專利名稱：帶有微型連接構(gòu)件的基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及帶有微型自對(duì)準(zhǔn)鎖定連接構(gòu)件基板，是利用微機(jī)械機(jī)電加工技術(shù)制作的，可用于微機(jī)械機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件的晶圓級(jí)封裝。屬于器件封裝技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
微機(jī)械機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro-Mechanical Systems，以下簡(jiǎn)略為MEMS)技術(shù)發(fā)展至今，在傳感器、光通訊、生化檢測(cè)、無線通訊等諸多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用，顯示出產(chǎn)品的多元性和良好的市場(chǎng)前景。但在向產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化的過程中，由于MEMS器件在結(jié)構(gòu)、工作原理、適用領(lǐng)域等方面的多樣性，對(duì)器件的封裝工藝也提出了繁復(fù)的要求，如對(duì)MEMS可動(dòng)結(jié)構(gòu)的保護(hù)、封裝應(yīng)力/溫度的控制、與其他工藝的兼容性、與控制和信號(hào)處理電路的連接等，使得MEMS封裝技術(shù)日趨復(fù)雜，而且通用性差，占用了開發(fā)成本的大半部分，正日益成為MEMS技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展的“瓶頸”。在現(xiàn)有的晶圓級(jí)(wafer-level)MEMS封裝技術(shù)中，各種鍵合技術(shù)(waferbonding)應(yīng)用得十分廣泛，如固相鍵合，中介層鍵合，陽極鍵合，共晶鍵合或焊接等技術(shù)，涉及硅，玻璃和其它多種材料(U.Gsele and Q.Y.Tong，“Semiconductor wafer bonding，”Annu.Rev.Mater.Sci.，pp.215-241，1998.)。這些技術(shù)中普遍存在鍵合封裝溫度較高，需外加電場(chǎng)，基板表面處理工藝復(fù)雜，與器件制作工藝兼容性差等難點(diǎn)，較難成為泛用的MEMS封裝手段。另外，有人提出一種局部加熱鍵合技術(shù)(Y.T.Cheng，Liwei Lin，and Khalil Najafi，“Localized Silicon Fusion andEutectic Bonding for MEMS Fabrication and Packaging”，Journal ofMicroelectromechanical Systems，Vol.9，No.1，March 2000)，即在MEMS功能結(jié)構(gòu)部分周圍的基板上制備多晶硅加熱電阻，通過加熱電阻將基片的局部升溫至數(shù)百度甚至1000度以上，但仍保持基板的整體溫度無明顯升高，從而實(shí)現(xiàn)基板間的局部鍵合，也就實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)的MEMS封裝。這種技術(shù)的缺陷在于局部的高溫度梯度引起的局部應(yīng)力較大。例如，在壓阻式加速度傳感器中，鍵合引起的應(yīng)力將可能降低壓敏電阻的一致性，也就對(duì)器件的零漂特性、成品率等有不利的影響。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了實(shí)現(xiàn)工藝簡(jiǎn)單、封裝應(yīng)力低、具有通用性的晶圓級(jí)MEMS器件封裝提出一種帶有微型連接構(gòu)件的基板及其制作方法本發(fā)明的目的是通過帶有自對(duì)準(zhǔn)鎖定連接構(gòu)件的基板來實(shí)現(xiàn)，可分為帶有導(dǎo)入孔構(gòu)件的第一基板和帶有插入頭構(gòu)件的第二基板。