專利名稱：磁性薄膜材料面內(nèi)單軸各向異性測(cè)試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁性材料的測(cè)試技術(shù)，更確切講涉及一種磁性薄膜材料面內(nèi)單軸各向異性測(cè)試的方法。
背景技術(shù)：
磁性材料的應(yīng)用十分廣泛，大到各種永磁體、軟磁磁芯，小到硬盤中使用的磁頭和磁記錄介質(zhì)，磁性材料的使用量正在日益增加。同時(shí)，隨著器件小型化的發(fā)展，具有良好性質(zhì)的磁性薄膜材料，受到了廣大磁性器件制造商與磁性材料研究者的青睞。而各向異性，在決定磁性薄膜材料的性質(zhì)方面，具有非常重要的地位。例如，眾所周知，目前硬盤的容量大小決定于磁記錄薄膜介質(zhì)中顆粒尺寸的限制，為了提高紀(jì)錄密度或者說提高硬盤容量，就應(yīng)當(dāng)減小顆粒尺寸。但考慮到熱穩(wěn)定性問題，顆粒的尺寸要受到限制，材料的各向異性常數(shù)K在其中起關(guān)鍵作用。再如，磁性器件都有截止頻率fr，也就是磁性器件所能正常使用的最高頻率，fr＝γHeff，同樣取決于材料的各向異性等效場(chǎng)的大小。尤其對(duì)于高頻(GHz)軟磁薄膜，fr=MsHk]]>是由面內(nèi)單軸各向異性等效場(chǎng)Hk決定的。
所以，準(zhǔn)確地測(cè)量磁性薄膜材料的各向異性，是分析與預(yù)測(cè)磁性材料性質(zhì)的重要依據(jù)，也是材料實(shí)際應(yīng)用所需的一個(gè)必要參數(shù)。因此，磁性材料單軸各向異性的測(cè)試非常必要。
在磁性薄膜中，研究較多的是具有面內(nèi)單軸各向異性的磁性薄膜材料。目前國(guó)際上廣泛采用的磁性薄膜面內(nèi)單軸各向異性測(cè)試技術(shù)方法有許多，如磁化曲線面積法，趨近飽和定律等。但是這些方法都存在一些的問題首先是如何判斷不同樣品各向異性的類型(如是單軸還是立方)；其次，這些測(cè)試方法都是在事先確定了樣品難易磁化方向的前提下進(jìn)行的，那么如何在事先準(zhǔn)確地確定薄膜的難易磁化方向，就成為具體測(cè)量之前必須先解決的問題。另一方面，在通常情況下都只能通過測(cè)量得到一個(gè)各向異性等效場(chǎng)HK，或者是得到各向異性常數(shù)Ku，而僅HK和Ku用來描述材料的各向異性，是不準(zhǔn)確的，因?yàn)椴牧系膯屋S各向異性能為Ek＝K1sin2θ+K2sin4θ+…，只有同時(shí)確定各向異性常數(shù)K1和K2，才能較為準(zhǔn)確的描述材料的各向異性。如何利用一種簡(jiǎn)單有效的方法在確定難易磁化方向的同時(shí)測(cè)量出各向異性等效場(chǎng)以及各向異性常數(shù)，或者說不用事先確定難易磁化方向就可以同時(shí)確定并測(cè)量各向異性等效場(chǎng)以及各向異性常數(shù)K1和K2，以達(dá)到簡(jiǎn)化測(cè)試方法，降低測(cè)試難度，提高測(cè)試精度的目的，是本領(lǐng)域急待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種無需事先確定材料難、易磁方向，有較高測(cè)試精度，且方法較為簡(jiǎn)單的磁性薄膜材料面內(nèi)單軸各向異性測(cè)試方法。
本發(fā)明的方法是在一外加直流磁場(chǎng)中放置被測(cè)樣品薄膜，使被測(cè)樣品薄膜平面與外磁場(chǎng)方向平行，并且使被測(cè)樣品薄膜可繞與其平面相垂直的軸轉(zhuǎn)動(dòng)，在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，首先使外磁場(chǎng)強(qiáng)度大于被測(cè)材料的磁飽和強(qiáng)度，使被測(cè)薄膜樣品先磁飽和，然后再使外磁場(chǎng)大小介于飽和場(chǎng)和矯頑力場(chǎng)之間，并保持這一外磁場(chǎng)大小不變，然后每將被測(cè)樣品薄膜轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)角度，測(cè)量出在該角度θ0狀態(tài)下被測(cè)薄膜自發(fā)磁化強(qiáng)度MS在外磁場(chǎng)方向的相應(yīng)的投影值M，由此得到被測(cè)樣品薄膜在不同θ0對(duì)應(yīng)的M值的函數(shù)。這里的θ為自發(fā)磁化強(qiáng)度MS與易磁化方向的夾角，θ0為外磁場(chǎng)與易磁化方向的夾角。
