專利名稱：用于補(bǔ)償測(cè)試溫度偏差的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于補(bǔ)償半導(dǎo)體裝置處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法。
通常，許多處理機(jī)有用于不僅在室溫下執(zhí)行一般性能測(cè)試，而且還在超高或超低溫度下進(jìn)行測(cè)試以判定半導(dǎo)體裝置或模塊在極端溫度條件下能否執(zhí)行正常性能的系統(tǒng)。超高或超低溫度環(huán)境是通過(guò)在封閉室內(nèi)提供電加熱器或液化氣體噴霧系統(tǒng)來(lái)形成的。
但是，在使用處理機(jī)對(duì)半導(dǎo)體裝置執(zhí)行溫度測(cè)試中，在電連接于測(cè)試座的半導(dǎo)體裝置被測(cè)試時(shí)半導(dǎo)體裝置本身產(chǎn)生熱量。這種增加的熱量妨礙了以準(zhǔn)確的預(yù)設(shè)溫度進(jìn)行測(cè)試。由于半導(dǎo)體裝置變得越來(lái)越小而且組裝密度也增加，所以這是一個(gè)測(cè)試和實(shí)際應(yīng)用環(huán)境都須解決的問(wèn)題。
例如，在高溫測(cè)試中，如果使用者將測(cè)試室內(nèi)溫度設(shè)置到80℃，如果沒(méi)有由半導(dǎo)體本身產(chǎn)生的熱量，測(cè)試可在設(shè)定的80℃溫度執(zhí)行。但是，如果測(cè)試過(guò)程中半導(dǎo)體裝置處產(chǎn)生了熱量，導(dǎo)致了大概15℃的測(cè)試溫度偏差，則測(cè)試以95℃執(zhí)行，而不是所需的80℃溫度。
因此，半導(dǎo)體裝置的測(cè)試是以高于設(shè)定溫度的溫度執(zhí)行的。由于未能以所需溫度或在所需溫度范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)試，這會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)量和可靠性的下降。
因此，本發(fā)明致力于補(bǔ)償處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法，該方法大大削減了由現(xiàn)有技術(shù)限制和缺陷帶來(lái)的問(wèn)題。
為了全部地或部分地取得這些和其他優(yōu)勢(shì)，及根據(jù)本發(fā)明的目的，如所具體和概括描述的，提供了用于補(bǔ)償半導(dǎo)體裝置處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法，該半導(dǎo)體裝置處理機(jī)具有制冷液供應(yīng)設(shè)備、噴嘴裝置，其配置用以噴射來(lái)自制冷液供應(yīng)設(shè)備供應(yīng)的流體到相應(yīng)地安裝于至少一個(gè)測(cè)試座的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置上，以及控制單元，其配置用以控制制冷液供應(yīng)設(shè)備，所述方法包括將至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置安裝于至少一個(gè)座并且開(kāi)始測(cè)試，實(shí)時(shí)測(cè)量半導(dǎo)體裝置的溫度變化并且將測(cè)量到的溫度變化與預(yù)設(shè)值比較，作為比較的結(jié)果，如果測(cè)量到的溫度變化高于預(yù)設(shè)值，噴射制冷液到半導(dǎo)體裝置上，以及作為比較的結(jié)果，如果測(cè)量到的溫度變化低于預(yù)設(shè)值，停止向該半導(dǎo)體裝置上噴射制冷液。
為了全部地或部分地取得這些和其他優(yōu)勢(shì)，以及根據(jù)本發(fā)明的目的，如所具體和概括描述的，進(jìn)一步提供了用于補(bǔ)償半導(dǎo)體裝置處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法，該半導(dǎo)體裝置處理機(jī)具有制冷液供應(yīng)設(shè)備、噴嘴裝置，其配置用以噴射來(lái)自制冷液供應(yīng)設(shè)備的液體到相應(yīng)地安裝于至少一個(gè)測(cè)試座的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置上，以及控制單元，其配置用以控制制冷液供應(yīng)設(shè)備，所述方法包括在該控制單元中存儲(chǔ)一個(gè)表，該表具有不同類型的半導(dǎo)體裝置的溫度變化特性所要求的制冷時(shí)間段，將至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置安裝到至少一個(gè)測(cè)試座并開(kāi)始測(cè)試，以及對(duì)于該表中的制冷時(shí)間段對(duì)測(cè)試座上的各半導(dǎo)體裝置將制冷液噴射到半導(dǎo)體裝置上。
