專利名稱：用于ct檢測器的多層反射器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及診斷成像，并且更具體地涉及具有低串?dāng)_和高光輸出的反射器組件的CT檢測器。此外，本發(fā)明涉及以間隙方式設(shè)置于閃爍器陣列的閃爍器之間的反射器，該反射器能夠減小串?dāng)_以在保持閃爍器的高光輸出的同時提高CT圖像質(zhì)量。
背景技術(shù)：
典型地，在計算機(jī)x射線斷層攝影(CT)成像系統(tǒng)中，x射線源朝著比如病人或一塊行李的受檢者或?qū)ο蟀l(fā)射扇形射束。在下文中，術(shù)語“受檢者”或“對象”將包括能夠被成像的任何事物。通過受檢者衰減之后的射束沖擊輻射檢測器的陣列。檢測器陣列處接收的衰減的射束輻射強(qiáng)度典型地依賴于由于受檢者造成的x射線的衰減。檢測器陣列的每個檢測器元件產(chǎn)生表示通過每個檢測器元件接收的衰減射束的單獨電信號。將電信號發(fā)送至數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)以用于分析哪個檢測器元件最后產(chǎn)生圖像。
通常，在成像平面中的構(gòu)架的周圍并圍繞受檢者旋轉(zhuǎn)x射線源和檢測器陣列。x射線源典型地包括x射線管，其在焦點處發(fā)射x射線束。x射線檢測器典型地包括用于準(zhǔn)直在檢測器處接收的x射線束的準(zhǔn)直儀、鄰近準(zhǔn)直儀的用于將x射線轉(zhuǎn)換成光能的閃爍器、和用于接收來自鄰近閃爍器的光能并從其中產(chǎn)生電信號的光電二極管。
典型地，閃爍器陣列的每個閃爍器將x射線轉(zhuǎn)換成光能。每個閃爍器釋放光能至與其鄰近的光電二極管。每個光電二極管檢測光能并產(chǎn)生對應(yīng)的電信號。然后將光電二極管的輸出發(fā)送至數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)以用于圖像重構(gòu)。
CT檢測器的檢測器單元之間的“串?dāng)_”是常見的。通常將“串?dāng)_”定義為CT檢測器的鄰近單元之間的數(shù)據(jù)通信。通常，由于串?dāng)_導(dǎo)致存在于最后重構(gòu)的CT圖像中的偽影并導(dǎo)致差的空間分別率，所以設(shè)法減小串?dāng)_。典型地，可以在單獨的CT檢測器內(nèi)部產(chǎn)生四種不同類型的串?dāng)_。由于閃爍器單元之間的x射線散射，可以出現(xiàn)x射線串?dāng)_。通過經(jīng)由環(huán)繞閃爍器的反射器的光的傳送，可以出現(xiàn)光學(xué)串?dāng)_。已知的CT檢測器利用鄰接的光學(xué)耦合層(典型地為環(huán)氧樹脂)來固定閃爍器陣列至光電二極管陣列。然而，當(dāng)光從一個單元通過鄰接層傳到另一個單元時會出現(xiàn)串?dāng)_。由于光電二極管之間不需要的通信也會出現(xiàn)電串?dāng)_。
閃爍器陣列典型地結(jié)合鄰近的閃爍器之間的反射器層或涂層以限制閃爍器之間的串?dāng)_。通常，反射器由包括氧化鉻或其它類型的光學(xué)吸收材料的材料構(gòu)成，以吸收穿過閃爍器之間的分離邊界傳送的光。由于氧化鉻起到良好的光吸收劑的作用，減小了反射器的相對反射率，其在一些情況下可以多至60％。同樣地，結(jié)合包括氧化鉻或類似的材料的反射器層，在較低的串?dāng)_和反射率之間獲得CT檢測器設(shè)計中的折衷。如果不用氧化鉻或其它光學(xué)吸收性材料制備反射器層，則閃爍器之間的串?dāng)_增加。簡單地，采用光學(xué)吸收性材料減小串?dāng)_，但降低了反射器的反射率。