本發(fā)明的方法在進(jìn)行測(cè)量時(shí)，最好使被測(cè)樣品薄膜每次轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)等角度，以得到等值轉(zhuǎn)角時(shí)對(duì)應(yīng)的M值的函數(shù)曲線。而這一函數(shù)曲線可以更為客觀地反映不同角度θ0時(shí)的M值。
通過以上的測(cè)試方法，得到被測(cè)材料的M-θ0函數(shù)曲線后，可以直接通過觀察M-θ0曲線中確定樣品的難易磁化方向。其具體判斷方法為第一種情況，M有一個(gè)極大值，一個(gè)極小值，都是對(duì)應(yīng)于易磁化方向，如圖3a所示；第二種情況，只有兩個(gè)M的極大值是對(duì)應(yīng)易磁化方向的，而兩個(gè)M的極小值，不對(duì)應(yīng)任何方向如圖3b所示；第三種情況，M共有4個(gè)極大值，其中極大值出現(xiàn)比較平滑的對(duì)應(yīng)于易磁化方向，尖銳的對(duì)應(yīng)于難磁化方向，如圖3c所示。
另外，根據(jù)通過上述方法得到的被測(cè)材料的M-θ0曲線，和方程式k＝K1/K2和h＝H/HK，可以計(jì)算出材料的各向異性常數(shù)K1和K2。
通過以上的敘述可知，本發(fā)明的測(cè)試方法極為簡(jiǎn)單，它無需事先確定材料的難、易磁化軸，即能非常方便地測(cè)出磁性薄膜材料面內(nèi)單軸各向異性，可以很容易地判別樣品的難易磁化方向，并計(jì)算出其各向異性常數(shù)K1和K2。而且實(shí)驗(yàn)與理論擬合表明，本發(fā)明實(shí)測(cè)的結(jié)果與理論能很好的吻合。由于采用本發(fā)明可以得到各向異性常數(shù)K1和K2，能更為準(zhǔn)確地描述材料的各向異性，這無論對(duì)材料的研究還是應(yīng)用無疑有積極的作用。


附圖1為測(cè)試模型圖。附圖2為本發(fā)明測(cè)試時(shí)被測(cè)樣品的難、易磁化方向、自發(fā)磁化強(qiáng)度等與外加磁場(chǎng)間的角度關(guān)系示意圖。附圖3為理論計(jì)算的結(jié)果，圖中縱座標(biāo)為M/MS，縱座標(biāo)為角度θ0，其中h定義為H/HK。HK為面內(nèi)單軸各向異性等效場(chǎng)，H為外磁場(chǎng)。附圖4為材料不可逆轉(zhuǎn)動(dòng)的示意圖。附圖5為實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)與理論擬合的結(jié)果示意圖。附圖6為難易軸磁滯迴線圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合理論分析與實(shí)際測(cè)試對(duì)本發(fā)明進(jìn)行解說圖1為本發(fā)明測(cè)試的裝置示意，這一裝置可以是振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)實(shí)驗(yàn)裝置。其中1為產(chǎn)生外磁場(chǎng)的電磁鐵，2為放置被測(cè)樣品的平臺(tái)，3為可使平臺(tái)2轉(zhuǎn)動(dòng)的軸。由圖1可見，被測(cè)的薄膜樣品被貼放于平臺(tái)2上時(shí)，外加的磁場(chǎng)平行于薄膜，同時(shí)薄膜可隨平臺(tái)2的轉(zhuǎn)動(dòng)而轉(zhuǎn)動(dòng)，其轉(zhuǎn)軸與外磁場(chǎng)方向相垂直。