為了全部地或部分地取得這些和其他優(yōu)勢(shì)，以及根據(jù)本發(fā)明的目的，如所具體和概括描述的，進(jìn)一步提供了用于補(bǔ)償半導(dǎo)體裝置處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法，該半導(dǎo)體裝置處理機(jī)具有制冷液供應(yīng)設(shè)備、噴嘴裝置，其配置用以噴射來(lái)自制冷液供應(yīng)設(shè)備的流體到相應(yīng)地安裝于至少一個(gè)測(cè)試座的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置上面，以及控制單元，其配置用以控制制冷液供應(yīng)設(shè)備，該方法包括將第一類型半導(dǎo)體裝置安裝到至少一個(gè)測(cè)試座上，探測(cè)和存儲(chǔ)第一類型半導(dǎo)體裝置起始溫度測(cè)試時(shí)判定的第一類型半導(dǎo)體裝置的時(shí)間-溫度變化特點(diǎn)，及根據(jù)其后的半導(dǎo)體裝置測(cè)試過(guò)程中存儲(chǔ)的第一類型半導(dǎo)體裝置的時(shí)間-溫度變化特點(diǎn)控制向第一類型半導(dǎo)體裝置上面噴射制冷液。
為了全部地或部分地取得這些和其他優(yōu)勢(shì)，以及根據(jù)本發(fā)明的目的，如所具體和概括描述的，進(jìn)一步提供了用于補(bǔ)償半導(dǎo)體裝置處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法，該半導(dǎo)體裝置處理機(jī)具有制冷液供應(yīng)設(shè)備、噴嘴裝置，其與制冷液供應(yīng)設(shè)備通信且其配置用以噴射來(lái)自制冷液供應(yīng)設(shè)備的液體到相應(yīng)地安裝于至少一個(gè)測(cè)試座的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置上面，以及控制單元，其配置用以控制制冷液供應(yīng)設(shè)備，所述方法包括將至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置安裝于至少一個(gè)測(cè)試座并且開(kāi)始測(cè)試，以及基于測(cè)試過(guò)程中半導(dǎo)體裝置的溫度變化向半導(dǎo)體裝置噴射制冷液以補(bǔ)償測(cè)試過(guò)程中由半導(dǎo)體裝置產(chǎn)生的熱量。
本發(fā)明的另外的優(yōu)勢(shì)、目的、和特征將在以下描述中逐步提出，并且通過(guò)查看以下內(nèi)容對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將變得逐步明顯，或者從本發(fā)明的實(shí)施中可學(xué)到。本發(fā)明的目的和優(yōu)勢(shì)可通過(guò)所附權(quán)利要求中所具體指出的而實(shí)現(xiàn)和達(dá)到。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將詳細(xì)參照本發(fā)明的實(shí)施例，其實(shí)例在附圖中被圖解說(shuō)明。

圖1和圖2(a)-2(b)圖解了根據(jù)本發(fā)明具有用于補(bǔ)償測(cè)試溫度偏差裝置的處理機(jī)的實(shí)例。處理機(jī)的系統(tǒng)和運(yùn)行將在下面被加以解釋。
如圖1中所示的處理機(jī)1包括在處理機(jī)1前部?jī)?nèi)的裝載單元10，用戶托盤可裝載于其內(nèi)，和位于裝載單元10一側(cè)的卸載單元20，其中測(cè)試過(guò)的半導(dǎo)體裝置可被裝載在用戶托盤上，同時(shí)根據(jù)測(cè)試結(jié)果測(cè)試過(guò)的半導(dǎo)體裝置被分類。
