專利名稱：靜磁場校正方法和磁諧振成象系統(tǒng)的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及靜磁場校正方法和MRI(磁諧振成象)系統(tǒng)。更具體說，本發(fā)明涉及用于校正MRI系統(tǒng)和靜態(tài)磁場強度的靜磁場校正方法，用于校正MRI系統(tǒng)的靜態(tài)磁場均勻性的靜磁場校正方法，以及能夠恰當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)靜磁場校正方法的MRI系統(tǒng)。
在一個永磁型的MRI系統(tǒng)中，永磁體的磁特性的變化較大。要添加入多個小磁體以便校正這些變化來得到一個目標(biāo)靜磁場強度。
另一方面，MRI系統(tǒng)的靜態(tài)磁場均勻性對于保證足夠的圖象質(zhì)量是極其重要的。尤其是，近年來發(fā)展起來的EPI(回波平面成象)方法對于靜態(tài)磁場的均勻性是非常敏感的。靜態(tài)磁場的均勻性必須是足夠高的。
為此，使用了墊補(shim)材料或磁性調(diào)整片來校正靜磁場的均勻性。
一種相關(guān)技術(shù)的靜磁場強度校正方法是添加入多塊小磁體，這種方法的問題是難以做到快速和精細(xì)的校正。
另外，由于MdFeB磁體因溫度造成的磁特性的波動較大，靜磁場強度因受梯度線圈所產(chǎn)生的熱的影響而波動。當(dāng)金屬物質(zhì)在MRI系統(tǒng)附近移動時(例如當(dāng)車輛經(jīng)過其附近時)，靜磁場強度會有波動。處理靜磁場強度的這種波動是不可能的。
另一方面，相關(guān)技術(shù)的使用墊補材料或磁性調(diào)整片的靜磁場校正方法具有這樣的問題，即難以進(jìn)行快速和精細(xì)的校正。
發(fā)明概述因此，本發(fā)明的第一目的是提供一種靜磁場校正方法，它能夠快速和精細(xì)地校正MRI系統(tǒng)的靜磁場強度，以及提供一種MRI系統(tǒng)，它能恰當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)該靜磁場校正方法。
本發(fā)明的第二目的是提供一種靜磁場校正方法，它能夠快速和精細(xì)地校正MRI系統(tǒng)的靜磁場均勻性，并且提供一種MRI系統(tǒng)，它能夠恰當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)該靜磁場校正方法。
在第一方面，本發(fā)明提供一種靜磁場校正方法，它包括的步驟為在構(gòu)成MRI系統(tǒng)的磁路的軛中提供一個磁場校正線圈，通過使一個校正電流在磁場校正線圈中流過從而產(chǎn)生一個校正磁場，并且給成象區(qū)域的靜磁場添加一個校正磁場以便校正成象區(qū)域的靜磁場。
在第一方面的磁場波動測量方法中，在軛上提供一個磁場校正線圈，校正磁場就添加在該軛上。調(diào)整校正電流以便快速和精細(xì)地校正靜磁場的強度和均勻性。
在第二方面，本發(fā)明提供的如此構(gòu)建的靜磁場校正方法還包括下列步驟給第一軛提供第一磁場校正線圈，對從第一軛跨越成象區(qū)域的第二軛提供第二磁場校正線圈，由第一磁場校正線圈產(chǎn)生第一校正磁場，并由第二磁場校正線圈產(chǎn)生第二校正磁場，它的方向和強度等于第一校正磁場的方向和強度。
在第二方面的磁場波動測量方法中，一對軛在位于它們之間的成象區(qū)域的位置產(chǎn)生兩個校正磁場，它們的方向和強度是相互等同的。靜磁場強度可以被校正。
在第三方面，本發(fā)明提供的如此構(gòu)建的靜磁場校正方法還包括下列步驟向第一軛提供第一磁場校正線圈，向從第一軛跨越成象區(qū)域的第二軛提供第二磁場校正線圈，由第一磁場校正線圈產(chǎn)生第一校正磁場，以及由第二磁場校正線圈產(chǎn)生第二校正磁場，它的方向和強度中至少有一種與第一校正磁場是不同的。
