專利名稱：光學(xué)位置測量系統(tǒng)的掃描頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光學(xué)位置測量系統(tǒng)的掃描頭。這樣的掃描頭用于位置分辨地檢測由測量桿柵格調(diào)制的光并且提供用于測定該掃描頭相對于測量桿的位置的對應(yīng)信號。
在自動化程度不斷提高的領(lǐng)域中，位置測量系統(tǒng)的作用越來越重要。它們在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例如在機(jī)床領(lǐng)域中，提供了精確定位驅(qū)動裝置的基礎(chǔ)。本文說明的光學(xué)位置測量系統(tǒng)基于掃描一種以刻線柵形式的標(biāo)度而具體化的測量桿。在此采用的掃描頭包含一光源，光從所述光源發(fā)出經(jīng)過一個發(fā)射柵落射到測量桿刻度上。所述光由于發(fā)射柵和測量桿的交替作用而具有一個空間的強(qiáng)度圖樣，在掃描頭中借助于一個接收柵來檢測所述強(qiáng)度圖樣并且可用于進(jìn)行定位。
對此已經(jīng)公知構(gòu)成一個由多個光敏區(qū)域組成的光電檢測器。在掃描頭中如此地安排該光敏區(qū)域，使得它能夠測量強(qiáng)度圖樣的不同相位并且提供對應(yīng)的輸出電信號。這些單獨(dú)的且規(guī)則布置的光敏區(qū)域構(gòu)成一個接收柵。
優(yōu)選地分別產(chǎn)生四個相互錯開90度的信號，從這四個信號可以在一個跟隨電子電路中推導(dǎo)出附帶方向的計(jì)數(shù)信號。當(dāng)測量桿相對于掃描頭推移時，各個相移的信號位置相關(guān)聯(lián)地發(fā)生變化。
通常從所述的四個輸出信號中首先同步兩個相互位移90度的、擺脫偏置誤差、幅度誤差和相位誤差的信號，這兩個信號適用于精細(xì)分段或者內(nèi)插。從而這種附帶方向的計(jì)數(shù)信號能夠?qū)崿F(xiàn)比，例如通過對掃描頭的光敏區(qū)域上的強(qiáng)度圖樣的最大值和或最小值進(jìn)行計(jì)數(shù)所能夠達(dá)到的位置確定更為精細(xì)的位置確定。
由于下文說明的原因，如果各個光敏區(qū)域盡可能地相互靠近是有利的。采用分立的器件譬如光電二極管在此限制了光電檢測器的小型化。因此現(xiàn)在已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了結(jié)構(gòu)化的光電檢測器，這種光電檢測器使之能夠用常規(guī)的微電子技術(shù)工藝步驟在單個半導(dǎo)體基片上制造結(jié)構(gòu)化的光敏區(qū)域。
因?yàn)?，單個光敏區(qū)域之間串?dāng)_的傾向很小，在此首先適用技術(shù)上可以良好地掌握的非晶硅(a-Si)，利用非晶硅把光轉(zhuǎn)換成電流(例如在太陽光電池領(lǐng)域)中的應(yīng)用是眾所周知的。
DE10129334A1說明了帶有基于上述原理的一個光接收安排的一種光學(xué)位置測量系統(tǒng)。用于掃描不同相位的按位置進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制的光的光敏區(qū)域構(gòu)成為由摻雜的和不摻雜的非晶硅組成的多個半導(dǎo)體層堆疊形式的接收柵。然而這種結(jié)構(gòu)化的檢測器非常復(fù)雜，從而其制造成本也很高。
本發(fā)明的任務(wù)是，創(chuàng)造一種相對現(xiàn)有技術(shù)而言得到簡化的光學(xué)位置檢測裝置的掃描頭，所述掃描頭提供位置測定用的盡可能良好的信號。
該任務(wù)通過具有權(quán)利要求1的特征的一種裝置解決。有利的實(shí)施方式由權(quán)利要求1的從屬權(quán)利要求所說明的特征得出。