減小的反射率降低低信號性能，而增大的串?dāng)_影響空間分辨率。低信號性能是CTR檢測器中產(chǎn)生的噪聲的函數(shù)。當(dāng)反射率下降，閃爍器的光輸出也下降。然而噪聲是相對恒定的，因此，光輸出的減小增大噪聲對功能光輸出的比率。此外，歸因于散射的x射線的串?dāng)_量可以估計為CT檢測器中全部串?dāng)_的大約50％。雖然光學(xué)吸收性材料在減小與閃爍器之間的光轉(zhuǎn)移有關(guān)的串?dāng)_方面是有效的，但是反射器典型地具有差的x射線吸收特性，并且因而不能消除可能在閃爍器之間出現(xiàn)的由x射線引起的串?dāng)_。
因此，期望設(shè)計一種具有減小的光和x射線串?dāng)_特性的CT檢測器以提高CT成像質(zhì)量而不必犧牲改善的信號的光輸出。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種用于改進(jìn)CT檢測器中的串?dāng)_減小而不明顯減小閃爍器光輸出的CT檢測器。也公開了一種制備這種設(shè)備的方法。
公開了一種用于CT檢測器的多層反射器。該反射器包括夾在一對高反射性部件之間的x射線吸收部件。在CT檢測器的鄰近閃爍器之間形成這種反射器，從而減小鄰近閃爍器之間的串?dāng)_以及保持用于信號檢測的相對較高的光輸出。此外，橫越閃爍器陣列可以一維或兩維地設(shè)置多層反射器。也公開了制備這種反射器并將其結(jié)合至CT檢測器中的方法。
因此，依據(jù)本發(fā)明的一個方面，CT檢測器包括具有多個閃爍器的閃爍器陣列和以間隙方式設(shè)置于鄰近閃爍器之間的反射器。該反射器包括設(shè)置于一對反射性元件之間的光吸收元件。
依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種CT系統(tǒng)，它包括具有閃爍器陣列的CT檢測器陣列，配置閃爍器陣列以便一接收到射線照相能量就照明。該CT檢測器陣列進(jìn)一步包括設(shè)置于閃爍器陣列的鄰近閃爍器之間的反射器元件。每個反射器元件包括夾在至少一對反射層之間的組合層。
依據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提出一種制備CT檢測器的方法。該方法包括提供多個閃爍器的閃爍器陣列并在鄰近閃爍器之間設(shè)置反射層的步驟。該制備方法進(jìn)一步包括在反射層中設(shè)置組合層的步驟。
從下面的詳細(xì)描述和附圖，本發(fā)明的各種其它特征、目的和優(yōu)點將變得顯而易見。


附圖示出了用于實現(xiàn)本發(fā)明目前預(yù)期的一個優(yōu)選實施例。
在附圖中圖1是CT成像系統(tǒng)的示圖。
圖2是圖1示出系統(tǒng)的示意框圖。
圖3是CT系統(tǒng)檢測器陣列的一個實施例的透視圖。
圖4是檢測器的一個實施例的透視圖。
圖5是以四片模式示出的圖4中的檢測器的各種結(jié)構(gòu)。
圖6是依據(jù)本發(fā)明的閃爍器陣列的一部分的側(cè)視圖的示意表示。
圖7是依據(jù)本發(fā)明的閃爍器陣列制備過程的圖形表示。
圖8是用于非侵入包裹檢查系統(tǒng)的CT系統(tǒng)的示圖。
具體實施例方式
關(guān)于四片計算x射線斷層攝影(CT)系統(tǒng)描述本發(fā)明的操作環(huán)境。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，本發(fā)明能夠等同地應(yīng)用于單片或其它多片結(jié)構(gòu)。此外，關(guān)于x射線的檢測和轉(zhuǎn)換描述本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以進(jìn)一步理解本發(fā)明能夠等同地應(yīng)用于其它高頻電磁能的檢測和轉(zhuǎn)換。關(guān)于“第三代”CT掃描器描述本發(fā)明，但本發(fā)明也可以等同地應(yīng)用于其它CT系統(tǒng)。