在處理機(jī)1中間部分的兩側(cè)提供有緩沖單元40。緩沖單元40暫時(shí)保留從裝載單元10運(yùn)送來(lái)的半導(dǎo)體裝置。在緩沖單元40之間提供有轉(zhuǎn)換單元50。轉(zhuǎn)換單元50將要測(cè)試的半導(dǎo)體裝置從緩沖單元40取出并將它們放在測(cè)試托盤T中。轉(zhuǎn)換單元50還將測(cè)試過(guò)的半導(dǎo)體裝置從測(cè)試托盤T送回緩沖單元40。
在處理機(jī)1的前部和處理機(jī)1中部之間提供有一個(gè)或多個(gè)第一揀選機(jī)器人31和第二揀選機(jī)器人32，該處理機(jī)前部具有裝載單元10和卸載單元20，處理機(jī)中部具有轉(zhuǎn)換單元50和緩沖單元40。每一個(gè)揀選單元31，32在X-Y軸向上可線性移動(dòng)并揀選出半導(dǎo)體裝置。第一揀選機(jī)器人31在裝載單元10、卸載單元20、和緩沖單元40之間移動(dòng)以運(yùn)送半導(dǎo)體裝置。第二揀選機(jī)器人32在緩沖單元40和轉(zhuǎn)換單元50之間移動(dòng)以運(yùn)送半導(dǎo)體裝置。
室單元70被提供在處理機(jī)1的尾部且包括多個(gè)密封室。一個(gè)或多個(gè)室可被裝以電加熱器或液化氣噴霧系統(tǒng)(未示出)以形成用于測(cè)試半導(dǎo)體裝置的高或低的溫度環(huán)境。半導(dǎo)體裝置被放在相應(yīng)的各室內(nèi)托盤T上并且隨后受到在相應(yīng)或高或低的溫度環(huán)境中的測(cè)試。
在圖1的實(shí)施例中，室70包括預(yù)熱室71、測(cè)試室72、和解凍室73。在預(yù)熱室71中，從轉(zhuǎn)換單元50運(yùn)送來(lái)的測(cè)試托盤T被加熱或冷卻至預(yù)設(shè)溫度。在測(cè)試室72中，置于測(cè)試托盤T上的半導(dǎo)體裝置被安裝于連接于外部測(cè)試設(shè)備80的測(cè)試板85(被稱為Hi-Fix)上的測(cè)試座86，并隨后以預(yù)設(shè)的溫度被測(cè)試。在解凍室73中，測(cè)試過(guò)的半導(dǎo)體裝置被恢復(fù)至起始室溫。將測(cè)試托盤T從其前部移至其尾部的同時(shí)，預(yù)熱室71可將測(cè)試托盤T加熱或冷卻至預(yù)設(shè)溫度。將測(cè)試托盤逐步從其尾部移至其前部的同時(shí)，解凍室73可將測(cè)試過(guò)的半導(dǎo)體裝置恢復(fù)至起始室溫。
如圖2A和2B所示，在測(cè)試室72中提供有推動(dòng)單元90，用于向測(cè)試板85推動(dòng)附著于測(cè)試托盤T上的載體C的半導(dǎo)體裝置，以將半導(dǎo)體裝置安裝/移開(kāi)于測(cè)試座86。推動(dòng)單元90包括安裝于其的噴嘴裝置170，用于噴射干燥空氣和液化氣體的混合制冷液。如圖2A、2B和圖3所示，噴嘴裝置170包括多個(gè)可被獨(dú)立控制的噴嘴170A。制冷混合液通過(guò)冷卻測(cè)試下的半導(dǎo)體裝置來(lái)補(bǔ)償任何溫度偏差。
此外，散熱片180，例如鋁散熱片，可提供于鄰近測(cè)試板85的測(cè)試座86。另外，散熱裝置還可以提供于測(cè)試托盤T。散熱片180與半導(dǎo)體裝置面對(duì)面的接觸以冷卻半導(dǎo)體裝置，由此與噴嘴裝置170一同補(bǔ)償測(cè)試溫度偏差。
散熱片180可具有內(nèi)置溫度傳感器181。傳感器181探測(cè)和傳送溫度到控制單元190(見(jiàn)圖3)。另外，溫度傳感器還可提供于載體C、測(cè)試托盤T、推動(dòng)單元90之上或之內(nèi)，或其他它在測(cè)試前、測(cè)試中、或測(cè)試后能夠感知到半導(dǎo)體裝置溫度、溫度變化、和/或溫度變化率的位置。溫度傳感器也可提供于測(cè)試板85上或作為它的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，散熱片180包括充有用于散熱的制冷劑的散熱管(未示出)。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的用于補(bǔ)償測(cè)試溫度偏差的裝置的示意圖。參照?qǐng)D3，用于補(bǔ)償測(cè)試溫度偏差的裝置100包括液化氣源110，提供液化氣，例如液態(tài)氮LN2，提供干燥空氣的干燥空氣源120，既連接于液化氣源110又連接于干燥空氣源120的混合器，它均勻地混合液化氣和干燥空氣從而產(chǎn)生制冷液，并向噴嘴裝置170提供制冷液。
