專利名稱：放射線攝影裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有包含多個(gè)光電轉(zhuǎn)換元件的攝像單元的放射線攝影裝置。
背景技術(shù)：
對(duì)被拍攝物照射放射線，檢測(cè)透過(guò)了被拍攝物的放射線的強(qiáng)度分布，得到被拍攝物的放射線圖像的方法，一般廣泛應(yīng)用于工業(yè)用的非破壞性檢查和醫(yī)療診斷的場(chǎng)合。用于得到被拍攝物的放射線圖像的一般方法的具體例，是這樣一種方法，即，組合用放射線激發(fā)熒光的所謂“熒光板”(或增光屏)和銀鹽膠片，用熒光板將透過(guò)了被拍攝物的放射線變換成可見(jiàn)光，借助于該可見(jiàn)光在銀鹽膠片上形成潛像后，對(duì)該銀鹽膠片進(jìn)行化學(xué)處理，得到可視圖像。用該方法得到的放射線圖像是模擬照片，可以用于診斷、檢查等。
另一方面，最近正在開(kāi)發(fā)作為圖像接收單元，使用將由微小的光電轉(zhuǎn)換元件、開(kāi)關(guān)元件等構(gòu)成的像素排列配置成網(wǎng)格狀而構(gòu)成的2維陣列傳感器，取得數(shù)字圖像的技術(shù)。使用了該技術(shù)的攝影裝置可以即時(shí)地顯示所取得的圖像數(shù)據(jù)，可以稱之為直接型X射線數(shù)字?jǐn)z影裝置。與模擬攝影技術(shù)比較，放射線數(shù)字?jǐn)z影裝置的優(yōu)點(diǎn)是，無(wú)膠片化，有效利用由圖像處理所取得的信息，容易進(jìn)行數(shù)據(jù)庫(kù)化等。
圖5是使用了上述2維陣列傳感器的X射線攝影系統(tǒng)的概要圖。
對(duì)被拍攝物P照射由X射線發(fā)生裝置的X射線管球12產(chǎn)生的X射線，透過(guò)了被拍攝物P的X射線圖像到達(dá)被配置在被拍攝物P和臺(tái)13之間的X射線攝影裝置殼體100內(nèi)的2維陣列傳感器14。2維陣列傳感器14具有使X射線圖像可見(jiàn)光化的熒光板，用熒光板進(jìn)行了可見(jiàn)光化的X射線圖像，借助于對(duì)可見(jiàn)光具有靈敏度的、呈網(wǎng)格狀排列配置的光電轉(zhuǎn)換元件，被變換成電信號(hào)。被變換成電信號(hào)的圖像信息，由未圖示的AD變換電路進(jìn)行數(shù)字化，由圖像處理單元15進(jìn)行處理并成為數(shù)字圖像。根據(jù)該圖像數(shù)據(jù)，在監(jiān)視器16上顯示出圖像。又，可以將數(shù)字圖像數(shù)據(jù)保存在現(xiàn)有的數(shù)字存儲(chǔ)設(shè)備17中。
圖6是表示上述X射線攝影裝置的內(nèi)部構(gòu)造的概略剖面圖。
在X射線攝影裝置的殼體100內(nèi)，構(gòu)成使X射線可見(jiàn)光化的熒光板8、將可見(jiàn)光變換成電信號(hào)的呈網(wǎng)格狀排列配置的光電轉(zhuǎn)換元件18、由X射線入射一側(cè)觀看從背面支持熒光板8和光電轉(zhuǎn)換元件18的玻璃板19、進(jìn)而支持玻璃板19的底座7、通過(guò)帶狀電纜20接收來(lái)自光電轉(zhuǎn)換元件18的電信號(hào)并進(jìn)行AD變換等的電路板1。又，在玻璃板19與底座7之間，構(gòu)成X射線屏蔽構(gòu)件21。進(jìn)而在電路板1上，安裝有放大來(lái)自光電轉(zhuǎn)換元件18的電信號(hào)的放大器、控制光電轉(zhuǎn)換元件18的驅(qū)動(dòng)的IC等的元件3、22、保護(hù)層5。保護(hù)層5是基于保護(hù)因X射線照射容易劣化的元件22的目的而配置的。
