專利名稱:振動(dòng)式微型電場傳感器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及傳感器,特別涉及振動(dòng)式微型電場傳感器。
背景技術(shù):
大氣電場是一個(gè)跨越多種學(xué)科的特性參量。許多自然現(xiàn)象,如雷電、地震、太陽活動(dòng)等都可以引起大氣電場的相應(yīng)變化。一些人類活動(dòng),如環(huán)境污染、高壓輸電等也會(huì)使近地范圍內(nèi)的大氣電場發(fā)生改變。同時(shí)大氣電場對(duì)于人類的生產(chǎn)、生活也會(huì)產(chǎn)生一定的影響。航天器的發(fā)射、人工降雨都要充分考慮到大氣電場條件。過強(qiáng)的電場還有可能使精密電子設(shè)備失靈,甚至損壞電子設(shè)備。因此,借助于電場傳感器,對(duì)大氣電場進(jìn)行有效的監(jiān)測十分必要,從中可以了解太陽活動(dòng)對(duì)近地大氣電場的影響,監(jiān)測城市環(huán)境污染情況,預(yù)報(bào)雷暴和地震,保障航天器順利發(fā)射。
目前已有若干種電場傳感器。根據(jù)不同的應(yīng)用背景、應(yīng)用環(huán)境和檢測范圍,電場傳感器分為大氣電場檢測、電力系統(tǒng)或電器設(shè)備周圍電場檢測等;根據(jù)其工作原理,亦可分為電荷感應(yīng)式、光學(xué)式等種類。電荷感應(yīng)式電場傳感器制作技術(shù)較成熟,量程大,但是由于其體積較大,應(yīng)用受到了一定的限制。光學(xué)式電場傳感器響應(yīng)速度較快、噪聲較低,但一般測量范圍較窄,且成本較高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種基于微加工技術(shù)的體積小、易于批量加工的微型電場傳感器。
振動(dòng)式微型電場傳感器包括振動(dòng)部分和感應(yīng)部分,振動(dòng)部分有振動(dòng)膜1,在振動(dòng)膜1上制備第一激振電極2和屏蔽電極3,在感應(yīng)部分有第二激振電極5和感應(yīng)電極6。
圖1是本發(fā)明微型電場傳感器結(jié)構(gòu)示意圖;圖2是激振電極對(duì)受力原理圖;圖3是感應(yīng)電極對(duì)在電場中感應(yīng)電荷原理圖,其中,(a)表示激振電壓為零的情況,(b)表示激振電壓大于零的情況。
具體實(shí)施例方式
振動(dòng)式微型電場傳感器的結(jié)構(gòu)如圖1所示,由振動(dòng)和感應(yīng)兩部分組成,分別以單晶硅為基底制備,最終鍵合為一體。
振動(dòng)部分在硅片的一面生長氮化硅薄膜,另一面對(duì)硅進(jìn)行深刻蝕,形成氮化硅薄膜,也就是所述的振動(dòng)膜1。在振動(dòng)膜1上制備電極,包括激振電極陰極2和屏蔽電極3,兩者相互絕緣,屏蔽電極3接地。屏蔽電極3上有柵孔4,孔4的形狀為方孔、圓孔或其它形狀。柵孔的數(shù)量根據(jù)需要制作,但至少為一個(gè)。柵孔4在工藝條件下盡量小,例如,柵孔的面積小于10000um2。為實(shí)現(xiàn)柵孔的屏蔽效果,電極對(duì)的間距d大于0.1倍柵孔直徑為宜。本例中電極對(duì)的間距為8um。振動(dòng)膜1的厚度受工藝水平限制,盡可能薄,振動(dòng)膜1的膜厚小于20um。振動(dòng)膜1上也可以有相應(yīng)于柵孔4的小孔。
感應(yīng)部分與振動(dòng)部分的振動(dòng)膜1相對(duì)應(yīng)的位置制備激振電極陽極5和感應(yīng)電極6兩個(gè)電極。激振電極陽極5與激振電極陰極2正對(duì),形成激振電極對(duì);感應(yīng)電極6與屏蔽電極3正對(duì),形成感應(yīng)電極對(duì)。傳感器的主體結(jié)構(gòu)可以采用體硅加工工藝制備,電極采用濺射或蒸發(fā)金屬的方法制備,如圖1所示。也可以用其他方法制備傳感器主體結(jié)構(gòu)和電極。
圖2為激振電極對(duì)受力原理圖。激振電極陰極2接地,陽極5接零至Vj伏的矩形波電壓。電壓Vj的大小根據(jù)振動(dòng)膜1的彈性系數(shù)以及所期望的振動(dòng)幅度等參數(shù)確定。當(dāng)陽極板電壓為零伏時(shí),由于電極對(duì)的兩極板電壓相同,無感應(yīng)電荷產(chǎn)生,因此無庫侖力作用。當(dāng)陽極板電壓大于零伏時(shí),由電容器的帶電原理可知陽極板將感應(yīng)正電荷,陰極板感應(yīng)出同等電量的負(fù)電荷,陰陽兩極板由于正負(fù)電荷間的庫侖力作用產(chǎn)生吸引力。在力的作用下,振動(dòng)膜1向感應(yīng)部分運(yùn)動(dòng),當(dāng)激振電壓為Vj伏時(shí),兩極板的間距達(dá)到最??;當(dāng)陽極電壓為零伏時(shí),振動(dòng)膜1在自身彈性回復(fù)力的作用下返回初始位置。即振動(dòng)膜1作周期性振動(dòng),其振動(dòng)頻率與激振電極陽極5所加載的矩形波電壓幅度變化的頻率相同。