第一電磁閥150被提供在連接液化氣源110和混合器130的流動(dòng)線路上。第一電磁閥150控制提供給混合器130的液化氣的流量。第二電磁閥160被提供在將干燥空氣源120連接到混合器130的流動(dòng)線路上。第二電磁閥160控制到達(dá)混合器130的干燥空氣的流量。第一和第二電磁閥150和160由電控制處理機(jī)運(yùn)行的控制單元190操縱?？刂茊卧?90可通過(guò)控制制冷液的噴射速率、制冷液的噴射時(shí)間段、和/或制冷液中氣體的比例來(lái)控制制冷液的噴射。
過(guò)濾裝置140被提供在連接混合器130和噴嘴裝置170的流動(dòng)線路上。過(guò)濾裝置140霧化液態(tài)氣體以防止大的液化氣顆粒通過(guò)噴嘴裝置170噴射到半導(dǎo)體裝置上面。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用于補(bǔ)償測(cè)試溫度偏差的方法將在下面被加以詳細(xì)解釋。為方便起見(jiàn)，本方法使用上面討論過(guò)的裝置來(lái)被加以解釋，但是，其他裝置也可被用來(lái)實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的補(bǔ)償測(cè)試溫度偏差的方法可以在封閉模式、開(kāi)放模式、或類型參考模式、其中選擇性適用的一個(gè)或多個(gè)模式下進(jìn)行。在測(cè)試前工作者根據(jù)所要測(cè)試的半導(dǎo)體裝置選擇一個(gè)或多個(gè)模式。
封閉模式將參照?qǐng)D4被加以解釋。
在根據(jù)工作者的選擇開(kāi)始進(jìn)入封閉模式并將處理機(jī)投入運(yùn)行時(shí)，由溫度控制單元，例如電加熱器，或液化氣噴射系統(tǒng)，將測(cè)試室72的內(nèi)部設(shè)為預(yù)設(shè)溫度。例如，控制單元190控制第一電磁閥150和第二電磁閥160，以分別從液化氣源110和干燥空氣源120提供液化氣和干燥空氣給混合器130。如前所述，控制單元190可通過(guò)控制制冷液的噴射速率、制冷液的噴射時(shí)間段、和/或制冷液中氣體的比例來(lái)控制制冷液的噴射?；旌掀?30混合液化氣和干燥空氣從而產(chǎn)生制冷液。隨后制冷液通過(guò)過(guò)濾裝置140，并在步驟S41中被噴射到溫度傳感器181上面。
如果流道內(nèi)留有液化氣，液化氣被噴射到半導(dǎo)體裝置上面。在噴射了液化氣，不是以氣態(tài)，而是以液態(tài)的情況下，冷卻能力減弱，不能在短時(shí)間內(nèi)將半導(dǎo)體裝置冷卻到所需溫度。因此，在開(kāi)始測(cè)試半導(dǎo)體裝置之前，在步驟S42中使用在溫度傳感器181處感知的溫度變化率判定制冷液是處于氣態(tài)還是液態(tài)。
如果溫度變化率低于步驟S42中的預(yù)設(shè)值，判定噴射物中含有液態(tài)的液化氣，然后制冷液被噴射直到噴射物中不含有液化氣。當(dāng)溫度變化率高于預(yù)設(shè)值，判定噴射物中不含液體。在此情況下，控制單元190暫時(shí)停止噴射制冷液，并且在步驟S43中處理機(jī)移動(dòng)將半導(dǎo)體裝置移向測(cè)試室72的測(cè)試托盤。
然后，如上面所說(shuō)明的，安裝有半導(dǎo)體裝置的測(cè)試托盤T被運(yùn)送到測(cè)試室72中，并被置于推動(dòng)單元90和測(cè)試板85之間。然后推動(dòng)單元90向測(cè)試板85移動(dòng)以將安裝于測(cè)試托盤T的載體C的半導(dǎo)體裝置S安裝于測(cè)試座86，并執(zhí)行測(cè)試。
接下來(lái)，控制單元190檢查在溫度傳感器181處測(cè)量的半導(dǎo)體裝置的溫度變化，并在步驟S44中判定溫度變化是否高于預(yù)設(shè)值。作為步驟S44中的判定結(jié)果，如果半導(dǎo)體裝置的溫度變化高于預(yù)設(shè)值，在步驟S45中控制單元190通過(guò)噴嘴裝置170將制冷液噴射到半導(dǎo)體裝置上。
在步驟S45之后，在步驟S46中判定半導(dǎo)體裝置的溫度變化是否降低至低于預(yù)設(shè)值。如果半導(dǎo)體裝置的溫度變化降低至低于預(yù)設(shè)值，在步驟S47中制冷液的噴射被停止。