參照圖1和2，計算x射線斷層攝影(CT)成像系統(tǒng)10被表示為包括表示“第三代”CT掃描器的構(gòu)架12。構(gòu)架12具有朝向構(gòu)架12的相對側(cè)上的檢測器陣列18投影x射線束16的x射線源14。通過一起傳感經(jīng)過內(nèi)科病人22的投影x射線的多個檢測器20形成檢測器陣列18。每個檢測器20產(chǎn)生代表沖擊x射線束的強(qiáng)度的電信號，并因此在它經(jīng)過病人22時產(chǎn)生衰減射束。在掃描以獲取x射線投影數(shù)據(jù)的過程中，構(gòu)架12和在其上裝配的部件圍繞旋轉(zhuǎn)中心24旋轉(zhuǎn)。
通過CT系統(tǒng)10的控制機(jī)構(gòu)26控制構(gòu)架12的旋轉(zhuǎn)和x射線源14的操作?？刂茩C(jī)構(gòu)26包括向x射線源14提供功率和定時信號的x射線控制器28以及控制構(gòu)架12的旋轉(zhuǎn)速度和位置的構(gòu)架電動機(jī)控制器30?？刂茩C(jī)構(gòu)26中的數(shù)據(jù)獲取系統(tǒng)(DAS)32采樣來自檢測器20的模擬數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號用于隨后處理。圖像重構(gòu)器34接收來自DAS 32的采樣和數(shù)字化的x射線數(shù)據(jù)，并實施高速重構(gòu)。作為輸入施加重構(gòu)的圖像至在大容量存儲器裝置38中存儲圖像的計算機(jī)36。
通過具有鍵盤的控制臺40，計算機(jī)36也接收來自操作者的命令和掃描參數(shù)。相關(guān)聯(lián)的陰極射線管顯示器42允許操作者觀察重構(gòu)的圖像和來自計算機(jī)36的其它數(shù)據(jù)。通過計算機(jī)36使用操作者供給的命令和參數(shù)，以提供控制信號和信息給DAS 32、x射線控制器28和構(gòu)架電動機(jī)控制器30。此外，計算機(jī)36操作控制電動臺46的工作臺電動機(jī)控制器44以定位病人22和構(gòu)架12。具體地，工作臺46移動病人的身體部分通過構(gòu)架開口48。
如圖3和圖4所示，檢測器陣列18包括形成閃爍器陣列56的多個閃爍器57。準(zhǔn)直儀(未示出)位于閃爍器陣列56之上，以在這種射束沖擊閃爍器陣列56之前準(zhǔn)直x射線束16。
在一個實施例中，如圖3所示，檢測器陣列18包括57個檢測器20，每個檢測器20具有16×16的陣列尺寸。結(jié)果，陣列18具有16行和912列(16×57個檢測器)，其允許以構(gòu)架12的每個旋轉(zhuǎn)收集16個聯(lián)立的片的數(shù)據(jù)。
圖4的開關(guān)陣列80和82是耦合于閃爍器陣列56和DAS 32之間的多維半導(dǎo)體陣列。開關(guān)陣列80和82包括設(shè)置為多維陣列的多個場效應(yīng)晶體管(FET)(未示出)。FET陣列包括連接至各自光電二極管60的每一個的多個電導(dǎo)線和通過柔性電接口84電連接至DAS 32的多個輸出導(dǎo)線。具體地，大約一半的光電二極管輸出電連接至開關(guān)80，同時另一半的光電二極管輸出電連接至開關(guān)82。此外，可在每個閃爍器57之間插入反射器層(未示出)，以減小來自鄰近閃爍器的光散射。通過裝配支架79，每個檢測器20固定至圖3的檢測器機(jī)架77。
開關(guān)陣列80和82進(jìn)一步包括解碼器(未示出)，其能夠依據(jù)理想數(shù)量的片和用于每片的片分辨率啟動、禁止或組合光電二極管輸出。在一個實施例中，解碼器是本領(lǐng)域熟知的解碼器芯片或FET控制器。解碼器包括多個耦合至開關(guān)陣列80和82以及DAS 32的輸出和控制線。在限定為16片模式的一個實施例中，解碼器啟動開關(guān)陣列80和82，從而激勵光電二極管陣列52的所有行，產(chǎn)生用于通過DAS 32進(jìn)行處理的16個聯(lián)立的片的數(shù)據(jù)。當(dāng)然，很多其它片組合也是可能的。例如，也可以從包括一、二和四片模式的其它片模式中選擇解碼器。