圖3為感應(yīng)電極對(duì)在電場中感應(yīng)電荷原理圖,圖中上部是振動(dòng)膜1,其上的屏蔽電極3接地;下部是感應(yīng)部分,其上的感應(yīng)電極6輸出信號(hào)。
圖3(a)表示激振電壓為零的情況,由于電極對(duì)不受力,振動(dòng)膜1處于初始位置,屏蔽電極3距離感應(yīng)電極6遠(yuǎn),屏蔽電極3上柵孔附近的屏蔽作用較強(qiáng),外電場穿過柵孔到達(dá)感應(yīng)電極板的滲透電場較弱,感應(yīng)電極3上感應(yīng)的電荷較少。
圖3(b)表示激振電壓大于零的情況,由于電極對(duì)上產(chǎn)生感應(yīng)電荷,庫侖力使得振動(dòng)膜1發(fā)生形變,兩電極間距變小,即屏蔽電極3靠近感應(yīng)電極,屏蔽電極3上柵孔附近的屏蔽作用較弱,外電場穿過柵孔到達(dá)感應(yīng)電極板的滲透電場較強(qiáng),感應(yīng)電極6上感應(yīng)的電荷較多。
振動(dòng)膜作周期性振動(dòng)時(shí),感應(yīng)電極6上的感應(yīng)電荷也作周期性的改變,這種周期改變的感應(yīng)電荷對(duì)外輸出就形成交流電流信號(hào)。待測電場的場強(qiáng)大時(shí)感應(yīng)電極6上的感應(yīng)電荷多,在振動(dòng)一個(gè)周期內(nèi)所產(chǎn)生的感應(yīng)電荷變化量大,在振動(dòng)頻率不變的情況下輸出的交流電流將變大,輸出的交流電流信號(hào)可以反映外界電場強(qiáng)度的大小。在外電場的場強(qiáng)固定情況下,改變振動(dòng)膜1的振動(dòng)頻率也可以使輸出的交流電流變化,因此可以通過調(diào)節(jié)振動(dòng)頻率控制量程。
權(quán)利要求
1.一種振動(dòng)式微型電場傳感器,包括振動(dòng)部分和感應(yīng)部分,其特征在于在振動(dòng)部分有振動(dòng)膜(1),在振動(dòng)膜(1)上制備第一激振電極(2)和屏蔽電極(3),感應(yīng)部分有第二激振電極(5)和感應(yīng)電極(6)。
2.按權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于所述的屏蔽電極上有柵孔(4)。
3.按權(quán)利要求2所述的傳感器,其特征在于所述的柵孔(4)為方形、圓形或其它形狀。
4.按權(quán)利要求2所述的傳感器,其特征在于所述柵孔(4)的面積小于10000um2。
5.按權(quán)利要求2所述的傳感器,其特征在于所述柵孔(4)數(shù)量至少為1個(gè)。
6.按權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于所述的激振電極對(duì)之間的距離d大于0.1倍柵孔直徑。
7.按權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于所述振動(dòng)膜(1)的厚度小于20um。
8.按權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于所述的第一激振電極(2)、第二激振電極(5)兩個(gè)電極中一個(gè)是陰極,另一個(gè)是陽極。兩個(gè)電極的位置正對(duì),形成激振電極對(duì)。
9.按權(quán)利要求1所述的傳感器,其特征在于所述的感應(yīng)電極(6)與屏蔽電極(3)的位置正對(duì),形成感應(yīng)電極對(duì)。
全文摘要
一種振動(dòng)式微型電場傳感器,包括振動(dòng)部分和感應(yīng)部分,在振動(dòng)部分形成振動(dòng)膜(1),在振動(dòng)膜(1)上制備第一激振電極(2)和屏蔽電極(3),在感應(yīng)部分制備第二激振電極(5)和感應(yīng)電極(6)。本發(fā)明的微型電場傳感器基于微加工技術(shù),體積小,成本低,易于批量生產(chǎn)。
文檔編號(hào)G01R29/00GK1492235SQ0214737
公開日2004年4月28日 申請日期2002年10月23日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月23日
發(fā)明者夏善紅, 裴強(qiáng), 白強(qiáng), 龔超 申請人:中國科學(xué)院電子學(xué)研究所