專利名稱：基于半導體激光－電荷耦合器件的微位移測量系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種精密尺寸及微位移的激光非接觸測量系統(tǒng)；具體地說，涉及直射式和反射式光學結(jié)構(gòu)以及LD驅(qū)動電路、CCD激勵電路、信號調(diào)理單元、時間-電壓變換單元。
背景技術：
現(xiàn)代工業(yè)生產(chǎn)和工程技術中更加廣泛地需要精密尺寸和微位移測量，它們可能是靜態(tài)的，也可能是動態(tài)測量，在線或離線檢測，檢測精度以1微米到10微米到數(shù)十微米的要求諸多數(shù)，而且越來越要求非接觸測量，并對長期穩(wěn)定性和使用的環(huán)境適應性提出更高的要求。工業(yè)中最典型的是機械加工尺寸的在線檢測，在工程應用方面最典型的是大壩形變監(jiān)測。
目前，在國內(nèi)利用半導體激光器(LD)和電荷耦合傳感器(CCD)制造該項測量系統(tǒng)的尚無成功的產(chǎn)品；國際上此類測量系統(tǒng)其主要技術指標與本發(fā)明相當，具體技術方案不一樣，而價格非常昂貴。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了滿足上述非接觸精密測量日益增長的要求，提供一種高精度、精密尺寸的基于半導體激光-電荷耦合器件的微位移測量系統(tǒng)。
本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的一、設計思路1、用于精密尺寸和微位移非接觸測量的半導體激光器(LD)和電荷耦合傳感器(CCD)與光學裝置及其參數(shù)的最佳配合。
2、利用半導體激光器(LD)的優(yōu)點，通過合理的光學設計，獲得近乎線性的測量，通過芯片的簡單處理獲取準確的最終結(jié)果。
3、設計有獲得高精度高穩(wěn)定測量的電子電路，包括信號的獲取、提純和變換成便于數(shù)字處理的脈沖信號電路。
4、設計有適應多通道測量及多種顯示同時工作的模式。
二、設計方案本發(fā)明由兩部分組成一是包括半導體激光器(LD)及光學裝置A和電荷耦合傳感器(CCD)B在內(nèi)的光學部分。
二是包括激勵電路C、信號調(diào)理單元D、時間-電壓變換單元E、數(shù)字采集處理單元F、數(shù)字表G在內(nèi)的電路部分。
光學部分建立其與被測量尺寸或微位移量的關系并通過CCD轉(zhuǎn)換成為相應的測量電信號，被測量尺寸或微位移信息包含在該測量信號的時間參量中，然后由電路部分完成信號的調(diào)理、變換、測量及處理。
具體地說，如圖1，本發(fā)明由半導體激光器A1、光學裝置A2、電荷耦合傳感器B、LD驅(qū)動電路C1、CCD激勵電路C2、信號調(diào)理單元D、時間-電壓變換單元E、數(shù)字采集處理單元F、數(shù)字表G組成；半導體激光器A1、光學裝置A2、電荷耦合傳感器B、信號調(diào)理單元D、時間-電壓變換單元E、數(shù)字表G依次光電連接；信號調(diào)理單元D和數(shù)字采集處理單元F電連接；LD驅(qū)動電路C1和半導體激光器A1連接；CCD激勵電路C2和電荷耦合傳感器B連接；本發(fā)明的測量分直射和反射兩種方式，它們分別適用于不同的應用場合。
主要是設計被測物W、半導體激光器A1、光學裝置A2、電荷耦合傳感器B相互間配合關系。調(diào)節(jié)此種配合關系時，關鍵是選擇激光輸出模式及輸出功率的自動補償和電荷耦合傳感器B的參數(shù)選擇，使在有光信號時，電荷耦合傳感器B可達到臨界飽和，在較大溫度范圍內(nèi)，可獲得輸出信噪比接近最佳。
因此，本發(fā)明的光學結(jié)構(gòu)或為直射式光學結(jié)構(gòu)，或為反射式光學結(jié)構(gòu)。