在這種X射線攝影裝置中，X射線未被熒光板8全部吸收，透過(guò)玻璃板19(以下稱為“透射X射線”。)而到達(dá)下層的各構(gòu)成要素。在各要素也透過(guò)X射線，但是一部分作為二次X射線(也稱為“散射線”。)返回到熒光板8。散射線被熒光板8進(jìn)行可見(jiàn)光化時(shí)，成為使被拍攝物的X射線圖像的對(duì)比度下降的主要原因。為了屏蔽這種散射線，構(gòu)成有X射線屏蔽構(gòu)件21，一般廣泛地使用X射線透射率低的鉛(Pb)作為它的材料。
由物質(zhì)散射產(chǎn)生的散射線和透過(guò)物質(zhì)的透射X射線的發(fā)生概率，取決于物質(zhì)的構(gòu)造，還取決于被照射的X射線的線質(zhì)。
圖7是表示各構(gòu)成要素的X射線的照射狀態(tài)的概要圖。為了簡(jiǎn)略說(shuō)明，設(shè)下述的X射線為單能線質(zhì)。
如果未被熒光板8和光電轉(zhuǎn)換元件18吸收而透過(guò)的每單位面積的透射X射線量為S、玻璃板19的散射的概率為Gs，則玻璃板19的每單位面積的散射線量X1能夠表示為X1＝S·Gs(1)
同樣地，如果X射線屏蔽構(gòu)件21、底座7、電路板1、元件3和保護(hù)層5的散射概率分別為Ps、Us、As、Bs、Cs，則在X射線屏蔽構(gòu)件21、底座7、電路板1、元件3和保護(hù)層5的散射線量X2、X3、Xa、Xb、Xc表示為X2＝Sg·PsX3＝Sp·UsXa＝Su·As (2)Xb＝Su·BsXc＝Su·Cs其中，Sg、Sp、Su分別為透過(guò)玻璃板19、X射線屏蔽構(gòu)件21、底座7的透射X射線量。這里，如果玻璃板19的透射率為Gt，則透過(guò)玻璃板19的透射X射線量Sg表示為Sg＝S·Gt(3)同樣地，如果X射線屏蔽構(gòu)件21和底座7的透射率分別為Pt、Ut，則分別透過(guò)了X射線屏蔽構(gòu)件21、底座7的透射X射線量Sp、Su表示為Sp＝Sg·ptSg＝Sp·Ut (4)因此，如果將公式(3)和(4)的各式代入公式(2)的各式，則得到下述X2＝S·Gt·PsX3＝S·Gt·Pt·UsXa＝S·Gt·Pt·Ut·As(5)Xb＝S·Gt·Pt·Ut·BsXc＝S·Gt·Pt·Ut·Cs返回到熒光板8的散射線量，表示為來(lái)自各層的散射線量的總和。如果從電路板1的位置A返回到熒光板8的每單位面積的散射線量為Ra，則Ra＝X1+Gt·X2+Gt·Pt·X3+Gt·Pt·Ut·Xa(6)
因此，Ra＝S·Gs+S·Gt2·Ps+S·Gt2·Pt2·Us+S·Gt2·Pt2·Ut2·As(7)同樣地，如果從元件3的某位置B、保護(hù)層5的某位置C返回到熒光板8的每單位面積的散射線量分別為Rb、Rc，則Rb＝S·Gs+S·Gt2·Ps+S·Gt2·Pt2·Us+S·Gt2·Pt2·Ut2·BsRc＝S·Gs+S·Gt2·Ps+S·Gt2·Pt2·Us+S·Gt2·Pt2·Ut2·Cs(8)這樣，要使在比底座7更下層的構(gòu)成要素中生成的散射線返回到熒光板8，必須使其透過(guò)底座7、X射線屏蔽構(gòu)件21和玻璃板19。
如果X射線屏蔽構(gòu)件21的透射率Pt足夠地低，則散射線在返回時(shí)被吸收而幾乎不到達(dá)熒光板8，因此，在X射線像中，能夠?qū)?lái)自下層的散射線量(后方散射線量)抑制到可以忽略的水平。相反地，如果X射線屏蔽構(gòu)件21的透射率Pt未足夠地低，則來(lái)自電路板1、元件3、保護(hù)層5的散射線量的差異(公式(7)(8)的最后項(xiàng)的影響)變得較顯著，Ra、Rb、Rc的差作為圖像圖案出現(xiàn)在X射線圖像中。作為X射線屏蔽構(gòu)件21的材料，一般使用X射線透射率低的鉛(Pb)。但是，鉛與其它金屬相比，其剛度較低，處理也困難，所以必須有支持鉛的構(gòu)件，從而使構(gòu)造復(fù)雜化。又，在圖7的構(gòu)成中，因?yàn)楸仨氂信c2維陣列傳感器相同程度的尺寸的X射線屏蔽構(gòu)件，所以在X射線屏蔽構(gòu)件中使用密度較高的鉛時(shí)，裝置的重量變得很大。