在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，先被測(cè)樣品薄膜平面貼在平臺(tái)2上，這時(shí)薄膜材料平面與外磁場(chǎng)方向平行。在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，首先使外磁場(chǎng)強(qiáng)度大于被測(cè)材料的磁飽和強(qiáng)度，使被測(cè)薄膜先磁飽和，再將外磁場(chǎng)的強(qiáng)度減小，使外磁場(chǎng)大小介于飽和場(chǎng)(圖6中a或a′)于矯頑力場(chǎng)(圖6中b或b′)之間，然后保持這一外磁場(chǎng)不變，首先測(cè)出被測(cè)樣品薄膜樣品在初始狀態(tài)下其自發(fā)磁化強(qiáng)度MS在外磁場(chǎng)方向的相應(yīng)的投影值M0，再使被測(cè)樣品薄膜繞與其平面相垂直的軸轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)角度，然后再測(cè)出被測(cè)樣品薄膜在這一狀態(tài)下其自發(fā)磁化強(qiáng)度MS在外磁場(chǎng)方向的相應(yīng)的投影值M，然后再轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)角度，再測(cè)量出在該角度下被測(cè)薄膜自發(fā)磁化強(qiáng)度MS在外磁場(chǎng)方向的相應(yīng)的投影值M，如此得到被測(cè)樣品薄膜在不同角度θ0與對(duì)應(yīng)的M值的函數(shù)。
本發(fā)明的這一測(cè)試原理可參見附圖2給出的理論模型。由圖2可見，其薄膜樣品在xoy平面內(nèi)任意旋轉(zhuǎn)，EA假定為樣品的易磁化方向，它與外磁場(chǎng)方向x軸成θ0，與自發(fā)磁化強(qiáng)度MS夾角為θ。由VSM測(cè)量所得信號(hào)即為自發(fā)磁化強(qiáng)度MS在外磁場(chǎng)方向的投影M＝MScos(θ0-θ)。
為說明本發(fā)明，首先從理論上進(jìn)行討論，并計(jì)算出不同外場(chǎng)下的M-θ0曲線。
當(dāng)外加磁場(chǎng)H＝0的時(shí)候，自發(fā)磁化強(qiáng)度MS穩(wěn)定在易磁化方向。當(dāng)外加一個(gè)與易軸夾角為θ0，大小為H的外場(chǎng)，那么由于靜磁作用，MS會(huì)偏離易軸，重新穩(wěn)定在與易軸夾角為θ的方向上，如圖2所示。由系統(tǒng)總能量極小，可以確定的MS穩(wěn)定位置θ。
我們依據(jù)一致轉(zhuǎn)動(dòng)模型，只考慮各向異性EK能和外場(chǎng)能EH(面內(nèi)磁化退磁因子為0，所以可以不考慮退磁場(chǎng))，系統(tǒng)總的能量可以表示為Etotal＝EK+EH＝K1sin2θ+K2sin4θ-μ0MSHcos(θ0-θ)(1)
由極小值的判定條件(∂Etotal∂θ)=0]]>與(∂2Etotal∂θ2)>0]]>可以得到K1sin2θ+4K2sin3θcosθ-μ0MSHsin(θC-θ)＝0 (2)K1cos2θ+K2(3sin22θ-4sin2θ)+μ0MsHcos(θ0-θ)＞0 (3)由以上的分析可以看到，理論上只要知道外場(chǎng)H的大小和方向θ0、自發(fā)磁化強(qiáng)度MS的大小以及各向異性常數(shù)K1和K2，就可以基于(2)(3)式計(jì)算MS的穩(wěn)定位置θ，然后帶入到M＝Mscos(θ0-θ)，做出的M-θ0曲線就是實(shí)驗(yàn)測(cè)量結(jié)果的理論曲線。不過，真正計(jì)算并不需要知道這么多的參數(shù)，對(duì)以上三式可以進(jìn)行化簡(jiǎn)(假設(shè)K1＞0)sin2θ+4sin3θcosθ-2(1+2k)hsin(θ0-θ)＝0 (4)cos2θ+k(3sin22θ-4sin2θ)+2(1+2k)hcos(θ0-θ)＞0 (5)上式中k＝K1/K2，h＝H/HK。需要說明的是，這里的各向異性等效場(chǎng)定義為HK＝2(K1+2K2)/μ0MS(6)化簡(jiǎn)后的結(jié)果是，只要給出K1和K2的比值k，以及外場(chǎng)H的方向和相對(duì)大小h，就可以得到理論曲線，從而對(duì)由本發(fā)明所得曲線進(jìn)行擬合。
