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      一種帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲及其制備方法

      文檔序號(hào):5905720閱讀:189來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):一種帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲及其制備方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲及其制備方法,屬于磁傳感存儲(chǔ)和信息功能材料及其制備技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      巨磁阻抗效應(yīng)(GMI)是指某些軟磁材料在外加磁場(chǎng)后,其交流阻抗發(fā)生很大變化的特性。由于其靈敏度高、體積小、響應(yīng)快、非接觸式等優(yōu)點(diǎn),GMI材料在高靈敏度磁傳感、磁記錄讀頭、磁編碼器、汽車(chē)自動(dòng)導(dǎo)向等領(lǐng)域引起重視,將發(fā)揮很大的作用。GMI器件正在朝小型化和集成化的方向發(fā)展。
      常見(jiàn)的GMI材料有薄膜和絲等。關(guān)于GMI薄膜研制,已發(fā)展到軟磁層/導(dǎo)電層/軟磁層三明治結(jié)構(gòu)和軟磁層/阻擋層/導(dǎo)電層/阻擋層/軟磁層多層膜結(jié)構(gòu)。三明治膜的GMI幅度大于單層結(jié)構(gòu),有阻擋層的多層膜其GMI幅度又大于三明治結(jié)構(gòu)。GMI薄膜材料有益于器件集成化,但其驅(qū)動(dòng)電流頻率較高,一般在10MHz左右。關(guān)于GMI復(fù)合絲研制,已發(fā)展到銅絲外電鍍一層軟磁層的復(fù)合絲結(jié)構(gòu),類(lèi)似于三明治膜,引線可實(shí)施直接焊接。GMI幅度比單一結(jié)構(gòu)絲有所增大,驅(qū)動(dòng)電流頻率也有所降低,但其低頻特性和GMI特性還有待進(jìn)一步完善。另外,電鍍法只能在導(dǎo)體基底上施鍍,在絲上施鍍性能重復(fù)性欠佳,影響了其應(yīng)用于產(chǎn)品。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是提出一種帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲。該復(fù)合絲由金屬絲、阻擋層和軟磁層組成,阻擋層是絕緣層,軟磁層是GMI軟磁材料層,阻擋層依附在金屬絲表面,軟磁層依附在阻擋層表面。
      本發(fā)明的另一個(gè)目的是推出一種帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲的制備方法。
      本發(fā)明的技術(shù)方案的特征在于,金屬絲表面涂敷阻擋層,再在阻擋層上用化學(xué)法鍍一層軟磁層,退火后得成品,帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲,具體操作步驟第一步 涂敷阻擋層在金屬絲表面涂敷合成樹(shù)脂漆,作為阻擋層,金屬絲的直徑介于50~200μm,阻擋層的厚度介于1~3μm;第二步 對(duì)上步制備的金屬絲進(jìn)行鍍前處理除油采用常用的除油堿液除油,溫度在70℃,浸蝕在稀鹽酸中浸蝕1~2分鐘,稀鹽酸的濃度為15~25%,敏化敏化液為20g/l的SnCl2+10ml濃度為37%的鹽酸,敏化時(shí)間為1~2分鐘,活化活化液為0.05g/l的PbCl2+10ml濃度為37%的鹽酸,活化時(shí)間為1~2分鐘,每道工序之間用去離子水淋洗;第三步 化學(xué)法施鍍軟磁層把上步制備的金屬絲在鍍?cè)≈惺╁?,化學(xué)鍍軟磁層為NiFeB,施鍍溫度在85~95℃,PH值為8~12,鍍層厚度由施鍍時(shí)間控制,介于1~12μm,施鍍時(shí)間介于30~90分鐘,鍍?cè)〉呐浞綖榱蛩徭? NiSO4·6H2O 0.01~0.09mol/l硫酸亞鐵FeSO4·7H2O 0.01~0.09mol/l檸檬酸鈉Na3C6H5O7·2H2O0.2mol/l二甲基胺硼烷(DMAB) C2H10BN 0.05~0.06mol/l,鍍?cè)≈蠳i+2和Fe+2的濃度之和固定在0.1mol/l,即[Ni+2+Fe+2]=0.1mol/l,F(xiàn)N=[Fe+2]/[Ni+2+Fe+2],介于0.2~0.8之間,得復(fù)合絲;第四步 退火處理在退火爐中對(duì)上步制備的復(fù)合絲進(jìn)行退火,退火溫度為100~250℃,氮?dú)獗Wo(hù)下退火,時(shí)間為15~45分鐘,氮?dú)獗Wo(hù)下緩慢冷卻,得成品,帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲。
      本發(fā)明的技術(shù)方案的進(jìn)一步特征在于,在第一步中,金屬絲為銅絲、鈹銅絲、銀絲、鉑絲。