所述的直射式光學結(jié)構(gòu)是半導體激光器A1、光學裝置A2、被測物W和電荷耦合傳感器B依次排列；所述的反射式光學結(jié)構(gòu)是半導體激光器A1、被測物W、光學裝置A2和電荷耦合傳感器B依次排列。
本發(fā)明的電子部分有以下特點1、利用先進技術，使電子電路簡潔有效。整個系統(tǒng)未見太復雜的電子線路，但有精巧的設計。如(a)利用高質(zhì)量模擬開關ADG333結(jié)合超低漂移運放ICL7650完成時間-電壓變換，獲得高線性及高穩(wěn)定性的極佳效果。
(b)使用高速CMOS邏輯器件74HC系列，保證了與被測量相關的時間信息精確地傳遞和變換。
(c)利用寬帶運放(LF411)和高速比較器(LM339)完成隔離、平滑、二值化，調(diào)整簡單，性能穩(wěn)定。
2、以硬件結(jié)構(gòu)為主，穩(wěn)定、可靠、且保證了相關的時間信息的準確性。
3、為抗相互干擾采用的電源浮置技術。
4、測量信號先經(jīng)平滑處理，然后在電壓表G或數(shù)字采集處理單元F中進行電子細分，獲得亞像素級測量分辨率。
本發(fā)明具有以下優(yōu)點和積極效果1、因為是非接觸測量，適用于工件加工過程中加工精度的檢測，大型轉(zhuǎn)軸在旋轉(zhuǎn)過程中擺動的檢測，安裝調(diào)試過程的對準和不平整度的調(diào)節(jié)，水庫大壩形變及高層建筑形變的監(jiān)測等測量。非接觸測量因其不破壞被測對象的自然狀態(tài)和投射到人或器具均無法觸及的被測點，使測量結(jié)果更真實，操作更方便。
2、CCD線陣結(jié)構(gòu)的精確尺寸、自掃描、脈沖信號輸出等特點，有利于應用現(xiàn)代技術對信號及測量結(jié)果進行傳輸、變換、存儲及處理，為行業(yè)的自動化和遠距離操作提供了有力的支持。
3、激光與CCD技術的有機結(jié)合，光源的優(yōu)異性能、微型化及CCD技術本身的不斷發(fā)展，使得本發(fā)明更具發(fā)展前途和其它的潛在應用前景。
4、本發(fā)明的測量精度和測程范圍及多種形式的結(jié)構(gòu)，已達到國外同類產(chǎn)品的先進水平，更具有工程中特殊檢測要求和非產(chǎn)品化的特殊測量裝置提供各種便利服務。
5、本發(fā)明開發(fā)出的多種儀器已在工程中使用，得到用戶的認同，開拓了工程技術人員的眼界，使他們在完成所需測量任務時準備放棄早先的傳統(tǒng)測量模式，為本發(fā)明的應用開辟了廣闊的天地。
經(jīng)檢測，本發(fā)明具有以下基本性能指標1、量程幾毫米-1000mm2、分辨率0.001毫米或0.01％FS3、精度優(yōu)于0.01毫米4、環(huán)境溫度0-40℃5、最大環(huán)境濕度100％6、最大照度20勒克斯7、溫度漂移1微米/1℃ 0.02毫米/年


圖1-本發(fā)明組成方框圖；圖2-直射式光路圖；圖3.1-反射式光路圖例一；圖3.2-反射式光路圖例二；圖3.3-反射式光路圖例三；圖3.4-反射式光路圖例四；圖4-LD驅(qū)動電路接線圖；圖5-CCD激勵電路方框圖；圖6-信號調(diào)理單元方框圖；圖7-時間-電壓變換單元方框圖；圖8-數(shù)字采集處理單元方框圖；圖9-CCD激勵電路接線圖；圖10-信號調(diào)理單元接線圖；圖11-時間-電壓變換單元接線圖。
其中A-半導體激光器(LD)及光學裝置，A1-半導體激光器，A2-光學裝置；B-電荷耦合傳感器(CCD)；C-激勵電路，
C1-LD驅(qū)動電路；C2-CCD激勵電路，C2.1-晶體震蕩器，C2.2-時序電路，C2.3-門電路，C2.4-D觸發(fā)器；D-信號調(diào)理單元，D1-微分網(wǎng)絡，D2-積分網(wǎng)絡，D3-運放器，D4-二值化電路，D5-閾值調(diào)節(jié)電路，D6-脈沖前后沿提取電路；E-時間-電壓變換單元，E1-模擬開關，E2-求和積分電路，E3-基準電壓源；F-數(shù)字采集處理單元；G-數(shù)字表。