說明了一種光學(xué)位置測量系統(tǒng)，帶有一個由光敏區(qū)域構(gòu)成的接收柵用于掃描不同相位的位置強(qiáng)度調(diào)制的光。所述接收柵由一個半導(dǎo)體層堆疊構(gòu)成，所述半導(dǎo)體層堆疊由一個摻雜的p層、一個本征的i層和一個摻雜的n層組成。這些單獨(dú)的光敏區(qū)域共同地?fù)碛幸粋€第一摻雜層和至少一部分本征層并且通過第二摻雜層的中斷而相互電隔離。
在一個方面可以看出，僅摻雜層之一的分離就引起各個光敏區(qū)域充分的電分離。在各個區(qū)域相互之間非常小的間距時，就不再會發(fā)生旨在位置測定的不利的不同相位區(qū)域之間的串?dāng)_。
另一個方面，這樣的層結(jié)構(gòu)還避免了另一個在現(xiàn)有技術(shù)中說明的問題。也就是人們還通過產(chǎn)生本征層(并且在一定的情況下還通過產(chǎn)生第二摻雜層)分離光敏區(qū)域，從而構(gòu)成深溝，這在刻蝕技術(shù)上非常難于掌握。本征層區(qū)域中的刻蝕缺陷還可以造成半導(dǎo)體材料中的晶格缺陷，由此非常負(fù)面地影響各個光敏區(qū)域的光電特性。
非晶硅特別良好地適用作半導(dǎo)體材料，然而還可以設(shè)想包含完全的或者部分的微晶體硅的半導(dǎo)體層堆疊。
其它的特征，譬如發(fā)射柵安排在接收柵的平面重心處、接收柵的近似于橢圓或者類橢圓的形狀，所述接收柵沿垂直于測量方向比沿平行于檢測方面有較大延展、以及在接收柵上從調(diào)制的光的相應(yīng)的一個單個周期獲得相移的信號，從而優(yōu)化了所獲得的掃描信號并從而改善了內(nèi)插性能，而最終導(dǎo)致光學(xué)位置測量系統(tǒng)較高的分辨率。
掃描頭的結(jié)構(gòu)，并且特別是帶有其光敏區(qū)域的接收柵的結(jié)構(gòu)，使得能夠以非常完美的方式在結(jié)構(gòu)化的檢測器布局中進(jìn)行這樣的優(yōu)化。
從下面參照附圖對優(yōu)選實(shí)施方式的說明中可以得出本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)以及細(xì)節(jié)，在附圖中

圖1a/b/c示出一個光學(xué)位置檢測裝置，圖2a/b/c/d/e示出一個雙場傳感器的安排，而圖3a/b/c/d示出一個單場傳感器的安排。
圖1a示出一個測量桿2，該測量桿在一個基片2.1上承載一個光柵，所述光柵在此還應(yīng)當(dāng)稱為測量桿刻度2.2。一個這樣的測量桿刻度2.2例如可以作為幅度柵用鉻制成的不透光橋片(Steg)和鉻涂層中的透光缺口組成。在此基片2.1可以透光地構(gòu)成，也可以如圖示中的情況反射地構(gòu)成。其它的測量桿2還可以具有一個相位柵或者一個由相位柵和幅度柵的組合。
對置于該測量桿安排一個掃描頭1。掃描頭1包含一個光源1.6，它發(fā)出的光經(jīng)過一個柵1.5落在所述測量桿2上，在此被反射并且折返回掃描頭1。由于柵1.5與檢測刻度2.2的交替作用，所述光具有一個帶有規(guī)則周期的位置強(qiáng)度圖樣。該強(qiáng)度圖樣借助于帶有一個刻度周期T的接收柵1.7檢測。在此接收柵1.7本身起結(jié)構(gòu)化的光電檢測器的作用以檢測所述強(qiáng)度圖樣。
也就是接收柵1.7具有一個把落射的光轉(zhuǎn)換成電流的結(jié)構(gòu)化的半導(dǎo)體層堆疊1.2。在此在半導(dǎo)體層堆疊1.2上落射的光越多產(chǎn)生的電流越大。
圖1b示出圖1a的放大的截面。可以看到在其上安排一個透明電極1.3的基片1.1，所述透明電極又承載了半導(dǎo)體層堆疊1.2。所述半導(dǎo)體層堆疊沿光路的順序具有一個第一摻雜(在此為p摻雜)層1.2.1(p層)、然后一個本征層1.2.2(i層)，以及最后的一個第二摻雜(在此為n摻雜)層(n層)。在n層1.2.3后接著一個電的背側(cè)接點(diǎn)1.4。原則上p層1.2.1與n層可以交換，然而優(yōu)選的是圖1b中所示的結(jié)構(gòu)。