前述導(dǎo)入孔構(gòu)件，由第一基板上的至少兩個(gè)導(dǎo)入孔部和至少兩個(gè)隔離孔部，以及導(dǎo)入孔部和隔離孔部之間的間隔塊部組成。該導(dǎo)入孔部由垂直于第一基板表面的導(dǎo)入直孔，該導(dǎo)入直孔上端與第一基板表面交接處的導(dǎo)入斜面部，與導(dǎo)入直孔下端相接的第一底部寬孔，以及位于該底部寬孔與導(dǎo)入直孔下端的交接處的、伸向該底部寬孔的第一突起部組成。前述隔離孔部由垂直于第一基板表面的隔離直孔，與該隔離直孔下端相接的第二底部寬孔，以及位于該第二底部寬孔與前述隔離直孔下端交接的、伸向該第二底部寬孔的第二突起部組成。前述導(dǎo)入孔部與隔離孔部之間的基板部分形成間隔塊部。前述插入頭構(gòu)件，至少包含兩個(gè)插入頭部。該插入頭部由垂直于第二基板表面的插入塊，該插入塊頂部的插入斜面，該插入塊的下端兩側(cè)與第二基板表面交接的凹部、位于該凹部與插入塊下端交接處的伸向第二基板表面的第三突起部組成。將前述插入頭部與導(dǎo)入孔部對(duì)準(zhǔn)，插入導(dǎo)入孔部，形成前述第一突起部與第三突起部的橫向交叉，實(shí)現(xiàn)鎖定連接。
前述導(dǎo)入孔部的數(shù)量，不少于前述插入頭部的數(shù)量。前述第一基板的表面到第一底部寬孔的頂部之間的距離，不大于第二基板的表面到前述凹部的頂部之間的距離；同時(shí)，第一底部寬孔的頂部到底面之間的距離，不小于插入頭部的表面到前述凹部的頂部之間的距離。前述插入頭的寬度，大于前述導(dǎo)入直孔寬度。
本發(fā)明中的帶有導(dǎo)入孔構(gòu)件的第一基板的制造方法，其特征在于包括以下步驟a)在第一基板上形成導(dǎo)入斜面部；b)通過對(duì)該導(dǎo)入斜面部的下底面的腐蝕，形成寬度與前述下底面寬度相同的導(dǎo)入直孔；同時(shí)，形成隔離直孔；c)在第一基板的表面、導(dǎo)入斜面、導(dǎo)入直孔的側(cè)面和底面、隔離直孔的側(cè)面和底面同時(shí)形成抗腐蝕的鈍化層；d)去除前述導(dǎo)入直孔底面和隔離直孔底面的鈍化層；e)通過各向同性和各向異性腐蝕形成前述第一底部寬孔和第一突起部，和第二底部寬孔和第二突起部；同時(shí)，形成前述隔離塊部。
本發(fā)明中的帶有插入頭構(gòu)件的第二基板的制造方法，其特征在于包括以下步驟a)在第二基板上形成插入斜面部；b)通過對(duì)該插入斜面部?jī)蓚?cè)的第二基板的腐蝕，形成寬度與前述插入斜面部的寬度相同的插入塊；c)在插入斜面部的側(cè)面、插入塊的側(cè)面和兩側(cè)第二基板的表面形成抗腐蝕的鈍化層；d)去除前述插入塊兩側(cè)第二基板的表面的鈍化層；e)形成前述凹部和第三突起部。
如上所述，本發(fā)明效果是顯而易見的。根據(jù)本發(fā)明可以在(100)晶向的單晶硅片上制作出帶有插入孔構(gòu)件的第一基板和帶有插入頭構(gòu)件的第二基板，再在該第一基板和第二基板上分別制作出多種微型器件所需的結(jié)構(gòu)，通過第一基板上的插入孔構(gòu)件和第二基板上的插入頭構(gòu)件，實(shí)現(xiàn)基板間的連接封裝。該連接具有自對(duì)準(zhǔn)特性，封裝應(yīng)力低，可適用于多種器件的晶圓級(jí)封裝。


圖1是制作在帶有自對(duì)準(zhǔn)鎖定連接構(gòu)件的基板上的光纖對(duì)準(zhǔn)定位槽結(jié)構(gòu)的分解斷面圖。其中(a)是帶有導(dǎo)入孔構(gòu)件的第一基板及其上的用于光纖定位的第一V形槽的斷面圖；(b)是帶有插入孔構(gòu)件的第二基板及其上的用于光纖定位的第二V形槽的斷面圖；
(c)是第一基板和第二基板經(jīng)過自對(duì)準(zhǔn)鎖定連接后的光纖定位結(jié)構(gòu)的斷面圖，兩基板間已放入光纖。