通過計(jì)算，我們得到了具有單軸各向異性樣品的M-θ0曲線，依據(jù)磁場(chǎng)大小的不同，基本上可以分為三種類型，現(xiàn)在以k＝0的情況為例，來說明這種變化1. h＜0.5圖3(a)給出了h＜0.5時(shí)不同磁場(chǎng)下的M-θ0曲線。M-θ0曲線類似于一個(gè)cos/θ的函數(shù)。這時(shí)由于用VSM測(cè)量的信號(hào)是樣品磁矩在磁場(chǎng)方向上的投影，所以當(dāng)不加外場(chǎng)或者是外磁場(chǎng)很小時(shí)，磁矩偏離易軸的角度很小，也就是說，圖2中的θ很小。那么在外加磁場(chǎng)不變的情況下轉(zhuǎn)動(dòng)樣品，即θ0等間距的從0°取到360°，所以最后測(cè)量到的信號(hào)Mscos(θ0-θ)就相當(dāng)于Mscosθ0，看上去就類似于cosθ函數(shù)的變化。從圖中還可以看到，隨著外場(chǎng)越來越大，這種類似于cosθ的曲線變得越來越窄，這說明磁矩受到的磁場(chǎng)作用也是越來越強(qiáng)，同時(shí)這種磁化是可逆磁化過程。
2.0.5＜h＜0.7圖3(b)給出了0.5＜h＜0.7的理論M-θ0曲線。首先從大體上看，這種情況下的M-θ0曲線是以180°為一個(gè)周期的，而在第一種情況里M-θ0曲線是以360°為一個(gè)周期的；而且相對(duì)于圖3(a)，此時(shí)M-θ0曲線變化趨勢(shì)是不連續(xù)的，M/MS的數(shù)值出現(xiàn)了跳躍。具體分析后可知，這時(shí)的磁化屬于不可逆轉(zhuǎn)動(dòng)過程。圖4給出了這種不可逆轉(zhuǎn)動(dòng)的示意圖MS原先穩(wěn)定在易磁化方向(0°)，在磁場(chǎng)的作用下以可逆轉(zhuǎn)動(dòng)的磁化過程偏離易軸，如圖4(a)；當(dāng)在外場(chǎng)H作用下MS轉(zhuǎn)動(dòng)到某一個(gè)角度時(shí)發(fā)生不可逆轉(zhuǎn)動(dòng)，穩(wěn)定在的新的易磁化方向(180°)附近，然后繼續(xù)發(fā)生可逆轉(zhuǎn)動(dòng)，直到發(fā)生下一次不可逆轉(zhuǎn)動(dòng)，如圖4(b)。所以這時(shí)的M-θ0曲線是以180°為一個(gè)周期的，而且發(fā)生可逆轉(zhuǎn)動(dòng)后，MS與外場(chǎng)H的夾角突然減小，從而在圖2(b)中出現(xiàn)曲線不連續(xù)的情況。
3.h＞0.7圖3(c)給出了磁場(chǎng)相對(duì)較大h＞0.7時(shí)不同磁場(chǎng)下的M-θ0曲線。如圖所示，這種情況曲線變化連續(xù)，周期也是180°。此時(shí)外場(chǎng)相對(duì)比較大，磁化過程類似于趨近飽和階段，都是可逆轉(zhuǎn)動(dòng)，所以不會(huì)出現(xiàn)類似于圖3(b)的跳躍，而且值得注意的是h＞1(外場(chǎng)H大于各向異性場(chǎng)Hk)的M-θ0曲線，注意θ＝90°和270°時(shí)(難磁化方向)，有峰值M/MS＝1，也就是說此時(shí)cos(θ0-θ)＝1，磁矩完全平行于外場(chǎng)方向。h＜1的幾條曲線在θ＝90°和270°方向時(shí)也會(huì)出現(xiàn)峰值，但M/MS＜1。
這三種曲線在進(jìn)行本發(fā)明的相關(guān)實(shí)驗(yàn)上都可以觀察到，通過理論去擬合實(shí)驗(yàn)結(jié)果，我們一方面可以確定樣品的難易磁化軸，同時(shí)可以確定各向異性常數(shù)K1和K2。