通過把n層1.2.3與背側(cè)接點(diǎn)1.4一起在規(guī)定為檢測強(qiáng)度圖樣而使各個光接收區(qū)域分離開處的中斷可以實(shí)現(xiàn)構(gòu)成接收柵1.7的光敏區(qū)域的相互分離。僅在背側(cè)接點(diǎn)1.4的區(qū)域中當(dāng)光照射時于半導(dǎo)體層堆疊1.2內(nèi)產(chǎn)生電流，在此背側(cè)接觸1.4限定了接收柵1.7。
如在圖1b中可以看出，背側(cè)接觸1.4和n層1.2.3的構(gòu)成可以用一個單個的光刻步驟，以及背側(cè)接點(diǎn)1.4和半導(dǎo)體層堆疊1.2的各一個刻蝕步驟進(jìn)行。作為半導(dǎo)體層堆疊1.2的刻蝕方法可以采用濕法刻蝕(例如KOH溶液)，然而優(yōu)選地考慮干法刻蝕(例如有CHF3氣體的RIE)。
這樣的方法被廣泛應(yīng)用在微電子技術(shù)中，并且可以沒有問題地在此選用。
圖1c，是圖1b的進(jìn)一步的截面放大，其示出半導(dǎo)體層堆疊1.2的一個細(xì)節(jié)。為了確保完全地中斷n層(這是分離各個光敏區(qū)域的一個絕對必需的要求)，需要調(diào)整刻蝕工藝使得不會同時去除i層1.2.2的任何部分。另一個方面必須保留i層1.2.2的至少一個較小的部分，以確實(shí)地防止p層1.2.1與n層1.2.3之間的電連接。
于是，在接收柵1.7區(qū)域中的層結(jié)構(gòu)例如看起來如下在約一個毫米厚的玻璃基片1.1上敷設(shè)一個0.3-1微米厚的ZnO:Al層，所述ZnO:Al層很適于作透明電極1.3。接著是有一個約10納米厚的p層1.2.1的半導(dǎo)體層堆疊1.2、一個約400納米厚的i層1.2.2和一個約20納米厚的n層。背側(cè)接點(diǎn)1.4由一個約80納米厚的金屬層組成，例如用鉻或者鋁制造的金屬層。該金屬層與n層1.2.3一起在適當(dāng)?shù)奈恢帽煌耆コ允垢鱾€光敏區(qū)域分離開。
通過分離光敏區(qū)域所采用的刻蝕技術(shù)還把i層1.2.2剝蝕約40納米，以達(dá)到盡可能可靠分離n層1.2.3。這樣做是必需的，因?yàn)楦鱾€層的厚度并非完全均勻，并且在半導(dǎo)體層1.2的摻雜分布圖中沒有明顯劃界的過渡區(qū)，尤其是在i層1.2.2與n層1.2.3之間。在這方面可以期待在光敏區(qū)域3之間i層1.2.2的余留厚度占原始厚度的5％-95％，有利地10％-90％導(dǎo)致良好的結(jié)果。因?yàn)閺闹圃旃に嚱嵌壬峡?，較短的刻蝕時間是優(yōu)選的，并且在i層1.2.2的余留厚度較大時可以避免i層1.2.2的暴露的邊緣上的缺陷問題，在所說明的范圍相應(yīng)地最好選取上限(也就是說約95％或者90％)。對于所述的光敏區(qū)域3內(nèi)的400納米層厚可以把約360納米的i層1.2.2的余留厚度看作是理想的。
現(xiàn)在應(yīng)當(dāng)考慮可以按什么間距安排各個光敏區(qū)域以得到所希望的相移信號。該間距對應(yīng)于接收柵的刻度周期T。入射到接收柵1.7上的強(qiáng)度的周期是P。帶有構(gòu)成為接收柵1.7的光敏區(qū)域的掃描頭1中由于光敏區(qū)域之間串?dāng)_的危險必須把刻度周期T選擇得大于所述周期P。如果希望有四個90度相移的信號，在此就應(yīng)當(dāng)成立
T＝(2*n-1)*1/4*P(n是大于或者等于3的整數(shù))。
對于入射光強(qiáng)度圖樣的一個周期P＝40微米，于是得出一個至少50微米的刻度周期。在此各個相移信號由強(qiáng)度圖樣的四個不同周期獲得并且從而也由測量桿刻度2.2的不同區(qū)域獲得。在這種情況下，這種結(jié)構(gòu)的檢測器也稱為四場傳感器。這有以下缺點(diǎn)測量桿的污染不同時對相移的信號起作用而是在相位上錯開地起作用。其結(jié)果導(dǎo)致在分析相移信號時存在不確定性。
在較好的是在接收柵1.7上于強(qiáng)度圖樣的一個周期P內(nèi)掃描相移的信號。在此有一種圖2a-2e中所示的兩場傳感器的可能性。