因而，根據(jù)步驟S44-S47，通過(guò)實(shí)時(shí)檢查半導(dǎo)體裝置的溫度變化并噴射制冷液，控制單元190將半導(dǎo)體裝置的溫度保持在所需水平直到完成測(cè)試。
接下來(lái)，將參照?qǐng)D5解釋開(kāi)放模式。
為了根據(jù)開(kāi)放模式執(zhí)行測(cè)試，數(shù)據(jù)表被預(yù)先存儲(chǔ)在系統(tǒng)內(nèi)。該表通過(guò)對(duì)不同的半導(dǎo)體裝置執(zhí)行測(cè)試溫度偏差測(cè)試被獲取，并在數(shù)據(jù)表內(nèi)存儲(chǔ)消除各種不同半導(dǎo)體裝置測(cè)試溫度偏差所需的制冷時(shí)間。
當(dāng)工作者選擇開(kāi)放模式并將處理機(jī)投入運(yùn)行，控制單元190讀取所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)表，并為在當(dāng)時(shí)要被測(cè)試的特定半導(dǎo)體裝置設(shè)定制冷時(shí)間段，并繼續(xù)進(jìn)行步驟S51中的測(cè)試。然后，通過(guò)一個(gè)溫度控制單元(未示出)，例如電加熱器，或液化氣噴射系統(tǒng)，測(cè)試室72的內(nèi)部被調(diào)至所要求的溫度狀態(tài)，并且控制單元190分別控制第一電磁閥150和第二電磁閥160以將液化氣和干燥空氣從液化氣源110和干燥空氣源120提供給混合器130?；旌掀?30將液化氣和干燥空氣混合從而產(chǎn)生制冷液。然后制冷液通過(guò)過(guò)濾裝置140，并在步驟S52中被噴射到溫度傳感器181上。
此處，根據(jù)與封閉模式中相同的過(guò)程，使用在步驟S53中溫度傳感器181處感知的溫度變化率判定制冷液的狀態(tài)是氣態(tài)還是液態(tài)。如果判定噴射物中含有液化氣，制冷液被噴射直到噴射物不合有液化氣，以防止將液化氣直接噴射到半導(dǎo)體裝置上。
另一方面，如果判定噴射物中不含有液體，控制單元190暫時(shí)停止噴射制冷液，處理機(jī)移動(dòng)測(cè)試托盤T以將半導(dǎo)體裝置移向測(cè)試室72，并且半導(dǎo)體裝置在步驟S86中被安裝于測(cè)試座，在步驟S54中被測(cè)試。
在半導(dǎo)體裝置測(cè)試被執(zhí)行的同時(shí)，控制單元190在步驟S55中在預(yù)設(shè)制冷時(shí)間段內(nèi)控制制冷液向半導(dǎo)體裝置上的噴射。如前所述，控制單元190可通過(guò)控制制冷液的噴射速率、制冷液的噴射時(shí)間、和/或制冷液中氣體的比例來(lái)控制制冷液的噴射。完成步驟S56中的測(cè)試后，過(guò)程結(jié)束。
接下來(lái)，類型參照模式將被加以解釋。
類型參照模式是封閉模式和開(kāi)放模式的組合。即，封閉模式是不考慮半導(dǎo)體裝置的溫度變化特點(diǎn)，制冷液的噴射是由實(shí)時(shí)溫度檢查和反饋來(lái)控制以將半導(dǎo)體裝置的溫度保持在一個(gè)固定水平的一種方法，開(kāi)放模式是半導(dǎo)體裝置的溫度變化特點(diǎn)被保持的同時(shí)，制冷液在預(yù)設(shè)時(shí)間段內(nèi)被噴射到半導(dǎo)體裝置上面的一種方法，而類型參照模式是即使沒(méi)有進(jìn)行實(shí)時(shí)溫度檢查和反饋，制冷液的噴射根據(jù)半導(dǎo)體裝置的類型的溫度變化特點(diǎn)被噴射的一種方法。
更詳細(xì)的說(shuō)，如圖6所示，在類型參照模式中，步驟S61和S62類似于圖4中的步驟S41-S42。接下來(lái)，處理機(jī)將置于測(cè)試托盤上的半導(dǎo)體裝置安裝于測(cè)試座86，并在步驟S63中執(zhí)行測(cè)試。同時(shí)，控制單元190在步驟S64中通過(guò)溫度傳感器181探測(cè)并存儲(chǔ)該類型的半導(dǎo)體裝置的溫度變化特點(diǎn)。
然后，假設(shè)測(cè)試起始階段的溫度變化特點(diǎn)是用于半導(dǎo)體裝置的溫度變化模型，在步驟S65中控制單元190基于存儲(chǔ)的溫度變化特點(diǎn)控制制冷液的噴射，由此在保持半導(dǎo)體裝置的熱量產(chǎn)生特點(diǎn)的同時(shí)將半導(dǎo)體裝置的溫度保持在允許的范圍。如前所述，控制單元190可通過(guò)控制制冷液的噴射速率、制冷液的噴射時(shí)間、和/或制冷液中氣體的比例來(lái)控制制冷液的噴射。完成步驟S66中的測(cè)試后，過(guò)程結(jié)束。