首先從圖3(a)中可以看到M/MS極大值的位置是在θ0＝0°，極小值在θ0＝180°，這兩個(gè)方向都為易磁化軸，所以，只要找到曲線極大值與極小值，就可以確定樣品的易磁化方向；在圖4(b)中可以看到M/MS有兩個(gè)極大值，分別出現(xiàn)在θ0＝0°和180°，都是易磁化方向，所以也可以通過類似于圖3(b)的M-θ0曲線的最大值，來確定樣品的易磁化方向；在類似圖3(c)的情況中，M/MS的極大值有四個(gè)，分別為θ0＝0°、90°、180°、270°，在易磁化方向(0°與180°)的極大值類似于一個(gè)包，而在難磁化方向(90°與270°)的極大值是一個(gè)峰，所以從實(shí)驗(yàn)中通過測(cè)量這些極大值所在的包或峰的位置，就可以判斷樣品的難易磁化方向?？傊?，只要得到了如圖3所示M-θ0曲線，就可以準(zhǔn)確的判斷樣品的難易磁化方向，而且這種方法是目前利用VSM確定難易磁化方向最簡(jiǎn)單、有效的方法。
其次，通過擬合類似于圖3(b)的M-θ0曲線，還可以得到樣品的各向異性常數(shù)K1和K2。圖3中的所有曲線都是基于(4)(5)兩式，通過給定k和h兩個(gè)參數(shù)計(jì)算得到的，所以，用不同的參數(shù)去擬合實(shí)驗(yàn)曲線，就可以確定K1和K2。例如，實(shí)驗(yàn)上得到了一條H＝20Oe的曲線，擬合結(jié)果為h＝0.6，k＝0.1，那么就可以得到HHk=202(K1+2K2)/μ0λfs=0·6]]>
k=K2K1=0.1]]>上式中H為測(cè)量時(shí)外加的直流磁場(chǎng)，Hk為面內(nèi)單軸各向異性等效場(chǎng)，μ0為真空磁導(dǎo)率。
用測(cè)試得到的飽和磁化強(qiáng)度MS，從上面兩個(gè)方程中就可以解出K1和K2。
將Co92Zr8(厚度為100納米)薄膜樣品放置于VSM裝置上，按前述的介紹的方法進(jìn)行測(cè)試。試驗(yàn)表明，在樣品被飽和磁化后，只要將按前述的方法進(jìn)行測(cè)試均可得到基本一致的M-θ0曲線。而且該實(shí)驗(yàn)曲線與理論擬合十分吻合。實(shí)際的測(cè)試結(jié)果參見附圖5。由附圖5可見，實(shí)驗(yàn)與理論計(jì)算是較為一致的。
附圖5給出外磁場(chǎng)分別為5、20、40Oe不變的M-θ0曲線，為了便于觀察，將實(shí)驗(yàn)曲線做了適當(dāng)?shù)钠揭疲趫D5中(a)(b)(c)分別對(duì)應(yīng)外磁場(chǎng)強(qiáng)度H為5、20、40Oe的情況。如圖所示，三種變化趨勢(shì)基本與理論一致，這就證實(shí)了樣品具有單軸各向異性。由圖5可見，外磁場(chǎng)H為5和20Oe時(shí)，實(shí)驗(yàn)與理論計(jì)算結(jié)果符合的很好，但H為40Oe的測(cè)量結(jié)果誤差很大，其原因在于薄膜樣品信號(hào)量非常小，而在40Oe磁場(chǎng)作用下，樣品基本上處于趨近飽和階段，所以轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)信號(hào)變化量非常小，測(cè)量時(shí)引入的誤差也就相對(duì)比較明顯。
在擬合計(jì)算各向異性常數(shù)時(shí)發(fā)現(xiàn)，只有結(jié)果(b)的理論擬合比較好。因?yàn)?a)中的理論結(jié)果隨參數(shù)h和k的變化不明顯，而從實(shí)驗(yàn)中得到的(c)的誤差很大，所以用(a)和(c)去擬合計(jì)算各向異性常數(shù)是不準(zhǔn)確的。而(b)中的理論曲線隨參數(shù)h的變化非常明顯，參見附圖3(b)，實(shí)驗(yàn)結(jié)果誤差很小，所以通過對(duì)圖3(b)的擬合，就可以比較準(zhǔn)確的計(jì)算各向異性常數(shù)。我們擬合的結(jié)果為h＝0.69，k＝0.15，然后根據(jù)測(cè)量到的MS＝1.16×106A/m(14.5kOe)，最終得到的結(jié)果為K1＝1.2kJ/m3(1.2×104erg/cm3)K2＝0.18kJ/m3(0.18×104erg/cm3)。