圖2是帶有導(dǎo)入孔構(gòu)件的第一基板及其上的用于光纖定位的第一V形槽的制作工藝流程的斷面圖。
圖3是帶有插入塊構(gòu)件的第二基板及其上的用于光纖定位的第二V形槽的制作流程工藝的斷面4帶有自對(duì)準(zhǔn)鎖定連接構(gòu)件的基板上制作和封裝的微型壓阻式加速度傳感器的分解斷面圖。圖中，1-第一硅片基板 2-第二硅片基板2a-第一底面 3-導(dǎo)入直孔4-導(dǎo)入斜面 4a-底面5-第一底部寬孔 6-第一突起部7-隔離直孔 8-第二底部寬孔9-第二突起部 10-隔離塊11-第一V形槽 12-插入塊13-插入斜面 14-凹部15-第三突起部16-第二V形槽17-光纖21-光刻掩膜層23-鈍化層24-各向同性底部寬孔 26-第一V形槽用腐蝕窗口30-各向同性凹部 32-第二V形槽用腐蝕窗口41-第三基板 42-質(zhì)量塊43-梁44-壓力敏感電阻45-間隙 46-凹槽具體實(shí)施方式
下面通過二個(gè)應(yīng)用實(shí)例進(jìn)一步闡明本發(fā)明的實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著進(jìn)步，但本發(fā)明決非僅局限于介紹的實(shí)施例。
本實(shí)施例中涉及的光纖定位V形槽結(jié)構(gòu)是由第一硅片基板1和第二硅片基板2制作而成的，均為(100)晶向的單晶硅片基板。光纖定位槽結(jié)構(gòu)的分解斷面圖如圖1所示。
如圖1(a)所示，在第一硅片基板1上形成有垂直于該基板1表面的導(dǎo)入直孔3、該直孔3與基板1表面交接處的導(dǎo)入斜面4、與前述導(dǎo)入直孔3下端相接的第一底部寬孔5，和位于該底部寬孔5與導(dǎo)入直孔3下端的交接處的、伸向該底部寬孔5的第一突起部6；以及，垂直于基板1表面的隔離直孔7，與該直孔7下端相接的第二底部寬孔8，和位于該寬孔8與前述隔離直孔7下端的交接處的、伸向?qū)捒?的第二突起部9。以上構(gòu)成帶有導(dǎo)入孔構(gòu)件的第一基板1。在第一基板1上形成有間隔塊部10，和在基板1的中央部形成的用于光纖對(duì)準(zhǔn)定位的第一V形槽11。
如圖1(b)所示，在第二硅片基板2上形成有垂直于基板2表面的插入塊12，該插入塊12頂部的插入斜面部13，插入塊12下端兩側(cè)與基板2表面交接處的凹部14、位于該凹部14與插入塊12下端交接處的伸向基板2表面的第三突起部15。以上構(gòu)成帶有插入頭構(gòu)件的第二基板2。在第二基板2的中央部形成用于光纖對(duì)準(zhǔn)定位的第二V形槽16。
如圖1(c)所示，將第一硅片基板1上的第一V形槽11與第二硅片基板2上的第二V形槽16正相對(duì)，將光纖17置于第一V形槽11與第二V形槽16之間，同時(shí)將基板1上的導(dǎo)入直孔3與基板2上的插入塊12正相對(duì)，再將插入塊12插入導(dǎo)入直孔3中，插入過程中，間隔塊部10可以向隔離直孔7發(fā)生彈性彎曲，插入結(jié)束后，間隔塊部10回復(fù)原位，使第一突起部6與第三突起部15形成橫向交叉，實(shí)現(xiàn)第一基板1與第二基板2之間的鎖定連接，同時(shí)將光纖定位于第一V形槽11與第二V形槽16之間。
如上所述，第一硅片基板1與第二硅片基板2之間是通過插入塊12及其下端的第一突起部6與導(dǎo)入直孔3及其下端的第三突起部15來實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)鎖定連接的。其對(duì)準(zhǔn)精度僅僅取決于微機(jī)械加工精度，而后者是可以得到精確控制的，這保證了第一V形槽11與第二V形槽16之間的對(duì)準(zhǔn)精度，也就保證了光纖17在由第一V形槽11和第二V形槽16形成的空間中的精確定位，有利于減少在光傳輸過程中因光纖相互間定位不準(zhǔn)而引起的傳輸損耗。
本實(shí)施例涉及的光纖定位V形槽結(jié)構(gòu)及其封裝結(jié)構(gòu)的制作方法，參考圖2和圖3所示的工藝流程斷面圖進(jìn)行說明。