在第三方面的磁場波動測量方法中，一對軛在位于它們之間的成象區(qū)域的位置產(chǎn)生兩個校正磁場，它們的方向和強度中至少一種是不同的。靜磁場的強度和均勻性可以被校正。
在第四方面，本發(fā)明提供的如此構(gòu)建的靜磁場校正方法還包括下列步驟收集FID信號，根據(jù)FID信號確定諧振頻率，確定諧振頻率和RF發(fā)送/接收系統(tǒng)之間的頻率差，以及根據(jù)該頻率差決定校正電流。
在第四方面的磁場波動測量方法中，測量諧振頻率以便根據(jù)頻率差來決定校正電流。靜磁場強度和均勻性可被精確地校正。
在第五方面，本發(fā)明提供的如此構(gòu)建的靜磁場校正方法還包括下列步驟將一個在其中組合了一個小幻象(phantom)和一個小線圈的NMR探頭設(shè)置在成象區(qū)的附近，從該小線圈發(fā)送RF脈沖以便由該小線圈接收從該小幻象發(fā)出的FID信號，并根據(jù)FID信號確定諧振頻率。
在第五方面的磁場波動測量方法中，使用了NMR探頭來測量諧振頻率。在對病人成象時，可以對靜磁場強度和均勻性進(jìn)行校正而不影響成象。該磁場波動測量方法特別適合于校正各種波動。
在第六方面，本發(fā)明提供的如此構(gòu)建的靜磁場校正方法還包括下列步驟測量構(gòu)成磁路的一個構(gòu)件的溫度，根據(jù)溫度特性確定諧振頻率，確定諧振頻率和目標(biāo)頻率之間的頻差，以及根據(jù)該頻差確定校正電流。
在第六方面的磁場波動測量方法中，測量溫度以便根據(jù)溫度特性決定校正電流。該磁場波動測量方法特別適合于校正因溫度引起的波動。
在第七方面，本發(fā)明提供一種MRI系統(tǒng)，包括一個用于構(gòu)成磁路的軛，一個用于在軛上提供的用于產(chǎn)生校正磁場的磁場校正線圈，以及一個用于磁場校正線圈的電源，用來向磁場校正線圈提供校正電流。
第七方面的MRI系統(tǒng)能夠恰當(dāng)?shù)貙嵤┑谝环矫娴拇艌霾▌訙y量方法。
在第八方面，本發(fā)明提供的如此構(gòu)建的MRI系統(tǒng)還包括第一軛和第二軛，它們被設(shè)置在這樣的位置，以便在它們之間能插入成象區(qū)域；在第一軛處提供的第一磁場校正線圈，它用于產(chǎn)生第一校正磁場；在第二軛處提供的第二磁場校正線圈，它與第一磁場校正線圈串聯(lián)連接以便產(chǎn)生其方向和強度等于第一校正磁場的方向和強度的第二校正磁場；以及用于磁場校正線圈的電源，它用于向第一磁場校正線圈和第二磁場校正線圈的串聯(lián)電路提供校正電流。
第八方面的MRI系統(tǒng)能夠恰當(dāng)?shù)貙嵤┑诙矫娴拇艌霾▌訙y量方法。
在第九方面，本發(fā)明提供的如此構(gòu)建的MRI系統(tǒng)還包括第一軛和第二軛，它們被設(shè)置在這樣的位置，以便在它們之間能插入成象區(qū)域；在第一軛處提供的第一磁場校正線圈，用于產(chǎn)生第一校正磁場；在第二軛處提供的第二磁場校正線圈，用于產(chǎn)生第二校正磁場；用于第一磁場校正線圈的電源，它用于向第一磁場校正線圈提供第一校正電流；以及用于第二磁場校正線圈的電源，它用于向第二磁場校正線圈提供第二校正電流。
第九方面的MRI系統(tǒng)能夠恰當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)第三方面的磁場波動測量方法。
在第十方面，本發(fā)明提供的如此構(gòu)建的MRI系統(tǒng)還包括校正電流決定裝置，它用于收集FID信號，根據(jù)FID信號確定諧振頻率和RF發(fā)送/接收系統(tǒng)之間的頻差，以及根據(jù)頻差決定校正電流。