特別是，在具有比現(xiàn)有的膠片暗盒更要增加重量的傾向的、內(nèi)含2維陣列傳感器的可搬運(yùn)型(手提式)的X射線攝影裝置(也稱為電子暗盒或暗盒型放射線攝影裝置)中，重量越大則手提搬運(yùn)越不方便，不僅如此，而且對(duì)被拍攝物的設(shè)置作業(yè)也變得困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題而提出的，目的是減少放射線攝影裝置的重量，并且減少后方散射線的影響。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的放射線攝影裝置，具有攝像單元，用于將對(duì)象物的放射線圖像變換成圖像信號(hào)；以及屏蔽構(gòu)件，用于屏蔽上述攝像單元以使其不受由透過(guò)了上述攝像單元的放射線在上述放射線攝影裝置產(chǎn)生的散射線的影響，其包含放射線透射率和放射線散射概率的至少一者不同的多個(gè)區(qū)域。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)，將在下述參照附圖的說(shuō)明中得以明確。此外，在附圖中，對(duì)相同或同樣的構(gòu)成附加相同的參照標(biāo)號(hào)。


附圖包含在說(shuō)明書(shū)中，構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，表示本發(fā)明的實(shí)施方式，與其描述一起說(shuō)明本發(fā)明的原理。
圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的X射線攝影裝置的構(gòu)成的概略剖面圖。
圖2是表示圖1的各構(gòu)成要素中的X射線的照射狀態(tài)的概要圖。
圖3是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的X射線攝影裝置的構(gòu)成的概略剖面圖。
圖4是表示圖3的各構(gòu)成要素中的X射線的照射狀態(tài)的概要圖。
圖5是表示現(xiàn)有的X射線攝影系統(tǒng)的概要的圖。
圖6是表示現(xiàn)有的X射線攝影裝置的構(gòu)成的概略剖面圖。
圖7是表示圖6的各構(gòu)成要素中的X射線的照射狀態(tài)的概要圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。不過(guò)，在本實(shí)施方式中例示的構(gòu)成部件的尺寸、材料、形狀、它們的相對(duì)配置等，要根據(jù)應(yīng)用本發(fā)明的裝置的構(gòu)成和各種條件進(jìn)行適當(dāng)?shù)淖兏?，本發(fā)明并不限于這些例示。
<第1實(shí)施方式>
圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式中的X射線攝影裝置的構(gòu)成的概略剖面圖。此外，對(duì)與前面說(shuō)明的圖5-7相同的構(gòu)成要素附加相同的標(biāo)號(hào)，并省略對(duì)它們的說(shuō)明。
與圖6的不同點(diǎn)是，代替X射線屏蔽構(gòu)件21，根據(jù)不同區(qū)域使用不同的材料構(gòu)成X射線屏蔽構(gòu)件。在圖1所示的例子中，在與電路板1對(duì)應(yīng)的區(qū)域，構(gòu)成X射線屏蔽構(gòu)件2，在與元件3對(duì)應(yīng)的區(qū)域，構(gòu)成X射線屏蔽構(gòu)件4，在與保護(hù)層5對(duì)應(yīng)的區(qū)域，構(gòu)成X射線屏蔽構(gòu)件6，根據(jù)各要素的配置，使X射線屏蔽構(gòu)件的材料不同。各X射線屏蔽構(gòu)件2、4、6，對(duì)材料進(jìn)行選擇，以使得來(lái)自下層的散射線量(后方散射線量)大致均勻。