首先，帶有導(dǎo)入孔構(gòu)件的第一硅片基板1的制作工藝，參考圖2中的(a)～(i)進(jìn)行說明。(a)在第一硅片基板1上形成掩膜層21，該掩膜層21通常由感光樹脂材料構(gòu)成，一般稱為光刻膠，掩膜層21的圖形由光刻技術(shù)形成。(b)利用堿性水溶液在第一基板1表面腐蝕出淺坑，形成導(dǎo)入斜面4和底面4a；隨后將掩膜層21去除。(c)在第一基板1表面形成掩膜層21，通過光刻技術(shù)將底面4a露出。(d)利用DRIE技術(shù)刻蝕第一基板1上未被掩膜層21覆蓋的底面4a，形成導(dǎo)入直孔3和隔離直孔7；隨后將掩膜層21去除。(e)在第一基板1表面、導(dǎo)入斜面4、導(dǎo)入直孔3的側(cè)面、隔離直孔7的側(cè)面、底面4a處全面形成鈍化層23。(f)利用RIE技術(shù)將導(dǎo)入直孔3和隔離直孔7的底面4a處的鈍化層去除。(g)對(duì)導(dǎo)入直孔3和隔離直孔7的底面4a處實(shí)行各向同性腐蝕技術(shù)，形成各向同性底部寬孔24。(h)利用堿性水溶液對(duì)各向同性底部寬孔24進(jìn)行各向異性腐蝕，形成第一底部寬孔5、第二底部寬孔8、第一突起部6和第二突起部9；同時(shí)，形成間隔塊部10；(i)去除鈍化層23。
由以上工藝步驟，形成帶有導(dǎo)入孔構(gòu)件的第一硅片基板1。
再由以下步驟(j)～(l)在第一硅片基板1上制作用于光纖陣列中的對(duì)準(zhǔn)定位V形槽結(jié)構(gòu)。(j)在第一硅片基板1表面、導(dǎo)入斜面4、導(dǎo)入直孔3的側(cè)面、隔離直孔7的側(cè)面、第一底部寬孔5的側(cè)面和底面、第二底部寬孔8的側(cè)面和底面、第一突起部6的側(cè)面和第二突起部9的側(cè)面全面形成鈍化層23。(k)在第一硅片基板1的中央部形成第一V形槽用腐蝕窗口26。(l)利用堿性水溶液對(duì)第一V形槽用腐蝕窗口26進(jìn)行腐蝕至所需深度，形成第一V形槽11；隨后去除鈍化層23。
其次，帶有插入塊構(gòu)件的第二硅片基板2的制作工藝，參考圖3中的(a)～(h)進(jìn)行說明。(a)在第二硅片基板2上形成感光樹脂材料(一般稱為光刻膠)的掩膜層21，該掩膜層21的圖形由光刻技術(shù)形成。(b)利用堿性水溶液在第二基板2表面腐蝕出淺坑，形成插入斜面13和第一底面2a；隨后將掩膜層21去除。(c)在第二基板2上形成掩膜層21，通過光刻技術(shù)將第一底面2a露出。(d)利用DRIE技術(shù)刻蝕第二基板2上未被掩膜層21覆蓋的底面2a，形成插入塊12和第一底面2a；隨后將掩膜層21去除。(e)在第一底面2a、插入斜面13和插入塊12的側(cè)面形成鈍化層23。(f)利用RIE技術(shù)將第二底面2b處的鈍化層去除。(g)對(duì)第一底面2a處進(jìn)行各向同性腐蝕技術(shù)，形成各向同性凹部30。(h)利用堿性水溶液對(duì)各向同性凹部30進(jìn)行各向異性腐蝕，形成凹部14、第三突起部15和第一底面2a；隨后去除鈍化層23。
由以上工藝步驟，形成帶有插入塊構(gòu)件的第二硅片基板2。
再由以下步驟(i)～(k)在第二硅片基板2上制作用于光纖陣列中的對(duì)準(zhǔn)定位V形槽結(jié)構(gòu)。(i)在第三底面2c、插入斜面13、插入塊12的側(cè)面、凹部14的側(cè)面和底面、第三突起部15的側(cè)面形成鈍化層23。(j)在第三底面2c的中央部形成第二V形槽用腐蝕窗口32。(k)利用堿性水溶液對(duì)第二V形槽用腐蝕窗口32處進(jìn)行腐蝕至所需深度，形成第二V形槽16；隨后去除鈍化層23。
本實(shí)施例中涉及的微型壓阻式加速度傳感器由第一硅片基板1和第二硅片基板2、以及第三基板41組成。其中，第一基板1和第二基板2均為(100)晶向的單晶硅片；第三基板41可采用硅片基板，但不局限于硅片基板，例如可以采用玻璃基板。