在圖2a中大致示出光敏區(qū)域3，其結(jié)構(gòu)已經(jīng)借助于圖1a-1c進(jìn)行了說明。這些光敏區(qū)域被布置在基片1.1上。大致示出了周期為P的強(qiáng)度圖樣，同樣可以看出此時在一個周期P內(nèi)既量取一個0度信號也量取一個180度信號。如果接收柵1.7的刻度周期T對應(yīng)于入射的位置調(diào)制的強(qiáng)度圖樣L的周期P的一半，相鄰的光敏區(qū)域提供180度相移的信號，于是成立T＝1/2*P從而測量桿2上的污染影響到兩個相移的信號。
圖2b示出，可以如何通過導(dǎo)電軌跡4相互連接光敏區(qū)域3以把多個0度信號與多個180度信號匯集成一個較強(qiáng)的輸出信號。在此分別出現(xiàn)一個梳狀結(jié)構(gòu)。該梳狀結(jié)構(gòu)相互嚙合，從而各自地一個0度信號的光敏區(qū)域3與180度信號的光敏區(qū)域3交替。如在圖2b中可以看出，可以不采用交叉導(dǎo)電軌跡4來制造這樣的結(jié)構(gòu)。
圖2示出，如何借助于由之相應(yīng)地嚙合兩個對應(yīng)于圖2b的梳狀結(jié)構(gòu)，得到四個各自相移90度的信號。因?yàn)橐诮邮諙?.7上掃描強(qiáng)度圖樣的兩個不同區(qū)域，所以在這種情況下是一種兩場傳感器。
圖2d示出有兩場傳感器的這樣一種掃描頭1的一個特別有利的安排。在兩場傳感器的中心安排發(fā)射柵1.5。在此“中心”應(yīng)理解為接收柵1.7的平面重心。在此四方形的發(fā)射柵1.5完全由接收柵1.7包圍，以良好地充分利用強(qiáng)度圖樣L。發(fā)射柵1.5和接收柵1.7的柵條垂直于測量方向M、接收柵1.4被劃分成四個區(qū)域。其中兩個直接與發(fā)射柵1.5相鄰的內(nèi)部區(qū)域一方面用作獲得0度/180度信號，另一方面用作獲得90度/270度信號。在內(nèi)部的0度/180度區(qū)域與發(fā)射柵1.5背離地鄰接另一個90度/270度區(qū)域。在內(nèi)部的90度/270度區(qū)域與發(fā)射柵1.5背離地鄰接另一個0度/180度區(qū)域。這種對測量方向的反對稱安排確保以可比較的強(qiáng)度來接收四個相移的信號。
由所述的四個區(qū)域結(jié)合而成的整個接收柵1.7的外形是一個有四個倒角的近似于類橢圓形或者橢圓的矩形，所述橢圓的長軸垂直于測量方向M。這樣一種形狀使得能夠良好地充分利用接收柵1.7上的強(qiáng)度圖樣L。
如圖2d所示的接收柵1.7的四個不同的區(qū)域由如圖2c所示的嚙合的梳狀結(jié)構(gòu)構(gòu)成。在圖2e所示的圖2d的一個截面放大可以把這方面表現(xiàn)得很清楚。實(shí)踐證明非常適用的兩場傳感器在此也使得能夠不采用交叉的導(dǎo)電軌跡來進(jìn)行制造，這就簡化了制造工藝只需要一單個的金屬化面。利用這樣的結(jié)構(gòu)同時限定了光敏區(qū)域3。
所說明的兩場傳感器的優(yōu)點(diǎn)是，可能的污染同時會并且從而在相位上正確地影響0度/180度信號的幅度或者90度/270度信號的幅度。由此降低掃描特性誤差并且相對于四場傳感器提高位置測定的精確度。然而四個相移的信號的幅度相位正確地受污染損害卻不成立，從而可以進(jìn)一步地改善掃描。
通過一個在本文被稱為單場傳感器的掃描頭1可以獲得進(jìn)一步優(yōu)化的信號。在圖3a中示出，用一個這樣的單場傳感器從強(qiáng)度圖樣L的一個單個周期P分別獲得四個相移信號。如果接收柵1.7的刻度周期T對應(yīng)于入射的位置調(diào)制的強(qiáng)度圖樣L的周期P的四分之一，則相鄰的光敏區(qū)域提供90度相移的信號，于是成立T＝1/4*P從圖3b可以看出，這種沒有交叉導(dǎo)電軌跡的單場傳感器不再適用。光敏區(qū)域3各在其背側(cè)承載一個背側(cè)接點(diǎn)1.4，所述背側(cè)接點(diǎn)1.4應(yīng)當(dāng)僅在一個確定的位置上借助于接觸5連接在導(dǎo)電軌跡4上。這就是說必須在光敏區(qū)域3與導(dǎo)電軌跡4之間加入一個絕緣層，所述的絕緣層僅在接觸5處中斷。然后簡單地通過在沉積構(gòu)成導(dǎo)電軌跡4時導(dǎo)電軌跡4與背側(cè)接點(diǎn)1.4直接發(fā)生連接而構(gòu)成。