圖2是用于粗略估計(jì)在與圖1的各要素對(duì)應(yīng)的各區(qū)域中產(chǎn)生的后方散射線量的說(shuō)明圖。為了使說(shuō)明簡(jiǎn)略化，設(shè)下述的X射線為單能線質(zhì)。此外，對(duì)與前面說(shuō)明的圖1相同的構(gòu)成部分，附加相同的標(biāo)號(hào)。
如果各X射線屏蔽構(gòu)件2、4、6的散射概率分別為Fs、Ms、Ws，則各X射線屏蔽構(gòu)件2、4、6的每單位面積的散射線量Xd、Xe、Xf為，Xd＝Sg·FsXe＝Sg·Ms(9)Xf＝Sg·Ws因此，如果將上述公式(3)代入公式(9)，則Xd＝S·Gt·FsXe＝S·Gt·Ms (10)Xf＝S·Gt·Ws又，如果各X射線屏蔽構(gòu)件2、4、6的透射率分別Mt、Ft、Wt，則透過(guò)各X射線屏蔽構(gòu)件的透射X射線量Sd、Se、Sf為，Sd＝Sg·FtSe＝Sg·Mt(11)Sf＝Sg·Wt
因此，如果將上述公式(3)代入公式(11)時(shí)，則Sd＝S·Gt·FtSe＝S·Gt·Mt(12)Sf＝S·Gt·Wt進(jìn)而，來(lái)自被配置了各X射線屏蔽構(gòu)件2、4、6的區(qū)域A、B、C的底座7的散射線量Xud、Xue、Xuf為Xud＝Sd·UsXue＝Se·Us (13)Xuf＝Sf·Us因此，如果將公式(12)代入公式(13)，則Xud＝S·Gt·Ft·UsXue＝S·Gt·Mt·Us (14)Xuf＝S·Gt·Wt·Us進(jìn)而，在被配置了各X射線屏蔽構(gòu)件2、4、6的各區(qū)域的底座7的透射X射線量Sud、Sue、Suf為Xud＝Sd·UtXue＝Se·Ut (15)Xuf＝Sf·Ut因此，如果將公式(12)代入公式(15)時(shí)，則Sud＝S·Gt·Ft·UtSue＝S·Gt·Mt·Ut (16)Suf＝S·Gt·Wt·Ut又，在電路板1、元件3和保護(hù)層5的散射線量Xa、Xb、Xc為Xa＝Sud·AsXb＝Sue·Bs (17)Xc＝Suf·Cs因此，如果將公式(16)代入公式(17)時(shí)，則Xa＝S·Gt·Ft·Ut·As
Xb＝S·Gt·Mt·Ut·Bs(18)Xc＝S·Gt·Wt·Ut·Cs返回到熒光板8的各區(qū)域的X射線量(后方散射線量)Rd、Re、Rf為Rd＝X1+Gt·Xd+Gt·Ft·Xud+Gt·Ft·Ut·XaRe＝X1+Gt·Xe+Gt·Ft·Xue+Gt·Ft·Ut·Xb (19)Rf＝X1+Gt·Xf+Gt·Ft·Xuf+Gt·Ft·Ut·Xc因此，如果將公式(1)、(10)、(14)、(18)代入公式(19)，則Rd＝S·Gs+S·Gt2·Fs+S·Gt2·Ft2·Us+S·Gt2·Ft2·Ut2·AsRe＝S·Gs+S·Gt2·Ms+S·Gt2·Mt2·Us+S·Gt2·Mt2·Ut2·BsRf＝S·Gs+S·Gt2·Ws+S·Gt2·Wt2·Us+S·Gt2·Wt2·Ut2·Cs(20)在由2維陣列傳感器14取得的放射線圖像中，為了減少由后方散射線引起的對(duì)比度的差，優(yōu)選Rd、Re、Rf的值大致相等。所以，選定各X射線屏蔽構(gòu)件的材料，使得以各X射線屏蔽構(gòu)件2、4、6的散射概率Fs、Ms、Ws和透射率Ft、Mt、Wt為變量，Rd、Re、Rf的值大致相等即可。這樣一來(lái)，能夠得到包含放射線透射率和放射線散射概率中的至少一者不同的多個(gè)區(qū)域的屏蔽構(gòu)件。這里，選擇該多個(gè)區(qū)域的放射線透射率和放射線散射概率中的至少一者，以使得透過(guò)該多個(gè)區(qū)域并入射到攝像單元的散射線量大致均勻。又，該攝像單元是將放射線變換成圖像信號(hào)的構(gòu)成要素，在本實(shí)施方式的情形中，包含熒光板8和光電轉(zhuǎn)換元件18地構(gòu)成。