如圖4(a)所示，在第一硅片基板1上形成垂直于基板1表面的導(dǎo)入直孔3、該直孔3與基板1表面交接處的導(dǎo)入斜面4、與前述導(dǎo)入直孔3下端相接的第一底部寬孔5，和位于該底部寬孔5與導(dǎo)入直孔3下端的交接處的、伸向該底部寬孔5的第一突起部6；以及，垂直于基板1表面的隔離直孔7，與該直孔7下端相接的第二底部寬孔8，和位于該寬孔8與前述隔離直孔7下端的交接處的、伸向?qū)捒?的第二突起部9，以及同時(shí)形成的間隔塊部10；質(zhì)量塊42，以及質(zhì)量塊42與第一硅片基板1之間的梁43和間隙45；以及梁43上的壓力敏感電阻44。
如圖4(b)所示，在第二硅片基板2上形成垂直于基板2表面的插入塊12，該插入塊12頂部的插入斜面部13，插入塊12下端兩側(cè)與基板2表面交接處的凹部14、位于該凹部14與插入塊12下端交接處的伸向基板2表面的第三突起部15；以及，在基板2的中央部形成的凹槽46。凹槽46提供質(zhì)量塊42的運(yùn)動(dòng)空間，并形成一定的空氣阻尼。
第一硅片基板1與第三基板41鍵合后，就構(gòu)成了微型壓阻式加速度傳感器。將第一硅片基板1上的導(dǎo)入直孔3與第二硅片基板2上的插入塊12正相對(duì)，再將插入塊12插入導(dǎo)入直孔3中，使第一突起部6與第三突起部15形成橫向交叉，實(shí)現(xiàn)第一硅片基板1與第二硅片基板2之間的鎖定連接，完成了微型壓阻式加速度傳感器的封裝。
當(dāng)在Y軸方向有加速度發(fā)生時(shí)，質(zhì)量塊42受此加速度作用在Y軸方向發(fā)生運(yùn)動(dòng)，引起梁43的彎曲，從而引起壓力敏感電阻44的阻值變化，由此變化可以換算出外部加速度的大小。由于第一硅片基板1與第二硅片基板2是通過鎖定連接實(shí)現(xiàn)蓋板封裝的，由此引起的應(yīng)力非常小，可極大地降低由封裝應(yīng)力引起的對(duì)壓力敏感電阻44的特性和一致性的影響，有利于保證器件性能的可靠性、一致性和長(zhǎng)期穩(wěn)定性等。
權(quán)利要求
1.一種帶有微型連接構(gòu)件的基板，其特征在于1)由帶有導(dǎo)入孔構(gòu)件的第一基板和帶有插入頭構(gòu)件的第二基板組成；2)所述的第一基板上的導(dǎo)入孔構(gòu)件，由第一基板上的至少兩個(gè)導(dǎo)入孔部和至少兩個(gè)隔離孔部，以及所述導(dǎo)入孔部和隔離孔部之間的間隔塊部組成；其中，導(dǎo)入孔部由垂直于第一基板表面的導(dǎo)入直孔、導(dǎo)入直孔下端相接的第一底部寬孔，以及位于該底部寬孔與所述導(dǎo)入直孔下端的交接處的、伸向該底部寬孔的第一突起部組成；隔離孔部由垂直于第一基板表面的隔離直孔、與該隔離直孔下端相接的第二底部寬孔，以及位于該第二底部寬孔與所述隔離直孔下端的交接處的、伸向該第二底部寬孔的第二突起部組成；3)所述的第二基板上的插入頭構(gòu)件，至少包含兩個(gè)插入頭部，它是由垂直于第二基板表面的插入塊、該插入塊的下端兩側(cè)與基板表面交接處的凹部、位于該凹部與所述插入塊下端交接處的伸向第二基板表面的第三突起部組成。4)所述的插入頭部與導(dǎo)入孔部對(duì)準(zhǔn)，將插入頭插入導(dǎo)入孔，形成所述第一突起部與第三突起部的橫向交叉，實(shí)現(xiàn)鎖定連接。
2.按權(quán)利要求1所述帶有微型連接構(gòu)件的基板，其特征在于所述導(dǎo)入直孔上端與第一基板表面交接處為導(dǎo)入斜面部。
3.按權(quán)利要求1所述帶有微型連接構(gòu)件的基板，其特征在于導(dǎo)入孔部的數(shù)量，不少于插入頭部的數(shù)量；導(dǎo)入孔構(gòu)件中的第一基板的表面到底部寬孔的頂部之間的距離，不大于插入頭構(gòu)件中的插入頭部的表面到所述凹部的頂部之間的距離；插入頭構(gòu)件的插入頭的寬度，大于所述的導(dǎo)入孔構(gòu)件的導(dǎo)入直孔寬度。
4.按權(quán)利要求1、2或3所述帶有微型連接構(gòu)件的基板，其特征在于第一基板和第二基板為(100)晶向的單晶硅片基板。