如圖5所示，通過發(fā)送合適的解碼器指令，可以以四片模式配置開關(guān)陣列80和82，從而從一行或多行光電二極管陣列52的四個片收集數(shù)據(jù)?；陂_關(guān)陣列80和82的具體結(jié)構(gòu)，能夠啟動、禁止或組合光電二極管60的各種組合，從而使片厚度可以包括一、二、三或四行的閃爍器陣列元件57。其它的例子包括包括具有片范圍從1.25mm厚至20mm厚的一片的單獨片模式，以及具有片范圍從1.25mm厚至10mm厚的兩片的兩片模式。也可考慮除了描述之外的其它模式。
現(xiàn)在參照圖6，描述閃爍器陣列的一部分的橫截面。如先前討論的，閃爍器陣列56包括多個均勻間隔的閃爍器57。在鄰近閃爍器之間以間隙方式隔開或設(shè)置反射器84。設(shè)計反射器以保持用于每個閃爍器的相對較高的光輸出，并產(chǎn)生閃爍器之間的光和x射線串?dāng)_。在這點上，在一個實施例中的每個反射器84由三層組成。具體地，在一對反射層88之間夾入組合層86。優(yōu)選地，組合層由高原子序數(shù)金屬和低粘性聚合體組成?？赡軕?yīng)用的高-Z金屬的例子包括以粉末形式具有大于16g/cm3密度的鎢、鉭或其它重金屬。比如聚氨酯的任何多種低粘性商業(yè)上可獲得的環(huán)氧樹脂可被用作組合層的聚合體成分。雖然聚合體在顏色上優(yōu)選是深色以提高閃爍器陣列的性能，但是可以預(yù)期也可使用顏色較淺的聚合體。即，對聚合體材料沒有顏色要求。此外，優(yōu)選從具有對輻射相對高阻抗的材料制備聚合體。
在一個優(yōu)選實施例中，金屬組合層的厚度大約為50-100μm。相反，每個反射層88優(yōu)選具有大約15-50μm的厚度。設(shè)計金屬組合層86以吸收從一個閃爍器傳送至鄰近閃爍器的光，如果不能消除，也會因此較小閃爍器之間的光學(xué)串?dāng)_。此外，配置金屬組合層以吸收在閃爍器之間轉(zhuǎn)換的x射線光子。用在金屬組合層中的材料的數(shù)量和類型限定了光和x射線阻止能力。然而，一個具體的合成物已經(jīng)顯示出吸收閃爍器之間高達(dá)50％的x射線光子，因此將x射線串?dāng)_減小了50％。假設(shè)光學(xué)串?dāng)_典型地為全部串?dāng)_的45％，而x射線串?dāng)_典型地為全部串?dāng)_的55％，則利用該示范性的組成并依據(jù)本發(fā)明，相對于傳統(tǒng)的反射器，可以將閃爍器的全部串?dāng)_減小大約20％至30％。此外，金屬組合層大大地減小了x射線穿通(punch-through)，例如60％或更多。
仍然參照圖6，由裝載二氧化鈦(TiO2)的環(huán)氧樹脂組成反射器層88。該反射器層通常是不透明的，并被設(shè)計成阻止來自閃爍物的每一個的光發(fā)射。即，操作反射器層以限制通過閃爍器的每一個在各自的閃爍器內(nèi)部產(chǎn)生的光。因此，理想地，在鄰近閃爍器之間不轉(zhuǎn)移光。由于設(shè)計光電二極管以檢測來自閃爍器57的每一個的光發(fā)射，所以反射器層用于提高朝向光電二極管的光的會聚，并且金屬組合層減小鄰近閃爍器之間的x射線串?dāng)_。為了進(jìn)一步提高光收集效率，澆鑄反射器頂部涂層或?qū)?1，或另外沉積于閃爍器57的x射線接收器表面或面92之上。設(shè)計涂層90以不影響x射線通過地改變光發(fā)射的方向。