第十方面的MRI系統(tǒng)能夠恰當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)第四方面的磁場波動測量方法。
在第十一方面，本發(fā)明提供的如此構(gòu)建的MRI系統(tǒng)還包括一個NMR探頭，它由一個小幻象和一個小線圈組合而成，設(shè)置于成象區(qū)域附近，其中校正電流決定裝置從該小線圈發(fā)送出RF脈沖以便由小線圈接收來自小幻象的FID信號，并根據(jù)FID信號確定諧振頻率。
第十一方面的MRI系統(tǒng)能夠恰當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)第五方面的磁場波動測量方法。
在第十二方面，本發(fā)明提供的如此構(gòu)建的MRI系統(tǒng)還包括溫度傳感器，用于測量構(gòu)建磁路的構(gòu)件的溫度；和校正電流決定裝置，用于根據(jù)溫度特性確定諧振頻率，確定諧振頻率和一目標(biāo)頻率之間的頻差，并根據(jù)該頻差決定校正電流。
第十二方面的MRI系統(tǒng)能夠恰當(dāng)?shù)貙崿F(xiàn)第六方面的磁場波動測量方法。
按照本發(fā)明的靜磁場校正方法和MRI系統(tǒng)靜磁場強度和靜磁場均勻性可以快速并均勻地得到校正。
本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點將從根據(jù)附圖對本發(fā)明優(yōu)選實施例的下列詳細(xì)說明中明顯地看到。
附圖簡介圖1是按照本發(fā)明的MRI系統(tǒng)的方塊圖；圖2是按照本發(fā)明的MRI系統(tǒng)的主要部件的透視圖；圖3是表示按照本發(fā)明的MRI系統(tǒng)的主要部件的垂直剖面圖；圖4是表示NMR探頭一個例子的垂直截面圖；圖5是表明按照第一實施例的校正電流的原理圖；圖6是表明按照第一實施例的B0校正磁場的原理圖；圖7是按照第一實施例的B0校正預(yù)掃描過程的流程圖8是按照第一實施例的B0校正掃描過程的流程圖；圖9是按照第一實施例的B0溫度校正過程的流程圖；圖10是表明按照第二實施例的校正電流的原理圖；圖11是表明按照第二實施例的B0校正磁場的原理圖；圖12是按照第二實施例的一維分量決定過程的流程圖；以及圖13是表明按照第三實施例的柱狀軛的水平截面圖。
發(fā)明詳述下面將參考


本發(fā)明的實施例。
第一實施例僅校正靜磁場強度(它并不校正靜磁場均勻性)。
圖1是表明按照本發(fā)明第一實施例的MRI系統(tǒng)100的方塊圖。
MRI系統(tǒng)100包括成象單元30，控制單元40和操作單元50。
成象單元30包括梯度線圈1，發(fā)送線圈2，接收線圈3，NMR探頭16，磁體溫度傳感器17，以及B0校正線圈20。
控制單元40包括計算機14，順序存儲電路7，梯度線圈驅(qū)動電路4，RF系統(tǒng)信號發(fā)送/接收電路15a，探頭系統(tǒng)信號發(fā)送/接收電路15b，B0校正線圈驅(qū)動電路18，和B0校正線圈驅(qū)動電路19。
RF系統(tǒng)信號發(fā)送/接收電路15a包括門極調(diào)制器(gate modulator)電路8，RF振蕩電路9，RF功率放大器5，前置放大器6，相位檢測器10，和A/D轉(zhuǎn)換器11。
探頭系統(tǒng)信號發(fā)送/接收電路15b的結(jié)構(gòu)和RF系統(tǒng)信號發(fā)送/接收電路15a是相同的。
操作單元50包括顯示單元12和操作臺13。
圖2是MRI系統(tǒng)100的原理透視圖。
成象單元30包括一對上下相對放置以便在它們之間形成一個成象空間的磁體單元31；通過將兩個磁體單元31磁性相連而構(gòu)成磁路的柱狀軛Py；兩個B0校正線圈20，每個線圈以圍繞柱狀因子Py的中間部分繞100到200圈的形式而提供；以及工作臺33。
