內(nèi)以內(nèi)殼9為界。襯層10的作用將在后面描述。
      梯度線圈2由3個(gè)子繞組組成,它們分別產(chǎn)生與所施加的電流成正比的、空間上相互垂直的梯度磁場(chǎng)。如圖5所示,所述梯度線圈2包括一個(gè)x線圈3,一個(gè)y線圈4和一個(gè)z線圈5,它們分別環(huán)繞線圈鐵心6纏繞,并因此產(chǎn)生在笛卡兒坐標(biāo)系中x、y和z方向上的梯度磁場(chǎng)。其中每一個(gè)線圈都由獨(dú)立的電源供電,以便以準(zhǔn)確的振幅和時(shí)間按照脈沖序列控制器內(nèi)的編程順序產(chǎn)生相應(yīng)的獨(dú)立的電流脈沖。所要求的電流約為250A。由于梯度切換時(shí)間應(yīng)當(dāng)盡可能地短,所以電流上升速率應(yīng)在250kA/s的數(shù)量級(jí)內(nèi)。在一種如基本磁場(chǎng)磁鐵1所產(chǎn)生的極強(qiáng)的磁場(chǎng)中(典型的是在0.22至1.5特斯拉之間),由于采用這種開關(guān)過(guò)程所出現(xiàn)的洛倫茲力會(huì)引起強(qiáng)烈的機(jī)械振動(dòng)。所有與該梯度系統(tǒng)機(jī)械耦合的系統(tǒng)部件(殼體、蓋板、基本磁場(chǎng)磁鐵的容器和磁罩、HF體線圈等等)都會(huì)發(fā)生強(qiáng)迫振動(dòng)。
      因?yàn)樘荻染€圈通常被導(dǎo)電的結(jié)構(gòu)所圍繞(例如用不銹鋼制成的磁性容器),所以在梯度線圈中由于脈沖場(chǎng)而產(chǎn)生渦流,該渦流又通過(guò)與基本磁場(chǎng)的交互作用而對(duì)該圍繞結(jié)構(gòu)產(chǎn)生作用力,該力同樣會(huì)引起振動(dòng)。
      還有一個(gè)主要會(huì)引起磁性容器振動(dòng)的振動(dòng)源。這就是所謂的冷卻頭,它使基本磁場(chǎng)磁鐵1的溫度保持恒定。冷卻頭由一個(gè)壓縮機(jī)驅(qū)動(dòng),并且對(duì)基本磁場(chǎng)磁鐵1的外殼產(chǎn)生機(jī)械沖擊作用。
      各種不同磁共振部件的振動(dòng)在很多方面對(duì)磁共振系統(tǒng)會(huì)產(chǎn)生不利影響1.會(huì)產(chǎn)生很強(qiáng)的空氣傳播音(噪音),對(duì)病人、操作人員以及其他處在磁共振裝置附近的人員造成損害。
      2.在基本磁場(chǎng)磁鐵和梯度線圈內(nèi),梯度線圈和基本磁場(chǎng)磁鐵的振動(dòng)以及傳遞到HF諧振器和患者臥榻的振動(dòng)都會(huì)造成不符合要求的臨床圖像質(zhì)量,甚至?xí)?dǎo)致誤診(例如在功能性成像、即fMRI中)。
      3.為了阻斷設(shè)備和地面之間的雙向振動(dòng)傳播,必須安裝一套類似于光學(xué)工作臺(tái)的減振系統(tǒng),由此也會(huì)產(chǎn)生昂貴的費(fèi)用。
      在現(xiàn)有技術(shù)中,梯度線圈和斷層造影裝置之間振動(dòng)能的傳輸是通過(guò)機(jī)械的和/或機(jī)電的減振器消除的。
      例如德國(guó)專利文獻(xiàn)DE19722481 A1中公開了一種核自旋斷層造影裝置,它具有一個(gè)被磁罩包圍的磁體,該磁罩包圍并隔離出一個(gè)內(nèi)腔,在該內(nèi)腔里設(shè)置一個(gè)梯度線圈系統(tǒng),并且在該隔離內(nèi)腔的磁罩內(nèi)側(cè)設(shè)置一個(gè)阻尼結(jié)構(gòu),用于吸收由于梯度磁場(chǎng)的通斷而產(chǎn)生的電流所造成的聲音振動(dòng)。在這種情況下,可以采用液態(tài)、氣態(tài)或可灌裝的阻尼材料,用其至少可構(gòu)成一個(gè)阻尼枕。
      在德國(guó)專利文獻(xiàn)DE 19734138 A1中同樣使用了一種被動(dòng)式橡膠阻尼件(例如橡膠套管),并且將梯度線圈密封在一個(gè)獨(dú)立的真空殼體內(nèi)。