      本發(fā)明的技術(shù)方案的進(jìn)一步特征在于,在第一步中,金屬絲表面濺射SiO2膜,作為阻擋層。
      本發(fā)明的技術(shù)方案的進(jìn)一步特征在于,在第三步中,化學(xué)鍍軟磁層為NiFeP,鍍?cè)〉呐浞綖?,硫酸? NiSO4·6H2O 0.01~0.09mol/l硫酸亞鐵FeSO4·7H2O 0.01~0.09mol/l檸檬酸鈉Na3C6H5O7·2H2O 0.05~0.08mol/l酒石酸鈉C4H4C6Na2·2H2O 0.05~0.08mol/l次亞磷酸鈉 NaH2PO2·2H2O 0.2mol/l硫酸銨 (NH4)2SO40.5mol/l。
      本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明用化學(xué)法施鍍軟磁層,制備工藝簡(jiǎn)單,成本低,產(chǎn)品性能穩(wěn)定。用化學(xué)法可在絕緣膜上施鍍,得到了軟磁層/阻擋層/金屬絲新型結(jié)構(gòu)的復(fù)合絲。該復(fù)合絲類(lèi)似于軟磁層/阻擋層/導(dǎo)電層/阻擋層/軟磁層結(jié)構(gòu)的多層膜,驅(qū)動(dòng)電流只流經(jīng)金屬絲,其磁阻抗效應(yīng)值比沒(méi)有阻擋層的軟磁層/金屬絲復(fù)合絲有較大幅度的提高。同時(shí),本發(fā)明的金屬絲的橫截面積較大,因此產(chǎn)生磁阻抗效應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電流頻率有較大幅度的降低。驅(qū)動(dòng)電流頻率在10kHZ就可產(chǎn)生超過(guò)10%的巨磁阻抗效應(yīng)值;當(dāng)驅(qū)動(dòng)電流頻率在1MHz左右時(shí)可產(chǎn)生100%左右的巨磁阻抗效應(yīng)值,最大巨磁阻抗效應(yīng)值超過(guò)200%。


      圖1是帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲的結(jié)構(gòu)示意圖,其中1為金屬絲,2為阻擋層,3為軟磁層。
      具體實(shí)施例方式
      現(xiàn)結(jié)合

      本發(fā)明的實(shí)施例,所有實(shí)施例按上述的制備方法的操作步驟操作。
      實(shí)施例1第一步 金屬絲1為銅絲,直徑為190μm,阻擋層2為聚酯漆,厚度為2μm。
      第三步 化學(xué)鍍軟磁層,即軟磁層3為NiFeB,F(xiàn)N=0.3,施鍍時(shí)間為60分鐘,鍍層厚度為9.0μm。
      第四步 180℃下退火30分鐘。
      當(dāng)外加磁場(chǎng)為0~60奧斯特,驅(qū)動(dòng)電流頻率1MHz時(shí),阻抗效應(yīng)幅值為110%。
      實(shí)施例2第一步 金屬絲1為銀絲,直徑為100μm,阻擋層2為SiO2,厚度為2μm。
      第三步 化學(xué)鍍軟磁層,即軟磁層3為NiFeB,F(xiàn)N=0.3,施鍍時(shí)間為45分鐘,鍍層厚度為6.3μm。
      第四步 220℃下退火30分鐘。
      當(dāng)外加磁場(chǎng)為0~60奧斯特,驅(qū)動(dòng)電流頻率1MHz時(shí),阻抗效應(yīng)幅值為152%。
      實(shí)施例3第一步 金屬絲1為鈹銅絲,直徑為100μm,阻擋層2為聚酯漆,厚度為2μm。
      第三步 化學(xué)鍍軟磁層,即軟磁層3為NiFeB,F(xiàn)N=0.3,施鍍時(shí)間為30分鐘,鍍層厚度為3.0μm。
      第四步 200℃下退火30分鐘。
      當(dāng)外加磁場(chǎng)為0~60奧斯特,驅(qū)動(dòng)電流頻率700KHz時(shí),阻抗效應(yīng)幅值為212%。
      實(shí)施例4第一步 金屬絲1為鈹銅絲,直徑為70μm,阻擋層2為SiO2,厚度為1μm。
      第三步 化學(xué)鍍軟磁層,即軟磁層3為NiFeP,F(xiàn)N=0.7,施鍍時(shí)間為60分鐘,鍍層厚度為7.0μm。
      第四步 220℃下退火30分鐘。
      當(dāng)外加磁場(chǎng)為0~60奧斯特,驅(qū)動(dòng)電流頻率1MHz時(shí),阻抗效應(yīng)幅值為82%。
      權(quán)利要求
      1.一種帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲,其特征在于,該復(fù)合絲由金屬絲(1)、阻擋層(2)和軟磁層(3)組成,阻擋層(2)是絕緣層,軟磁層(3)是GMI軟磁材料層,阻擋層(2)依附在金屬絲(1)表面,軟磁層(3)依附在阻擋層(2)表面。