雖然沒有顯示，在磁體單元31之間形成的成象空間中提供了接收線圈3。
圖3是在原理上顯示了磁體單元31的內(nèi)部的截面圖。
設(shè)有一個永磁體M，用于在磁體單元31中垂直地產(chǎn)生一個靜磁場。
每一個永磁體M在其表面具有一個磁調(diào)整片SP，用于在其中能容納一個對象的接收線圈3中形成一個均勻靜磁場的成象區(qū)域。
所述永磁體M、磁調(diào)整片SP、基座軛BY、以及柱狀軛PY構(gòu)成了一個磁路。
每個磁調(diào)整片SP在其表面具有一個梯度線圈1G以便產(chǎn)生梯度磁場。
在梯度線圈1G的內(nèi)部放置著發(fā)送線圈2。
NMR探頭16被設(shè)置成使它位于梯度線圈1G和發(fā)送線圈2之間。
可以使用超導(dǎo)磁體來取代永久磁體M。
圖4是表明NMR探頭16的截面視圖。
NMR探頭16將一個小幻象Ft和圍繞該小幻象Ft的一個小線圈Co結(jié)合在一起，該幻象內(nèi)密封著NaCl或CuSO4的溶液并能夠產(chǎn)生FID信號。
圖5是校正電流I的說明圖。
B0校正線圈20是串聯(lián)連接的，它附加到一對柱狀軛Py上，其位置所處在的是它們之間作為成象區(qū)域的地方。校正電流I是由B0校正線圈驅(qū)動電源19提供的。這對B0校正線圈20產(chǎn)生校正磁場B0c，其中它們的方向和強度是相互相同的，然后它們被加到由永磁體M所產(chǎn)生的靜磁場B0m。該靜磁場被校正到一個目標(biāo)靜磁場強度B0。
圖5表明了校正磁場B0c(校正電流I的方向)，其中假定在由永磁體M所產(chǎn)生的靜磁場B0m中的靜磁場強度是不足夠的。當(dāng)由永磁體M所產(chǎn)生的靜磁場B0m中靜磁場強度是過大的情況下，校正磁場B0c的方向(校正電流的方向)可以被反向。
圖6是對永磁體M所產(chǎn)生的靜磁場B0m中的靜磁場強度不足的概念的說明圖，這種不足可由B0校正線圈20所產(chǎn)生的校正磁場來補償以便得到目標(biāo)靜磁場強度B0。
圖7是表明B0校正預(yù)掃描處理過程的流程圖。
B0校正預(yù)掃描處理過程是作為各種預(yù)掃描處理過程之一來執(zhí)行的，所述各種預(yù)掃描處理過程需要在實驗對象被放置到接收線圈中的狀態(tài)下進(jìn)行調(diào)諧的情況下去執(zhí)行。
在步驟S1，在梯度回波序列(一種脈沖序列，其中將α°的RF脈沖從發(fā)送線圈2送出，不使用180°脈沖)中，接收線圈從實驗對象收集FID信號。
在步驟S2，根據(jù)FID信號確定諧振頻率υ以便得到在諧振頻率υ和RF發(fā)送/接收系統(tǒng)之間的頻差ΔF(在諧振頻率υ和RF系統(tǒng)發(fā)送/接收電路15a的RF振蕩電路9的振蕩頻率之間的頻差)。
在步驟S3，當(dāng)頻差ΔF不是足夠小時，例程就前進(jìn)到步驟S4。當(dāng)它是足夠小時，過程結(jié)束。
在步驟S4，對應(yīng)于頻差ΔF的是磁場差ΔB0ΔB0＝2π·Δf/γ這里γ是磁性旋轉(zhuǎn)比。
然后計算用來校正磁場強度差ΔB0的校正電流I的值。
在步驟S5，校正電流I的值被更新。B0校正線圈驅(qū)動電路18從計算機14讀出更新的校正電流I的值。B0校正線圈驅(qū)動電源19向B0校正線圈20提供更新過的校正電流I的值。例程回到步驟S1。
B0校正預(yù)掃描處理能夠校正靜磁場B0使它和目標(biāo)靜磁場強度足夠接近。
圖8是表明B0校正掃描處理過程的流程圖。
B0校正掃描過程與使實驗對象成象的成象掃描同步執(zhí)行。
在步驟S11，NMR探頭16的小線圈Co發(fā)送RF脈沖并且收集來自小幻象Ft的FID信號。
在步驟S12，根據(jù)FID信號來確定諧振頻率，以便得到在諧振頻率和RF發(fā)送/接收系統(tǒng)之間的頻差。
