專利名稱：基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體集成電路的測試方法，特別是涉及一種基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法。
背景技術(shù)：
Flash(閃存)的控制信號(hào)有片選(CS)，讀有效(OE)，寫有效(WE)，地址線(ADDRESS)，數(shù)據(jù)線(DATA)，測試模式(TMEN)等。在測試時(shí)必須將這些PIN(管腳)按照一定的時(shí)序，置于所需的電平，來完成對(duì)Flash的各種操作，所以在通常的設(shè)計(jì)中必須將這些PIN完全的和測試儀的通道相連，那樣芯片就會(huì)需要很多PAD(芯片引腳)。串口設(shè)計(jì)能極大的減少Embedded NVM(嵌入式非揮發(fā)性存儲(chǔ)器)的PAD數(shù)目，提高單枚硅片良品的產(chǎn)出。但在測試時(shí)又要能完全的達(dá)到原有的測試目的，對(duì)整個(gè)芯片的控制信號(hào)要求就比較高。在串口電路設(shè)計(jì)中，芯片所要求的控制信號(hào)通過單個(gè)I/O通道，在系統(tǒng)時(shí)鐘的配合下，鎖存在一個(gè)寄存器中。然后通過外部的觸發(fā)信號(hào)，將寄存器中的設(shè)定轉(zhuǎn)換成設(shè)定的電平，置于Embedded NVM的各個(gè)管腳上。在對(duì)于基于串口電路設(shè)計(jì)的芯片的測試過程中發(fā)現(xiàn)，由于需要保證芯片的品質(zhì)，需要大量反復(fù)的對(duì)整個(gè)芯片實(shí)行按字節(jié)進(jìn)行的寫操作，這樣就在整個(gè)測試過程中占據(jù)了相當(dāng)大部分的測試時(shí)間；如果既能減少寫操作的次數(shù)，又能達(dá)到測試的目的，那么這部分測試時(shí)間就能極大的壓縮。其中在位數(shù)可選×8和×16(或×32)的EFlash IP(嵌入式閃存核)中就有選擇位數(shù)的位選信號(hào)。例如在通常的設(shè)計(jì)中如果這塊IP(核)應(yīng)用于16位的系統(tǒng)，位選信號(hào)就恒置高；應(yīng)用于8位系統(tǒng)，位選信號(hào)就恒置低。那么在對(duì)于應(yīng)用于8位系統(tǒng)的IP，就只能按照8位為一個(gè)單位來進(jìn)行全片寫操作，顯然比按16位操作多花了一倍的時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法，它可以縮短測試時(shí)間，降低測試成本，提高產(chǎn)出率。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法是采用如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的，位選信號(hào)由串口測試電路輸入給內(nèi)置式存儲(chǔ)單元，位選信號(hào)的電平由串口測試電路發(fā)出的串口命令控制，在進(jìn)行全片寫操作時(shí)采用×16位(較多位數(shù))的方式。
采用本發(fā)明的方法，可在原有的基礎(chǔ)上縮短約1/3的測試時(shí)間，在整個(gè)測試過程中，減少測試時(shí)間意味著降低了測試成本，提高了產(chǎn)品的競爭性。


下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式
對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明圖1是現(xiàn)有的基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法示意圖；圖2是本發(fā)明基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法示意圖。
具體實(shí)施例方式
在現(xiàn)有的EFlash串口測試方法中，通常會(huì)根據(jù)系統(tǒng)的應(yīng)用要求，將位選信號(hào)固定為高或低。這樣在測試時(shí)，就只能按照選定的位數(shù)進(jìn)行寫操作。對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)容量為512K的NVM(非揮發(fā)性存儲(chǔ)器)中，如果采用×8寫全片需要64K次才能完成全片寫操作。
本發(fā)明基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法，是在現(xiàn)有的方法基礎(chǔ)上，將該位選信號(hào)釋放給串口輸入控制，在進(jìn)行全片寫操作的過程中采用×16的方式來控制。在原有設(shè)計(jì)中，芯片的測試控制信號(hào)由串口測試電路的寄存器轉(zhuǎn)換而成，本發(fā)明中只要利用該寄存器的冗余位連接到位選控制信號(hào)上，然后通過外部控制信號(hào)觸發(fā)，將所有被測芯片的管腳置于所需的電平，就能達(dá)到顯著縮短測試時(shí)間的目的，降低測試成本。
例如，將位選信號(hào)通過串口命令輸入，對(duì)于一個(gè)存儲(chǔ)容量為512K的NVM，在進(jìn)行全片寫操作時(shí)采用×16的方式，只要32K次就能完成，比現(xiàn)有的方法節(jié)約了一半的時(shí)間。
圖1是現(xiàn)有的基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法示意圖，通過CLK邊沿觸發(fā)將I/O通道上的數(shù)據(jù)鎖存到串口測試電路的寄存器中，然后由觸發(fā)信號(hào)將這些電平加到內(nèi)嵌式存儲(chǔ)單元的控制信號(hào)上。串口測試電路由邏輯電路使能有效，同時(shí)會(huì)將位選信號(hào)置于系統(tǒng)所需要的電平來表示×16或×8系統(tǒng)。
圖2是本發(fā)明基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法示意圖，它與現(xiàn)有方法的區(qū)別就在于，本來由邏輯電路控制的位選信號(hào)已經(jīng)通過串口測試電路由外部輸入，原來的邏輯電路的位選信號(hào)和其他控制信號(hào)通過MUX(選擇器)電路被屏蔽。
權(quán)利要求
1.一種基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法，其特征在于位選信號(hào)由串口測試電路輸入給內(nèi)置式存儲(chǔ)單元，位選信號(hào)的電平由串口測試電路發(fā)出的串口命令控制，在進(jìn)行全片寫操作時(shí)采用×16位的方式。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法，其特征在于將所述串口測試電路的寄存器的冗余位連接到位選控制信號(hào)上，然后通過外部控制信號(hào)觸發(fā)，將所有被測芯片的管腳置于所需的電平。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種基于位數(shù)可選的EFlash串口測試方法，位選信號(hào)由串口測試電路輸入給內(nèi)置式存儲(chǔ)單元，位選信號(hào)的電平由串口測試電路發(fā)出的串口命令控制，在進(jìn)行全片寫操作時(shí)采用×16位(位數(shù)較多)的方式。本發(fā)明可以縮短測試時(shí)間，降低測試成本，提高產(chǎn)出率。
文檔編號(hào)G01R31/317GK1982910SQ200510111429
公開日2007年6月20日 申請日期2005年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月13日
發(fā)明者陳凱華 申請人:上海華虹Nec電子有限公司