具體實施例方式
本發(fā)明在0～數(shù)百毫米的測量范圍內(nèi)，實現(xiàn)尺寸及位移的非接觸精密測量，采用了壽命和光學性能都極佳的LD。
根據(jù)被測物W條件的不同，采用直射式或反射式測量，用靈敏度和暗電流性能都優(yōu)良的CCD作光電轉(zhuǎn)換元件，通過仔細地合理地調(diào)整LD、光學裝置和CCD之間的配合，使CCD的輸出在接收到信號時處于臨界飽和，無信號時基本無輸出。CCD輸出則利用寬帶運放(LF411等)和高速比較器來完成隔直、平滑、二值化，保證精確反映待測的尺寸或位移量，并以D觸發(fā)器和模擬開關取得時間關系與尺寸或位移嚴格對應的矩形波信號，免除了接收光強信號變化等帶來的影響，獲得高穩(wěn)定性測量結(jié)果。視需要利用超低漂移運放ICL7650取得平滑的直流輸出供面板數(shù)字表顯示，或用AT89S52結(jié)合CCD激勵時鐘作精密時間測量獲得數(shù)字處理和輸出，平滑時間常數(shù)和測量次數(shù)的恰當選擇使得測量精度得到提高。
一、光學部分1、半導體激光器A1，選用價格低、壽命和光學性能都極佳的650nm波長的LD。
2、電荷耦合傳感器B選用東芝TCD產(chǎn)品。
3、光學裝置A2分別包括直射式光學結(jié)構(gòu)中的平行光學系統(tǒng)和反射式光學結(jié)構(gòu)中的會聚式光學系統(tǒng)。其各個光學透鏡參數(shù)均依據(jù)不同要求設計而成。
在實際工程應用中，由于測量對象的不同，尺寸的精度要求和儀器安裝結(jié)構(gòu)要求亦不同。
4、光學結(jié)構(gòu)(1)直射式光學結(jié)構(gòu)如圖2，依次排列的半導體激光器A1、光學裝置A2、被測物W和電荷耦合傳感器B在一條直線上。
其光路是由半導體激光器A1發(fā)出的激光光束經(jīng)光學裝置A2光學準直后形成平行性極好的平行光，直射到整個被測物W上，被測物W的陰影及平行光一同投射到電荷耦合傳感器B的靶面上(無被測物W時，能充滿整個靶面)，陰影在靶面上的位置X和ΔX即反映了被測物W的位置和尺寸，則電荷耦合傳感器B的輸出信號即含被測物W位置及尺寸的信息。此種結(jié)構(gòu)中，位置X和終端數(shù)字表G顯示的數(shù)據(jù)是完全線性關系。
(2)反射式光學結(jié)構(gòu)在反射式光學結(jié)構(gòu)中，半導體激光器A1、光學裝置A2和電荷耦合傳感器B的位置關系可有多種安排形式，其位移量測量的計算公式也各異，有的是完全線性關系，有的是非線性關系。有理論導出的公式計算出準確的位移量。
①如圖3.1，其位置是半導體激光器A1的激光光束直射到被測物W上，光學裝置A2軸線和電荷耦合傳感器B中垂線重合，該中垂線與激光發(fā)射光束平行。
其光路是由半導體激光器A1發(fā)出的激光光束直射到整個被測物W上，經(jīng)被測物W的漫反射，并經(jīng)光學裝置A2聚焦，投射到電荷耦合傳感器B的靶面上。當被測面沿激光發(fā)射光束方向移動ΔL時，會聚到電荷耦合傳感器B的靶面上的光點的位置也發(fā)生相應的ΔX變化，再按下列公式將ΔX換算成ΔL即可L＝D×F/X其中L-光學裝置A2中心點垂直激光束對應點到被測面之間的距離；D-激光束與光學裝置A2光軸之間的距離；F-光學裝置A2等效面到電荷耦合傳感器B靶面之間的距離；X-電荷耦合傳感器B靶面對應光學裝置A2光軸點到信號光點的距離。
②如圖3.2，其位置是半導體激光器A1的激光光束直射到被測物W上，光學裝置A2和電荷耦合傳感器B的中垂線重合，對準被測物W處在量程中間位置時的激光照亮點上。