作為X射線屏蔽構(gòu)件的材料，例如，有鉬(Mo)、鎢(W)、鋼(Fe)。單能線質(zhì)的X射線透射率，以W、Mo、Fe的順序變高。假定下層的各構(gòu)成要素的散射概率以保護(hù)層、元件、電路板的順序降低，則為了縮小則各區(qū)域的散射線量的差，例如，優(yōu)選的是，選擇Fe作為X射線屏蔽構(gòu)件2的材料，Mo作為X射線屏蔽構(gòu)件4的材料，W作為X射線屏蔽構(gòu)件6的材料。不過(guò)，用于X射線屏蔽構(gòu)件的材料，因?yàn)槿Q于來(lái)自下層的散射線量，所以優(yōu)選根據(jù)下層的構(gòu)造進(jìn)行選擇，材料不限于上述3種。
對(duì)每一個(gè)區(qū)域根據(jù)散射線量配置上述不同材料的X射線屏蔽構(gòu)件，由此，能夠在散射線量小的區(qū)域使用X射線透射率比較高的X射線屏蔽構(gòu)件。因?yàn)楫?dāng)X射線透射率高時(shí)密度相對(duì)地降低，所以能夠抑制重量。又，在散射線量少到不對(duì)圖像的讀影造成影響的情況下，也可以不在該區(qū)域配置X射線屏蔽構(gòu)件。在第1實(shí)施方式中，根據(jù)電路板1上的構(gòu)成變更了X射線屏蔽構(gòu)件的材料，但是，例如，也可以根據(jù)底座等的構(gòu)造和形狀、其它構(gòu)成要素的配置等，來(lái)選擇X射線屏蔽構(gòu)件的材料?？傊跉w因于電子部件(electroniccomponent)和機(jī)械構(gòu)造體等，而使得熒光板上的后方散射線量根據(jù)場(chǎng)所的不同而不同時(shí)，可以應(yīng)用本實(shí)施方式的發(fā)明。
根據(jù)上述本第1實(shí)施方式，用根據(jù)下層的構(gòu)成要素而材料不同的多個(gè)部件來(lái)置換與現(xiàn)有的放射線圖像傳感器(放射線圖像檢測(cè)器)的圖像檢測(cè)有效區(qū)域的整個(gè)面大致對(duì)應(yīng)地配置的均勻材料的X射線屏蔽構(gòu)件，由此，能夠一面抑制來(lái)自下層的散射線的影響，一面相對(duì)地減少裝置的重量。特別是在電子暗盒中，因?yàn)橹亓繙p少對(duì)操作性具有大的影響，所以很有效果。又，因?yàn)榭梢栽赬射線屏蔽構(gòu)件中使用比鉛(Pb)容易安裝的鉬(Mo)、鎢(W)、鋼材(Fe)等，所以可以更有效的進(jìn)行安裝。
<第2實(shí)施方式>
圖3是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的X射線攝影裝置的構(gòu)成的概略剖面圖。此外，對(duì)與前面說(shuō)明的圖1相同的構(gòu)成要素，附加相同的標(biāo)號(hào)，并省略對(duì)它們的說(shuō)明。
與圖1的不同點(diǎn)是，用根據(jù)區(qū)域而厚度不同的X射線屏蔽構(gòu)件來(lái)構(gòu)成。在與電路板1對(duì)應(yīng)的區(qū)域A，構(gòu)成最薄的X射線屏蔽構(gòu)件9，在與元件3對(duì)應(yīng)的區(qū)域B，構(gòu)成中間厚度的X射線屏蔽構(gòu)件10，在與保護(hù)層5對(duì)應(yīng)的區(qū)域C，構(gòu)成最厚的X射線屏蔽構(gòu)件11，根據(jù)各要素的配置，使X射線屏蔽構(gòu)件的厚度不同。選擇各X射線屏蔽構(gòu)件9、10、11的各自的厚度，使得來(lái)自下層的散射線量大致均勻。
圖4是用于大致估計(jì)在與圖3的各要素對(duì)應(yīng)的各區(qū)域產(chǎn)生的后方散射線量的說(shuō)明圖。為了使說(shuō)明簡(jiǎn)略化，使下述的X射線為單能線質(zhì)。此外，對(duì)與前面說(shuō)明的圖3相同的部分，附加相同的標(biāo)號(hào)。
返回到熒光板8的散射線量、與厚度不同的各X射線屏蔽構(gòu)件9、10、11的散射概率和透射率的關(guān)系式，與上述材料不同的各X射線屏蔽構(gòu)件2、4、6的關(guān)系式等同。
