專利名稱：一種數(shù)字測(cè)溫電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種測(cè)溫電路，尤其是涉及一種數(shù)字測(cè)溫電路。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的數(shù)字測(cè)溫電路一般是采用由熱敏元件進(jìn)行溫度采樣后，經(jīng)A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換成數(shù)字量，再送入微處理器部分進(jìn)行計(jì)算處理得到實(shí)際溫度值的方案，由于帶有A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換器因而具有結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本較高的缺點(diǎn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提出一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、不使用A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換器的數(shù)字測(cè)溫電路。
實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是一種數(shù)字測(cè)溫電路，包括熱敏電阻、參考電阻、放電電路、電容和微處理器，微處理器的第一I/O口順序串聯(lián)熱敏電阻和所述電容組成第一充電回路，微處理器的第二I/O口順序串聯(lián)參考電阻和所述電容組成第二充電回路，微處理器的第三I/O口順序串聯(lián)放電電路和所述電容組成放電回路。
所述放電電路可簡(jiǎn)單地用放電電阻來(lái)實(shí)現(xiàn)。
所述放電電阻的阻值可優(yōu)選100～300歐姆。
本實(shí)用新型采用上述技術(shù)方案，其有益的技術(shù)效果在于1)只需采用極少量的基本元件與微處理器簡(jiǎn)單連接，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；2)不使用A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換器即可進(jìn)行溫度的數(shù)字式測(cè)量，成本低廉。

下面通過實(shí)施例并結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明圖1是本實(shí)用新型數(shù)字測(cè)溫電路的電路示意圖。
圖2是圖1中數(shù)字測(cè)溫電路的一種優(yōu)選方案的電路圖。
具體實(shí)施方式實(shí)施例一、一種數(shù)字測(cè)溫電路，結(jié)合圖1和圖2，包括熱敏電阻Rntc、參考電阻Rref、作為放電電路的放電電阻R1、電容C1和微處理器，熱敏電阻、參考電阻和放電電阻的一端分別接微處理器的I/Ontc、I/Oref和I/Otest三個(gè)I/O口，另一端并聯(lián)后經(jīng)電容C1接地電位。
具體工作過程(1)微處理器將I/Otest口設(shè)為低電平輸出，其它口設(shè)為輸入，即通過放電電阻R1對(duì)電容C1進(jìn)行放電，延時(shí)直至放完；(2)微處理器將I/Oref口設(shè)為高電平輸出，其它口設(shè)為輸入，即通過參考電阻Rref對(duì)電容C1進(jìn)行充電。同時(shí)，微處理器內(nèi)部定時(shí)器清零并開始計(jì)時(shí)，當(dāng)檢測(cè)到I/Otest口為高電平時(shí)，說明電容C1已充滿，停止計(jì)時(shí)，定時(shí)器記錄下Rref從開始充電到充電結(jié)束的時(shí)間Tref。
(3)重復(fù)(1)；(4)微處理器將I/Ontc口設(shè)為高電平輸出，其它口設(shè)為輸入，即通過熱敏電阻Rntc對(duì)電容C1進(jìn)行充電。同時(shí)，微處理器內(nèi)部定時(shí)器清零并開始計(jì)時(shí)，當(dāng)檢測(cè)到I/Otest口為高電平時(shí)，說明電容C1已充滿，停止計(jì)時(shí)，定時(shí)器記錄下參考電阻Rntc從開始充電到充電結(jié)束的時(shí)間Tntc。
(5)由于步驟(2)和(4)中是對(duì)同一電容進(jìn)行充電，微處理器即可利用公式Rntc＝Tntc*Rref/Tref對(duì)所采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行乘除法處理，計(jì)算出熱敏電阻的一個(gè)阻值。
(6)微處理器重復(fù)上述步驟(1)～(5)采集多個(gè)(一般為8個(gè)左右)熱敏電阻的阻值，計(jì)算其平均值。
(7)微處理器根據(jù)熱敏電阻的平均值查表得出其感應(yīng)的相應(yīng)溫度值。
根據(jù)上述工作過程可以看出，本實(shí)用新型測(cè)溫電路的誤差主要源于微處理器的定時(shí)器精度、參考電阻Rref的精度和熱敏電阻Rntc的精度，而與微處理器的輸出電壓值、門限電壓值、電容精度等無(wú)關(guān)。因此，適當(dāng)選取熱敏電阻和參考電阻的精度，并且使微處理器的工作頻率足夠高，就可以得到較好的測(cè)溫精度。
放電電阻R1一般選用200歐姆。本例中的放電電路也可以采用其他元件的組合形式，只要能快速有效地對(duì)電容C1進(jìn)行放電即可。
權(quán)利要求1.一種數(shù)字測(cè)溫電路，包括熱敏電阻和微處理器，其特征在于還包括電容、參考電阻和放電電路，微處理器的第一I/O口順序串聯(lián)熱敏電阻和所述電容組成第一充電回路，微處理器的第二I/O口順序串聯(lián)參考電阻和所述電容組成第二充電回路，微處理器的第三I/O口順序串聯(lián)放電電路和所述電容組成放電回路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)字測(cè)溫電路，其特征在于所述放電電路是放電電阻。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的數(shù)字測(cè)溫電路，其特征在于所述放電電阻的阻值為100～300歐姆。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種數(shù)字測(cè)溫電路，包括熱敏電阻、參考電阻、放電電路、微處理器和電容，微處理器的第一I/O口順序串聯(lián)熱敏電阻和所述電容組成第一充電回路，微處理器的第二I/O口順序串聯(lián)參考電阻和所述電容組成第二充電回路，微處理器的第三I/O口順序串聯(lián)放電電路和所述電容組成放電回路。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于只需采用極少量的基本元件與微處理器簡(jiǎn)單連接，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單；不使用A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換器即可進(jìn)行溫度的數(shù)字式測(cè)量，成本低廉。
文檔編號(hào)G01K7/24GK2725866SQ20042006122
公開日2005年9月14日 申請(qǐng)日期2004年9月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月8日
發(fā)明者池增鋒, 劉建偉 申請(qǐng)人:深圳市和而泰電子科技有限公司