在步驟S13，計算出用來校正對應(yīng)于頻差ΔF的磁場強度的校正電流I的值。
在步驟S14，校正電流I的值與成象掃描的重復(fù)脈沖序列同步地被更新。B0校正線圈驅(qū)動電路18從計算機14讀出更新過的校正電流I的值。B0校正線圈驅(qū)動電源19向B0校正線圈20提供更新了的校正電流I的值。
在步驟S15，重復(fù)步驟S11到S14直到完成成象掃描為止。在完成成象掃描時，過程結(jié)束。
B0校正掃描過程能夠在成象掃描期間將靜磁場B0校正到目標(biāo)靜磁場強度。
圖9是表明B0溫度校正過程的流程圖。
B0溫度校正過程可以與成象掃描同步執(zhí)行，也可以不管掃描成象而周期性地執(zhí)行，或者可以按給定的時序來執(zhí)行。
在步驟S21，磁體溫度傳感器17測量磁體溫度。
在步驟S22，利用事先測量和建立的磁體溫度-頻差特性表來將磁體溫度轉(zhuǎn)換成頻差ΔF。
在步驟S23，計算出用于校正與頻差ΔF相對應(yīng)的磁場強度的校正電流I的值。
在步驟S24，更新校正電流I值。在成象掃描期間，校正電流I值和重復(fù)的脈沖序列被同步地更新。B0校正線圈驅(qū)動電路18從計算機14讀出經(jīng)過更新的校正電流I值。B0校正線圈驅(qū)動電源19向B0校正線圈20提供經(jīng)過更新的校正電流I值。過程結(jié)束。
B0溫度校正過程能夠校正由于在梯度線圈1中所產(chǎn)生的熱量所引起的靜磁場強度B0的波動。
第一實施例的MRI系統(tǒng)100能夠快速和精細(xì)地校正靜磁場強度。
第二實施例第二實施例校正靜磁場強度和均勻性。
圖10是校正電流Ia和Ib的說明圖。
B0校正線圈驅(qū)動電源19a和19b分別向兩個校正線圈20提供校正電流Ia和Ib，這兩個校正線圈20是附加在一對柱狀軛Py上的，其所在的位置就是成象區(qū)插在它們之間的地方。這一對B0校正線圈20產(chǎn)生校正磁場B0a和B0b，其中方向和強度中的至少一種是不同的，然后這些磁場被加到由永磁體M所產(chǎn)生的靜磁場B0m中。
校正電流Ia和Ib包括一個0維分量Io用以補償在成象區(qū)中間的靜磁場強度的過?；虿蛔?，以及還包括一個1維分量i用以補償一維的靜態(tài)磁場的均勻性。換句話說，1維分量i引起校正磁場B0a和B0b之間的強度差，這使得在由校正磁場B0a和B0b合成的校正磁場B0c中形成一個1維的梯度。這個1維的梯度補償一維靜磁場的不均勻性。
圖10圖解表示了校正磁場B0a和B0b的方向(校正電流Ia和Ib的方向)，其中假定在由永磁體M所產(chǎn)生的靜磁場B0m中靜磁場強度為不足的情況。在由永磁體M所產(chǎn)生的靜磁場B0m中靜磁場強度為過剩的情況下，校正磁場B0a和B0b之一或兩者的方向(校正電流Ia和Ib之一或兩者的方向)可以反向。
圖11是這樣一種概念的說明圖，其中在由永磁體M所產(chǎn)生的靜磁場B0m中的靜磁場的強度不足且存在著1維的不均勻性的情況下，不足的靜磁場強度和1維的不均勻性將由B0校正線圈20所產(chǎn)生的校正磁場Ba和Bb來進(jìn)行補償，以便得到目標(biāo)靜磁場強度B0和靜磁場均勻性。
校正電流Ia和Ib的0維分量Io可以用與第一實施例相同的方式得到。
校正電流Ia和Ib的1維分量i可以由下面所說明的1維分量決定過程來決定。
圖12是表明1維分量決定過程的步驟的流程圖。
1維分量決定過程是作為各種預(yù)掃描處理過程之一來執(zhí)行的，所述各種預(yù)掃描過程需要在實驗對象被放置到接收線圈3中的狀態(tài)下進(jìn)行調(diào)諧的情況下去執(zhí)行。