本方法適用于各種半導(dǎo)體裝置。
而且，如所說(shuō)明的，根據(jù)本發(fā)明的用于補(bǔ)償半導(dǎo)裝置處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法至少有以下優(yōu)勢(shì)。
首先，用于補(bǔ)償處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法允許測(cè)試以準(zhǔn)確的溫度范圍，或在準(zhǔn)確的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。
其次，測(cè)試環(huán)境可被優(yōu)化，且測(cè)試結(jié)果可被改善。因?yàn)橹评湟罕恢苯訃娚涞桨雽?dǎo)體裝置上面，溫度變化率可被實(shí)時(shí)檢查，且所需溫度被保持。
再次，可被選擇性地使用或同時(shí)使用的不同模式(即，封閉模式開(kāi)放模式、和類型參照模式)的可用性可最大化地方便使用者。
前述的實(shí)施例和優(yōu)勢(shì)僅為示范性的，不應(yīng)被解釋為本發(fā)明的限制。目前的教導(dǎo)也易于應(yīng)用于其他類型的設(shè)備。本發(fā)明的描述皆為說(shuō)明性的，并不是要限定權(quán)利要求的范圍。對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員，許多選擇、修改和改動(dòng)將是顯而易見(jiàn)的。在權(quán)利要求中，裝置加功能的從句皆為在行使所述功能的同時(shí)涵蓋此處描述的結(jié)構(gòu)，并且不但是結(jié)構(gòu)等同體也是等同的結(jié)構(gòu)體。
權(quán)利要求
1.一種用于補(bǔ)償半導(dǎo)體裝置處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法，所述半導(dǎo)體裝置處理機(jī)具有制冷液供應(yīng)設(shè)備、噴嘴裝置，其配置用于將從所述制冷液供應(yīng)設(shè)備供應(yīng)的制冷液噴射到相應(yīng)地安裝于至少一個(gè)測(cè)試座的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置上，以及控制單元，其配置用于控制所述制冷液供應(yīng)設(shè)備，所述方法包括將至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置安裝于至少一個(gè)測(cè)試座并開(kāi)始測(cè)試；實(shí)時(shí)測(cè)量所述半導(dǎo)體裝置的溫度變化；將所述溫度變化與預(yù)設(shè)值比較；作為所述比較的結(jié)果，如果所述測(cè)量到的變化高于預(yù)設(shè)值，將制冷液噴射到所述半導(dǎo)體裝置上；以及作為所述比較的所述結(jié)果，如果所述測(cè)量到的溫度變化低于所述預(yù)設(shè)值，停止將所述制冷液噴射到所述半導(dǎo)體裝置上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在將所述半導(dǎo)體裝置安裝于所述測(cè)試座之前，通過(guò)控制所述制冷液供應(yīng)設(shè)備噴射所述制冷液；以及在開(kāi)始所述測(cè)試前，基于測(cè)量到的溫度變化率判定所述制冷液是否處于氣態(tài)。
3.一種用于補(bǔ)償半導(dǎo)體裝置處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法，所述半導(dǎo)體裝置處理機(jī)具有制冷液供應(yīng)設(shè)備、噴嘴裝置，其配置用于將從所述制冷液供應(yīng)設(shè)備供應(yīng)的制冷液噴射到相應(yīng)地安裝于至少一個(gè)測(cè)試座的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置上，以及控制單元，其配置用于控制所述制冷液供應(yīng)設(shè)備，所述方法包括在所述控制單元內(nèi)存儲(chǔ)一個(gè)表，所述表具有不同類型的半導(dǎo)體裝置的溫度變化特點(diǎn)所要求的制冷時(shí)間段；將至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置安裝于至少一個(gè)測(cè)試座并開(kāi)始測(cè)試；以及在用于所述測(cè)試座上的相應(yīng)的半導(dǎo)體裝置的所述表內(nèi)的制冷時(shí)間段內(nèi)向所述半導(dǎo)體裝置噴射制冷液。