其光路是由半導體激光器A1發(fā)出的激光光束直射到被測物W上，經(jīng)被測物W漫反射，又經(jīng)光學裝置A2將其成像到電荷耦合傳感器B的靶面上。當被測面沿激光發(fā)射光束方向上、下移動ΔL上、ΔL下時，會聚到電荷耦合傳感器B的靶面上的光點的位置也發(fā)生相應的X上、X下變化，再按下列公式將X上、X下?lián)Q算成ΔL上、ΔL下即可ΔL上＝(L2+D2)L上/(F×D+LX上)ΔL下＝(L2+D2)L下/(F×D+LX下)③如圖3.3，為獲得被測物W位移量與電荷耦合傳感器B輸出的電壓信號成正比例關系，光學裝置A2位置的安放如圖3.3，即半導體激光器A1的激光光束直射到被測物W上，光學裝置A2的軸線對準被測物W處在量程中間位置時的激光照亮點上；電荷耦合傳感器B平行于激光發(fā)射光束并放在被測物W處量程范圍的中間位置時所形成的像位置上。
其位置計算公式為LX＝E×(h-X)/F其中E＝(D2+L2)1/2④如圖3.4，此種結(jié)構(gòu)多用于測量液面變化量的情況。激光光束以α的入射角入射到液面上，電荷耦合傳感器B靶面對準激光反射光。當被測液面上下變動時，反射光照射到電荷耦合傳感器B靶面上的位置發(fā)生等比例的變化，測出電荷耦合傳感器B靶面上的光點位置變化量，即可計算出液面升降的變化量，其計算公式是Δh＝X/2×sinα二、電路部分1、激勵電路C，包括LD驅(qū)動電路C1和CCD激勵電路C2；(1)LD驅(qū)動電路C1如圖4，LD驅(qū)動電路C1是晶體三極管BG2的基極分別與穩(wěn)壓管BG1、電阻R連接；晶體三極管BG2的集電極分別與熱敏電阻Rt和穩(wěn)壓管BG1連接，熱敏電阻Rt再和電位器W連接；晶體三極管BG2的發(fā)射極和半導體激光器LD連接。
LD驅(qū)動電路C1為一恒流源。為保證工作環(huán)境溫度在0-40℃內(nèi)的激光輸出功率基本保持不變，特在電路中串入熱敏電阻Rt，使LD在環(huán)境溫度變化時有恒定的輸出，保證測量精度。
(2)CCD激勵電路C2如圖5，CCD激勵電路C2由晶體震蕩器C2.1、時序電路C2.2、門電路C2.3、D觸發(fā)器C2.4組成；晶體震蕩器C2.1和時序電路C2.2連接，時序電路C2.2分別通過門電路C2.3、D觸發(fā)器C2.4與電荷耦合傳感器B連接。
如圖9，為使電荷耦合傳感器B正常工作，必須輸入有嚴格時序關系的激勵信號RS(復位門)，SH(移位門)，Φ1、Φ2(鐘脈沖)；由晶體震蕩器C2.1產(chǎn)生高穩(wěn)定的震蕩脈沖，經(jīng)由74HC4017(結(jié)合74HC04)按電荷耦合傳感器B要求產(chǎn)生有嚴格時序關系的四路脈沖波，其中兩路通過門電路(74HC00)得到CLK(系統(tǒng)時鐘)和RS(復位門)信號，另兩路通過D觸發(fā)器C2.4獲得SH(移位門)和Φ1、Φ2(鐘脈沖)信號；將上述有嚴格時序關系的信號去驅(qū)動電荷耦合傳感器B，CCD才可得以正常工作。由于此電路全部由硬件組成，故簡潔可靠，工作速度極高。
2、信號調(diào)理單元D如圖6，信號調(diào)理單元D由微分網(wǎng)絡D1、積分網(wǎng)絡D2、運算放大器D3、二值化電路D4、閾值調(diào)節(jié)電路D5、脈沖前后沿提取電路D6組成；微分網(wǎng)絡D1、運算放大器D3、二值化電路D4、脈沖前后沿提取電路D6依次連接；積分網(wǎng)絡D2與運算放大器D3并聯(lián)；閾值調(diào)節(jié)電路D5與二值化電路D4連接。
如圖10，CCD輸出信號送到由LF411組成的前置放大器，前置放大器由RC耦合電路阻隔了直流成份，以減少漂移，再經(jīng)過平滑、放大，以去除部分高頻干擾和信號沿抖動，得到干凈、穩(wěn)定并放大了的輸出信號，將其送入LM319組成的二值化電路，此電路連接閾值調(diào)節(jié)電路D5，按要求的電平進行二值化處理，從而得到輸出前后沿十分陡峭的矩形波信號。該信號送到74HC74，并結(jié)合SH信號一起工作，取得脈寬分別與信號脈沖前后沿對應的二路矩形波信號T1、T2。