結(jié)合圖5中的三種情況，就可以判斷出樣品各向異性類型的難易磁化方向，然后我們按照判斷的結(jié)果，得到了難易軸磁滯回線，結(jié)果參見圖6。從圖6中可以看到，易軸矩形比很好，剩磁比Mr/MS＝0.98，矯頑力Hc＝8.5Oe；難軸磁滯回線幾乎沒有磁滯，是典型的難軸磁滯回線，說明利用這種方法確定樣品難易軸方向是比較準(zhǔn)確的。
權(quán)利要求
1.磁性薄膜材料面內(nèi)單軸各向異性測(cè)試方法，其特征是在一外加直流磁場(chǎng)中放置被測(cè)樣品薄膜，使被測(cè)樣品薄膜平面與外磁場(chǎng)方向平行，并且使被測(cè)樣品薄膜可繞與其平面相垂直的軸轉(zhuǎn)動(dòng)，在進(jìn)行測(cè)試時(shí)，首先使外磁場(chǎng)強(qiáng)度大于被測(cè)材料的磁飽和強(qiáng)度，使被測(cè)薄膜先磁飽和，再將外磁場(chǎng)的強(qiáng)度減小，使外磁場(chǎng)大小介于飽和場(chǎng)和矯頑力場(chǎng)之間，并保持這一外磁場(chǎng)不變，然后每將被測(cè)樣品薄膜轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)角度，測(cè)量出在該角度θ0狀態(tài)下被測(cè)薄膜自發(fā)磁化強(qiáng)度MS在外磁場(chǎng)方向的相應(yīng)的投影值M，由此得到被測(cè)樣品薄膜在不同轉(zhuǎn)角θ0與對(duì)應(yīng)的M值的函數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁性薄膜材料面內(nèi)單軸各向異性測(cè)試方法，其特征在于在進(jìn)行測(cè)量時(shí)，被測(cè)樣品薄膜每次轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)等角度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁性薄膜材料面內(nèi)單軸各向異性測(cè)試方法，其特征在于根據(jù)測(cè)量所得M-θ0曲線確定材料磁化軸或難磁化軸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁性薄膜材料面內(nèi)單軸各向異性測(cè)試方法，其特征在于根據(jù)測(cè)量所得被測(cè)材料的M-θ0曲線，通過方程式k＝K1/K2和h＝H/HK，計(jì)算得到材料的各向異性常數(shù)以及等效場(chǎng)的數(shù)值。
全文摘要
本發(fā)明公開一種磁性材料的測(cè)試技術(shù)。本發(fā)明的方法是外加直流磁場(chǎng)中放置被測(cè)樣品薄膜，使被測(cè)樣品薄膜平面與外磁場(chǎng)方向平行，并且使被測(cè)樣品薄膜可繞與其平面相垂直的軸轉(zhuǎn)動(dòng)，測(cè)試時(shí)，首先使被測(cè)薄膜樣品磁飽和，然后再使外磁場(chǎng)大小介于飽和場(chǎng)和矯頑力場(chǎng)之間，并保持這一外磁場(chǎng)大小不變，然后每將被測(cè)樣品薄膜轉(zhuǎn)動(dòng)一個(gè)角度，測(cè)量出在該角度θ
文檔編號(hào)G01N27/74GK1790005SQ200510096459
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2005年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月28日
發(fā)明者薛德勝, 范小龍 申請(qǐng)人:蘭州大學(xué)