      2.權(quán)利要求1所述的復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,金屬絲(1)表面涂敷阻擋層(2),再在阻擋層(2)上用化學(xué)法鍍一層軟磁層(3),退火后得成品,帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲,具體操作步驟第一步 涂敷阻擋層(2)在金屬絲(1)表面涂敷合成樹(shù)脂漆,作為阻擋層(2),金屬絲(1)的直徑介于50~200μm,阻擋層(2)的厚度介于1~3μm;第二步 對(duì)上步制備的金屬絲(1)進(jìn)行鍍前處理除油采用常用的除油堿液除油,溫度在70℃,浸蝕在稀鹽酸中浸蝕1~2分鐘,稀鹽酸的濃度為15~25%,敏化敏化液為20g/l的SnCl2+10ml濃度為37%的鹽酸,敏化時(shí)間為1~2分鐘,活化活化液為0.05g/l的PbCl2+10ml濃度為37%的鹽酸,活化時(shí)間為1~2分鐘,每道工序之間用去離子水淋洗;第三步 化學(xué)法施鍍軟磁層(3)把上步制備的金屬絲(1)在鍍?cè)≈惺╁?,化學(xué)鍍軟磁層,即軟磁層(3)為NiFeB,施鍍溫度在85~95℃,PH值為8~12,鍍層厚度由施鍍時(shí)間控制,介于1~12μm,施鍍時(shí)間介于30~90分鐘,鍍?cè)〉呐浞綖榱蛩徭嘚iSO4·6H2O 0.01~0.09mol/l硫酸亞鐵 FeSO4·7H2O 0.01~0.09mol/l檸檬酸鈉 Na3C6H5O7·2H2O 0.2mol/l二甲基胺硼烷 (DMAB)C2H10BN 0.05~0.06mol/l,鍍?cè)≈蠳i+2和Fe+2的濃度之和固定在0.1mol/l,即[Ni+2+Fe+2]=0.1mol/l,F(xiàn)N=[Fe+2]/[Ni+2+Fe+2],介于0.2~0.8之間,得復(fù)合絲;第四步 退火處理在退火爐中對(duì)上步制備的復(fù)合絲進(jìn)行退火,退火溫度為100~250℃,氮?dú)獗Wo(hù)下退火,時(shí)間為15~45分鐘,氮?dú)獗Wo(hù)下緩慢冷卻,得成品,帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,在第一步中,金屬絲(1)為銅絲、鈹銅絲、銀絲、鉑絲。
      4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,在第一步中,金屬絲(1)表面濺射SiO2膜,作為阻擋層(2)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,在第一步中,金屬絲(1)為銅絲、鈹銅絲、銀絲、鉑絲,金屬絲(1)表面濺射SiO2膜,作為阻擋層(2)。
      6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,在第三步中,化學(xué)鍍軟磁層,即軟磁層(3)為NiFeP,鍍?cè)〉呐浞綖?,硫酸? NiSO4·6H2O 0.01~0.09mol/l硫酸亞鐵FeSO4·7H2O 0.01~0.09mol/l檸檬酸鈉Na3C6H5O7·2H2O 0.05~0.08mol/l酒石酸鈉C4H4C6Na2·2H2O 0.05~0.08mol/l次亞磷酸鈉 NaH2PO2·2H2O 0.2mol/l硫酸銨 (NH4)2SO40.5mol/l。
      7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的復(fù)合絲的制備方法,其特征在于,在第一步中,金屬絲(1)為銅絲、鈹銅絲、銀絲、鉑絲,金屬絲(1)表面濺射SiO2膜,作為阻擋層(2),在第三步中,化學(xué)鍍軟磁層,即軟磁層(3)為NiFeP,鍍?cè)〉呐浞綖?,硫酸鎳NiSO4·6H2O 0.01~0.09mol/l硫酸亞鐵 FeSO4·7H2O 0.01~0.09mol/l檸檬酸鈉 Na3C6H5O7·2H2O 0.05~0.08mol/l酒石酸鈉 C4H4C6Na2·2H2O 0.05~0.08mol/l次亞磷酸鈉NaH2PO2·2H2O 0.2mol/l硫酸銨(NH4)2SO40.5mol/l。
      全文摘要
      一種帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲及其制備方法,屬于磁傳感存儲(chǔ)和信息功能材料及其制備技術(shù)領(lǐng)域。該復(fù)合絲由金屬絲(1)、阻擋層(2)和軟磁層(3)組成,阻擋層(2)是絕緣層,軟磁層(3)是GMI軟磁材料層,阻擋層(2)依附在金屬絲(1)表面,軟磁層(3)依附在阻擋層(2)表面。制備時(shí),在金屬絲(1)表面涂敷阻擋層(2),再在阻擋層(2)上用化學(xué)法鍍一層軟磁層(3),退火后得成品,帶阻擋層巨磁阻抗效應(yīng)復(fù)合絲。該復(fù)合絲制備工藝簡(jiǎn)單,具有較高的巨磁阻抗效應(yīng)值,工作頻率低,應(yīng)用在器件上方便可靠。
      文檔編號(hào)G01R33/09GK1555048SQ20031010954
      公開(kāi)日2004年12月15日 申請(qǐng)日期2003年12月19日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月19日
      發(fā)明者袁望治, 王新征, 吳士蓉, 趙振杰, 阮建中, 楊燮龍 申請(qǐng)人:華東師范大學(xué)
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