事實(shí)表明，對于本文所述結(jié)構(gòu)，一個5微米的間距足以避免各個光敏區(qū)域3之間的串?dāng)_。根據(jù)檢測器的幾何形狀和半導(dǎo)體材料的具體情況而異，微米范圍的較小的間距A還可以導(dǎo)致高性能的掃描頭1。最小的間距A實(shí)質(zhì)上由i層1.2.2的載流子的擴(kuò)散長度確定。該擴(kuò)散長度越小，所述間距A就可以越小。假定本征非晶硅有50納米的擴(kuò)散長度，一個約200納米的間距A就不會再出現(xiàn)串?dāng)_。然而，出于加工工藝的原因(較小的結(jié)構(gòu)成本增加并且缺陷靈敏度增加)最好選用較大的間距，可以指出對于間距A的有意義的下限可以是約1微米。
強(qiáng)度調(diào)制的光的周期P＝40微米的情況下，對四場傳感器得出10微米的接收柵1.7的刻度周期T。在一個間距A＝5微米的情況下，光敏區(qū)域3本身僅還有5微米寬。
圖3c示出一個這樣的單場傳感器的一個具體的實(shí)施方式。在此還是在接收柵1.7的中心或者說在平面重心安排一個發(fā)射柵1.5。如同發(fā)射柵1.5的條線方向，接收柵1.7的條線方向也垂直于測量方向M走行，該接收柵1.7具有一個近似于橢圓的外形，其中所述橢圓長軸垂直于測量方向M。根據(jù)圖3b的技術(shù)接收柵1.7與橫在接收柵1.7上的導(dǎo)電軌跡4連接。在發(fā)射柵1.5的兩側(cè)各安排四個這樣的導(dǎo)電軌跡，以能夠也完全地觸及由發(fā)射柵1.5中斷的光敏區(qū)域。
圖3d示出一個可供選擇的，并且特別地針對單場傳感器的接收柵1.7的小刻度周期T而推薦的光敏區(qū)域3的接觸的變例。在接收柵1.7的邊緣上設(shè)有密度加大的柵線。因?yàn)槊扛粢粋€柵線被延長，這樣的加大密度使得可以如柵線本身一樣實(shí)施大致加倍的寬度。這顯著地簡化了光敏區(qū)域3與導(dǎo)電軌跡4通過接觸5連接。在此又可以看到，不能制造這樣的一種沒有交叉導(dǎo)電軌跡4的單場傳感器。
還要說明的是，發(fā)射柵1.5優(yōu)選地?fù)碛信c光敏區(qū)域3同樣的層結(jié)構(gòu)。因?yàn)閷Πl(fā)射柵1.5而言希望有盡可能明確限定的棱。還可以按常規(guī)的方式直接在基片1.1上只把發(fā)射柵1.5構(gòu)成為結(jié)構(gòu)化的金屬層。在這兩種情況下都可以利用同一個光刻步驟形成發(fā)射柵1.5和光敏區(qū)域3。
權(quán)利要求
1.光學(xué)位置測量系統(tǒng)的掃描頭，帶有一個包含光敏區(qū)域(3)的接收柵(1.7)用于掃描不同相位的位置強(qiáng)度調(diào)制的光，其中所述接收柵(1.7)具有一個半導(dǎo)體層堆疊(1.2)，所述半導(dǎo)體層堆疊有一個摻雜的p層(1.2.1)、一個本征的i層(1.2.2)和一個摻雜的n層(1.2.3)，其特征在于，這些光敏區(qū)域(3)共同擁有兩個摻雜層中的第一摻雜層(1.2.1)和至少一部分本征層(1.2.2)并且通過兩個摻雜層中的第二摻雜層(1.2.3)的中斷而相互電隔離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掃描頭，其特征在于，半導(dǎo)體層堆疊(1.2)被布置在一個透明的基片(1.1)上，所述透明的基片帶有一個導(dǎo)電的、同樣透明的電極(1.3)，后接背側(cè)接點(diǎn)(1.4)，從而得出一個如下的層結(jié)構(gòu)-透明的基片(1.1)-導(dǎo)電的電極(1.3)-第一摻雜層或者說p層(1.2.1)-本征層(1.2.2)-第二摻雜層或者說n層(1.2.3)-背側(cè)接點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掃描頭，其特征在于，光敏區(qū)域(3)通過背側(cè)接點(diǎn)(1.4)限定。