因此，如果厚度不同的各X射線屏蔽構(gòu)件9、10、11的散射概率分別為αs、βs、γs，各X射線屏蔽構(gòu)件9、10、11的每單位面積的散射線量分別為Xh、Xi、Xj，各X射線屏蔽構(gòu)件9、10、11的透射率分別為αt、βt、γt，與被配置了各X射線屏蔽構(gòu)件9、10、11的位置對(duì)應(yīng)的區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C的底座7的散射線量分別為Xuh、Xui、Xuj，在區(qū)域A、區(qū)域B、區(qū)域C的底座7的透射X射線量分別為Suh、Sui、Suj，則在電路板1、元件3和保護(hù)層5的散射線量Xa、Xb、Xc，分別將公式(7)的Sud、Sue、Suf置換成Suh、Sui、Suj，Xa＝Suh·AsXb＝Sui·Bs(21)Xc＝Suj·Cs因此，Xa＝S·Gt·αt·Ut·AsXb＝S·Gt·βt·Ut·Bs (22)Xc＝S·Gt·γt·Ut·Cs返回到熒光板8的各層的散射線量Rh、Ri、Rj為，Rh＝X1+Gt·Xh+Gt·αt·Xuh+Gt·αt·Ut·XaRi＝X1+Gt·Xi+Gt·βt·Xui+Gt·βt·Ut·Xb(23)Rj＝X1+Gt·Xj+Gt·γt·Xuj+Gt·γt·Ut·Xc因此，Rh＝S·Gs+S·Gt2·αs+S·Gt2·αt2·Us+S·Gt2·αt2·Ut2·As
Ri＝S·Gs+S·Gt2·βs+S·Gt2·βt2·Us+S·Gt2·βt2·Ut2·BsRj＝S·Gs+S·Gt2·γs+S·Gt2·γt2·Us+S·Gt2·γt2·Ut2·Cs(24)與上述第1實(shí)施方式相同地，在由2維陣列傳感器14取得的放射線圖像中，為了減少由后方散射線引起的對(duì)比度的差，優(yōu)選Rh、Ri、Rj的值大致相等。所以，選定各X射線屏蔽構(gòu)件的厚度，以使得各X射線屏蔽構(gòu)件9、10、11的散射概率αs、βs、γs和透射率αt、βt、γt為變量，Rh、Ri、Rj的值大致相等，如此即可。這樣一來(lái)，能夠得到包含放射線透射率和放射線散射概率中的至少一者不同的多個(gè)區(qū)域的屏蔽構(gòu)件。這里，選擇該多個(gè)區(qū)域的放射線透射率和放射線散射概率中的至少一者，以使得透過(guò)該多個(gè)區(qū)域并入射到攝像單元的散射線的量大致均勻。又，該攝像單元是將放射線變換成圖像信號(hào)的構(gòu)成要素，在本實(shí)施方式中，包含熒光板8和光電轉(zhuǎn)換元件18地構(gòu)成。
單能線質(zhì)的X射線透射率，以厚度(厚)、厚度(中)、厚度(薄)的順序變高。如果假定下層各構(gòu)成要素的散射概率以保護(hù)層、元件、電路板的順序降低，為了縮小在各區(qū)域的散射線量的差，優(yōu)選的是，X射線屏蔽構(gòu)件9最薄，X射線屏蔽構(gòu)件10為中間厚度，X射線屏蔽構(gòu)件11最厚。圖3和圖4表示根據(jù)該假定的構(gòu)成。又，作為X射線屏蔽構(gòu)件的材料，如上所述，與鉛(Pb)相比，使用鉬(Mo)、鎢(W)或鋼材(Fe)，更容易安裝和處理。不過(guò)，X射線屏蔽構(gòu)件的厚度，因?yàn)槿Q于來(lái)自下層的散射線量和X射線屏蔽構(gòu)件的材料，所以根據(jù)它們進(jìn)行選擇。
如上所述，通過(guò)配置在每個(gè)區(qū)域厚度不同的X射線屏蔽構(gòu)件，能夠在散射線量小的區(qū)域中使用比較薄的X射線屏蔽構(gòu)件，所以能夠抑制X射線屏蔽構(gòu)件的總重量。又，在散射線量較少而不對(duì)圖像的讀影造成影響的情況下，也可以不在該區(qū)域配置X射線屏蔽構(gòu)件。進(jìn)而，如果組合第1實(shí)施方式中說(shuō)明的、使用材料不同的多個(gè)X射線屏蔽構(gòu)件的方法，則進(jìn)一步增加能夠用于減少對(duì)比度差的方法，所以是有效的。在本第2實(shí)施方式中，根據(jù)電路板上的構(gòu)成，變更X射線屏蔽構(gòu)件的厚度。但是，例如，也可以根據(jù)底座等的構(gòu)造和形狀、其它構(gòu)成要素的配置等，選擇X射線屏蔽構(gòu)件的厚度?？傊?，在歸因于電子部件和機(jī)械構(gòu)造體等，而使得熒光板上的后方散射線量根據(jù)場(chǎng)所的不同而不同時(shí)，可以應(yīng)用本實(shí)施方式的發(fā)明。