現(xiàn)在參照圖7，將更詳細(xì)地描述依據(jù)本發(fā)明的制備技術(shù)的階段。以閃爍器基片94的形成開始制備技術(shù)的階段A。閃爍器基片由被設(shè)計以依據(jù)x射線或其它x射線照相成像能量的接收照明和輸出光的一種或多種材料組成。依據(jù)多種熟知半導(dǎo)體制備技術(shù)的一種可以制備基片。階段A進(jìn)一步包括將容積基片(bulk substrate)材料接入具有理想厚度的晶片的底部以及包括磨削或其它工藝以便在尺寸上限定基片。
在制備技術(shù)的階段B中，基片經(jīng)歷多個像素化工藝中的一個，以限定基片中的多個閃爍器57。例如，利用線狀鋸切割裝置或其它切割機(jī)構(gòu)可以將基片切割成塊。此外，利用離子束銑削、化學(xué)蝕刻、汽相淀積或任何其它熟知的基片切割技術(shù)可以限定單個閃爍器。優(yōu)選地，限定單個閃爍器，以在鄰近閃爍器之間形成間隙96。此外，優(yōu)選地，橫越閃爍器基片兩維地限定閃爍器57。優(yōu)選地，間隙96以x和z兩個方向延伸于單個閃爍器之間，并基于幾何劑量效率的需要具有大約100至200μm的寬度。間隙的深度取決于想要的阻止能力，并依據(jù)閃爍器基片成分而變化。
在單個閃爍器的形成或限定之后，在步驟C，優(yōu)選地將高反射性材料90澆鑄在閃爍器上以及澆鑄在由它們限定的間隙中。在一個優(yōu)選實施例中，澆鑄填充物包含以重量計算大約40％-70％的二氧化鈦。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，澆鑄填充物不局限于二氧化鈦。也可以使用比如Ta2O5、HfO2、Bi2O3和PbO的其它高反射性材料以及其它類似的材料。雖然這些材料通常不具有如二氧化鈦那樣高的反射率特性，但是這些材料確實具有有助于減小閃爍器之間x射線串?dāng)_的足夠的x射線阻止能力特性。此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解澆鑄限定一種特定的方式，通過這種方式反射器材料可以設(shè)置在閃爍器之間。因此，本發(fā)明可以預(yù)期包括比如噴射模塑法的其它沉積工藝。
優(yōu)選地，高反射性材料采取粉末的形式并被澆鑄進(jìn)間隙96。因此，將粉末固化指定的周期。在固化之后，對閃爍器陣列的頂表面或部分進(jìn)行機(jī)械加工以留下具有理想厚度(例如200μm厚)的頂部反射層91。
在步驟D中，在反射材料中在閃爍器之間產(chǎn)生新的間隙或通道98。優(yōu)選地，沿著x和z兩個方向產(chǎn)生間隙98。利用多種切削或切割技術(shù)以及以化學(xué)方法為基礎(chǔ)的蝕刻工藝中的一種可以產(chǎn)生間隙98。例如，利用線狀鋸或機(jī)械加工激光器可以形成間隙98。也可利用化學(xué)蝕刻、離子束研磨以及其它半導(dǎo)體制備工藝。在激光器的例子中，可以使用ND:YAG激光器、CO2激光器、或AR+激光器或半導(dǎo)體激光器。在該例子中，在設(shè)置于閃爍器之間的反射性材料的中心或中間聚焦激光束，并且可調(diào)整切削的寬度，以使通過切削工藝獲得理想的間隙或通道寬度。
線狀鋸切割可以用于在設(shè)置于閃爍器之間的反射性材料中機(jī)械加工間隙98。例如，具有70μm或更小直徑的線可用于切割理想的間隙。在該點上，以理想的節(jié)距將線定位在線軸(未示出)上。機(jī)械加工固定器然后用于精確地定位線和線軸。預(yù)期可以使用至少兩種不同類型的線。即，可以使用具有以研磨介質(zhì)漿液供應(yīng)線的金屬線。在該點上，線通過反射性材料并產(chǎn)生理想的間隙。研磨介質(zhì)可以是金剛石、SiC粉末、鋁和其它熟知的研磨介質(zhì)材料。優(yōu)選地，研磨介質(zhì)功率具有1,000至3,000篩眼的磨料粒度。另一種可能的解決方法是使用以金剛石或SiC介質(zhì)嵌入的金屬線。也可以使用OD(外部直徑)切割鋸。在優(yōu)選實施例中，不考慮產(chǎn)生間隙98的方法、裝置和機(jī)構(gòu)，每個閃爍器的表面上得到的反射性涂層的厚度大約是15至50μm。