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述制冷時(shí)間段是測(cè)試過(guò)程中所述半導(dǎo)體裝置的所述溫度超過(guò)預(yù)設(shè)測(cè)試溫度范圍的時(shí)間段。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括在將所述半導(dǎo)體裝置安裝于所述測(cè)試座之前通過(guò)控制所述制冷液供應(yīng)設(shè)備噴射所述制冷液；以及開(kāi)始所述測(cè)試之前基于測(cè)量到的溫度變化率判定所述制冷液是否處于氣態(tài)。
6.一種用于補(bǔ)償半導(dǎo)體裝置處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法，所述半導(dǎo)體裝置處理機(jī)具有制冷液供應(yīng)設(shè)備、噴嘴裝置，其配置用于將從所述制冷液供應(yīng)設(shè)備供應(yīng)的制冷液噴射到相應(yīng)地安裝于至少一個(gè)測(cè)試座的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置上，以及控制單元，其配置用于控制所述制冷液供應(yīng)設(shè)備，所述方法包括將第一類型半導(dǎo)體裝置安裝到至少一個(gè)測(cè)試座上；探測(cè)和存儲(chǔ)所述第一類型半導(dǎo)體裝置起始溫度測(cè)試期間判定的所述第一類型半導(dǎo)體裝置的時(shí)間-溫度變化特點(diǎn)；以及根據(jù)所述存儲(chǔ)的所述第一類型半導(dǎo)體裝置的時(shí)間-溫度變化特點(diǎn)，在所述第一類型半導(dǎo)體裝置的隨后測(cè)試期間控制制冷液向所述第一類型半導(dǎo)體裝置的噴射。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述控制步驟包括控制所述噴射速率。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述控制步驟包括控制制冷液的噴射時(shí)間段。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述控制步驟包括控制所述制冷液中氣體的比例。
10.一種用于補(bǔ)償半導(dǎo)體裝置處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法，所述半導(dǎo)體裝置處理機(jī)具有制冷液供應(yīng)設(shè)備，與所述制冷液供應(yīng)設(shè)備通信的噴嘴裝置，其配置用于將制冷液噴射到相應(yīng)地安裝于至少一個(gè)測(cè)試座的至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置上，以及控制單元，其配置用于控制所述制冷液供應(yīng)設(shè)備，所述方法包括將至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置安裝于至少一個(gè)測(cè)試座并開(kāi)始測(cè)試；以及基于測(cè)試期間產(chǎn)生的所述半導(dǎo)體裝置的溫度變化，控制向所述半導(dǎo)體裝置上的制冷液的噴射以補(bǔ)償測(cè)試過(guò)程中所述半導(dǎo)體裝置產(chǎn)生的熱量。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述控制步驟還包括使用溫度傳感器測(cè)量在測(cè)試過(guò)程中產(chǎn)生的所述半導(dǎo)體裝置的溫度變化，并向所述控制單元提供所述測(cè)量到的溫度；將所述測(cè)量到的溫度變化與預(yù)設(shè)值比較；以及僅當(dāng)所述測(cè)量到的所述溫度變化高于預(yù)設(shè)值時(shí)，向所述半導(dǎo)體裝置噴射所述制冷液。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述控制步驟還包括如果所述測(cè)量到的溫度變化降低至所述預(yù)設(shè)值以下，停止向所述半導(dǎo)體裝置噴射所述制冷液。