      通常還采取以下被動(dòng)措施減小振動(dòng)-全面封閉振動(dòng)源,-使用更厚和更重的材料,-從“外部”敷設(shè)阻尼層(例如瀝青(Teer))特別是對(duì)噪音在磁共振裝置內(nèi)部的形成路徑,即通過(guò)梯度線圈的振動(dòng)以及將其傳輸給梯度線圈內(nèi)的支承管(圖4)所產(chǎn)生的噪音,又由該支承管將噪音向內(nèi)輻射給患者和內(nèi)腔,如在美國(guó)專利文獻(xiàn)US4954781中所述,這種振動(dòng)可通過(guò)一種敷設(shè)在支承管的雙內(nèi)層9上且具有阻尼作用的粘質(zhì)彈性層10(圖4)加以阻斷。
      此外公知的方案還有,在支承管和梯度線圈之間的區(qū)域內(nèi)填充具有吸音特性的所謂聲學(xué)泡沫,以達(dá)到減振目的。
      在德國(guó)專利文獻(xiàn)DE 19643116 A1中公開了一種磁致伸縮材料的集成,特別是將其集成在梯度線圈內(nèi),從而在有控制的運(yùn)行中實(shí)現(xiàn)一種主動(dòng)反向控制,這樣梯度線圈的振動(dòng)振幅就會(huì)降低。
      在德國(guó)專利文獻(xiàn)DE 4432747 C2中同樣公開了一種主動(dòng)式阻尼應(yīng)用,它是通過(guò)集成的具有電致伸縮性的壓電激勵(lì)器實(shí)現(xiàn)的。
      盡管如此當(dāng)今常用的MRT設(shè)備的聲音反射仍然非常強(qiáng)。

      發(fā)明內(nèi)容
      因此,本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是,進(jìn)一步降低MRT設(shè)備運(yùn)行中的噪音傳播。
      本發(fā)明的技術(shù)問(wèn)題是通過(guò)一種核自旋斷層造影裝置解決的,其具有一個(gè)被磁罩包圍的磁體,所述磁罩環(huán)繞并隔離出一個(gè)內(nèi)腔,其中,在該內(nèi)腔中有一個(gè)梯度線圈系統(tǒng)。在所述隔離出該內(nèi)腔的磁罩的內(nèi)壁上設(shè)置了一個(gè)阻尼層板結(jié)構(gòu),用于吸收在梯度線圈系統(tǒng)切換時(shí)所產(chǎn)生的聲音振動(dòng)。
      本方案的優(yōu)點(diǎn)是可以降低由于噪音帶來(lái)的損害。此外,也減少了振動(dòng)到HF諧振器和患者臥榻的傳播,從而基本不會(huì)影響到臨床圖像的質(zhì)量。
      關(guān)于所述阻尼層板結(jié)構(gòu)有不同的構(gòu)成方案如果所述阻尼層板結(jié)構(gòu)構(gòu)成一種開放系統(tǒng),則其中一個(gè)內(nèi)板構(gòu)成所述磁罩的真空承載內(nèi)壁,而一個(gè)外板連同一個(gè)位于兩個(gè)層板之間的阻尼層構(gòu)成所述磁罩的實(shí)際阻尼外壁。
      所述開放系統(tǒng)最好僅布置在磁罩面對(duì)內(nèi)腔的部分表面上。
      如果所述阻尼層板結(jié)構(gòu)是一個(gè)封閉系統(tǒng),則由內(nèi)板和外板構(gòu)成所述磁罩的真空承載壁,其中,在兩個(gè)板之間有一個(gè)阻尼層。
      所述封閉系統(tǒng)最好僅布置在磁罩面對(duì)內(nèi)腔的部分表面上。
      當(dāng)所述封閉系統(tǒng)布置在磁罩的全部表面上時(shí),也是具有優(yōu)點(diǎn)的。
      所述阻尼層板結(jié)構(gòu)最好由兩個(gè)板以及其間的阻尼層構(gòu)成。
      同樣有優(yōu)點(diǎn)的是,在一個(gè)多層構(gòu)造中的阻尼層板結(jié)構(gòu)由多個(gè)層板以及位于其間的阻尼層構(gòu)成一個(gè)封閉系統(tǒng)。
      所述阻尼層最好是一種粘質(zhì)彈性層。
      為了阻止冷卻頭的機(jī)械振動(dòng)傳輸給磁罩,使用本發(fā)明的另一有優(yōu)點(diǎn)的構(gòu)件,即將阻尼層板結(jié)構(gòu)以開放或封閉系統(tǒng)的方式環(huán)繞冷卻頭設(shè)置。