在步驟31，當(dāng)由校正磁場B0c所形成的1維梯度的方向是X軸時，作為被掃描表面的XZ平面被預(yù)掃描以便收集兩個平面的數(shù)據(jù)Rxz1和Rxz2，其中TE(回波時間)之差是ΔTE[秒]。另外，作為被掃描表面的XY平面被預(yù)掃描以收集兩個平面的數(shù)據(jù)Rxy1和Rxy2，其中TE(回波時間)之差是ΔTE。
在步驟S32，數(shù)據(jù)Rxz1、Rxz2、Rxy1和Rxy2分別進(jìn)行2維傅利葉變換以得到復(fù)數(shù)二維數(shù)據(jù)。然后，分別計算角度二維數(shù)據(jù)，在該數(shù)據(jù)中只有一個由各象素的實數(shù)部分和虛數(shù)部分的反正切所確定的角度是一個象素值。這些角度二維數(shù)據(jù)被叫做相位映象Mxz1、Mxz2、Mxy1和Mxy2。
在步驟33，根據(jù)兩個相位映象Mxz1和Mxz2之間的差確定相位誤差映象Nxz。另外，相位誤差映象Nxy是由兩個相位映象Mxy1和Mxy2之間的差確定的。從該相位誤差映象Nxz中去除噪聲部分，以便只對信號部分采樣。當(dāng)存在一個其相位是折疊的部分時，該折疊部分被消除且數(shù)據(jù)在Z方向上被取平均以便得到1維相位誤差數(shù)據(jù)Fxz(X)。另外，從該相位誤差映象Nxy中去除噪聲部分，以便只對信號部分采樣。當(dāng)存在一個其相位是折疊的部分時，該折疊部分被消除，且數(shù)據(jù)在Y方向上被取平均以便得到1維相位誤差數(shù)據(jù)Fxy(X)。
在步驟34，對1維相位誤差數(shù)據(jù)進(jìn)行最小乘方近似。
Fxz(X)＝Pxz0+Pxz1·X+Pxz2·x2+……Fxy(X)＝Pxy0+Pxy1·X+Pxy2·x2+……系數(shù)Pxz1和Pxy1的平均值是1維系數(shù)Px1。1維系數(shù)Px1是這樣一種相位總量，其中自旋是由磁場的非均勻性在時間ΔTE[秒]期間旋轉(zhuǎn)并且是在X軸方向上的1維分量。它的單位是[rad/cm]。
在步驟35，1維系數(shù)Px1[rad/cm]被轉(zhuǎn)換成靜磁場強度沿X軸線方向的梯度值ΔG[高斯/cm]。
ΔG＝Px1/(2π·ΔTE·γ)這里γ＝4257[Hz/高斯]在步驟36，計算校正電流Ia和Ib的1維分量i，校正電流Ia和Ib能補償靜磁場強度在X軸線方向中的梯度值ΔG或靜磁場X軸線方向上的1維不均勻性。
按照第二實施例的MRI系統(tǒng)，在X方向的靜磁場強度和靜磁場均勻性能夠快速和精細(xì)地得到校正。
第三實施例第三實施例具有4個柱狀軛Py。
如圖13所示，4個柱狀軛的每一個都有B0校正線圈20，且在相對的各柱狀軛Py中提供的B0校正線圈20是成對的，以便控制校正電流。
按照第三實施例的MRI系統(tǒng)，在X-Y方向的靜磁場強度和靜磁場均勻性能夠快速和精細(xì)地得到校正。
可以設(shè)計出本發(fā)明的許多極其不同的實施例而不背離本發(fā)明的精神和范圍。應(yīng)該理解，除了由所附權(quán)利要求所規(guī)定的那樣以外，本發(fā)明不應(yīng)限制在說明書中所說明的特定實施例中。
權(quán)利要求
1.一種靜磁場校正方法包括以下步驟在構(gòu)成MRI系統(tǒng)的磁路的軛上提供磁場校正線圈；使磁場校正線圈流過校正電流以產(chǎn)生校正磁場；給成象區(qū)域的靜磁場附加上校正磁場以校正成象區(qū)域的靜磁場。
2.權(quán)利要求1的靜磁場校正方法，還包括步驟在第一軛上提供第一磁場校正線圈；在從第一軛跨越成象區(qū)的第二軛上提供第二磁場校正線圈；由第一磁場校正線圈產(chǎn)生第一校正磁場；由第二磁場校正線圈產(chǎn)生第二校正磁場，其方向和強度與第一校正磁場的相同。
3.權(quán)利要求1的靜磁場校正方法，還包括步驟在第一軛上提供第一磁場校正線圈，在從第一軛跨越成象區(qū)的第二軛上提供第二磁場校正線圈；由第一磁場校正線圈產(chǎn)生第一校正磁場，由第二磁場校正線圈產(chǎn)生第二校正磁場，其方向和強度中至少有一種是與第一校正磁場的是不同的。