根據(jù)上述本第2實(shí)施方式，用根據(jù)下層的構(gòu)成要素而材料不同的多個(gè)部件來(lái)置換與現(xiàn)有的放射線圖像傳感器(放射線圖像檢測(cè)器)的圖像檢測(cè)有效區(qū)域的整個(gè)面大致對(duì)應(yīng)地配置的均勻材料的X射線屏蔽構(gòu)件，由此，能夠一面抑制來(lái)自下層的散射線的影響，一面相對(duì)地減少裝置的重量。特別是在電子暗盒中，因?yàn)橹亓繙p少對(duì)操作性具有大的影響，所以很有效果。
本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的條件下，能夠作出各種不同的變更和變形。所以，本發(fā)明由所附的權(quán)利要求進(jìn)行定義，除此以外，不受特定的實(shí)施方式的限制。
權(quán)利要求
1.一種放射線攝影裝置，其特征在于，具有攝像單元，用于將對(duì)象物的放射線圖像變換成圖像信號(hào)；以及屏蔽構(gòu)件，用于屏蔽上述攝像單元以使其不受由透過(guò)了上述攝像單元的放射線在上述放射線攝影裝置產(chǎn)生的散射線的影響，其包含放射線透射率和放射線散射概率的至少一者不同的多個(gè)區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線攝影裝置，其特征在于選擇上述多個(gè)區(qū)域的上述放射線透射率和上述放射線散射概率中的至少一者，使得透過(guò)上述多個(gè)區(qū)域并入射到上述攝像單元的上述散射線的量均勻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的放射線攝影裝置，其特征在于上述多個(gè)區(qū)域的材料不同。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的放射線攝影裝置，其特征在于上述材料包括鉬(Mo)、鎢(W)、鋼材(Fe)中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線攝影裝置，其特征在于上述多個(gè)區(qū)域的厚度不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線攝影裝置，其特征在于作為產(chǎn)生上述散射線的構(gòu)成要素，包括電子部件和機(jī)械構(gòu)造體中的至少一個(gè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線攝影裝置，其特征在于上述放射線攝影裝置是暗盒型的。
全文摘要
一種放射線攝影裝置，具有光電轉(zhuǎn)換元件，用于將對(duì)象物的放射線圖像變換成圖像信號(hào)；以及屏蔽構(gòu)件，用于屏蔽上述光電轉(zhuǎn)換元件以使其不受由透過(guò)了上述光電轉(zhuǎn)換元件的放射線在上述放射線攝影裝置產(chǎn)生的散射線的影響，其包含多個(gè)放射線透射率和放射線散射概率的至少一者不同的區(qū)域。
文檔編號(hào)G01T1/20GK1532628SQ20041000797
公開(kāi)日2004年9月29日 申請(qǐng)日期2004年3月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月25日
發(fā)明者山本理 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社