3、時間-電壓變換單元E如圖7，時間-電壓變換單元E由模擬開關E1、求和積分電路E2、基準電壓源E3組成；模擬開關E1、求和積分電路E2相連接，基準電壓源E3分別與模擬開關E1、求和積分電路E2連接。
如圖11，由信號調(diào)理單元D輸出的兩路矩形波信號T1、T2被送入模擬開關E1，基準電壓源E3為模擬開關E1提供高穩(wěn)定的基準電壓，使輸入的T1、T2經(jīng)過模擬開關E1處理后得到幅度穩(wěn)定的兩路矩形波信號，再使其通過求和積分電路E2，將兩信號求和并積分處理后獲得模擬電壓輸出。電路中W1為模擬電壓輸出比例調(diào)節(jié)電位器，W2為模擬電壓輸出零點調(diào)節(jié)電位器。
4、數(shù)字采集處理單元F如圖8，數(shù)字采集處理單元F是由AT89S52微處理器組成的系統(tǒng)。
兩路含有測量信息的脈沖信號T1、T2送到數(shù)字采集處理單元F，由其完成含有微位移信息的脈沖信號的測量，并對測量結(jié)果作濾波、平均處理。數(shù)字采集處理單元F具有RS232接口，可與PC機通信以及連接到測量控制器(MCU，外接設備)完成系統(tǒng)的設置、控制、數(shù)據(jù)讀出等。數(shù)字采集處理單元F具備工程測量中的共有特征，此處不再贅述。
5、數(shù)字表G數(shù)字表G選用量程為2V的四位半數(shù)字式直流電壓表。來自時間-電壓變換單元E的模擬電壓輸出直接送到到四位半數(shù)字表G上，通過調(diào)節(jié)時間-電壓變換單元E中的W1、W2兩個電位器，可調(diào)整系統(tǒng)的零點及標定格值。本數(shù)字表G采用供電電源浮置，增強了共模抑制能力，有效地消除了多通道及各信號的相互干擾，從而獲得高精度、高穩(wěn)定度的測量輸出結(jié)果。
權(quán)利要求
1.一種基于半導體激光—電荷耦合器件的微位移測量系統(tǒng)，包括半導體激光器(A1)、光學裝置(A2)、電荷耦合傳感器(B)、數(shù)字采集處理器(F)、數(shù)字表(G)；其特征在于本系統(tǒng)由半導體激光器(A1)、光學裝置(A2)、電荷耦合傳感器(B)、LD驅(qū)動電路(C1)、CCD激勵電路(C2)、信號調(diào)理單元(D)、時間-電壓變換單元(E)、數(shù)字采集處理單元(F)、數(shù)字表(G)組成；半導體激光器(A1)、光學裝置(A2)、電荷耦合傳感器(B)、信號調(diào)理單元(D)、時間-電壓變換單元(E)、數(shù)字表(G)依次光電連接；信號調(diào)理單元(D)和數(shù)字采集處理單元(F)電連接；LD驅(qū)動電路(C1)和半導體激光器(A1)連接；CCD激勵電路(C2)和電荷耦合傳感器(B)連接；光學結(jié)構(gòu)或為直射式光學結(jié)構(gòu)，或為反射式光學結(jié)構(gòu)；所述的直射式光學結(jié)構(gòu)是半導體激光器(A1)、光學裝置(A2)、被測物(W)和電荷耦合傳感器(B)依次排列；所述的反射式光學結(jié)構(gòu)是半導體激光器(A1)、被測物(W)、光學裝置(A2)和電荷耦合傳感器(B)依次排列。
2.按權(quán)利要求1所述的微位移測量系統(tǒng)，其特征在于直射式光學結(jié)構(gòu)依次排列的半導體激光器(A1)、光學裝置(A2)、被測物(W)和電荷耦合傳感器(B)在一條直線上。
3.按權(quán)利要求1所述的微位移測量系統(tǒng)，其特征在于反射式光學結(jié)構(gòu)半導體激光器(A1)的激光光束直射到被測物(W)上，光學裝置(A2)軸線和電荷耦合傳感器(B)中垂線重合，該中垂線與激光發(fā)射光束平行。