4.權(quán)利要求1的靜磁場校正方法，還包括步驟收集FID信號；根據(jù)FID信號確定諧振頻率；確定諧振頻率和RF發(fā)送/接收系統(tǒng)之間的頻差；以及根據(jù)頻差決定校正電流。
5.權(quán)利要求4的靜磁場校正方法，還包括步驟在成象區(qū)附近放置一個NMR探頭，它組合一個小幻象和一個小線圈；從小線圈發(fā)送RF脈沖以便由小線圈接收從小幻象發(fā)出的FID信號；以及根據(jù)FID信號決定諧振頻率。
6.權(quán)利要求1的靜磁場校正方法，還包括步驟測量構(gòu)成磁路的一個構(gòu)件的溫度；根據(jù)溫度特性確定諧振頻率，確定諧振頻率和目標(biāo)頻率之間有頻差；以及根據(jù)頻差決定校正電流。
7.一種MRI系統(tǒng)包括構(gòu)成磁路的軛；在軛上提供的、用以產(chǎn)生校正磁場的磁場校正線圈；以及用于向磁場校正線圈提供校正電流的磁場校正線圈的電源。
8.權(quán)利要求7的MRI系統(tǒng)，還包括第一軛和第二軛，其設(shè)置位置是在它們之間要插入成象區(qū)的地方；在第一軛上提供的用以產(chǎn)生第一校正磁場的第一磁場校正線圈；在第二軛上提供的且與第一磁場校正線圈串聯(lián)連接用于產(chǎn)生第二校正磁場的第二磁場校正線圈，所述第二校正磁場的方向和強度與第一校正磁場的相同；以及用于磁場校正線圈的電源，該電源向第一磁場校正線圈和第二磁場校正線圈的串聯(lián)電路提供校正電流。
9.權(quán)利要求7的MRI系統(tǒng)，還包括第一軛和第二軛，其所處在的位置是在它們之間要插入成象區(qū)的地方；在第一軛上提供的用于產(chǎn)生第一校正磁場的第一磁場校正線圈；在第二軛上提供的用于產(chǎn)生第二校正磁場第二磁場校正線圈；用于第一磁場校正線圈的電源，該電源向第一磁場校正線圈提供第一校正電流；以及用于第二磁場校正線圈的電源，該電源向第二磁場校正線圈提供第二校正電流。
10.權(quán)利要求7的MRI系統(tǒng)，還包括校正電流決定裝置，它用于收集FID信號，根據(jù)FID信號確定諧振頻率，確定諧振頻率和RF發(fā)送/接收系統(tǒng)之間的頻差，并根據(jù)頻差決定校正電流。
11.按照權(quán)利要求9的MRI系統(tǒng)，還包括一個NMR探頭，它組合一個小幻象和一個小線圈，并且被設(shè)置在成象區(qū)附近，其中校正電流決定裝置從小線圈發(fā)送RF脈沖以便由小線圈接收由小幻象發(fā)送的FID信號，并根據(jù)FID信號確定諧振頻率。
12.權(quán)利要求7的MRI系統(tǒng)，還包括溫度傳感器，用于測量構(gòu)成磁路的構(gòu)件的溫度；以及校正電流決定裝置，它根據(jù)溫度特性確定諧振頻率，確定諧振頻率和目標(biāo)頻率之間的頻差，并根據(jù)頻差決定校正電流。
全文摘要
為了校正MRI系統(tǒng)的靜磁場強度和均勻性，B0校正線圈驅(qū)動電源分別提供校正電流給附加在一對柱狀軛上的B0校正線圈，其所處在的位置是在它們之間插入成象區(qū)的地方，這對B0校正線圈可產(chǎn)生校正磁場，其方向和強度的至少一種是不同的，然后它們被附加到由永磁體所產(chǎn)生的靜磁場上。
文檔編號G01R33/38GK1455874SQ02800214
公開日2003年11月12日 申請日期2002年1月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年2月2日
發(fā)明者T·戈托, S·米亞莫托 申請人:Ge醫(yī)療系統(tǒng)環(huán)球技術(shù)有限公司