      下面對(duì)照附圖所示的相關(guān)實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)、特征和特性作進(jìn)一步的說(shuō)明。
      圖1示出了基本磁場(chǎng)磁鐵和其所環(huán)繞的內(nèi)部空間的部件的剖面圖;圖1a示出了一個(gè)開放式系統(tǒng)的阻尼層板結(jié)構(gòu)的剖面圖;圖1b示出了一個(gè)封閉式系統(tǒng)的阻尼層板結(jié)構(gòu)的剖面圖,其僅布置在磁罩面對(duì)內(nèi)腔的部分表面上;圖1c示出了一個(gè)封閉式系統(tǒng)的阻尼層板結(jié)構(gòu)的剖面圖,其布置在磁罩的全部表面上;圖1d示出了一個(gè)封閉式系統(tǒng)的阻尼層板結(jié)構(gòu)的剖面圖,其由多個(gè)層板及層板間的阻尼層構(gòu)成;圖2a示出了一個(gè)磁罩端部的剖面圖,其中使用了徑向設(shè)置的加強(qiáng)件;圖2b示出了基本磁場(chǎng)磁鐵端部的正視圖,其中使用了徑向設(shè)置的加強(qiáng)件;圖3示出了患者臥榻,通過(guò)在支架結(jié)構(gòu)內(nèi)集成進(jìn)阻尼層降低了振動(dòng);圖4示出了現(xiàn)有技術(shù)中基本磁場(chǎng)磁鐵的透視圖;圖5示出了現(xiàn)有技術(shù)中帶有3個(gè)子繞組的梯度線圈的透視圖。
      具體實(shí)施例方式
      圖1示出了MRT機(jī)的基本磁場(chǎng)磁鐵1和其所環(huán)繞的內(nèi)部空間的其它部件的示意性剖面圖。所述基本磁場(chǎng)磁鐵1包括超導(dǎo)磁線圈,該超導(dǎo)磁線圈處于液氦中,并且被一個(gè)由雙層容器構(gòu)式的磁罩12所包圍。為了保持溫度恒定,在磁罩12外面設(shè)置了所謂的冷卻頭15。在由磁罩12(也稱為磁容器)所包圍的內(nèi)腔中,通過(guò)支承件7同心懸掛著梯度線圈2。在該梯度線圈2內(nèi)部同樣同心安裝著高頻諧振器13。該高頻諧振器的任務(wù)是將功率發(fā)送器輸出的高頻脈沖轉(zhuǎn)換成交變磁場(chǎng),從而激勵(lì)患者18體內(nèi)的原子核,然后將帶有精確核矩的交變磁場(chǎng)變換成輸送給接收支路的電壓?;颊?8躺在位于滑軌17上的臥榻19上,通過(guò)安裝在高頻諧振器13上的滾輪20進(jìn)入系統(tǒng)的開口或內(nèi)腔中。該滑軌支承在一個(gè)垂直可調(diào)的支承架16上。
      示意圖1所示的系統(tǒng)具有兩個(gè)振動(dòng)源或振動(dòng)中心。其中之一是冷卻頭15,另一個(gè)是梯度線圈2。本發(fā)明通過(guò)在特定的關(guān)鍵位置上使用逐層構(gòu)造的部件降低噪音的傳播。
      在所述關(guān)鍵位置上應(yīng)當(dāng)使用阻尼層板結(jié)構(gòu),這些關(guān)鍵位置是磁罩12,特別是磁鐵內(nèi)側(cè)14對(duì)振動(dòng)特別敏感的部位(熱區(qū)(Warmbore)),環(huán)繞冷卻頭15和患者臥榻16、17、19的區(qū)域。
      因?yàn)檎駝?dòng)部分具有幾乎是連續(xù)的自振頻譜,則特別對(duì)于較高的頻率(>100Hz)提高層的阻尼要比增加質(zhì)量或剛度更加有效。這通常例如是通過(guò)鍍上重膜實(shí)現(xiàn)的。對(duì)于磁罩12最好采用金屬表面,這不僅從真空技術(shù)上,而且在設(shè)計(jì)(尺寸,硬表面)和結(jié)構(gòu)(公差)方面也是有優(yōu)點(diǎn)的。阻尼層板就厚度而言,與其它被動(dòng)方法相比減振最大。通過(guò)夾層結(jié)構(gòu)的自然加固,可以實(shí)現(xiàn)同等重量下更大的剛度。