4.按權(quán)利要求1所述的微位移測量系統(tǒng)，其特征在于反射式光學結(jié)構(gòu)半導體激光器(A1)的激光光束直射到被測物(W)上，光學裝置(A2)和電荷耦合傳感器(B)的中垂線重合，對準被測物(W)處在量程中間位置時的激光照亮點上。
5.按權(quán)利要求1所述的微位移測量系統(tǒng)，其特征在于反射式光學結(jié)構(gòu)半導體激光器(A1)的激光光束直射到被測物(W)上，光學裝置(A2)的軸線對準被測物(W)處在量程中間位置時的激光照亮點上；電荷耦合傳感器(B)平行于激光發(fā)射光束并放在被測物(W)處量程范圍的中間位置時所形成的像位置上。
6.按權(quán)利要求1所述的微位移測量系統(tǒng)，其特征在于反射式光學結(jié)構(gòu)半導體激光器(A1)的激光光束以α的入射角入射到液面上，電荷耦合傳感器(B)靶面對準激光反射光。
7.按權(quán)利要求1所述的微位移測量系統(tǒng)，其特征在于LD驅(qū)動電路(C1)是晶體三極管(BG2)的基極分別與穩(wěn)壓管(BG1)、電阻(R)連接；晶體三極管(BG2)的集電極分別與熱敏電阻(Rt)和穩(wěn)壓管(BG1)連接，熱敏電阻(Rt)再和電位器(W)連接；晶體三極管(BG2)的發(fā)射極和半導體激光器(A1)連接。
8.按權(quán)利要求1所述的微位移測量系統(tǒng)，其特征在于CCD激勵電路(C2)由晶體震蕩器(C2.1)、時序電路(C2.2)、門電路(C2.3)、D觸發(fā)器(C2.4)組成；晶體震蕩器(C2.1)和時序電路(C2.2)連接，時序電路(C2.2)分別通過門電路(C2.3)、D觸發(fā)器(C2.4)與電荷耦合傳感器(B)連接。
9.按權(quán)利要求1所述的微位移測量系統(tǒng)，其特征在于信號調(diào)理單元(D)由微分網(wǎng)絡(D1)、積分網(wǎng)絡(D2)、運算放大器(D3)、二值化電路(D4)、閾值調(diào)節(jié)電路(D5)、脈沖前后沿提取電路(D6)組成；微分網(wǎng)絡(D1)、運算放大器(D3)、二值化電路(D4)、脈沖前后沿提取電路(D6)依次連接；積分網(wǎng)絡(D2)與運算放大器(D3)并聯(lián)；閾值調(diào)節(jié)電路(D5)與二值化電路(D4)連接。
10.按權(quán)利要求1所述的微位移測量系統(tǒng)，其特征在于時間-電壓變換單元(E)由模擬開關(E1)、求和積分電路(E2)、基準電壓源(E3)組成；模擬開關(E1)、求和積分電路(E2)相連接，基準電壓源(E3)分別與模擬開關(E1)、求和積分電路(E2)連接。
全文摘要
本發(fā)明公開一種基于半導體激光－電荷耦合器件的微位移測量系統(tǒng)，涉及一種精密尺寸及微位移的激光非接觸測量系統(tǒng)。本發(fā)明由半導體激光器(LD)A1、光學裝置A2、電荷耦合傳感器(CCD)B、LD驅(qū)動電路C1、CCD激勵電路C2、信號調(diào)理單元D、時間－電壓變換單元E、數(shù)字采集處理單元F、數(shù)字表G組成；本發(fā)明的光學結(jié)構(gòu)或為直射式光學結(jié)構(gòu)，或為反射式光學結(jié)構(gòu)。本發(fā)明為非接觸測量，適用于工件加工過程中加工精度的檢測，大型轉(zhuǎn)軸在旋轉(zhuǎn)過程中擺動的檢測，安裝調(diào)試過程的對準和不平整度的調(diào)節(jié)，水庫大壩形變及高層建筑形變的監(jiān)測等測量。非接觸測量因其不破壞被測對象的自然狀態(tài)和投射到人或器具均無法觸及的被測點，使測量結(jié)果更真實，操作更方便。
文檔編號G01B11/02GK1712885SQ20051001907
公開日2005年12月28日 申請日期2005年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月12日
發(fā)明者陳昌浩, 倪煥明, 楊志, 陳方胤 申請人:陳昌浩