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的掃描頭，其特征在于，在基片(1.1)上安排一個發(fā)射柵(1.5)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掃描頭，其特征在于，發(fā)射柵(1.5)安排在接收柵(1.7)的平面重心處。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掃描頭，其特征在于，發(fā)射柵(1.5)完全由接收柵(1.7)包圍。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的掃描頭，其特征在于，接收柵(1.7)的形狀近似于一個橢圓，其中所述橢圓的長軸垂直于測量方向(M)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4-7之一所述的掃描頭，其特征在于，發(fā)射柵(1.5)安排有一個光源(1.6)。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的掃描頭，其特征在于，相鄰的光敏區(qū)域(3)輸出180度相移的信號。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掃描頭，其特征在于，接收柵1.7的一個刻度周期(T)對應(yīng)于一個落射的位置調(diào)制的強(qiáng)度圖樣(L)的周期(P)的一半。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-8之一所述的掃描頭，其特征在于，相鄰的光敏區(qū)域(3)輸出90度相移的信號。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的掃描頭，其特征在于，接收柵1.7的一個刻度周期(T)對應(yīng)于一個落射的位置調(diào)制的強(qiáng)度圖樣(L)的周期(P)的四分之一。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的掃描頭，其特征在于，所述半導(dǎo)體層堆疊(1.2)由非晶硅構(gòu)成。
14.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的掃描頭，其特征在于，在光敏區(qū)域(3)之間的i層(1.2.2)余留厚度小于在光敏區(qū)域(3)中的i層(1.2.2)的厚度。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的掃描頭，其特征在于，i層(1.2.2)余留厚度在i層(1.2.2)厚度的5％-95％的范圍。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的掃描頭，其特征在于，i層(1.2.2)余留厚度在i層(1.2.2)厚度的10％-90％的范圍。
17.根據(jù)權(quán)利要求14-16之一所述的掃描頭，其特征在于，i層(1.2.2)余留厚度為i層(1.2.2)厚度的約90％。
全文摘要
一種光學(xué)位置測量系統(tǒng)的掃描頭，帶有一個有光敏區(qū)域(3)的接收柵(3)用于掃描不同相位的位置強(qiáng)度調(diào)制的光。接收柵(1.7)具有一個半導(dǎo)體層堆疊(1.2)構(gòu)成，所述半導(dǎo)體層堆疊有一個摻雜的p層(1.2.1)、一個本征的i層(1.2.2)和一個摻雜的n層(1.2.3)。這些光敏區(qū)域(3)共同擁有第一個摻雜層(1.2.1)和至少一部分本征層(1.2.2)并且通過第二摻雜層(1.2.2)的中斷而相互電隔離。
文檔編號G01D5/26GK1890819SQ200480036652
公開日2007年1月3日 申請日期2004年7月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月10日
發(fā)明者P·施佩克巴赫, J·魏德曼, C·艾澤勒, E·邁爾, R·博格沙特 申請人:約翰尼斯海登海恩博士股份有限公司