      將減振特性集成在相應(yīng)部件的結(jié)構(gòu)上并不會(huì)對(duì)設(shè)計(jì)和功能帶來(lái)不利影響。使用阻尼層板可以降低振動(dòng)的振幅,其系數(shù)大于10,而不會(huì)限制其功能或設(shè)計(jì)。目前的層板采用三明治結(jié)構(gòu),產(chǎn)品已經(jīng)大規(guī)模商品化(BONDAL鋼,Krupp-Hoesch(克虜伯-赫施)公司生產(chǎn)),或者采用可預(yù)計(jì)成本的制造(例如在板層之間使用3M-Scotchdamp)。
      下面介紹本發(fā)明的不同實(shí)施方式圖1a示出了一個(gè)系統(tǒng),其僅在隔離出內(nèi)腔21的磁罩12的內(nèi)側(cè)14采用雙層結(jié)構(gòu)。內(nèi)層A和端面K一樣,用于在磁罩12內(nèi)部形成真空,抵抗外部作用的氣壓。這需要足夠的機(jī)械剛度,從而能夠承受靜態(tài)負(fù)壓載荷。在圖1a所示的系統(tǒng)中,只有隔離出內(nèi)腔21的磁罩12的內(nèi)側(cè)14裝有另一個(gè)層板B,該層板不必是真空密封的。其任務(wù)是提高剛性以及內(nèi)側(cè)14的阻尼特性。但實(shí)際的阻尼作用來(lái)自阻尼層,即位于兩層板A和B之間的用E表示的中間夾層。該層與相鄰的金屬層A和B粘合在一起。由于圖1a中的外層B沒(méi)有支承作用,所以將所示的磁罩12的結(jié)構(gòu)稱為開放系統(tǒng)。
      相反地,圖1b示出的是一種封閉系統(tǒng)。其中隔離出內(nèi)腔21的磁罩12的內(nèi)側(cè)14同樣由內(nèi)層C和外層D構(gòu)成。在這兩層之間同樣是阻尼層E。但其與圖1a所示的開放系統(tǒng)的區(qū)別在于,內(nèi)層C以及外層D和端面K都必須承受磁罩12內(nèi)部的超高真空。因此兩個(gè)層板C和D相互之間以及與端面K之間采用焊接方式連接,從而形成一個(gè)形式為三明治結(jié)構(gòu)的封閉的整體結(jié)構(gòu)。這種封閉系統(tǒng)雖然成本高,但是具有更高的剛性,并由此而能夠更好地阻止噪音傳播。在兩種系統(tǒng)中各層的板厚可以相同也可以不同。在圖1a和圖1b所示的實(shí)施方式中,分層結(jié)構(gòu)中間有一粘質(zhì)彈性中間層,它僅設(shè)置在對(duì)振動(dòng)特別敏感的熱區(qū)14處(見圖1)。但是同樣也可將阻尼層板結(jié)構(gòu)設(shè)置在整個(gè)磁罩12上,如圖1c所示。另一種成本更高但阻尼效果更好的結(jié)構(gòu)是多于兩層的層板結(jié)構(gòu),例如,如圖1d所示的3層結(jié)構(gòu)G、H、J。
      如上所述,通過(guò)一個(gè)多層結(jié)構(gòu)可以提高相應(yīng)表面的自身剛性。特別是通過(guò)附加安裝徑向加強(qiáng)件F在磁罩12的端面可獲得更高的剛性。(見剖面圖2a和正視圖2b)。
      以上所述實(shí)施方式適用于相應(yīng)的防止振動(dòng)傳播的集成方案,即對(duì)振動(dòng)源采用環(huán)形絕緣(參見冷卻頭的例子)。
      圖3中示出了患者臥榻?;颊咛稍谝粋€(gè)安裝在滑軌17上的凹形板19上。該滑軌17本身可以水平運(yùn)動(dòng),它位于一個(gè)垂直可調(diào)的支架16上,通過(guò)該支架可將躺有患者的臥榻移動(dòng)到滾動(dòng)軸承20的高度,并且平移到系統(tǒng)的開口內(nèi)。
      由磁鐵或高頻諧振器傳遞到患者臥榻16、17、19上的振動(dòng)同樣可通過(guò)在臥榻的支撐結(jié)構(gòu)中集成進(jìn)阻尼層E得到阻止,也就是說(shuō),將阻尼層E設(shè)置在臥榻19和滑軌17中,或者在該兩個(gè)部件之間、在支架16和滑軌17之間,以及通過(guò)采用具有阻尼作用的滾動(dòng)軸承20,來(lái)阻止振動(dòng)的傳播。
      權(quán)利要求