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在將所述半導(dǎo)體裝置安裝于所述測(cè)試座之前噴射所述制冷液；以及判定所述制冷液是否處于氣態(tài)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述判定制冷液只否處于氣態(tài)的步驟包括基于在現(xiàn)場(chǎng)沒(méi)有半導(dǎo)體裝置時(shí)測(cè)量到的溫度變化率判定所述制冷液是否處于氣態(tài)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括存儲(chǔ)具有不同類型的半導(dǎo)體裝置的溫度變化特點(diǎn)所要求的制冷時(shí)間段的表，其中所述控制步驟包括在從所述表中為被測(cè)試類型的半導(dǎo)體裝置選擇的制冷時(shí)間段內(nèi)噴射所述制冷液。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中所述表通過(guò)測(cè)試不同類型的半導(dǎo)體裝置創(chuàng)建，以判定所述不同類型的半導(dǎo)體裝置的溫度變化特點(diǎn)所要求的合適的制冷時(shí)間段。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括在將所述半導(dǎo)體裝置安裝于所述測(cè)試座之前噴射所述制冷液；以及判定所述制冷液是否處于氣態(tài)。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括使用溫度傳感器探測(cè)和存儲(chǔ)第一類型半導(dǎo)體裝置測(cè)試期間的所述第一類型半導(dǎo)體裝置的溫度變化特點(diǎn)，并向所述控制單元提供所述測(cè)量到的溫度變化特點(diǎn)，其中所述控制步驟包括基于所述存儲(chǔ)的溫度變化特點(diǎn)為所述第一類型半導(dǎo)體裝置的隨后測(cè)試控制所述制冷液的噴射。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述控制步驟還包括控制所述噴射速率。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述控制步驟還包括制冷液的噴射時(shí)間段。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述控制步驟還包括所述制冷液中氣體的比例。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括在將所述半導(dǎo)體裝置安裝于所述測(cè)試座之前噴射所述制冷液；以及判定所述制冷液是否處于氣態(tài)。
全文摘要
本發(fā)明提供了用于補(bǔ)償半導(dǎo)體裝置處理機(jī)中測(cè)試溫度偏差的方法，其中在以預(yù)設(shè)溫度進(jìn)行的半導(dǎo)體裝置測(cè)試期間，由半導(dǎo)體裝置本身產(chǎn)生的熱量導(dǎo)致的半導(dǎo)體裝置測(cè)試溫度偏差被補(bǔ)償。這就允許半導(dǎo)體裝置的測(cè)試以一個(gè)準(zhǔn)確的溫度執(zhí)行。該方法包括將至少一個(gè)半導(dǎo)體裝置安裝于至少一個(gè)測(cè)試座并開(kāi)始測(cè)試，使用溫度傳感器實(shí)時(shí)測(cè)量半導(dǎo)體裝置的溫度，探測(cè)測(cè)量到的溫度變化率并將溫度變化率與預(yù)設(shè)值比較，如果測(cè)量值溫度變化率高于預(yù)設(shè)值，則通過(guò)控制制冷液供應(yīng)設(shè)備向半導(dǎo)體裝置上噴射制冷液，且如果測(cè)量值溫度變化率低于預(yù)設(shè)值，則通過(guò)控制制冷液供應(yīng)設(shè)備停止向半導(dǎo)體裝置上噴射制冷液，由此優(yōu)化測(cè)試環(huán)境并改善結(jié)果。
文檔編號(hào)G01R31/28GK1470966SQ0312184
公開(kāi)日2004年1月28日 申請(qǐng)日期2003年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2002年7月24日
發(fā)明者宋在明, 咸哲鎬, 樸贊毫, 李炳基 申請(qǐng)人:未來(lái)產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社