在閃爍器之間的反射性材料中形成間隙98以形成一對分離的反射層88之后，在階段E過程中將金屬粉末組合物沉積于每個間隙中。優(yōu)選地，金屬粉末組合物包括比如鎢或鉭的高-Z金屬，并且由于它的高x射線阻止能力，其是可選擇的。優(yōu)選地，金屬粉末具有0.5至5μm的特定尺寸。比如環(huán)氧樹脂、EpoTek301、聚氨酯或其它低粘性聚合體的低粘性聚合體可被選擇作粘合劑。EPOTEK是Epoxy TechnologyInc.of Billerica，Massachusetts的注冊商標(biāo)。在該點上，優(yōu)選地將以容積計算的40％至60％的金屬粉末與液體聚合體均勻混合。然后將混合物或組合物澆鑄進(jìn)反射性材料中產(chǎn)生的間隙98。在澆鑄之后，允許固化混合物。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，可以使用其它方法或技術(shù)在成對的反射層之間沉積金屬層組合物。例如，以比如熱塑性聚合物涂層的粘合劑材料涂敷高-Z金屬微粒。然后用比如酒精的少量溶劑可將涂敷的金屬微粒澆鑄進(jìn)間隙98中。然后可以汽化溶劑，由此加熱得到的材料以熔化熱塑性涂層，它將全部微粒粘合在一起以及作為閃爍器之間的粘合劑。另一種方法包括以鎢或以低溫焊料薄膜涂敷高-Z微粒。在被澆鑄進(jìn)入間隙之后，熔化焊料薄膜。在形成薄膜之后，閃爍器陣列在頂表面上被磨削或研磨以去除金屬組合物和反射性材料的額外材料。優(yōu)選地，頂部反射器921具有大約50至200μm的厚度，以在最大化光輸出的同時最小化x射線衰減。
一旦允許固化在成對的反射層之間以間隙方式設(shè)置的金屬組合物層，然后就可在階段F將閃爍器陣列機(jī)械加工成最后和理想的尺寸。此外，機(jī)械加工或磨削閃爍器基片的底表面99以去除額外的閃爍器材料和獲得最后和理想的厚度。例如，取決于制備的閃爍器的類型，最后厚度范圍大約從1.5至3mm。然后依據(jù)熟知的CT檢測器制備組件可將機(jī)械加工的表面光學(xué)耦合至光電二極管。
現(xiàn)在參照圖8，包裹/行李檢查系統(tǒng)100包括具有開口104的可旋轉(zhuǎn)構(gòu)架102，其中包裹或行李塊可以通過。可旋轉(zhuǎn)構(gòu)架102罩住高頻電磁能量源106以及具有由如圖6或圖7所示類似的閃爍器單元組成的閃爍器陣列的檢測器組件108。還提供傳送器系統(tǒng)110并且該系統(tǒng)包括通過結(jié)構(gòu)114支持的傳送器帶112，以自動和連續(xù)地使包裹或行李塊116通過開口104以被掃描。通過傳送器帶112使對象116通過開口104，然后獲得成像數(shù)據(jù)，并且傳送器帶112以可控和連續(xù)的方式從開口104移除包裝116。結(jié)果，郵局檢查員、行李管理員和其它安全人員可以非侵入性地檢查爆炸物、刀具、槍支、禁運(yùn)品等的包裹116的內(nèi)容。
關(guān)于制備在用于以CT為基礎(chǔ)的成像系統(tǒng)的CT檢測器的閃爍器之間設(shè)置多層反射器已經(jīng)描述了本發(fā)明。此外，已經(jīng)描述了矩形閃爍器的制備。然而，本發(fā)明可預(yù)期其它圖案或形狀的制備單元和在閃爍器單元之間設(shè)置的多層反射器。此外，關(guān)于沿著一個方向(也就是z-軸)被澆鑄的反射器描述了本發(fā)明。然而，使用沿著x和z軸制備的上述方法也可以形成反射器，從而提供反射器的“棋盤”完全兩維(2D)設(shè)置。也可應(yīng)用本發(fā)明以產(chǎn)生反射器的部分2D陣列。
因此，依據(jù)本發(fā)明的一個實施例，CT檢測器包括具有多個閃爍器和在鄰近閃爍器之間以間隙方式設(shè)置的反射器的閃爍器陣列。該反射器包括在一對反射性元件之間設(shè)置的光吸收元件。