      1.一種核自旋斷層造影裝置,具有一個(gè)被磁罩(12)包圍的磁體(1),所述磁罩環(huán)繞并隔離出一個(gè)內(nèi)腔(21),其中,在該內(nèi)腔(21)中有一個(gè)梯度線圈系統(tǒng)(2),以及在所述隔離出該內(nèi)腔(21)的磁罩(12)的內(nèi)壁(14)上設(shè)置了一個(gè)阻尼層板結(jié)構(gòu)(A-E-B,C-E-D),用于吸收在梯度線圈系統(tǒng)(2)切換時(shí)所產(chǎn)生的聲音振動(dòng)。
      2.如權(quán)利要求1所述的核自旋斷層造影裝置,其特征在于,所述阻尼層板結(jié)構(gòu)構(gòu)成一種開放系統(tǒng),其中,一個(gè)內(nèi)板(A)構(gòu)成所述磁罩(12)的真空承載內(nèi)壁,以及一個(gè)外板(B)連同一個(gè)位于兩個(gè)板(A)和(B)之間的阻尼層(E)構(gòu)成所述磁罩(12)的實(shí)際的阻尼外壁。
      3.如權(quán)利要求2所述的核自旋斷層造影裝置,其特征在于,所述開放系統(tǒng)僅在磁罩(12)面對(duì)內(nèi)腔(21)的部分表面(14)上延伸。
      4.如權(quán)利要求1所述的核自旋斷層造影裝置,其特征在于,所述阻尼層板結(jié)構(gòu)構(gòu)成一種封閉系統(tǒng),其中,所述內(nèi)板(C)和外板(D)均構(gòu)成所述磁罩(12)的真空承載壁,并且在該兩個(gè)板(C)和(D)之間設(shè)置了一個(gè)阻尼層(E)。
      5.如權(quán)利要求4所述的核自旋斷層造影裝置,其特征在于,所述封閉系統(tǒng)僅在磁罩(12)面對(duì)內(nèi)腔(21)的部分表面(14)上延伸。
      6.如權(quán)利要求4所述的核自旋斷層造影裝置,其特征在于,所述封閉系統(tǒng)延伸在磁罩(12)的全部表面上。
      7.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的核自旋斷層造影裝置,其特征在于,所述阻尼層板結(jié)構(gòu)由兩個(gè)板(A-B或C-D)以及位于兩者之間的阻尼層(E)構(gòu)成。
      8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的核自旋斷層造影裝置,其特征在于,所述阻尼層板結(jié)構(gòu)在多層構(gòu)造(3)中由多個(gè)層板(G-H-J)以及位于層板之間的阻尼層(E1-E2)構(gòu)成一種封閉系統(tǒng)。
      9.如上述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的核自旋斷層造影裝置,其特征在于,所述阻尼層是一種粘質(zhì)彈性層。
      全文摘要
      本發(fā)明一般涉及核自旋斷層造影法(同義詞磁共振斷層造影法,即MRT),它在醫(yī)學(xué)中用于對(duì)病人進(jìn)行檢查。本發(fā)明尤其涉及一種核自旋斷層造影裝置,其中,降低了在許多方面會(huì)給整個(gè)系統(tǒng)造成有害影響的設(shè)備部件的振動(dòng)并減少了噪聲傳播的途徑。根據(jù)本發(fā)明的核自旋斷層造影裝置具有一個(gè)被磁罩(12)包圍的磁體(1),所述磁罩環(huán)繞并隔離出一個(gè)內(nèi)腔(21),其中,在該內(nèi)腔(21)中有一個(gè)梯度線圈系統(tǒng)(2),以及在所述隔離出該內(nèi)腔(21)的磁罩(12)的內(nèi)壁(14)上設(shè)置了一個(gè)阻尼層板結(jié)構(gòu)(A-E-B,C-E-D),用于吸收在梯度線圈系統(tǒng)(2)切換時(shí)所產(chǎn)生的聲音振動(dòng)。
      文檔編號(hào)G01R33/38GK1399141SQ0214153
      公開日2003年2月26日 申請(qǐng)日期2002年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2001年7月23日
      發(fā)明者溫弗里德·阿茨, 弗朗茲·博梅爾, 彼得·迪茨, 馬賽厄斯·韋伯 申請(qǐng)人:西門子公司
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