5.按權(quán)利要求1、2所述的帶有微型連接構(gòu)件的基板的的制造方法，其特征在于1)帶有導(dǎo)入孔構(gòu)件的第一基板的制作步驟是a)在第一基板上形成前記導(dǎo)入斜面部；b)通過對(duì)前記導(dǎo)入斜面部的下底面的腐蝕，形成寬度與所述下底面寬度相同的導(dǎo)入直孔；同時(shí)，形成隔離直孔；c)在第一基板的表面、導(dǎo)入斜面部的側(cè)面、導(dǎo)入直孔的側(cè)面和底面、隔離直孔的側(cè)面和底面同時(shí)形成抗腐蝕的鈍化層；d)去除所述導(dǎo)入孔底面和隔離直孔底面的鈍化層；e)通過各向異性腐蝕形成所述第一底部寬孔和第一突起部，和第二底部寬孔和第二突起部；同時(shí)，形成所述隔離塊部；2)帶有插入頭構(gòu)件的第二基板的的制作步驟是a)在第二基板上形成前記插入斜面部；b)通過對(duì)前記插入斜面部的下緣兩側(cè)第二基板的腐蝕，形成寬度與所述插入斜面部的下緣寬度相同的插入塊；c)在插入斜面部的側(cè)面、插入塊的側(cè)面和兩側(cè)第二基板的表面形成抗腐蝕的鈍化層；d)去除所述插入塊兩側(cè)第二基板的表面的鈍化層；e)通過各向異性腐蝕形成前記凹部和第三突起部。
6.按權(quán)利要求1所述的帶有微型連接構(gòu)件的基板用于光纖定位槽結(jié)構(gòu)和封裝，其特征在于在第一基板的中央部形成用于光纖對(duì)準(zhǔn)定位的第一V形槽；在第二基板的中央部形成用于光纖對(duì)準(zhǔn)定位的第二V形槽；將第一基板上的第一V形槽與第二基板上的第二V形槽正相對(duì)，將光纖置于第一V形槽和第二V形槽之間。
7.按權(quán)利要求1所述的帶有微型連接構(gòu)件的基板用于微型壓阻式加速度傳感器的封裝，其特征在于在第一基板上形成質(zhì)量塊，以及質(zhì)量塊與第一基板間的梁和間隙；以及梁上的壓力敏感電阻；在第二基板的中央部形成的凹槽。將第一基板與第三基板鍵合后，就構(gòu)成了微型壓阻式加速度傳感器。將第一基板的導(dǎo)入直孔與第二基板上的插入塊正相對(duì)，再將插入塊插入導(dǎo)入直孔中，使第一突起部與第三突起部形成橫向交叉，實(shí)現(xiàn)第一基板與第二基板之間的鎖定連接，完成微型壓阻式加速度傳感器的封裝。
8.按權(quán)利要求7所述的帶有微型連接構(gòu)件的基板用于微型壓阻式加速度傳感器的封裝的應(yīng)用，其特征在于所述的第三基板或?yàn)楣杵寤驗(yàn)椴ＡЩ濉?br> 全文摘要
本發(fā)明涉及帶有微型連接構(gòu)件的基板及其制作方法，可分為帶有導(dǎo)入孔構(gòu)件的第一基板和帶有插入頭構(gòu)件的第二基板。導(dǎo)入孔構(gòu)件，由第一基板上的至少兩個(gè)導(dǎo)入孔部和至少兩個(gè)隔離孔部，以及兩者之間的間隔塊部組成；導(dǎo)入孔部由垂直于第一基板表面的導(dǎo)入直孔及其下端的第一底部寬孔，以及位于該底部寬孔與導(dǎo)入直孔下端交接處的、伸向底部寬孔的第一突起部組成。插入頭構(gòu)件，包含至少兩個(gè)插入頭部，由垂直于第二基板表面的插入塊及其下端兩側(cè)與基板表面交接處的凹部、及第三突起部組成。插入頭部與導(dǎo)入孔部對(duì)準(zhǔn)，將插入頭插入導(dǎo)入孔，形成第一突起部與第三突起部的橫向交叉，實(shí)現(xiàn)鎖定連接。提供了一種工藝簡(jiǎn)單、封裝應(yīng)力低、具有多器件通用性的晶圓級(jí)封裝規(guī)范。
文檔編號(hào)G01P15/12GK1481000SQ0312899
公開日2004年3月10日 申請(qǐng)日期2003年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月30日
發(fā)明者焦繼偉, 黃蓉, 王躍林 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所, 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究