依據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提供一種CT系統(tǒng)并且該系統(tǒng)包括具有閃爍器陣列的CT檢測器陣列，配置閃爍器陣列以依據(jù)射線照相能量的接收進(jìn)行照明。CT檢測器陣列進(jìn)一步包括在閃爍器陣列的鄰近閃爍器之間設(shè)置的反射器元件。每個反射器元件包括夾在至少一對反射層之間的組合層。
依據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，提出一種CT檢測器制備的方法。該方法包括提供多個閃爍器的閃爍器陣列和在鄰近閃爍器之間設(shè)置反射層的步驟。制備方法進(jìn)一步包括在反射層中設(shè)置組合層的步驟。
根據(jù)優(yōu)選實施例已經(jīng)描述了本發(fā)明，并且認(rèn)識到在所附權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，除了那些明確敘述的之外，等價物、替代方案和修改是可能的。
部件列表

值之間差別的R值。
結(jié)果列在表2和3中。
表2

Va開路電壓的平均值表3

Va開路電壓的平均值實施例2根據(jù)實施例1中的程序制造同樣數(shù)目的干電池，不同的是使用密封劑Y代替密封劑X，用同樣的方法求出電壓的平均值、σ值和R值。
結(jié)果列在表2和3中。
實施例3根據(jù)實施例1中的程序制造同樣數(shù)目的干電池，不同的是使用管C代替管A，用同樣的方法求出電壓的平均值、σ值和R值。
結(jié)果列在表2和3中。
表1潤滑脂性能

權(quán)利要求
1.一種CT檢測器，包括具有多個閃爍器(57)的閃爍器陣列(56)；以及以間隙方式設(shè)置于至少兩個鄰近閃爍器(57)之間的反射器(84)，該反射器(84)包括設(shè)置于一對反射性元件(88)之間的光吸收元件(86)。
2.權(quán)利要求1的CT檢測器，進(jìn)一步包括涂敷至閃爍器陣列(56)的表面(92)的反射層(91)。
3.權(quán)利要求1的CT檢測器，其中配置光吸收元件(86)，以減小至少兩個鄰近閃爍器(57)之間的光學(xué)串?dāng)_。
4.權(quán)利要求3的CT檢測器，其中配置光吸收元件(86)，以基本上消除至少兩個鄰近閃爍器(57)之間的光學(xué)串?dāng)_。
5.權(quán)利要求1的CT檢測器，其中進(jìn)一步配置光吸收元件(86)以吸收x射線光子。
6.權(quán)利要求5的CT檢測器，其中進(jìn)一步配置光吸收元件(86)，以吸收大約50％的橫越至少兩個鄰近閃爍器(57)之間的間隙(96)的x射線光子。
7.權(quán)利要求1的CT檢測器，其中進(jìn)一步配置光吸收元件(86)，以減小x射線穿通。
8.權(quán)利要求1的CT檢測器，其中光吸收元件(86)包括高原子序數(shù)金屬組合物。
9.權(quán)利要求8的CT檢測器，其中金屬組合物包括固化金屬粉末和低粘性聚合體合成物。
10.權(quán)利要求9的CT檢測器，其中聚合體包括聚氨酯。
全文摘要
公開了一種用于CT檢測器的多層反射器。該反射器包括夾在一對高反射性元件(88)之間的x射線吸收元件(86)。在CT檢測器的鄰近閃爍器(57)之間形成這種反射器，從而減小鄰近閃爍器(57)之間的串?dāng)_以及保持相對較高的光輸出用于信號檢測。此外，可以橫越閃爍器陣列(56)一維或多維地設(shè)置多層反射器。也公開了一種制備這種反射器并將其結(jié)合到CT檢測器中的方法。
文檔編號G01T1/20GK1626038SQ20041010076
公開日2005年6月15日 申請日期2004年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月11日
發(fā)明者H·姜, D·M·霍夫曼 申請人:Ge醫(yī)療系統(tǒng)環(huán)球技術(shù)有限公司